一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種光刻層數(shù)少、工藝簡(jiǎn)單的超低功耗半導(dǎo)體功率器件，包括：半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板上設(shè)置有元胞區(qū)和終端保護(hù)區(qū)，元胞區(qū)中設(shè)置有元胞，其結(jié)構(gòu)包括：元胞溝槽，元胞溝槽中設(shè)置有上部導(dǎo)電多晶硅層和下部導(dǎo)電多晶硅層，上部導(dǎo)電多晶硅層的兩側(cè)為對(duì)稱設(shè)置在下部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的伸出部，形成帽狀結(jié)構(gòu)；終端保護(hù)區(qū)上設(shè)置有至少兩個(gè)分壓環(huán)和至少一個(gè)截止環(huán)，靠近元胞區(qū)的分壓溝槽中的導(dǎo)電多晶硅層與器件的源極電性相連，其余的分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層浮置。本實(shí)用新型所述的半導(dǎo)體功率器件可廣泛地應(yīng)用于各種功率放大電路中。
【專利說明】
一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及到一種半導(dǎo)體功率器，尤其涉及到一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件。
【背景技術(shù)】
[0002]業(yè)內(nèi)人士都知道，溝槽功率器件具有高集成度、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快和開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各類電源管理及開關(guān)轉(zhuǎn)換電路中。隨著我國(guó)對(duì)節(jié)能減排越來越重視，對(duì)功率器件的損耗及轉(zhuǎn)換效率要求也越來越高。其中，導(dǎo)通損耗主要受導(dǎo)通電阻的影響，特征導(dǎo)通電阻越小，導(dǎo)通損耗越小;而開關(guān)損耗主要受柵極電荷影響，柵極電荷越小，開關(guān)損耗也越小。因此，降低導(dǎo)通電阻和柵極電荷是降低功率器件功耗的兩個(gè)有效途徑，通過降低功率器件的功耗可以更加高效地使用能源。
[0003]在半導(dǎo)體功率器件的制備過程中，降低特征導(dǎo)通電阻通常有兩種方法:一是通過提高單胞密度，增加單胞的總有效寬度。但是，單胞密度提高后，相應(yīng)的柵電荷會(huì)增加，無法做到既降低導(dǎo)通電阻又降低柵電荷;二是通過提高外延片摻雜濃度、減小外延層厚度來實(shí)現(xiàn)，但會(huì)降低源漏極之間的擊穿電壓。美國(guó)專利:US 2 O O 80 O 4 2 I 7 2 A和中國(guó)專利201110241526.5中公開的一種溝槽型雙層?xùn)殴β蕡?chǎng)效應(yīng)管(Split Gate M0SFET)較為成功地解決了上述問題，該溝槽型雙層?xùn)殴β蕡?chǎng)效應(yīng)管通過在溝槽下部集成一個(gè)與源極短接的屏蔽柵的場(chǎng)板效應(yīng)來提高擊穿電壓，使得在相同擊穿電壓下，可以通過增大硅外延層的摻雜濃度來降低功率器件的導(dǎo)通電阻，從而降低工作時(shí)的導(dǎo)通功耗。這樣，該溝槽型雙層?xùn)殴β蕡?chǎng)效應(yīng)管在降低導(dǎo)通電阻(RDSON)的同時(shí)，又能減少柵極電荷，從而降低其開關(guān)損耗。然而，美中不足的是由于在器件結(jié)構(gòu)中引入了屏蔽柵的場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，器件結(jié)構(gòu)及工藝更為復(fù)雜，導(dǎo)致工藝層次增加，目前主要是采用7層光刻工藝來實(shí)現(xiàn)。而且，其終端保護(hù)環(huán)上采取屏蔽柵極與源極相連，在反向耐壓時(shí)電場(chǎng)主要集中在靠近元胞區(qū)的第一個(gè)保護(hù)環(huán)內(nèi)側(cè)，導(dǎo)致耐壓偏低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種光刻層數(shù)少、工藝簡(jiǎn)單的超低功耗半導(dǎo)體功率器件。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件，包括:半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型襯底及設(shè)置在第一導(dǎo)電類型襯底上的第一導(dǎo)電類型外延層，第一導(dǎo)電類型外延層的表面為第一主面，第一導(dǎo)電類型襯底的表面為第二主面;第一主面包括設(shè)置有元胞的元胞區(qū)以及位于元胞區(qū)的外圍的終端保護(hù)區(qū)；
[0006]所述元胞的具體結(jié)構(gòu)包括:開設(shè)在元胞區(qū)的第一溝槽即元胞溝槽，元胞溝槽中設(shè)置有上部導(dǎo)電多晶娃層和下部導(dǎo)電多晶娃層，上部導(dǎo)電多晶娃層的兩側(cè)為對(duì)稱設(shè)置在下部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的伸出部，形成帽狀結(jié)構(gòu);上、下部導(dǎo)電多晶硅層之間設(shè)置有第二絕緣柵氧化層，上部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的側(cè)面與元胞溝槽之間設(shè)置有第一絕緣柵氧化層，上部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的底面與元胞溝槽之間設(shè)置有絕緣氧化層；
[0007]所述的終端保護(hù)區(qū)上設(shè)置有至少兩個(gè)分壓環(huán)和位于分壓環(huán)外圍的至少一個(gè)截止環(huán)，所述分壓環(huán)的具體結(jié)構(gòu)包括:開設(shè)在終端保護(hù)區(qū)上的第一溝槽即分壓溝槽，分壓溝槽中設(shè)置有導(dǎo)電多晶硅層以及用于將該導(dǎo)電多晶硅層與分壓溝槽隔離的絕緣氧化層，該導(dǎo)電多晶硅層的頂面不高于所述的第一主面，靠近元胞區(qū)的第一個(gè)分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層與所述器件的源極電性相連，其余的分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層浮置。
[0008]作為一種優(yōu)選方案，在所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器件中，所述的第一絕緣柵氧化層的厚度在0.02-0.1微米之間，第二絕緣柵氧化層的厚度是第一絕緣柵氧化層的1.2-2倍。
[0009]作為一種優(yōu)選方案，在所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器件中，所述第一溝槽的深度在3-8微米之間，所述絕緣氧化層的厚度在0.3-0.8微米之間。
[0010]作為一種優(yōu)選方案，在所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器件中，所述上部導(dǎo)電多晶硅層的伸出部的高度在0.8-2微米之間。
[0011]作為一種優(yōu)選方案，在所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器件中，所述元胞溝槽的寬度大于相應(yīng)元胞尺寸的一半。
[0012]本實(shí)用新型還公開了一種用于制造上述超低功耗半導(dǎo)體功率器件的方法，其步驟為:
[0013]I)在第一導(dǎo)電類型襯底上生長(zhǎng)第一導(dǎo)電類型外延層，形成半導(dǎo)體基板；
[0014]2)在第一主面上淀積硬掩膜層，光刻出硬掩膜刻蝕區(qū)域，并刻蝕硬掩膜層，形成用于溝槽刻蝕的硬掩膜；
[0015]3)刻蝕第一主面，在元胞區(qū)和終端保護(hù)環(huán)區(qū)形成第一溝槽，然后，去除硬掩膜；
[0016]4)在第一主面上及第一溝槽內(nèi)通過淀積或熱生長(zhǎng)形成一層絕緣氧化層；
[0017]5)在第一主面上及第一溝槽內(nèi)淀積導(dǎo)電多晶硅，然后刻蝕導(dǎo)電多晶硅，去除第一主面上和第一溝槽上方的導(dǎo)電多晶硅，使得第一溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層的頂端端面不高于第一主面即第一導(dǎo)電類型外延層的表面；
[0018]6)以光刻膠為掩膜，刻蝕元胞區(qū)第一溝槽中部分的導(dǎo)電多晶娃；
[0019]7)刻蝕絕緣氧化層，分別在元胞區(qū)第一溝槽中留下的導(dǎo)電多晶硅的兩側(cè)形成第二溝槽和第三溝槽；
[0020]8)去除光刻膠，然后，在第一主面上、元胞區(qū)第一溝槽中導(dǎo)電多晶硅層的頂端、以及所述的第二、第三溝槽的內(nèi)壁上生長(zhǎng)第一絕緣柵氧化層，在元胞區(qū)第一溝槽中留下的導(dǎo)電多晶硅上生長(zhǎng)第二絕緣柵氧化層；
[0021]9)在第一主面上及第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽內(nèi)淀積導(dǎo)電多晶硅，然后，刻蝕所淀積的導(dǎo)電多晶硅，去除第一主面上的導(dǎo)電多晶硅，保留第二、第三溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層、且該導(dǎo)電多晶硅層的端面不高于第一主面；
[0022]10)在第一主面上注入第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，通過熱處理形成第二導(dǎo)電類型層；
[0023]11)在第一主面上注入第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，通過熱處理形成第一導(dǎo)電類型注入層；
[0024]12)在第一主面上積淀絕緣介質(zhì)層；
[0025]13)光刻引出孔區(qū)域，刻蝕絕緣介質(zhì)層和第一導(dǎo)電類型外延層，在刻蝕第一導(dǎo)電類型外延層時(shí)，一直刻蝕到第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子層，使得引出孔伸入到第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)尚子層中；
[0026]14)在第一主面上及引出孔內(nèi)淀積第一金屬層，光刻出引線區(qū)域，刻蝕形成金屬引線；
[0027]15)在第二主面上進(jìn)行基板研磨、并淀積第二金屬層，形成所述半導(dǎo)體功率器件的背面電極。
[0028]作為一種優(yōu)選方案，在所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器件的制造方法中，在所述的第12)步驟之后，S卩:在第一主面上積淀絕緣介質(zhì)層后，將絕緣介質(zhì)層的表面磨平。
[0029]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0030]1、相比現(xiàn)有的7次光刻技術(shù)，本實(shí)用新型采用4次光刻技術(shù)，節(jié)省了 3次光刻工序，工藝流程更為簡(jiǎn)單，兼容性強(qiáng)，穩(wěn)定性高，適合量產(chǎn)，流片成本降低了 20%左右，大大降低了制造成本。
[0031]2、采用本實(shí)用新型所述的制造方法得到的超低功耗半導(dǎo)體功率器件，其上部導(dǎo)電多晶硅層形成帽狀結(jié)構(gòu)，具有更低的開關(guān)損耗和更快的開關(guān)速度;其終端保護(hù)區(qū)內(nèi)的分壓環(huán)靠近元胞區(qū)的分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅與器件的源極電性相連，其余的分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層浮置，這樣既節(jié)省了面積，又提高了器件的耐壓。
【附圖說明】
[0032]圖1至圖16是本實(shí)用新型所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器在經(jīng)過本實(shí)用新型所述的制造方法的相關(guān)步驟后所形成的各個(gè)階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖1至圖16中的附圖標(biāo)記為:1、N型襯底，2、N型外延層，21、第一主面，22、第二主面，23、引出孔，3、第一溝槽，31、第二溝槽，32、第三溝槽，5、導(dǎo)電多晶硅，51、下部導(dǎo)電多晶硅層，52、導(dǎo)電多晶硅層，53、導(dǎo)電多晶硅層，6、光刻膠，7、導(dǎo)電多晶硅，71、上部導(dǎo)電多晶硅層，72、伸出部，8、第二絕緣柵氧化層，9、第一絕緣柵氧化層，10、絕緣氧化層，13、絕緣介質(zhì)層，14、P_離子層，15、N+離子層，16、第一金屬層，161、金屬引線，162、金屬引線，18、第二金屬層。
【具體實(shí)施方式】
[0034]首先，結(jié)合附圖16，以N溝道結(jié)構(gòu)為例詳細(xì)描述本實(shí)用新型所述的一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件的具體實(shí)施方案。
[0035]如圖16所示，本實(shí)用新型所述的一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件，包括:半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板包括:N型襯底1(也稱為N+襯底)及設(shè)置在N型襯底I上的N型外延層2(也稱為N-外延層)，N型外延層2的表面為第一主面21、N型襯底I的表面為第二主面22——參見圖1所示;第一主面21包括:設(shè)置有元胞的元胞區(qū)以及位于元胞區(qū)的外圍的終端保護(hù)區(qū)；
[0036]所述元胞的具體結(jié)構(gòu)包括:開設(shè)在元胞區(qū)的第一溝槽3即元胞溝槽，元胞溝槽中設(shè)置有上部導(dǎo)電多晶娃層71和下部導(dǎo)電多晶娃層51，其中，上部導(dǎo)電多晶娃層71的兩側(cè)為對(duì)稱設(shè)置在下部導(dǎo)電多晶娃層51兩側(cè)的伸出部72，形成帽狀結(jié)構(gòu);上、下部導(dǎo)電多晶娃層71和51之間設(shè)置有第二絕緣柵氧化層8，上部導(dǎo)電多晶硅層71兩側(cè)的側(cè)面與元胞溝槽之間設(shè)置有第一絕緣柵氧化層9，上部導(dǎo)電多晶硅層71伸出部72的底面與元胞溝槽之間設(shè)置有絕緣氧化層10;所述元胞溝槽的兩側(cè)設(shè)置有P-阱即P-離子層14，p-離子層14淺于上部導(dǎo)電多晶硅層71的伸出部72的底面，元胞溝槽的兩側(cè)在P-離子層14的上方設(shè)置有N+注入層即N+離子層15;所述的終端保護(hù)區(qū)上設(shè)置有兩個(gè)分壓環(huán)和位于分壓環(huán)外圍的一個(gè)截止環(huán)，所述分壓環(huán)的具體結(jié)構(gòu)包括:位于終端保護(hù)區(qū)上靠近元胞區(qū)的兩個(gè)第一溝槽3即分壓溝槽，分壓溝槽中設(shè)置有導(dǎo)電多晶硅層52以及用于將該導(dǎo)電多晶硅層52與分壓溝槽隔離的絕緣氧化層10，該導(dǎo)電多晶硅層52的頂面不高于所述的第一主面21，靠近元胞區(qū)的第一個(gè)分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層52與所述超低功耗半導(dǎo)體功率器件的源極電性相連，其余的分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層52浮置;所述截止環(huán)的具體結(jié)構(gòu)包括:開設(shè)在終端保護(hù)區(qū)上位于分壓環(huán)外圍的第一溝槽3即截止溝槽，截止溝槽中設(shè)置有導(dǎo)電多晶硅層53以及用于將該導(dǎo)電多晶硅層53與截止溝槽隔離的絕緣氧化層10，該導(dǎo)電多晶硅層53的頂面不高于所述的第一主面21。
[0037]在本實(shí)施例中，所述第一緣柵氧化層9的厚度在0.02-0.1微米之間，第二絕緣柵氧化層8的厚度是第一絕緣柵氧化層9的1.2-2倍;所述第一溝槽3即元胞溝槽、分壓溝槽和截止溝槽的深度在3-8微米之間，所述絕緣氧化層4的厚度在0.3-0.8微米之間;所述上部導(dǎo)電多晶硅層71的伸出部72的高度在0.8-2微米之間；所述元胞溝槽的寬度L2大于相應(yīng)元胞尺寸LI的一半?yún)⒁妶D15所不。
[0038]本實(shí)施例采用兩個(gè)分壓環(huán)和一個(gè)截止環(huán)，分壓環(huán)的數(shù)量應(yīng)根據(jù)實(shí)際需要來確定。
[0039]接下來，結(jié)合附圖1至16，以N溝道為例詳細(xì)描述本實(shí)用新型所述的一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件的制造方法，其步驟為:
[0040]I)在N型襯底I上生長(zhǎng)N型外延層2，形成圖1所示的半導(dǎo)體基板；
[0041]2)在第一主面21即N型外延層2的表面上淀積硬掩膜層，光刻出硬掩膜刻蝕區(qū)域，并刻蝕硬掩膜層，形成用于溝槽刻蝕的硬掩膜，屬于本領(lǐng)域的慣常技術(shù)，在此不再展開敘述；
[0042]3)刻蝕第一主面21，在元胞區(qū)和終端保護(hù)環(huán)區(qū)形成第一溝槽3，然后，去除硬掩膜參見圖2所不；
[0043]4)在第一主面21上及第一溝槽3內(nèi)通過淀積或熱生長(zhǎng)形成一層絕緣氧化層10—一參見圖3所示；
[0044]5)在第一主面21上及第一溝槽3內(nèi)淀積導(dǎo)電多晶硅5——參見圖4所示，然后，刻蝕導(dǎo)電多晶硅5，去除第一主面21上和第一溝槽3上方的導(dǎo)電多晶硅5，使得到的第一溝槽3內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層51、52和53的頂端端面均不高于第一主面21即N型外延層的表面，然后，設(shè)置光刻膠6，并將需要刻蝕的區(qū)域內(nèi)的光刻膠去掉——參見圖5所示；
[0045]6)以光刻膠6為掩膜，刻蝕元胞區(qū)第一溝槽3中部分的導(dǎo)電多晶硅，即將導(dǎo)電多晶硅層51中的上部刻蝕掉——參見圖6所示；
[0046]7)刻蝕絕緣氧化層，分別在元胞區(qū)第一溝槽中留下的導(dǎo)電多晶硅層51的兩側(cè)形成第二溝槽31和第三溝槽32——參見圖7所示；
[0047]8)去除光刻膠6，在第一主面21上、元胞區(qū)第一溝槽3中導(dǎo)電多晶硅層51的頂端、以及所述的第二、第三溝槽31和32的內(nèi)壁上生長(zhǎng)第一絕緣柵氧化層9，在元胞區(qū)第一溝槽3中留下的導(dǎo)電多晶硅層51上生長(zhǎng)第二絕緣柵氧化層8——參見圖8所示；
[0048]9)在第一主面21上及元胞區(qū)的第一溝槽3、第二溝槽31、第三溝槽32內(nèi)淀積導(dǎo)電多晶硅7—一參見圖9所示，然后，刻蝕所淀積的導(dǎo)電多晶硅7，去除第一主面21上的導(dǎo)電多晶硅7，保留元胞區(qū)中的第一溝槽3、第二溝槽31和第三溝槽32內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層71、且導(dǎo)電多晶娃層71的端面不尚于第一主面21 參見圖1O所不；
[0049]10)在第一主面21上注入P型雜質(zhì)離子，并通過熱處理形成P-離子層14一一參見圖11所示；
[0050]11)在第一主面21上注入N型雜質(zhì)離子，并通過熱處理形成N+離子層15—一參見圖12所示；
[0051]12)在第一主面21上積淀絕緣介質(zhì)層13—一參見圖13所示，然后將絕緣介質(zhì)層13的表面磨平，事實(shí)上，由于第一絕緣柵氧化層9的厚度很小，通常不做磨平處理；
[0052]13)光刻引出孔區(qū)域，刻蝕絕緣介質(zhì)層13和N型外延層2，在刻蝕N型外延層2時(shí)，一直刻蝕到P-離子層14，使得引出孔23伸入到P-離子層14—參見圖14所示；
[0053]14)在第一主面21上以及引出孔23內(nèi)淀積第一金屬層16—一參見圖15所示，光刻出引線區(qū)域，刻蝕形成金屬引線161和162—一參見圖16所示，金屬引線161與所述器件的源極相連，金屬引線162浮置；
[0054]15)在第二主面22上進(jìn)行基板研磨，并淀積第二金屬層18，形成所述半導(dǎo)體功率器件的背面電極一參見圖16所示。
[0055]綜上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所作的均等變化與修飾，均應(yīng)包括在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件，包括:半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型襯底及設(shè)置在第一導(dǎo)電類型襯底上的第一導(dǎo)電類型外延層，第一導(dǎo)電類型外延層的表面為第一主面，第一導(dǎo)電類型襯底的表面為第二主面;第一主面包括設(shè)置有元胞的元胞區(qū)以及位于元胞區(qū)的外圍的終端保護(hù)區(qū)；其特征在于: 所述元胞的具體結(jié)構(gòu)包括:開設(shè)在元胞區(qū)的第一溝槽即元胞溝槽，元胞溝槽中設(shè)置有上部導(dǎo)電多晶娃層和下部導(dǎo)電多晶娃層，上部導(dǎo)電多晶娃層的兩側(cè)為對(duì)稱設(shè)置在下部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的伸出部，形成帽狀結(jié)構(gòu);上、下部導(dǎo)電多晶硅層之間設(shè)置有第二絕緣柵氧化層，上部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的側(cè)面與元胞溝槽之間設(shè)置有第一絕緣柵氧化層，上部導(dǎo)電多晶硅層兩側(cè)的底面與元胞溝槽之間設(shè)置有絕緣氧化層； 所述的終端保護(hù)區(qū)上設(shè)置有至少兩個(gè)分壓環(huán)和位于分壓環(huán)外圍的至少一個(gè)截止環(huán)，所述分壓環(huán)的具體結(jié)構(gòu)包括:開設(shè)在終端保護(hù)區(qū)上的第一溝槽即分壓溝槽，分壓溝槽中設(shè)置有導(dǎo)電多晶硅層以及用于將該導(dǎo)電多晶硅層與分壓溝槽隔離的絕緣氧化層，該導(dǎo)電多晶硅層的頂面不高于所述的第一主面，靠近元胞區(qū)的第一個(gè)分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層與所述器件的源極電性相連，其余的分壓溝槽內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅層浮置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件，其特征在于:所述的第一絕緣柵氧化層的厚度在0.02-0.1微米之間，第二絕緣柵氧化層的厚度是第一絕緣柵氧化層的1.2-2倍。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件，其特征在于:所述第一溝槽的深度在3-8微米之間，所述絕緣氧化層的厚度在0.3-0.8微米之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低功耗半導(dǎo)體功率器件，其特征在于:所述上部導(dǎo)電多晶硅層的伸出部的高度在0.8-2微米之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的超低功耗半導(dǎo)體功率器件，其特征在于:所述元胞溝槽的寬度大于相應(yīng)元胞尺寸的一半。
【文檔編號(hào)】H01L29/423GK205564757SQ201620405924
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月6日
【發(fā)明人】侯宏偉, 丁磊
【申請(qǐng)人】張家港凱思半導(dǎo)體有限公司