專利名稱：一種改進(jìn)的抗浪涌保護(hù)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)用新型涉及一種過(guò)電壓保護(hù)用半導(dǎo)體抗浪涌器件，尤其是能適應(yīng)高頻、寬帶通訊的半導(dǎo)體抗浪涌器件。
背景技術(shù)：
程控交換機(jī)初級(jí)保護(hù)及用戶終端過(guò)電壓保護(hù)用半導(dǎo)體抗浪涌(如防雷擊、抗電力感應(yīng)、對(duì)電力線碰觸保護(hù)等)放電芯片，如SA系列固體放電芯片，由于抗浪涌能力的要求，芯片需保證一定的面積，所以其極間電容量通常達(dá)到或接近200pf，如此高的電容，只能被用于低頻通訊。然而隨著現(xiàn)代通訊技術(shù)的迅速發(fā)展，高頻、寬帶通訊越來(lái)越受到歡迎，在高頻下放電芯片容抗將變小，接入電路中會(huì)導(dǎo)致正常信號(hào)被旁路掉，因此現(xiàn)有固體放電芯片難以直接應(yīng)用于高頻、寬帶通訊保護(hù)。如果采用二個(gè)SA系列放電芯片串接，雖能可達(dá)到降低極間電容目的，但保護(hù)需二個(gè)放電芯片同時(shí)導(dǎo)通，這樣會(huì)造成發(fā)熱量增大，而使芯片耐大電流能力變差，而且二個(gè)芯片串接電性能配對(duì)匹配復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)用新型的目的在于克服上述已有技術(shù)的不足，提供一種能有效減小極間電容，使之可用于高頻通訊設(shè)備保護(hù)，且基本不影響原有電氣性能的半導(dǎo)體抗浪涌器件。
實(shí)用新型目的實(shí)現(xiàn)，主要改進(jìn)是在放電芯片一端或二端串接有反并聯(lián)二極管，做到在不降低放電芯片原有電性能如擊穿電壓、轉(zhuǎn)折電壓、耐大電流能力，使極間總電容得以下降，能做到50pf以下，使之可以用于高頻、寬帶通訊設(shè)備的保護(hù)。具體說(shuō)，實(shí)用新型半導(dǎo)體抗浪涌器件，包括一片抗浪涌的固體放電芯片，其特征在于所說(shuō)固體放電芯片一端或二端串接有反并聯(lián)二極管。
實(shí)用新型采用串接二極管，可以在不影響放電芯片電性能前提下，使極間電容得到較大降低，從而滿足高頻、寬帶通訊對(duì)保護(hù)器件的要求。二極管的反并聯(lián)組合，主要是滿足放電管雙向保護(hù)特性要求。所說(shuō)二極管可以是封裝后的，也可以是未封裝的二極管芯片，其中尤以后者為優(yōu)，有利于封裝及減小體積。
實(shí)用新型二極管的選用，只要保證二極管的正向抗浪涌電流能力能與放電芯片相匹配即可。串接反并聯(lián)二極管降容，可以在放電芯片一端，也可以在二端，還可以在反并聯(lián)二極管兩個(gè)支路上再按極性同向多個(gè)串接，即兩單路可以是兩只以上二極管極性同向串接，這樣可以使總電容降得更低，以適應(yīng)更高頻率和更寬寬帶的要求。
實(shí)用新型由于在放電芯片一端或二端串接有反并聯(lián)二極管，不僅可以顯著降低極間電容，使之既能適應(yīng)高頻、寬帶通訊要求，也可以用于低頻通訊，而且放電芯片原有抗浪涌電性能基本維保持不變，擴(kuò)大了半導(dǎo)體抗浪涌器件使用范圍，而且為高頻、寬帶通訊找到了理想保護(hù)器件。
以下結(jié)合幾個(gè)具體實(shí)施例，進(jìn)一步說(shuō)明實(shí)用新型。


圖1為實(shí)用新型第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
圖2為實(shí)用新型第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
圖3為實(shí)用新型第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1參見(jiàn)圖1，實(shí)用新型半導(dǎo)體抗浪涌器件，有抗浪涌的固體放電芯片1，及一端串接的反并聯(lián)二極管(未封裝芯片)2.1和2.2組成，通過(guò)外加電極及封裝即得到可直接應(yīng)用的抗浪涌器件。
實(shí)施例2參見(jiàn)圖2，如實(shí)施例1，在放電芯片另一端也串接有反并聯(lián)二極管3。所述二極管為臺(tái)面保護(hù)結(jié)構(gòu)二極管。
實(shí)施例3參見(jiàn)圖3，如前述，在反并聯(lián)二極管二個(gè)支路上，分別按極性同向串接有二只二極管芯片。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體抗浪涌器件，包括一片抗浪涌的固體放電芯片，其特征在于所說(shuō)固體放電芯片一端或二端串接有反并聯(lián)二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征在于所說(shuō)固體放電芯片二端串接有反并聯(lián)二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征在于所說(shuō)反并聯(lián)二極管兩個(gè)支路上有多個(gè)二極管同向串接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征在于所說(shuō)二極管為未封裝的芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征在于所說(shuō)二極管為未封裝的芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征在于所說(shuō)二極管為臺(tái)面保護(hù)結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征在于所說(shuō)二極管為臺(tái)面保護(hù)結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種過(guò)電壓保護(hù)用半導(dǎo)體抗浪涌器件，尤其是能適應(yīng)高頻、寬帶通訊的半導(dǎo)體抗浪涌器件，其特征是固體放電芯片一端或二端串接有反并聯(lián)二極管。實(shí)用新型半導(dǎo)體抗浪涌器件，不僅較已有技術(shù)可以顯著降低極間電容，使之適應(yīng)高頻、寬帶通訊要求，也可以用于低頻通訊，擴(kuò)大了半導(dǎo)體抗浪涌器件使用范圍，而且放電芯片原有抗浪涌電性能基本得到保持不變，有效避免了因降低極間電容，而導(dǎo)致電性能的下降，使保護(hù)功能減弱的缺陷。
文檔編號(hào)H02H9/04GK2646926SQ0327878
公開(kāi)日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2003年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月24日
發(fā)明者陳俊標(biāo), 王權(quán) 申請(qǐng)人:江蘇東光微電子股份有限公司