專利名稱：返馳式轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是與電路有關(guān)，更詳而言之，乃是指構(gòu)件簡(jiǎn)單、效率極高的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)：
按，圖6所示，是美國(guó)6,416,544號(hào)“連續(xù)型返馳式轉(zhuǎn)換電路”發(fā)明專利，其主要是透過(guò)一場(chǎng)效晶體管FET 71來(lái)提供變壓器72二次側(cè)的壓降，該FET 71的使用可以減少電能損耗，進(jìn)而使其更適用于低電壓的應(yīng)用，且其更有一個(gè)直流擋止電容CC(DC-blocking)可進(jìn)一步的減少電能的損耗。惟，此種電路主要是利用一PNP晶體管74來(lái)防止該FET 71的柵極電壓變?yōu)樨?fù)，并且快速關(guān)閉該FET 71的效果。
圖7所示，則為日本專利特開(kāi)平6-339266號(hào)“MOS晶體管同期整流返馳式轉(zhuǎn)換電路”所揭露的，其中，除了變壓器81二次側(cè)具有一MOSFET 82連接于一電容83以及一電阻84外，必須在變壓器81一次側(cè)配合一切換驅(qū)動(dòng)回路85以及一二極管86，以一周波數(shù)制御回路87控制頻率，以利用變頻的方式來(lái)控制其輸出。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的即在提供一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其利用簡(jiǎn)單電子元件來(lái)達(dá)成高效率的功效。
本實(shí)用新型的次一目的乃在提供一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其電路構(gòu)件簡(jiǎn)單，成本低廉。
緣是，為達(dá)成前述目的，依據(jù)本實(shí)用新型所提供的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包含有一第一側(cè)以及一第二側(cè)；該第一側(cè)是由一第一線圈繞組以及一開(kāi)關(guān)串接形成；該第二側(cè)具有一第二線圈繞組、一第三線圈繞組、一第一電阻、一電容、一第二電阻、以及一金氧半場(chǎng)效晶體管，其中，該第一電阻、該電容及該第二電阻是相串接，且以其串接的組合并聯(lián)于該第三線圈繞組，該金氧半場(chǎng)效晶體管則以其柵極以及源極是與該第一電阻并聯(lián)；由此，該開(kāi)關(guān)在開(kāi)啟或關(guān)閉時(shí)，位于第一側(cè)的能量均可以返馳方式轉(zhuǎn)換至該第二側(cè)。
其中該第一線圈繞組、第二線圈繞組以及第三線圈繞組是為一變壓器兩側(cè)的線圈，該第一線圈繞組是位于一次側(cè)，該第二、第三線圈繞組則位于二次側(cè)。
其中該第二線圈繞組及該第三線圈繞組相串接，而該金氧半場(chǎng)效晶體管的源極連接于該第二線圈繞組與該第三線圈繞組之間。
其中該金氧半場(chǎng)效晶體管的源極連接于該第三線圈繞組，汲極則連接于該第二線圈繞組，該第二線圈繞組、該金氧半場(chǎng)效晶體管、與該第三線圈繞組間是形成串接狀態(tài)。


為進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說(shuō)明如后，其中圖1是本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的電路動(dòng)作圖；圖3是本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的另一電路動(dòng)作圖；圖4A、圖4B是本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的波形示意圖；圖5是本實(shí)用新型第二較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖；圖6是現(xiàn)有返馳式轉(zhuǎn)換電路的電路結(jié)構(gòu)圖；圖7是另一現(xiàn)有返馳式轉(zhuǎn)換電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的構(gòu)造及特點(diǎn)所在，茲舉以下二較佳實(shí)施例并配合附圖說(shuō)明如后請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例所提供的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路10，包含有一第一側(cè)11以及一第二側(cè)21；該第一側(cè)11是由一第一線圈繞組12以及一開(kāi)關(guān)14串接形成；該第二側(cè)21具有一第二線圈繞組22、一第三線圈繞組23、一第一電阻R1、一電容C1、一第二電阻R2、以及一MOSFET 25(金氧半場(chǎng)效晶體管)，其中，該第一電阻R1、該電容C1及該第二電阻R2是相串接，且以其串接的組合并聯(lián)于該第三線圈繞組23，該MOSFET 25則以其柵極G以及源極S是與該第一電阻R1并聯(lián)，該MOSFET 25的源極S并且連接于該第二線圈繞組22與該第三線圈繞組23之間；其中，該第一線圈繞組12、第二線圈繞組22以及第三線圈繞組23是為一變壓器16兩側(cè)的線圈，該第一線圈繞組12是位于該變壓器16的一次側(cè)，該第二、第三線圈繞組22、23則位于該變壓器16的二次側(cè)且相串接；本實(shí)施例中，是配合一輸出電容C2以及一負(fù)載Ro彼此并聯(lián)，且以其兩端分別連接于該MOSFET 25的漏極D以及該第二線圈繞組22；由此，該開(kāi)關(guān)14在開(kāi)啟或關(guān)閉時(shí)，位于第一側(cè)11的能量均可以返馳方式轉(zhuǎn)換至該第二側(cè)21。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2至圖3，本實(shí)用新型于動(dòng)作時(shí)，是于該第一側(cè)11連接適當(dāng)?shù)闹绷麟娫矗?dāng)該開(kāi)關(guān)14導(dǎo)通時(shí)，該變壓器16即開(kāi)始儲(chǔ)存能量，其極性如圖2所示，在該第三線圈繞組23中感應(yīng)至該MOSFET 25的柵極G負(fù)極性，所以Vg＜Vs，該MOSFET 25為關(guān)閉狀態(tài)，而輸出由該輸出電容C2提供能量至該負(fù)載Ro。而該第一電阻R1可用來(lái)加速該MOSFET 25關(guān)閉，以減少該二次側(cè)的電能損耗。
如圖3所示，當(dāng)該開(kāi)關(guān)14斷路時(shí)，該第三線圈繞組23中感應(yīng)至該MOSFET 25的柵極G為正極性，所以V巳＞Vs，該MOSFET 25為開(kāi)啟狀態(tài)，提供能量給該輸出電容C2以及該負(fù)載Ro，其導(dǎo)通路徑由該第三線圈繞組23、該第二電阻R2、該電容C1至該MOSFET 25的柵極G，其中該第二電阻R2可用來(lái)抑制該MOSFET 25在切換時(shí)所產(chǎn)生的振蕩(damping)，減少EM工的產(chǎn)生；此外，由于在MOSFET 25特性中，若Vgs愈大，則Rds(on)愈小，因此該電容C1亦可用以減少電能損耗。
圖4A、圖4B分別顯示在重載及輕載時(shí)的波形，其中Q1G代表該開(kāi)關(guān)14的波形，Q1 VDS代表該MOSFET 25的漏極D與源極S間的電壓波形；在輕載的狀態(tài)下，在該開(kāi)關(guān)斷路時(shí)，由于Vg＞Vs，因此Vg-Vs為正值，由該柵極G觸發(fā)該MOSFET 25導(dǎo)通，此電路架構(gòu)是利用該MOSFET 25極低的Vgs(th)(Vgs的臨界電壓)特性，使該MOSFET25在同一周期內(nèi)切換兩次，由于MOSFET 25操作在DCM模式時(shí)，Vgs大于Vgs(th)，即會(huì)迫使該MOSFET 25再次導(dǎo)通，將DCM轉(zhuǎn)換成CCM，解決了在DCM模式下的不連續(xù)電流問(wèn)題并且以定頻率的方式操作，不需要變頻，即能操作于CCM模式。由圖4A、圖4B中可知，本實(shí)用新型重載及輕載時(shí)均能有效工作，不會(huì)因輕載或重載而有所影響。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D5，本實(shí)用新型第二較佳實(shí)施例所提供的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路30，主要概同于前揭實(shí)施例，不同之處在于該MOSFET 35的源極S連接于該第三線圈繞組33，漏極D則連接于該第二線圈繞組32，該第二線圈繞組32、該MOSFET 35、與該第三線圈繞組33間是形成串接狀態(tài)。
本第二實(shí)施例的作動(dòng)方式概同于前揭實(shí)施例，容不贅述。
由前述結(jié)構(gòu)可知，本實(shí)用新型乃是利用該電容C1及該第二電阻R2來(lái)減少電能損耗，并由該第一電阻R1來(lái)加快該MOSFET 25的關(guān)閉速度，此外，本實(shí)用新型的構(gòu)件又較現(xiàn)有者簡(jiǎn)單，進(jìn)而形成出一種構(gòu)件少，構(gòu)件成本低，高效率且高速工作的返馳式轉(zhuǎn)換電路。
須強(qiáng)調(diào)的是，前揭現(xiàn)有日本案必須配合一二極管86以及一周波數(shù)制御回路8 7來(lái)控制變頻，以符合輕載及重載時(shí)的需求，本案無(wú)須該等構(gòu)件即可符合輕載及重載的需求，由MOSFET本身Vgs(th)的特性來(lái)達(dá)到連續(xù)電流的效果，無(wú)需額外的控頻回路即可在CCM模式下操作，故本案的電路結(jié)構(gòu)較該現(xiàn)有日本案更為簡(jiǎn)易、成本更低。
以上所揭的，主要為舉例說(shuō)明，并不能據(jù)以限定本案的技術(shù)范圍，其他以本案的技術(shù)所進(jìn)行的修改變化，亦應(yīng)為本案的范圍所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包含有一第一側(cè)以及一第二側(cè)；該第一側(cè)是由一第一線圈繞組以及一開(kāi)關(guān)串接形成；該第二側(cè)具有一第二線圈繞組、一第三線圈繞組、一第一電阻、一電容、一第二電阻、以及一金氧半場(chǎng)效晶體管，其中，該第一電阻、該電容及該第二電阻是相串接，且以其串接的組合并聯(lián)于該第三線圈繞組，該金氧半場(chǎng)效晶體管則以其柵極以及源極是與該第一電阻并聯(lián)；由此，該開(kāi)關(guān)在開(kāi)啟或關(guān)閉時(shí)，位于第一側(cè)的能量均可以返馳方式轉(zhuǎn)換至該第二側(cè)。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，其中該第一線圈繞組、第二線圈繞組以及第三線圈繞組是為一變壓器兩側(cè)的線圈，該第一線圈繞組是位于一次側(cè)，該第二、第三線圈繞組則位于二次側(cè)。
3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，其中該第二線圈繞組及該第三線圈繞組相串接，而該金氧半場(chǎng)效晶體管的源極連接于該第二線圈繞組與該第三線圈繞組之間。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，其中該金氧半場(chǎng)效晶體管的源極連接于該第三線圈繞組，漏極則連接于該第二線圈繞組，該第二線圈繞組、該金氧半場(chǎng)效晶體管、與該第三線圈繞組間是形成串接狀態(tài)。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種返馳式轉(zhuǎn)換電路，包含有一第一側(cè)以及一第二側(cè)；該第一側(cè)是由一第一線圈繞組以及一開(kāi)關(guān)串接形成；該第二側(cè)具有一第二線圈繞組、一第三線圈繞組、一第一電阻、一電容、一第二電阻、以及一MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)，其中，該第一電阻、該電容及該第二電阻是相串接，且以其串接的組合并聯(lián)于該第三線圈繞組，該MOSFET則以其柵極以及源極是與該第一電阻并聯(lián)；由此，該開(kāi)關(guān)在開(kāi)啟或關(guān)閉時(shí)，位于第一側(cè)的能量均可以返馳方式轉(zhuǎn)換至該第二側(cè)。
文檔編號(hào)H02M7/21GK2689582SQ200420036488
公開(kāi)日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2004年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月15日
發(fā)明者陳聯(lián)興, 柯璉建 申請(qǐng)人:博大科技股份有限公司