專利名稱：用于電路和帶有外部局部屏蔽能量通道的無源靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于電路和能量調(diào)節(jié)的分層式通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)，加上電反向互補(bǔ)的能量通道。該屏蔽結(jié)構(gòu)也具有一個(gè)共享的、中心定位的傳導(dǎo)通道或電極，它能在通電的傳導(dǎo)通道電極之間互補(bǔ)地和同時(shí)地屏蔽和允許平滑能量交互。本發(fā)明當(dāng)通電時(shí)通常將允許內(nèi)含式傳導(dǎo)通道或電極分別和諧地、且以相位相反或反向帶電的方式互相操作。當(dāng)被放入電路并通電時(shí)，發(fā)明實(shí)施例也將提供EMI過濾和電沖擊保護(hù)，與此同時(shí)在源和用能負(fù)載之間保持明顯均勻或均衡的電壓饋送。此外，本發(fā)明將幾乎總是能夠有效地提供同時(shí)的能量調(diào)節(jié)功能，包括旁通、能量和信號(hào)去耦、能量存儲(chǔ)、以及集成電路柵的同時(shí)開關(guān)操作(SSO)狀態(tài)中的持續(xù)平衡。隨著發(fā)明實(shí)施例在電路內(nèi)被被動(dòng)地操作，這些調(diào)節(jié)功能被提供以被放置回電路系統(tǒng)中的寄生破壞性能量的最小貢獻(xiàn)。
今天，隨著全世界社會(huì)中電子器件的密度的增加，消除電磁干擾(EMI)和使電器產(chǎn)品免于這種干擾的政府標(biāo)準(zhǔn)或自定標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)變得更加嚴(yán)格。僅僅在若干年前，干擾的主要原因的來源和條件諸如是電壓失調(diào)、來自電沖擊的亂真電壓瞬變、人類、或其它電磁波發(fā)生器。
在更高的工作頻率，以現(xiàn)有技術(shù)部件傳播能量的線調(diào)節(jié)已經(jīng)導(dǎo)致以EMI、RFI和電容和感應(yīng)寄生為形式的干擾的水平的增加。這些增加的原因是由于無源部件固有的制造失調(diào)和性能缺陷，在以更高工作頻率工作時(shí)相關(guān)電路中產(chǎn)生或引起干擾。EMI也可能從電路自身中產(chǎn)生，因此需要對(duì)EMI屏蔽。差動(dòng)和共用方式噪聲能量能被生成并且將總是沿著并圍繞電纜、電路板軌跡或跡線、高速傳輸線和總線通道而移動(dòng)。在許多情況中，這些關(guān)鍵能源導(dǎo)體起著輻射能量場(chǎng)的天線的作用，使問題更加嚴(yán)重。
其它EMI干擾源由有源硅部件在工作或轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生。諸如SSO之類的這些問題是電路破壞的臭名昭著的原因，產(chǎn)業(yè)中已知的問題包括無屏蔽的差動(dòng)能量通道允許寄生能量自由耦合到電路，在高頻上產(chǎn)生嚴(yán)重干擾。
其它對(duì)電路的破壞產(chǎn)生于大的電壓瞬變以及由變化的地電勢(shì)引起的地回路干擾，這會(huì)使準(zhǔn)確平衡的計(jì)算機(jī)或電力系統(tǒng)無用?，F(xiàn)有的電沖擊和EMI保護(hù)器件已經(jīng)不能在單個(gè)集成電路封裝中提供足夠的保護(hù)。各種分立的和連網(wǎng)的集總濾波器、去耦器、電沖擊消除器、組合和電路配置已經(jīng)證明是無效的，如現(xiàn)有技術(shù)的缺陷所表明的那樣。
美國專利申請(qǐng)?zhí)?9/594,447(2000年8月3日申請(qǐng))的各個(gè)部分以及以下共同所有的專利(美國專利號(hào)6,097,581、6,018,448、5,909,350和5,142,430)的各部分，涉及對(duì)新的一組分立的多功能能量調(diào)節(jié)器的繼續(xù)改進(jìn)。09/594,447是美國申請(qǐng)?zhí)?9/594,447(2000年6月15日申請(qǐng))的待定申請(qǐng)的部分繼續(xù)，09/594,447是美國申請(qǐng)?zhí)?9/579,606(2000年5月26日申請(qǐng))的待定申請(qǐng)的部分繼續(xù)，09/579,606是美國申請(qǐng)?zhí)?9/460,218(1999年12月13日申請(qǐng))的待定申請(qǐng)的部分繼續(xù)。這些多功能能量調(diào)節(jié)器提出一種共用共享、中心定位的共用傳導(dǎo)電極，其結(jié)構(gòu)能互補(bǔ)地和同時(shí)地與附接到外部載能傳導(dǎo)通道的通電和成對(duì)的電互補(bǔ)的差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道電極交互。
本申請(qǐng)拓展了這些構(gòu)思，進(jìn)一步披露了一種新的實(shí)施方案，申請(qǐng)人認(rèn)為其作為電路保護(hù)和調(diào)節(jié)系統(tǒng)的一部分，有助于解決和減少工業(yè)問題和障礙。
本申請(qǐng)也提供與現(xiàn)有技術(shù)相比具有前所未有的適應(yīng)性或易于生產(chǎn)改裝的制造基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)前面的介紹發(fā)現(xiàn)，需要提供一種分層式多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)，在內(nèi)容廣泛的實(shí)施例內(nèi)，該結(jié)構(gòu)含有共享一個(gè)共用的、中心定位的、便于能量調(diào)節(jié)的共用傳導(dǎo)通道或電極的能量傳導(dǎo)通道，同時(shí)含有多個(gè)其它功能部件。
該分層式多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)也通過允許在分組的和通電的傳導(dǎo)通道與實(shí)施例元件外部的各種傳導(dǎo)通道之間進(jìn)行預(yù)定的、同時(shí)的能量交互而對(duì)在電反向差動(dòng)電極能量通道上存在的傳播能量的各部分提供同時(shí)的物理和電屏蔽。
一種用于高頻去耦的高級(jí)方法是提供位置緊密的低阻抗、在電反向差動(dòng)電極能量通道或配電/信號(hào)平面的內(nèi)部和相鄰的平行能量通道，而不是在PCB上用多個(gè)平行的低阻抗去耦電容器來試圖實(shí)現(xiàn)相同的目的。
相應(yīng)地，按照本發(fā)明，對(duì)幾百M(fèi)Hz以上的低阻抗配電的解決方案在于內(nèi)部平行互補(bǔ)對(duì)準(zhǔn)和定位的薄介電配電平面技術(shù)。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的也是與單一部件或單一無源調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)相比能夠在寬的頻率范圍上有效地操作。理想情況下，本發(fā)明在其應(yīng)用潛能方面能是通用的，并利用各種預(yù)定分組元件的實(shí)施例；工作發(fā)明將幾乎總是在運(yùn)行超過1GHz頻率的系統(tǒng)內(nèi)繼續(xù)有效地執(zhí)行。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供對(duì)有源系統(tǒng)的能量去耦，與此同時(shí)為該有源部件及其電路保持恒定的視在電位勢(shì)。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是最小化、消除或過濾由在開始受發(fā)明實(shí)施例影響的電子通道內(nèi)流過的差動(dòng)和共用方式電流產(chǎn)生的無益的電磁輻射。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供用于傳導(dǎo)能量通道的多功能共用傳導(dǎo)屏蔽和能量調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有各種各樣的多層實(shí)施例并采用多種不受特定物理特性限制的介電材料，當(dāng)被附加到電路中并通電時(shí)，能提供同時(shí)的線調(diào)節(jié)功能和保護(hù)，如將要說明的那樣。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是向用戶提供解決現(xiàn)有技術(shù)器件解決不了的問題或局限的能力，這些問題或局限包括但不僅限于，同時(shí)的源至負(fù)載和/或負(fù)載至源的去耦、差動(dòng)方式和共用方式EMI過濾、多數(shù)能量寄生的保留和排除、以及在一個(gè)集成實(shí)施例中的電沖擊保護(hù)；以及在采用原始制造的實(shí)施例的外部的共用傳導(dǎo)區(qū)或共用能量通道時(shí)執(zhí)行所述的這些功能。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是容易地適合于與一個(gè)或多個(gè)外部傳導(dǎo)附件一起用于位于原始制造的發(fā)明的外部的共用傳導(dǎo)區(qū)，這能幫助本發(fā)明實(shí)施例提供對(duì)電子系統(tǒng)電路的保護(hù)。此外，還從在職的向有源電子部件提供保護(hù)，后者來自由一個(gè)發(fā)明實(shí)施例本身貢獻(xiàn)的電磁場(chǎng)輻射、過電壓和消耗能量的電磁輻射，而在現(xiàn)有技術(shù)器件中則是以寄生的形式貢獻(xiàn)回主電路中的。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一種物理上集成的、屏蔽包容的、傳導(dǎo)電極體系結(jié)構(gòu)，用于獨(dú)立的電極材料和/或獨(dú)立的介電材料成分，對(duì)于可能產(chǎn)生的本發(fā)明的多個(gè)可能實(shí)施例來說，該結(jié)構(gòu)在被制造時(shí)，不把發(fā)明實(shí)施例限制在特定的形式、形狀或大小，不限于本文所示各實(shí)施例。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是向用戶提供一個(gè)實(shí)施例，讓用戶能實(shí)現(xiàn)能用于集成到多個(gè)電子產(chǎn)品中的比較價(jià)廉的、小型化的解決方案。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一個(gè)實(shí)施例，它能減少對(duì)為實(shí)現(xiàn)所希望的過濾和/或線調(diào)節(jié)所需的額外的支持分立無源部件的需要，這是現(xiàn)有技術(shù)部件不能提供的。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是向用戶提供一個(gè)實(shí)施例，讓用戶能實(shí)現(xiàn)一種容易制造的、通用的多功能電子實(shí)施例，以對(duì)當(dāng)前在使用現(xiàn)有技術(shù)器件時(shí)面臨的各種電問題和約束有一致性的解決方案。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一種實(shí)施例，其形式是分立或非分立器件、或者傳導(dǎo)通道的預(yù)定分組，這些器件或傳導(dǎo)通道構(gòu)成一個(gè)多功能電子實(shí)施例，當(dāng)附接到外部傳導(dǎo)通道或預(yù)定的傳導(dǎo)表面時(shí)，在寬的頻率范圍上有效地操作并同時(shí)對(duì)有源電路部件提供能量去耦，與此同時(shí)為電路各部分保持恒定的視在電位勢(shì)。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一種實(shí)施例，其形式是分立或非分立器件、或者傳導(dǎo)通道的預(yù)定分組，這些器件或傳導(dǎo)通道構(gòu)成一個(gè)多功能電子實(shí)施例，用于提供阻塞電路或使用該實(shí)施例固有的固有共用傳導(dǎo)通道的電路，與外部傳導(dǎo)表面或接地區(qū)組合起來提供從成對(duì)傳導(dǎo)通道導(dǎo)體至另一個(gè)能量通道的連接，以衰減EMI和過電壓。
本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一種實(shí)施例，它采用標(biāo)準(zhǔn)制造工藝、由普通的介電材料和傳導(dǎo)材料或合成傳導(dǎo)材料構(gòu)成，以在實(shí)施例內(nèi)的電通道之間達(dá)到緊致的電容容限，與此同時(shí)為從源到使用能量的負(fù)載的能量傳播保持一個(gè)恒定的、不間斷的傳導(dǎo)通道。
最后，本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的是提供這樣一個(gè)實(shí)施例，它將各對(duì)電導(dǎo)體非常緊密地互相耦合在一個(gè)部分被多個(gè)共同連接的傳導(dǎo)電極、板、或通道封裹的區(qū)域或空間中，并使用戶能選擇有選擇地將外部導(dǎo)體或通道耦合到作為該實(shí)施例一部分的單獨(dú)的、非共用的能量通道或電極板上。
本說明也公開了實(shí)現(xiàn)或基于發(fā)明實(shí)施例的以上目的和優(yōu)點(diǎn)的許多其它安排和配置，以展現(xiàn)本發(fā)明范圍內(nèi)的通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)加上兩個(gè)用于能量和EMI調(diào)節(jié)和保護(hù)的電反向差動(dòng)的能量通道的多功能性和廣泛應(yīng)用。


圖1表示按照本發(fā)明的多功能共用傳導(dǎo)電極通道和差動(dòng)電極通道的詳細(xì)平面圖，它們層疊地位于通用法拉第屏蔽結(jié)構(gòu)實(shí)施例9900的一部分內(nèi)，實(shí)施例9900在圖2中表示，具有疊層傳導(dǎo)分層步進(jìn)；圖2表示按照本發(fā)明的、具有疊層傳導(dǎo)分層步進(jìn)的通用法拉第屏蔽結(jié)構(gòu)9900實(shí)施例的部件透視圖；圖3表示按照本發(fā)明的、成對(duì)差動(dòng)旁通電路調(diào)節(jié)實(shí)施例9905的剖面圖，該實(shí)施例采用通用法拉第屏蔽結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例部分，該結(jié)構(gòu)具有電極疊層的傳導(dǎo)分層步進(jìn)，用于調(diào)節(jié)多個(gè)單獨(dú)的旁通電路；圖4表示按照本發(fā)明的兩組差動(dòng)、雙扭線、跨接饋通電極能量通道的分層定位的俯視圖；圖5表示按照本發(fā)明的包含配置有分離的差動(dòng)電極配置的電極能量通道的一組成對(duì)的“直接饋通”饋通電極分層的平面圖；圖6-6A表示的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道的詳細(xì)平面圖表示按照本發(fā)明的典型的分離電極配置，圖6B表示的詳細(xì)平面圖表示按照本發(fā)明的典型的分離電極配置；圖7A表示另一個(gè)備擇實(shí)施例9210的局部的剖面圖，包含按照本發(fā)明配置的兩對(duì)電反向差動(dòng)、雙扭線、跨接饋通電極能量通道；圖7B表示按照本發(fā)明的9910的俯視圖的局部；圖8表示備擇實(shí)施例9915局部的剖面圖，包含按照本發(fā)明配置的各對(duì)電反向差動(dòng)電極能量通道；圖9表示在實(shí)施例中出現(xiàn)的所有電極所使用的分離電極的電路組合。作為本發(fā)明的一種選擇，這個(gè)組合的備擇方案可以讓兩組電極中的一組配置為不分離的。
具體實(shí)施例方式
本文作為參考引用包括美國申請(qǐng)?zhí)?9/594,447(2000年6月15日申請(qǐng))在內(nèi)的共同待定和共同所有的申請(qǐng)。09/594,447是美國申請(qǐng)?zhí)?9/579,606(2000年5月26日申請(qǐng))的共同待定申請(qǐng)的部分繼續(xù)，09/579,606是美國申請(qǐng)?zhí)?9/460,218(1999年12月13日申請(qǐng))的共同待定申請(qǐng)的部分繼續(xù)，09/460,218是美國申請(qǐng)?zhí)?9/056,379(1998年4月7日申請(qǐng)，現(xiàn)已授權(quán)，專利號(hào)6,018,448)的申請(qǐng)的繼續(xù)，09/056,379是美國申請(qǐng)?zhí)?9/008,769(1998年1月19日申請(qǐng)，現(xiàn)已授權(quán)，專利號(hào)6,097,581)的申請(qǐng)的部分繼續(xù)，09/008,769是美國申請(qǐng)?zhí)?8/841,940(1997年4月8日申請(qǐng)，現(xiàn)已授權(quán)，專利號(hào)5,909,350)的申請(qǐng)的部分繼續(xù)。
本申請(qǐng)這里也引用共同待定和共同所有的美國臨時(shí)申請(qǐng)的各部分作為參考，這些臨時(shí)申請(qǐng)包括2000年2月3日申請(qǐng)的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/180,101，2000年4月28日申請(qǐng)的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/200,327，2000年8月xx日申請(qǐng)的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/xxxxx，2000年8月xx日申請(qǐng)的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/xxxxx，2000年8月xx日申請(qǐng)的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/xxxxx，2000年12月15日申請(qǐng)的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/xxxxx，因?yàn)樗鼈円砸环N形式或另一種形式涉及對(duì)這組新的用于能量傳播電路的多功能能量調(diào)節(jié)器和屏蔽結(jié)構(gòu)的繼續(xù)改進(jìn)。
這里所用的術(shù)語“通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)加兩個(gè)電反向差動(dòng)能量通道”指的是分離和非分離這兩種形式的、利用額外的電反向差動(dòng)通道作為傳導(dǎo)饋通和旁通能量通道的共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)。
此外，這里所用的縮略詞“AOC”表示“預(yù)定的物理匯聚或匯合區(qū)域或空間”，其被定義為被制造在一起的發(fā)明元件的物理邊界。非通電化和通電化被定義為或者分立形式的或者非分立形式的通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)加上電反向差動(dòng)能量通道的“AOC”內(nèi)的能量以互補(bǔ)的方式向和/或從位于預(yù)定區(qū)域以外的區(qū)域傳播能量的范圍或程度。
電學(xué)中普遍將能量傳播之間的各種交互和相互關(guān)系按它們的互補(bǔ)動(dòng)力學(xué)加以描述，這種互補(bǔ)動(dòng)力學(xué)是由成對(duì)的、具有反向能量或力的能量部分元件引起的，這些反向能量或力的能量部分元件從一個(gè)極反向或電互補(bǔ)狀態(tài)交互作用于每個(gè)其它的極反向或電互補(bǔ)狀態(tài)。受當(dāng)今檢測(cè)設(shè)備的限制，這些交互作用的結(jié)果經(jīng)常是無法記錄到的。因此，交互作用被描述為互補(bǔ)平衡狀態(tài)的動(dòng)態(tài)事件，具有同時(shí)發(fā)生的、有相同的、或互補(bǔ)的、類鏡的、逆鏡像定位和定時(shí)的等等的對(duì)偶的對(duì)稱性，這是考慮到該技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員明白用于描述和記錄某些動(dòng)力學(xué)的人造容限和/或限制，盡管一般被精確的文字意義許可，但永遠(yuǎn)沒有在達(dá)到現(xiàn)有物質(zhì)的分子或原子量級(jí)上的對(duì)事件的可記錄性。
在量子力學(xué)世界，互補(bǔ)性原理認(rèn)為，存在成對(duì)的量，它們是互補(bǔ)的，因?yàn)閮H當(dāng)被放在一起時(shí)它們才描述一個(gè)整體，但是它們又是互相排斥的，因?yàn)樗鼈冇肋h(yuǎn)不能被同時(shí)測(cè)量。它們之所以不能被測(cè)量，是因?yàn)闇y(cè)量一個(gè)屬性的行為產(chǎn)生一個(gè)含有正被測(cè)量的部分、測(cè)量和觀測(cè)者的統(tǒng)一體。這個(gè)更大的動(dòng)態(tài)整體進(jìn)而定義一個(gè)新的動(dòng)態(tài)“部分”，它分離于、但是連接到正被測(cè)量的原始動(dòng)態(tài)“部分”或事件。這兩個(gè)動(dòng)態(tài)“部分”必然總是互相排斥。無論我們觀測(cè)到什么，無論我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)試驗(yàn)，該動(dòng)態(tài)“行為”總是表明一個(gè)在試驗(yàn)之外卻又與其相連的新“部分”。在量子力學(xué)中，這個(gè)原理直接導(dǎo)致著名的不確定原理，不確定原理斷言，在同時(shí)測(cè)量中可獲得的精確性上有根本的局限。這個(gè)原理也限制進(jìn)行能量測(cè)量所需的能量的和時(shí)間的同時(shí)測(cè)量的精確性。
為了用藝術(shù)中的例子與科學(xué)對(duì)照，通常通過賦予每個(gè)元件應(yīng)有的重要性以及經(jīng)常允許一個(gè)元件與另一個(gè)形成對(duì)照、對(duì)立或者配對(duì)，取得(如藝術(shù)作品中的)各元件的在美學(xué)上令人愉悅的集成。在藝術(shù)中而不是在科學(xué)中，互補(bǔ)這個(gè)詞經(jīng)常在不怎么嚴(yán)格的意義上使用，指對(duì)應(yīng)部分不必相同但只是類似的一種平衡。可以將效果描述成不僅是對(duì)照的，也是互補(bǔ)的。
對(duì)稱設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)產(chǎn)生令人愉悅的效果；如果有太近的對(duì)應(yīng)關(guān)系，效果可能會(huì)單調(diào)。產(chǎn)生與原始圖形相同的圖形(或其鏡像圖形)數(shù)學(xué)運(yùn)算或變換被稱作對(duì)稱運(yùn)算。這種運(yùn)算包括反射、旋轉(zhuǎn)、雙重反射、和轉(zhuǎn)換。使圖形不變的所有對(duì)給定圖形的運(yùn)算的集合構(gòu)成該圖形的對(duì)稱組。因此，對(duì)一定的同時(shí)、相關(guān)測(cè)量對(duì)的組合精確性的限制一般來說，在某對(duì)象的各個(gè)部分之間的平衡或?qū)?yīng)；術(shù)語對(duì)稱用于科學(xué)，應(yīng)當(dāng)考慮到由相反力的相等或精確調(diào)整而產(chǎn)生的穩(wěn)定性和效率。
這些定義也應(yīng)當(dāng)與通常施加的不確定原理一起使用，受本測(cè)試設(shè)備具有的精確性程度的限制，并且在大規(guī)模的普通測(cè)量、更小結(jié)構(gòu)的檢查或組合的操作上未必是能注意到的。測(cè)量或聲稱取消或消除的聲明在考慮到制造的普通理解的意義中，指的是就結(jié)構(gòu)而言的形狀和大小，并且理解為前述各事件即使在設(shè)備不能測(cè)量或證實(shí)其為冷事實(shí)也已經(jīng)發(fā)生。
如上所述的這些概念給人的感覺是，只用幾句話來描述事件的各種程度的限制的意義是困難的事情。這不是借口，相反，對(duì)已知的可認(rèn)為是嚴(yán)格或確定性的詞語的用法，在這里仍然被使用，期望讀者或本領(lǐng)域的熟練人員以通常允許的不精確程度來理解這些詞語、形容詞、副詞和名詞。
使用的下列詞語，諸如“互補(bǔ)同時(shí)”、相同時(shí)間、相同大小、大小相同、等同、相等、大小相等、等等，應(yīng)當(dāng)按解釋這些詞語所依賴的現(xiàn)實(shí)世界的精度來理解，都根據(jù)對(duì)被認(rèn)為正常和標(biāo)準(zhǔn)的一般理解，特別是根據(jù)對(duì)制造容限盡可能實(shí)際的理解，或者根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)水平內(nèi)實(shí)際要構(gòu)造本文所述的發(fā)明及其變體的不同OEM而言是慣例的理解。因此，所描述的各變體，都是按標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)過程設(shè)想的，具有各種標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)總成限制或任何其它對(duì)制造通電電路實(shí)施例的電子器件的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)限制，不是僅僅如對(duì)本說明書中所述發(fā)明及其變體所描述的那樣的。
本發(fā)明在諸如分立和非分立結(jié)構(gòu)的各種實(shí)施例中的形式是分層或?qū)盈B的導(dǎo)電、半導(dǎo)電和非導(dǎo)電介電獨(dú)立材料的組合?？梢詫⑦@些層組合起來，形成能在系統(tǒng)中設(shè)置和通電的獨(dú)特電路。發(fā)明實(shí)施例包括各層導(dǎo)電、半導(dǎo)電和非導(dǎo)電的平面，它們構(gòu)成各組共用傳導(dǎo)通道電極、導(dǎo)體、沉積體、極板(它們?cè)谶@里都被稱作“通道”)和介電平面。這些層的方向彼此形成總體平行的關(guān)系，朝向預(yù)定的元件對(duì)或組，這些元件對(duì)或組也包括各種通道組合以及它們?cè)陬A(yù)定制造結(jié)構(gòu)中的分層。
這些發(fā)明元件不僅僅限于介電層、多個(gè)電極傳導(dǎo)通道、薄板、疊層、沉積體、多個(gè)共用傳導(dǎo)通道或屏蔽、薄板、疊層或沉積體。該發(fā)明也包括組合和連接所述介電層、多個(gè)電極傳導(dǎo)通道、薄板、疊層、沉積體、多個(gè)共用傳導(dǎo)通道或屏蔽、薄板、疊層或沉積體在一起，用于以預(yù)定方式通電到更大的電系統(tǒng)中。
結(jié)構(gòu)化層裝置在被制造時(shí)或之后，能被定形、埋入、封裝于或插入各種電系統(tǒng)或其它子系統(tǒng)中，以執(zhí)行線調(diào)節(jié)、去耦和/或輔助改變能量的電傳輸。該發(fā)明可以是單獨(dú)、獨(dú)立的實(shí)施例，或者成組地制造成更大的電結(jié)構(gòu)，諸如集成電路。該發(fā)明也以非通電的、獨(dú)立的、分立的器件的形式存在，與一個(gè)組合一起通電，作為其它實(shí)施例中更大電路的子電路，這些實(shí)施例諸如但不限于印刷電路板(PCB)、干涉儀、基底、連接器、集成電路、光學(xué)電路或原子結(jié)構(gòu)。也可以將備擇的發(fā)明實(shí)施例構(gòu)造成另一個(gè)器件的形式，諸如PCB、干涉儀或基底，具有與較小的分立形式的發(fā)明實(shí)施例的作用不同的作用。這類備擇實(shí)施例可作為可能的連同電路一起含有有源和無源部件的系統(tǒng)或子系統(tǒng)，層疊起來提供所述的用于調(diào)節(jié)從一個(gè)源至一個(gè)負(fù)載并返回的傳播能量的多數(shù)好處?，F(xiàn)有技術(shù)的印刷電路板已經(jīng)在用具有VIA的分層配置來服務(wù)或分接(tap)位于介電和絕緣材料之間的各種電能、信號(hào)和地層。
至少一對(duì)電反向互補(bǔ)對(duì)準(zhǔn)(aligned)和層疊傳導(dǎo)能量通道電極幾乎都被組合成電極籠狀結(jié)構(gòu)、包含至少一個(gè)中心的和共享、共用傳導(dǎo)通道或區(qū)的對(duì)稱地對(duì)準(zhǔn)和層疊的屏蔽電極包圍。在通電時(shí)，內(nèi)部/外部共用能量通道電極和/或區(qū)變成一個(gè)共享的基準(zhǔn)地平面，用于在兩個(gè)反相位或電反向差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道電極之間存在的電路電壓，這兩個(gè)電極在電學(xué)上或物理上位于共用能量通道電極以及中心和共享共用傳導(dǎo)電極通道或外部共用傳導(dǎo)區(qū)的相反端。這些類型的配置顯著地有助于消除E場(chǎng)和H場(chǎng)、散雜電容、散雜電感、寄生物，并允許不同位置的信號(hào)、電能和返回通道的電場(chǎng)的互相取消。建立有PCB或使用PCB的發(fā)明體系結(jié)構(gòu)的實(shí)施例變體能用各種接地方案來提高現(xiàn)在被大PCB制造商使用的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的效率。
為了傳播電磁干擾能量，需要兩個(gè)場(chǎng)，即一個(gè)電場(chǎng)和一個(gè)磁場(chǎng)。電場(chǎng)兩點(diǎn)或多點(diǎn)之間的電壓差把能量耦合到電路中。在空間中的改變電場(chǎng)能產(chǎn)生磁場(chǎng)。任何時(shí)間變化的磁通量產(chǎn)生電場(chǎng)。結(jié)果，純電或純磁的時(shí)間變化場(chǎng)不可能彼此獨(dú)立地存在。盡管不必建立發(fā)明實(shí)施例來比另一種場(chǎng)更多地調(diào)節(jié)一種類型的場(chǎng)，可以設(shè)想使用不同類型的材料來建立進(jìn)行這種特定的對(duì)一個(gè)能量場(chǎng)比另一個(gè)更多的調(diào)節(jié)的實(shí)施例。
對(duì)于所述的本發(fā)明的幾乎所有實(shí)施例和沒有描述的實(shí)施例，申請(qǐng)人設(shè)想制造商可選擇將各種各樣的可能材料組合起來，在制造時(shí)組合成本發(fā)明的構(gòu)成，與此同時(shí)仍然保留發(fā)明實(shí)施例的某些或幾乎所有需要的程度的電功能。
用于發(fā)明實(shí)施例的組成的材料可包含一個(gè)或多個(gè)與現(xiàn)有加工技術(shù)相符的材料元件層，并且不限于任何可能的介電材料。這些材料可以是半導(dǎo)體材料，諸如硅、鍺、鎵-砷化物，或者半絕緣或絕緣材料之類，諸如但不限于任何K、高K和低K電介質(zhì)。同樣地，發(fā)明實(shí)施例不限于任何可能的傳導(dǎo)材料，諸如磁性、鎳基材料、MOV型材料、鐵素體材料、諸如聚酯薄膜的薄膜，或幾乎任何種類的能產(chǎn)生傳導(dǎo)材料的傳導(dǎo)通道的物質(zhì)和過程，以及幾乎任何種類的諸如但不限于摻雜多晶硅、燒結(jié)多晶物質(zhì)、金屬、或多晶硅硅酸鹽、傳導(dǎo)材料沉積物、使用附接在通電的成對(duì)導(dǎo)線之間的發(fā)明實(shí)施例或單元將減輕電容失衡或電路電壓失衡的問題，或減輕通常與現(xiàn)有技術(shù)器件相關(guān)聯(lián)的在高頻操作時(shí)加重的制造失衡的問題。
現(xiàn)有技術(shù)在相同生產(chǎn)批量中制造的電容器容易在不同部件間有電容偏差，范圍在＞.05％-25％。因此，當(dāng)把現(xiàn)有技術(shù)的電容器放入電路并通電時(shí)，它們的制造容限被帶入電路，在這種情況中，例如差動(dòng)成對(duì)電路加重電路中的電壓失衡。即使現(xiàn)有技術(shù)的單元被制造得在分立單元之間具有小于10％的最小電容偏差，也要由用戶支付某個(gè)成本或一定的費(fèi)用，以便制造商收回檢測(cè)、手工分類制造品的成本，以及用于更專用的電介質(zhì)和用于制造具有差動(dòng)信號(hào)或過濾所要求的降低個(gè)體偏差的現(xiàn)有技術(shù)單元所需的制造技術(shù)的額外成本。該發(fā)明允許使用非常價(jià)廉的介電材料(相對(duì)于其它可用材料而言)來獲得兩個(gè)導(dǎo)線之間的平衡。
發(fā)明實(shí)施例的使用將允許放入到差動(dòng)操作的電路或幾乎任何電反向和差動(dòng)成對(duì)線電路中，以提供互補(bǔ)和基本相等的電容容限，因?yàn)榘l(fā)明單元，那將被在以電方式使用發(fā)明實(shí)施例的電路的每個(gè)成對(duì)線之間的傳播能量的各部分均勻地共享和互補(bǔ)。在發(fā)明實(shí)施例內(nèi)的共享中央傳導(dǎo)通道之間的發(fā)明電壓容限和/或電容和電感平衡和/或最小化將幾乎總是被相對(duì)地保持在起初在工廠制造發(fā)明實(shí)施例時(shí)的水平，即使是使用X/R電介質(zhì)，普通規(guī)定其在分立單元中具有多達(dá)20％的允許電容偏差。
所以，以大于0至至少5％的容限的值制造的發(fā)明，當(dāng)按說明書中所述被制造時(shí)，將幾乎總是也具有一個(gè)大于0至至少5％的容限的相關(guān)值，通電系統(tǒng)中的成對(duì)線之間的電容容限，和具有一個(gè)所述發(fā)明實(shí)施例的旁通成對(duì)線的兩個(gè)現(xiàn)有技術(shù)器件的附加好處交換。因此，旁通和/或去耦操作不再需要昂貴的、專用的介電材料來試圖在兩個(gè)系統(tǒng)傳導(dǎo)通道之間保持電容平衡，且讓發(fā)明用戶有機(jī)會(huì)在整個(gè)電路的材料構(gòu)成中采用同類的電容元件。將新發(fā)明置于傳導(dǎo)通道之間，同時(shí)將也構(gòu)成發(fā)明實(shí)施例的共用傳導(dǎo)通道連接到第三傳導(dǎo)通道，后者對(duì)共用傳導(dǎo)通道的所有元件共用，是外部傳導(dǎo)區(qū)。
當(dāng)通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)加兩個(gè)電反向差動(dòng)性能量通道被制造并在隨后附接到外部制造的、與也在使用發(fā)明實(shí)施例的電反向差動(dòng)性能量通道分開的傳導(dǎo)通道時(shí)，發(fā)明實(shí)施例將總是同時(shí)提供能量調(diào)節(jié)功能，至少包括旁通、能量、電力線去耦、能量磁場(chǎng)和過濾。在發(fā)明實(shí)施例內(nèi)幾乎所有電反向差動(dòng)性能量通道或電極幾乎完全被封裝在屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)，將幾乎總是相對(duì)地免受幾乎所有內(nèi)部生成的試圖從包圍被封裝的差動(dòng)傳導(dǎo)通道電極的封裝容器區(qū)中逃逸的電容或能量寄生體的影響。同時(shí)，通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)阻止幾乎任何外部生成的諸如“浮動(dòng)電容”的電容或能量寄生體耦合到非常相同的封裝差動(dòng)傳導(dǎo)通道上，這是因?yàn)榕c靜電屏蔽效應(yīng)不相干的物理屏蔽，靜電屏蔽效應(yīng)是由共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)及其附接通過公知的工業(yè)附接裝置創(chuàng)建的，現(xiàn)有技術(shù)已知后者連接到位于外部的工業(yè)傳導(dǎo)區(qū)。
共用外部傳導(dǎo)區(qū)的附接包括諸如通常被描述為“浮動(dòng)的”、無電勢(shì)傳導(dǎo)區(qū)(在給定時(shí)刻)、電路系統(tǒng)回路、底盤或PCB接地、甚至大地接地等區(qū)。通過其它功能，諸如取消互相反向的能量場(chǎng)和內(nèi)部連接的平行電路，發(fā)明實(shí)施例允許在高斯-法拉第籠狀或共用傳導(dǎo)屏蔽單元之上或之內(nèi)相對(duì)于其封裝傳導(dǎo)共用屏蔽通道電極生成低阻抗通道，隨后能便于各部分能量持續(xù)地移動(dòng)出去，值位于外部的共用傳導(dǎo)區(qū)，由此完成也用于利用不需要的EMI噪聲的低阻抗的能量通道的產(chǎn)生或便于其生成。
這個(gè)附接方案將幾乎總是允許在共享中央和共用傳導(dǎo)通道的相對(duì)各端上生成一個(gè)“0”電壓基準(zhǔn)，對(duì)于每個(gè)定位的差動(dòng)導(dǎo)體，其(差動(dòng)導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的每個(gè)和外部使用等共用傳導(dǎo)表面。發(fā)明實(shí)施例的使用允許電壓被保持并互補(bǔ)，即使在位于集成電路內(nèi)的柵之間有SSO(同時(shí)轉(zhuǎn)換操作)狀態(tài)并且當(dāng)發(fā)明實(shí)施例在電路系統(tǒng)內(nèi)被被動(dòng)地操作時(shí)沒有返回到電路系統(tǒng)中的貢獻(xiàn)破壞性能量寄生體。
因此，由于打破被制造成非通電的發(fā)明的電容平衡，寄生體被阻止或最小化，這與不使用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的每個(gè)其它現(xiàn)有技術(shù)單元中所發(fā)生的相反。現(xiàn)有技術(shù)一般允許自由寄生體作用于破壞電路，盡管作出了與迄今為止幾乎所有現(xiàn)有技術(shù)的器件相反的最佳努力。
如前所述，被傳播的電磁干擾可能分別是電場(chǎng)和磁場(chǎng)的產(chǎn)物。直到最近，本領(lǐng)域中一直在強(qiáng)調(diào)用DC能量或電流從攜帶高頻噪聲的能量導(dǎo)體中過濾EMI。然而，發(fā)明實(shí)施例能夠調(diào)節(jié)使用沿電系統(tǒng)或測(cè)試設(shè)備中傳導(dǎo)通道的DC、AC和AC/DC混合型能量傳播的能量。這包括使用發(fā)明實(shí)施例來在相同的電系統(tǒng)平臺(tái)內(nèi)調(diào)節(jié)含有許多不同類型的能量傳播格式的系統(tǒng)中的能量、在含有許多種電路傳播特性的系統(tǒng)中的能量。
應(yīng)當(dāng)注意，盡管沒有顯示，圖2、3、8和9中的各種電極層被設(shè)想為具有分離的電極設(shè)置或具有其它非分離設(shè)置的組合。由于時(shí)間的關(guān)系，本說明書在特定附圖中省略了各種組合。
法拉第籠狀結(jié)構(gòu)的要點(diǎn)在將共用傳導(dǎo)通道彼此連接時(shí)被使用，所述通道組與更大的外部傳導(dǎo)區(qū)或表面一起協(xié)作，以消除輻射的電磁輻射，提供一個(gè)更大的、在其中消耗過電壓和電沖擊的傳導(dǎo)表面區(qū)，并同時(shí)啟動(dòng)寄生物和其它瞬變的共用傳導(dǎo)電極籠狀靜電動(dòng)態(tài)消除，此時(shí)，多個(gè)共用傳導(dǎo)通道電連接到系統(tǒng)或底盤接地，依賴于將發(fā)明實(shí)施例放置在其中并通電的電路的基準(zhǔn)接地。電反向差動(dòng)傳導(dǎo)能量電極或結(jié)構(gòu)是電分離的并且也彼此屏蔽，一般不觸及發(fā)明實(shí)施例內(nèi)部。
構(gòu)成法拉第籠狀結(jié)構(gòu)的附接的內(nèi)部共用傳導(dǎo)電極通道允許共用外部傳導(dǎo)區(qū)或共用能量通道實(shí)際上變成一個(gè)擴(kuò)展的、位置緊密的、并且大體平行的、相對(duì)它們位置的所述共用傳導(dǎo)元件的裝置-如果在隨后通電時(shí)位于預(yù)定的分層PCB或類似的電子電路內(nèi)部的話。
圖1、圖2和圖3中表示了帶有疊層傳導(dǎo)分層步進(jìn)通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)，該體系結(jié)構(gòu)具有成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道。所以，將在圖1、圖2、和圖3之間來回自由地討論，以便披露如圖3中所示的實(shí)施例9905那樣的獨(dú)立的并可交換地配置的法拉第籠狀共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的成對(duì)差動(dòng)傳導(dǎo)通道的一部分，當(dāng)放入圖1、圖2和圖3中的各種內(nèi)部和外部共用傳導(dǎo)通道(未予完全示出)的傳導(dǎo)組合中時(shí)，它能便于多重且獨(dú)立操作的能量調(diào)節(jié)。
圖2中，實(shí)施例9900中的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM包含一個(gè)通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，該體系結(jié)構(gòu)具有所示的疊層傳導(dǎo)分層步進(jìn)，沒有成對(duì)的、電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道。最后和可選的包夾的850F/850F-IM和850B/850B-IM共用傳導(dǎo)屏蔽通道在實(shí)施例9900中被用作圖像罩，作為在圖3中的9905所示的使用各種共用電極通道的一個(gè)變體的一部分，可以發(fā)現(xiàn)需要的話，后者也包含帶有具有傳導(dǎo)差動(dòng)通道的疊層傳導(dǎo)分層步進(jìn)的通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)的一部分。
應(yīng)當(dāng)注意到，這里所述的總體要點(diǎn)大多-但不是全部-對(duì)該新發(fā)明和備擇實(shí)施例是通用的。涉及共用傳導(dǎo)通道800/800-IM的段落，就連接到相同的電勢(shì)外部共用通道而非外部差動(dòng)通道(二者在圖1和圖2中都沒有示出)來說，也適用于其它共用傳導(dǎo)通道。
圖1顯示圖2的完整屏蔽電極容器800E的局部。回到圖1，差動(dòng)傳導(dǎo)旁通電極通道855BB被夾在共享的中央共用傳導(dǎo)通道800/800-IM與共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道810B之間(810B在圖1中沒有表示出來，但表示在圖2中)。
位于通道855BB之上和之下的是一個(gè)介電材料或介電介質(zhì)801。沉積、制造和/或放置介電材料或介電介質(zhì)801的行動(dòng)，大部分是在由本領(lǐng)域中已知的標(biāo)準(zhǔn)裝置進(jìn)行的制造過程中對(duì)預(yù)定介電材料或介質(zhì)801的封裝和插入。
介電材料801在實(shí)施例邊沿817和共用電極通道邊沿805之間形成一個(gè)分隔區(qū)或空間，并對(duì)差動(dòng)傳導(dǎo)通道電極邊沿803和實(shí)施例邊沿817形成總體相等距離的間隔。共用傳導(dǎo)通道800/800-IM和810B、以及電極通道855BB，幾乎都有大部分被用頂著它們放置的預(yù)定介電材或介質(zhì)801彼此隔開一個(gè)大致平行的中間距離814C。814C距離存在于855BB的邊界或表面或表面邊沿803和800-/800-IM-1和2的805的至少兩端上，每個(gè)對(duì)應(yīng)的平面電極(2)主表面區(qū)以及所述的每個(gè)周邊邊緣大部分與材料801接觸，例外的地方是，分別地對(duì)每個(gè)傳導(dǎo)電極分層位置，分別通過延長部分812A和79-GNDA使各種傳導(dǎo)連接連接到各種電極連接材料798_GNDA和890A。
應(yīng)當(dāng)注意到，元件806的嵌入距離或區(qū)是通電期間能量通量部分的包容區(qū)的邊界，這個(gè)間隔幾乎總是相對(duì)于周邊共用屏蔽電極邊沿805和包夾的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道和幾乎任何包夾的差動(dòng)傳導(dǎo)電極通道(未予示出)的電反向差動(dòng)電極邊沿803。在發(fā)明實(shí)施例的幾乎任何共用屏蔽電極通道799G傳導(dǎo)材料區(qū)的共用電極邊沿805內(nèi)的幾乎任何差動(dòng)傳導(dǎo)電極通道電極邊沿803的這種定位和后退距離806被認(rèn)為是發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)原則。該原則適用于幾乎任何包含并使用無論在容器中還是在如圖3所示的屏蔽800“x”容器的外部的屏蔽電極分層結(jié)構(gòu)的成對(duì)的差動(dòng)傳導(dǎo)通道，并且包括至少一對(duì)在該屏蔽電極分層結(jié)構(gòu)之外的外部電反向差動(dòng)電極，不過圖3中所示的兩個(gè)外部電反向差動(dòng)電極將總是在某種程度上利用分立或非分立形式的實(shí)施例(在這里可能沒有被顯示)中屏蔽方式的屏蔽電極分層結(jié)構(gòu)。
開始，如圖2中所示的發(fā)明實(shí)施例的一部分以及從圖1中開始之后的兩個(gè)單一的共用傳導(dǎo)容器800“X”現(xiàn)在分別各以兩個(gè)共用傳導(dǎo)罩形成。然而，在制造過程中，不使用四個(gè)共用屏蔽電極，人們能建立兩個(gè)具有三個(gè)共用屏蔽電極的共用傳導(dǎo)屏蔽電極容易，以建立例如800E和800F。所以，每個(gè)單一的共用傳導(dǎo)容器800E和800F在共享一個(gè)位于中心位置的屏蔽電極通道，該屏蔽電極通道是兩個(gè)傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)和容器共用的，后者在本例中又構(gòu)成一個(gè)標(biāo)記為900A的共用傳導(dǎo)法拉第中心結(jié)構(gòu)。
應(yīng)當(dāng)注意到，不僅形成了共用傳導(dǎo)法拉第中心結(jié)構(gòu)900A，更大的共用傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)9900的分別被記為900“X”或900B和900C的共用傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)的各部分現(xiàn)在被建立。
圖2中所示的共用傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)900A、900B和900C每個(gè)足以獨(dú)自地作為一個(gè)共用傳導(dǎo)法拉第籠狀結(jié)構(gòu)與電反向差動(dòng)電極一起操作，如果個(gè)個(gè)都是這樣建立的，并且如果它們包括至少一對(duì)由同一個(gè)共用傳導(dǎo)法拉第籠狀結(jié)構(gòu)分隔并且在屏蔽電極分層結(jié)構(gòu)內(nèi)部之外的外部電反向差動(dòng)電極，則它們將幾乎總是仍然都雙雙在某種程度上利用分立或非分立形式的實(shí)施例(在這里可能沒有被顯示)中屏蔽方式的屏蔽電極分層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)發(fā)明實(shí)施例利用分別配對(duì)的電反向差動(dòng)能量通道(未予示出)的放置并且通電時(shí)，并且如果一個(gè)像900A、900B和900C那樣結(jié)構(gòu)也被連接在一起并被連接到一個(gè)外部共用能量通道，而不是利用電反向的并且外部的差動(dòng)能量通道，則能量調(diào)節(jié)功能將幾乎總是在附接到通電電路中時(shí)發(fā)生。
相對(duì)于圖1的800/800_IM-內(nèi)的電極855BB的嵌入的相對(duì)嵌入或重疊屏蔽距離和區(qū)806，使得能從這個(gè)位置關(guān)系和發(fā)明實(shí)施例內(nèi)各種元件關(guān)系產(chǎn)生靜電屏蔽效應(yīng)等等。這些空間/距離關(guān)系有些包含幾乎所有種類的(差動(dòng)的和共用的)電極相對(duì)于彼此的垂直定位，通過就互相以及在內(nèi)部隔離這些電極所用的隔離介電材料801量，對(duì)內(nèi)部電極位置的各自相對(duì)橫向定位。這也包括各種相對(duì)于外部實(shí)施例邊界的間隔和距離關(guān)系或能量調(diào)節(jié)功能以及它們?cè)谶@些邊界內(nèi)的為在這些位置和邊界內(nèi)發(fā)生的適當(dāng)能量交互作用所需的效用。應(yīng)當(dāng)注意到，共用傳導(dǎo)通道800/800-IM應(yīng)當(dāng)在周邊或邊沿把重疊距離擴(kuò)展到電極通道855BB的周邊或邊沿以外，以提供對(duì)各種類型的能量通量場(chǎng)(位于示出)的各部分的屏蔽，若不是因?yàn)橛泄灿秒姌O800/800-IM-，810F，這些能量通量場(chǎng)可能已經(jīng)正常地試圖逃離或延展到電極通道855BB的電極邊沿803以外，以連接到一個(gè)“犧牲”傳導(dǎo)通道(未完全示出)上。
由通電的、由一組法拉第籠狀系統(tǒng)組成的這些共用電極通道的組合產(chǎn)生的靜電屏蔽效應(yīng)導(dǎo)致在幾乎所有任何位于內(nèi)部的、諸如一般位于附近的875BB(未予示出)的差動(dòng)電極通道之間的近場(chǎng)耦合的減少或最小化?？梢哉f水平電極嵌入距離806的范圍在約大于0至20+乘以垂直距離或電極嵌入距離或814C，作為一個(gè)差動(dòng)到一個(gè)共用電極屏蔽嵌入806的近似測(cè)量的嵌入間隔，這在電極通道855BB與共用傳導(dǎo)通道800/800-IM之間產(chǎn)生一定的距離關(guān)系。這是以標(biāo)準(zhǔn)制造方法和距離為根據(jù)的。
換言之，主表面電極傳導(dǎo)區(qū)大小、較小的延長部分(如果使用的話)、或者任何相鄰的差動(dòng)電極通道的傳導(dǎo)平面的大小，將幾乎總是小于與之相鄰和平行的任何一個(gè)共用傳導(dǎo)屏蔽通道的對(duì)應(yīng)的主表面電極傳導(dǎo)區(qū)大小、較小的延長部分(如果使用的話)、或者任何相鄰的差動(dòng)電極通道的傳導(dǎo)平面的大小，而不管另一個(gè)差動(dòng)電極(諸如有分離的電極搭配的)以外的幾乎任何分隔這兩個(gè)相鄰發(fā)明元件為何。這意味著盡管有介電材料801或分離的差動(dòng)電極搭配，下一個(gè)相鄰的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道將幾乎總是至少在覆蓋大小上更大并且將被視為屏蔽同一個(gè)相鄰的差動(dòng)電極。
有一個(gè)對(duì)一般規(guī)則的大小例外，這僅適合于如圖3中所示的865BB和865BT的外部包夾差動(dòng)電極通道。這些特殊的外部包夾差動(dòng)電極通道的傳導(dǎo)區(qū)大小、傳導(dǎo)材料覆蓋范圍或傳導(dǎo)平面大小可以大于或者小于其相鄰的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道，并且，如圖3中所示的外部包夾差動(dòng)電極通道這些865BB和865BT的大小不必互相等同，因?yàn)橛衅渌陌l(fā)明點(diǎn)功能變體配置。
所以，除非任何成對(duì)的差動(dòng)電極通道集合的總體對(duì)應(yīng)的傳導(dǎo)主電極表面區(qū)大小、主電極傳導(dǎo)材料的覆蓋的或傳導(dǎo)平面大小與任何下一個(gè)相鄰的共用傳導(dǎo)屏蔽電極主電極表面或通道相同，這個(gè)原則的變體被視為擁有所公開的能量調(diào)節(jié)功能部分的發(fā)明實(shí)施例。
電嵌入距離806可以為特定應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，但是共用/差動(dòng)電極疊合806的周邊距離、每個(gè)各被包容的差動(dòng)電極的與共用屏蔽電極通道對(duì)的距離814、806A和814C和疊合關(guān)系在整個(gè)發(fā)明實(shí)施例中理想地是近似相同的，如制造容限所允許的那樣。
此外，像855BB那樣的被包夾在圖3諸如800/800-IM和810B(未予示出)的兩個(gè)共用傳導(dǎo)通道內(nèi)的內(nèi)部差動(dòng)傳導(dǎo)電極通道，在差動(dòng)傳導(dǎo)電極855BB的電極邊沿803之間保持一個(gè)806距離關(guān)系，它將相對(duì)于差動(dòng)傳導(dǎo)電極800/800-IM的周邊電極805，使得電極邊沿805具有一個(gè)暴露的或“探出”電極邊沿803的周邊，其距離至少是說明書的圖7A中所示的垂直隔離距離814C，該圖顯示一個(gè)相對(duì)介電厚度，它允許一個(gè)距離或區(qū)嵌入是一個(gè)與806的相對(duì)橫向距離有關(guān)的規(guī)則，它是加到相對(duì)800E的差動(dòng)電極通道電極邊沿803測(cè)量的從共用傳導(dǎo)屏蔽電極邊沿805的三維距離806的結(jié)果，使得差動(dòng)傳導(dǎo)通道電極855BB的外電極邊沿803被嵌入其間并被包夾的共用傳導(dǎo)通道800/800-IM和810B(未予示出)的共用電極邊沿周邊805重疊，覆蓋一個(gè)距離或區(qū)域806，沿著幾乎位于800/800-IM、810B上并歸于800/800-IM、810B的805和803的整個(gè)距離，同時(shí)相對(duì)于被包夾的差動(dòng)傳導(dǎo)能量電極通道855BB或等同物。在通道之間總體上或個(gè)別的806、814和814C距離的較小差別并不重要，只要不損害帶有包含成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道的層疊傳導(dǎo)分層步進(jìn)的通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)的靜電屏蔽功能(未予示出)。
共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道，諸如圖1和圖2中所示805F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM，以及例如圖3中所示的系列，最好一般幾乎都分別對(duì)用戶所希望的類型的成品實(shí)施例以及如正常制造限制允許的那樣具有接近相同大小的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道材料799G，以保證各種相鄰共用傳導(dǎo)通道的幾乎任何組合有同類的區(qū)域大小關(guān)系。這適合于在幾乎任何一般發(fā)明實(shí)施例構(gòu)成中各自按屏蔽電極分組的共用傳導(dǎo)通道的每個(gè)成員的大小關(guān)系。所以，任何一個(gè)被包夾在內(nèi)部的差動(dòng)傳導(dǎo)通道，無論是單個(gè)地還是與其相同大小的配對(duì)對(duì)象，都將幾乎總是被至少兩個(gè)更大的但是相對(duì)彼此相同大小的共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道在物理上完全屏蔽，這兩個(gè)通道將幾乎總是由一個(gè)比它們屏蔽的差動(dòng)電極的屏蔽傳導(dǎo)電極區(qū)更大的屏蔽傳導(dǎo)電極區(qū)。這個(gè)相同大小的共用傳導(dǎo)屏蔽電極原則適合于相對(duì)本發(fā)明的任何法拉第籠狀共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)容器內(nèi)的包夾的差動(dòng)傳導(dǎo)通道或電極(諸如圖2中表示的以及圖3中部分表示的記為800A、800B、800C、800D、800E、800F、800G和800H(每個(gè)被統(tǒng)稱為800“X”))來說至少大小相同或更大的共用電極能量通道元件的傳導(dǎo)材料區(qū)的大小關(guān)系。
也應(yīng)當(dāng)注意到，幾乎任何一個(gè)包夾共用傳導(dǎo)通道具有的頂部和底部傳導(dǎo)材料區(qū)的總和將幾乎總是大于任何一個(gè)被包夾的差動(dòng)傳導(dǎo)通道單獨(dú)的頂部和底部的總傳導(dǎo)區(qū)材料的總和。任何一個(gè)被包夾的差動(dòng)傳導(dǎo)通道將幾乎總是幾乎完全地在物理上被共用傳導(dǎo)屏蔽電極材料屏蔽，以構(gòu)成典型的具有包含成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道的層疊傳導(dǎo)分層步進(jìn)的通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)。
圖1和圖2中所示的所有傳導(dǎo)共用傳導(dǎo)通道，包括共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道805F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM，一般被從實(shí)施例9905(未予示出)的外邊沿817嵌入一個(gè)預(yù)定的三維距離814，這可由圖1的800E詳細(xì)看出。
應(yīng)當(dāng)注意到，元件813是顯示發(fā)明實(shí)施例(未予示出)內(nèi)發(fā)生的三維能量調(diào)節(jié)功能的中心軸點(diǎn)的動(dòng)態(tài)表示，相對(duì)于通電電路中實(shí)施例的最終大小、形狀和位置。
所以，成對(duì)的和相同大小的電反向差動(dòng)成對(duì)通道，與更大的包夾共用傳導(dǎo)通道如圖2的800/800-IM和810B一起，按相同種類分組內(nèi)互相的同類的種類分組(共用的或差動(dòng)的)，在相關(guān)制造能量允許的情況下，將分別幾乎總是相同大小的。這個(gè)相同大小的傳導(dǎo)通道電極種類原則，對(duì)幾乎所有包含幾乎新發(fā)明實(shí)施例的一般構(gòu)成內(nèi)的一些只要元件的傳導(dǎo)通道種類分組都有效。
繼續(xù)看圖1，差動(dòng)傳導(dǎo)電極通道855BB可包含一個(gè)沉積的、摻雜、化學(xué)生成的或放置的、或者簡單屏蔽的傳導(dǎo)電極材料區(qū)799，任何差動(dòng)傳導(dǎo)通道將幾乎總是在總的傳導(dǎo)區(qū)大小上比任何一個(gè)共用傳導(dǎo)屏蔽電極材料區(qū)799G的大小更小，并且當(dāng)計(jì)算總的傳導(dǎo)電極材料2區(qū)的比率時(shí)，幾乎總是相對(duì)于任何給定的包夾共用傳導(dǎo)通道的，諸如800/800-IM和810B的，傳導(dǎo)電極通道材料799區(qū)。(應(yīng)當(dāng)注意到，就本說明書而言，799和799G一般是相同的傳導(dǎo)材料類型，不過在其它實(shí)施例中它們可以是不同的材料類型，它們?cè)诒疚闹惺窍嗤念愋?，但是有不同的?biāo)記，這是為了盡可能徹底地解釋實(shí)施例。)。
圖2中所示的這些805F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM構(gòu)成屏蔽電極容器800A、800B、800C、800D、800E、800F、800G和800H，一直到包裹差動(dòng)對(duì)，以構(gòu)成像成對(duì)的傳導(dǎo)屏蔽一樣的容器800X，這些包夾功能將再次在很大程度上幫助執(zhí)行相對(duì)外部附接的共用傳導(dǎo)區(qū)或共用能量通道的能量傳播部分，并將同時(shí)便于為發(fā)明實(shí)施例內(nèi)包含的電路生成電壓圖像基準(zhǔn)輔助。
應(yīng)當(dāng)注意到，構(gòu)成發(fā)明實(shí)施例一部分的相同數(shù)量的屏蔽電極容器結(jié)構(gòu)800“X”，在按照被遵循的預(yù)定層疊序列的實(shí)施例結(jié)構(gòu)內(nèi)是平衡的，在制造過程中錯(cuò)誤地或故意地增加的幾乎任何額外的單個(gè)共用傳導(dǎo)屏蔽通道層將不足以妨礙或影響能量調(diào)節(jié)操作。增加的額外共用傳導(dǎo)電極層實(shí)際上能暴露制造過程中的潛在的成本節(jié)省，其中幾乎任何自動(dòng)的層處理都可能加入額外的一個(gè)或多個(gè)外層，或者實(shí)際上不包括記為-IM的這兩個(gè)共用傳導(dǎo)屏蔽電極之一。這些制造錯(cuò)誤，無論是故意的還是偶然的，都不會(huì)對(duì)包含按照正確順序?qū)盈B的的共用傳導(dǎo)屏蔽電極容器800X的發(fā)明實(shí)施例的平衡有根本的損害，如所討論的那樣，申請(qǐng)人完全考慮到了這一點(diǎn)。然而，這個(gè)原則在有額外的外部間隔的成對(duì)的大小相同的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道存在時(shí)就不成立。在這種情況中，構(gòu)成發(fā)明實(shí)施例一部分的相同數(shù)量的屏蔽電極容器結(jié)構(gòu)800“X”，必須在按照被遵循的預(yù)定層疊序列的實(shí)施例結(jié)構(gòu)內(nèi)保持平衡。在應(yīng)用另外的外部分隔的成對(duì)的大小相同的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道之前，不應(yīng)放置任何另外的單個(gè)的共用傳導(dǎo)屏蔽通道層。因此，在制造過程中，在放置另外的外部分隔的成對(duì)的大小相同的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道之前被錯(cuò)誤地或故意地添加的幾乎任何另外的單個(gè)的共用傳導(dǎo)屏蔽通道層都不會(huì)損害或影響能量調(diào)節(jié)操作。發(fā)明實(shí)施例的幾乎任何變體內(nèi)的成對(duì)的大小相同的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道的數(shù)量必須示偶數(shù)。
進(jìn)一步查看圖2可見，共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM，在被按分立部件設(shè)置時(shí)，也被提供支持的介電材料801和發(fā)明實(shí)施例的外罩包圍。標(biāo)記為798-″X″的公用傳導(dǎo)連接材料或結(jié)構(gòu)，被施加到為該配置所顯示的至少兩端上的結(jié)構(gòu)9900內(nèi)含有的共用通道電極材料799G的電極邊沿805處的所述共用屏蔽通道電極擴(kuò)展79-GNDA的一個(gè)加長的相鄰部分，如圖2中所示，以及如對(duì)圖1中的共用電極能量通道800/800-IM詳細(xì)顯示的那樣。應(yīng)當(dāng)注意到任何電極邊沿805處的共用屏蔽通道電極擴(kuò)展79-GNDA的數(shù)量。
各種介電材料801也使預(yù)定的電調(diào)節(jié)功能能在沿在實(shí)施例AOC內(nèi)或使用實(shí)施例AOC的電反向成對(duì)差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道的各種組合傳輸?shù)膫鞑ツ芰康母鞑糠稚喜僮鳌?br> 進(jìn)一步查看圖2發(fā)現(xiàn)，元件類型798-GND″X″共用傳導(dǎo)附加裝置、電極或端接結(jié)構(gòu)將允許共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM分別互相地電連接和物理連接，并與如圖3中所示的相同的電傳導(dǎo)外部共用傳導(dǎo)通道或外部共用傳導(dǎo)能量通道或區(qū)域6803電連接或物理連接。
通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)9900包含如圖所示的多個(gè)層疊的、共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)900A、900B和900C，進(jìn)而包含總體呈平行關(guān)系的多個(gè)層疊的、共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800A、800B和800C(每個(gè)都統(tǒng)稱為800X)。每個(gè)共用電極屏蔽籠狀結(jié)構(gòu)800X都包含至少一個(gè)共用傳導(dǎo)通道電極850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM。層疊的、共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X的數(shù)量并不僅限于這里所顯示的數(shù)量，并且可以是幾乎任何偶數(shù)整數(shù)。因此層疊的、共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)900X的數(shù)量也并不僅限于這里所顯示的數(shù)量，并且可以是幾乎任何偶數(shù)或奇數(shù)整數(shù)。
盡管沒有顯示，在其他應(yīng)用中，每個(gè)成對(duì)的共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X包夾至少一個(gè)傳導(dǎo)電極通道，如前文結(jié)合圖1所述的那樣。共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X在圖中被顯示為分離的，目的是強(qiáng)調(diào)它們是被配對(duì)在一起的，幾乎任何類型的成對(duì)的傳導(dǎo)通道都可以被插入各個(gè)共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X內(nèi)。所以，共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X有一個(gè)通用的應(yīng)用，當(dāng)被配對(duì)在一起時(shí)，生成更大的共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)900X，后者分別被描述為900B、900A和900C，可以與成對(duì)的傳導(dǎo)通道組合在一起用于分立的或非分立的配置，諸如但不限于內(nèi)嵌在硅樹脂內(nèi)或者作為PCB、分立部件網(wǎng)絡(luò)之類的一部分。
如圖2中已經(jīng)描述的那樣，介電材料801將共用傳導(dǎo)通道電極850F/850F-IM、840F、830F、820F、810F、800/800-IM、810B、820B、830B、840B和850B/850B-IM與被包夾在其中的成對(duì)的、相同大小的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)電極通道或傳導(dǎo)通道電極(未予示出)絕緣，并且也絕緣以及屏蔽外部的至少一對(duì)相同大小的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道。
此外，如結(jié)合圖1和圖2所描述的那樣，最少需要兩個(gè)籠(例如構(gòu)成更大的籠900A的800E和800D)來構(gòu)成一個(gè)用于本發(fā)明的幾乎所有分層化實(shí)施例的多功能線調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。相應(yīng)地，如圖2中所示的那樣，每個(gè)900A、900B和900C分別需要至少兩個(gè)共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X。(除介電材料等以外的)任何序列的非?；镜墓灿脗鲗?dǎo)通道制造結(jié)果應(yīng)當(dāng)表現(xiàn)為一個(gè)屏蔽電極實(shí)施例結(jié)構(gòu)，它包含最少三個(gè)共用傳導(dǎo)互連的層疊共用屏蔽電極通道，并進(jìn)一步包含至少兩組成對(duì)的電反向差動(dòng)電極能量通道，一個(gè)成對(duì)的組在該最少三個(gè)共用傳導(dǎo)互連的層疊共用屏蔽電極通道之內(nèi)，一個(gè)成對(duì)的組在該最少三個(gè)共用傳導(dǎo)互連的層疊共用屏蔽電極通道之外，它們能被連接并通電，使得它在通電時(shí)含有至少一部分的操作電路。
概言之，當(dāng)將單個(gè)的更大的法拉第籠狀結(jié)構(gòu)900“X”附接到更大的外部傳導(dǎo)區(qū)(未予示出)時(shí)，該組合有助于同時(shí)地執(zhí)行對(duì)沿著被包夾在在籠狀結(jié)構(gòu)900“X”內(nèi)的各種成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)電極通道分組(未予示出)的能量傳播的通電的線調(diào)節(jié)和過濾功能，以及絕緣至少一對(duì)位于外部的、大小大致相同的(這些特殊的電極有例外)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道。
具有層疊的傳導(dǎo)分層步進(jìn)的通用法拉第屏蔽結(jié)構(gòu)的幾乎所有變體都以互連的屏蔽結(jié)構(gòu)的形式被使用，該結(jié)構(gòu)包含各種個(gè)別地分層的屏蔽電極，它們共享一個(gè)共用的傳導(dǎo)連接，連接彼此，并連接位于外部的、不是差動(dòng)傳導(dǎo)通道的能量通道。
位于內(nèi)部的屏蔽電極彼此的傳導(dǎo)共用連接，以及與不是差動(dòng)傳導(dǎo)通道的外部能量通道的連接，允許這個(gè)第三通道被同時(shí)用作一個(gè)單獨(dú)的能量通道，它能向發(fā)明實(shí)施例內(nèi)包含的各部分電路提供基準(zhǔn)電壓。被分組的電極屏蔽通道所用的第三能量通道同時(shí)也便于生成一個(gè)由利用差動(dòng)通道進(jìn)行傳播的各部分能量所用的預(yù)定低阻抗。
能量通過發(fā)明實(shí)施例的差動(dòng)傳播，便于在發(fā)明實(shí)施例AOC內(nèi)生成提供各部分能量的器件或?qū)嵤├?，以便以互補(bǔ)的和平衡的方式利用發(fā)明實(shí)施例的各部分，以利使電路系統(tǒng)效率優(yōu)于類似的現(xiàn)有技術(shù)電路的效率。這個(gè)單獨(dú)的并且通常被共享的第三通道，因其在通常更大型通電電路中實(shí)際的物理和電路位置，不僅僅起著見于預(yù)定通電電路中的能量的分壓器的作用。這個(gè)物理和電路位置，最恰當(dāng)?shù)卣f是通電操作期間在至少一組內(nèi)部的、成對(duì)的和反向地協(xié)作的差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道與至少一對(duì)位于外部的、大小大致相同的(這些特殊的電極有例外)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道之間的屏蔽電極中間和電共用位置。
這個(gè)單獨(dú)的第三通道，也變得作為共用的電壓基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)而被使用和共享，這不僅是對(duì)于發(fā)明實(shí)施例和/或其813AOC(未予示出)內(nèi)的電路操作而言的，也是對(duì)于通電操作期間的至少一組成對(duì)的和反向地協(xié)作的差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道和相同電路的至少一對(duì)位于外部的、大小大致相同的(這些特殊的電極有例外)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道而言的。
本發(fā)明也將最小化或消除分別源于與電路相連的成對(duì)的和反向協(xié)作的差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道的任何之一的無益的能量寄生的彼此干擾，發(fā)明實(shí)施例的AOC內(nèi)的各部分傳播電路能量電路或電壓平衡。該發(fā)明也將最小化有害和無益的能量寄生，為以共用方式能量之類的形式逃脫而將后繼的傳導(dǎo)通道釋放回到電路系統(tǒng)中，以妨害AOC影響之外的電路。
現(xiàn)在參看圖3，可以將總體結(jié)構(gòu)9905分解成更小的成對(duì)的籠狀傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)部分，以揭示例如各種小至900A的重疊傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的更小分組，900A進(jìn)一步包含共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道810F-、800/800-IM、810B-，各個(gè)屏蔽種類分組將幾乎總是被用外部共用傳導(dǎo)材料6805或工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)連接裝置(未予示出)傳導(dǎo)地組合和附接在一起，以允許使用位于外部的共用傳導(dǎo)區(qū)或通道6803，它不屬于能被發(fā)現(xiàn)附接到或傳導(dǎo)地連接到該新發(fā)明的典型應(yīng)用的發(fā)明實(shí)施例的各種外部的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道。
如在圖3中所見，為了調(diào)節(jié)如內(nèi)部855BB和內(nèi)部855BT的成對(duì)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)旁通方式能量通道以及如圖3的外部865BB和外部865BT的成對(duì)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)旁通方式能量通道，更大的容器800“X”疊層將包含共用傳導(dǎo)通用屏蔽電極結(jié)構(gòu)9905或等同物，其方式使得能以預(yù)定的方式添加各種共用傳導(dǎo)通道屏蔽電極，以構(gòu)成成對(duì)的900“X”結(jié)構(gòu)，后者進(jìn)而形成類似于圖2中所示的一個(gè)更大的總體屏蔽電極結(jié)構(gòu)。
只要共用傳導(dǎo)連接材料連接798-GNDA能通過如圖3中所示的、分別記為79-GND“X”的、統(tǒng)記的電極擴(kuò)展部分的延伸而保持與共用通道電極邊沿805的某種物理或電接觸，則完全配置的發(fā)明實(shí)施例就應(yīng)正確工作。
在圖3中，每一個(gè)如圖3的內(nèi)部855BB和內(nèi)部855BT的成對(duì)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)旁通方式能量通道都被認(rèn)為分別包夾每個(gè)共用互連傳導(dǎo)通道，諸如共用成對(duì)電極屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B的各種組合，它們把855BB和855BT差動(dòng)傳導(dǎo)通道包夾在內(nèi)部，后者自己以大致相等806定位后縮(圖1)。此外，每一個(gè)如外部865BB和外部865BT的成對(duì)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)旁通方式能量通道也被層疊并電絕緣。在這些條件下，傳導(dǎo)電路在被通電時(shí)將實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的功能，諸如以互補(bǔ)和共用的方式對(duì)剛剛討論過的位于內(nèi)部的共用傳導(dǎo)屏蔽電極和材料區(qū)或沉積物進(jìn)行噪聲或能量場(chǎng)消除或最小化、過濾和電沖擊消除。如圖3中所見，每個(gè)容器800D和800E能容納相等數(shù)量的大小相同的差動(dòng)電極，諸如內(nèi)部855BB和內(nèi)部855BT，它們?cè)诟蟮慕Y(jié)構(gòu)900A內(nèi)互相之間在某種程度上是物理反向的，不過它們被調(diào)整方向，將分別以總體上物理和電平行的方式操作，這就使得各種能量調(diào)節(jié)功能能被保持。
具有協(xié)作的各具有罩形結(jié)構(gòu)的800D和800E的更大的傳導(dǎo)法拉第共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)900A，當(dāng)在電路內(nèi)被通電，并通過連接到與共用傳導(dǎo)區(qū)6803附接的電連接的外部施加的共用傳導(dǎo)電極材料的電極擴(kuò)展79-GNDA而附接到相同的外部共用傳導(dǎo)通道區(qū)6803時(shí)，變成一個(gè)電(...)這是由傳導(dǎo)焊接材料6805或用于傳導(dǎo)附件的其它普通連接裝置或如電阻設(shè)置等已知的工業(yè)方法、或各種已知的焊接方法(未予示出)并通過使用內(nèi)部電極擴(kuò)展79-GNDA、以及幾乎任何通?？山邮艿墓I(yè)附接方法(位于示出)諸如重注焊接、傳導(dǎo)環(huán)氧樹脂和黏合劑之類(但未予示出)而完成的。
因此，任何制造順序如下(不包括介電材料等)一個(gè)差動(dòng)傳導(dǎo)通道865BB、然后是一個(gè)共用傳導(dǎo)通道810B、然后是位于內(nèi)部的差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BB、然后是中央的和共享的共用傳導(dǎo)通道電極800/800-IM，然后是內(nèi)部差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BT、然后是共用傳導(dǎo)通道810F、然后是外部電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道865BT。當(dāng)圖3中的這個(gè)例子的完整結(jié)構(gòu)被通電時(shí)將生成一個(gè)電壓基準(zhǔn)通道。
再次參看圖3，包含810F、800/800-IM、810B的部分現(xiàn)在被顯示包含圖3的實(shí)施例9905的一部分。某些共用屏蔽電極被設(shè)置成包含兩個(gè)798-GNDA電極擴(kuò)展(圖1中有詳細(xì)顯示)的屏蔽電極，并且進(jìn)而與9905實(shí)施例的其它元件組合在一起，將幾乎總是被放置在組合中，以形成一個(gè)具有兩對(duì)成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)旁通能量通道的實(shí)施例，其包含兩個(gè)分別為內(nèi)部855BT和外部865BT以及內(nèi)部855BB和外部865BB的成對(duì)能量通道的子集合，并且也被視為共享共用屏蔽電極能量通道或結(jié)構(gòu)900A的成對(duì)旁通傳導(dǎo)通道元件。
圖3表示實(shí)施例9905的附接的剪切版本的各種元件，是以剪切的視圖顯示的。具有包含用于利用獨(dú)立的操作旁通能量傳播方式同時(shí)沿成對(duì)的電差動(dòng)通道傳播能量的獨(dú)立的電路的層疊傳導(dǎo)分層步進(jìn)的通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)900A的概念是所顯示的結(jié)構(gòu)9905，它包含所示的層疊的共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)900A，共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)900A又是由多個(gè)層疊的共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)或容器800D和800E(每個(gè)都統(tǒng)稱為800X)構(gòu)成，共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)或容器800D和800E呈總體平行但互連的傳導(dǎo)屏蔽關(guān)系。每個(gè)共用傳導(dǎo)容器800疊合800E包含至少兩個(gè)共用傳導(dǎo)通道電極810F、800/800-IM、810B。層疊的共用傳導(dǎo)互連屏蔽電極籠狀結(jié)構(gòu)800X的數(shù)量通常是偶整數(shù)。因此，層疊的共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)900X的數(shù)目也不僅限于這里所示的數(shù)目，通常是個(gè)偶數(shù)或奇數(shù)整數(shù)。
圖3中也顯示，每個(gè)成對(duì)的共用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)800X包夾至少一個(gè)傳導(dǎo)差動(dòng)旁通方式通道電極，后者包含兩對(duì)獨(dú)立工作的電反向的大小相同的傳導(dǎo)差動(dòng)旁通方式通道電極。層疊的共用傳導(dǎo)互連屏蔽電極籠狀結(jié)構(gòu)800X幾乎都能與分立或非分立設(shè)置中的獨(dú)立但成對(duì)的外部差動(dòng)成對(duì)能量通道組合起來使用，所述分立或非分立設(shè)置諸如但不限于如圖3和圖7A中所示的分立的獨(dú)立部件，或者其它沒有被顯示的部件；諸如但不限于部件組合、硅集成電路內(nèi)分立或非分立的內(nèi)嵌、插入物、模塊、基底或PCB的局部、能量調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)等等。
共用傳導(dǎo)通道電極810F、800/800-IM、810B都如圖中所示地在79-GNDA(s)傳導(dǎo)地互連，79-GNDA(s)通過焊接材料6805或本領(lǐng)域內(nèi)已知的任何其它附接裝置提供與外部共用傳導(dǎo)能量通道或區(qū)6803的傳導(dǎo)互連點(diǎn)。每個(gè)共用傳導(dǎo)通道電極810F、800/800-IM、810B都是在介電材料801上形成的，外露側(cè)帶僅由介電材料801而不是傳導(dǎo)電極材料799G構(gòu)成。
也應(yīng)當(dāng)注意到，如圖3中所示，所示的成對(duì)設(shè)定的電反向差動(dòng)能量通道成對(duì)的、共同大小的、近乎完全疊蓋彼此的主電極表面區(qū)，盡管被更大的共用屏蔽電極和801介電材料分隔。它們對(duì)電反向操作(當(dāng)通電時(shí))的傳導(dǎo)附件來說是互補(bǔ)成對(duì)的。這些共同大小、互補(bǔ)成對(duì)的電差動(dòng)(在操作中)傳導(dǎo)電極或能量通道總是物理地彼此分隔，并且分別位于電相反的各端，共用傳導(dǎo)屏蔽電極能量通道的兩個(gè)主傳導(dǎo)部分之一相對(duì)于互相充電。由于所有這些電極形狀和外觀是平面的，分別按它們的同類分組排列，在被能量傳播的各個(gè)部分有效地利用的部分內(nèi)許多層次上具有對(duì)稱性。
結(jié)合的共用傳導(dǎo)包夾多個(gè)共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B分別與一個(gè)共用的位于中央的共用傳導(dǎo)通道800/800-IM的傳導(dǎo)連接，將幾乎總是變成像圖3中所示的外部共用傳導(dǎo)元件或外部共用傳導(dǎo)能量通道6803一樣。多個(gè)共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B將幾乎總是以這樣的多平行的方式被插入之間，提供差動(dòng)電極導(dǎo)體內(nèi)部855BT和內(nèi)部855BB的包夾，同時(shí)自身也被位于外部的865BB和內(nèi)部855BT包夾，同時(shí)還保持這樣的狀態(tài)，即共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B將對(duì)介電體801的互補(bǔ)的成對(duì)電反向差動(dòng)電極855BB、865BB及855BT和865BT有一個(gè)最小的814C距離間隔或“回路區(qū)”。
如圖3中所示的798-GNDA的外部傳導(dǎo)元件將有助于由共用屏蔽電極通道810F、800/800-IM、810B所執(zhí)行的靜電屏蔽(未予示出)功能的性能等等。該結(jié)構(gòu)也便于如剛才所述的通電連接組合，將允許外部共用傳導(dǎo)能量通道或區(qū)域6803的加強(qiáng)，以幫助實(shí)施例9905內(nèi)互連的共用屏蔽電極輔助對(duì)組合體9905的不同電極導(dǎo)體855BB、865BB及855BT和865BT上的各部分能量傳播提供有效、同時(shí)的調(diào)節(jié)。作為9905內(nèi)這些傳導(dǎo)通道的一部分的能量通道被傳導(dǎo)連接擴(kuò)展812A和812B結(jié)構(gòu)在外部連接，該結(jié)構(gòu)附接到包含成對(duì)差動(dòng)電極855BB、865BB和855BT、865BT的電路分組的傳導(dǎo)連接裝置890B和891B。組合的互連共用屏蔽電極810F、800/800-IM、810B的內(nèi)部和外部的并行裝置分組也將幫助取消或消除可能通過AOC逃出或進(jìn)入包含分別被各部分能量在沿這些披露的傳導(dǎo)通道傳播到有源組體負(fù)載(未予示出)時(shí)使用的成對(duì)差動(dòng)電極內(nèi)部855BB和855BT的各部分以及成對(duì)差動(dòng)電極外部865BB和865BT的各部分的無益的寄生物和電磁輻射。通用屏蔽電極結(jié)構(gòu)將也便于獲得和圖3的物理屏蔽電極結(jié)構(gòu)9905相同類型的各部分傳播電路能量(未予示出)，便于為各部分子電路能量通道得到差動(dòng)通道的共用低阻抗能量通道(未予示出)和基準(zhǔn)圖象(未予示出)，以和諧地工作。
在一個(gè)瞬間，同時(shí)在相同時(shí)間內(nèi)，各部分能量傳播電路能量將幾乎總是被提供以一個(gè)瞬間的高阻抗的能量阻塞功能，用于相對(duì)于非常相同的第三能量通道和基準(zhǔn)圖形的AOC的各部分內(nèi)包含的能量傳播的某些其它反向和屏蔽分隔的部分，同時(shí)在非常相同的瞬間，這個(gè)高阻抗轉(zhuǎn)換現(xiàn)象還在以徑反向方式發(fā)生，在相同的瞬間，并且以互補(bǔ)方式對(duì)相對(duì)于相互位于相反位置的各部分的能量傳播發(fā)生，但是以電和諧方式沿著同一個(gè)共享的更大的通用屏蔽電極結(jié)構(gòu)的反面。
這將包括例如實(shí)施例9905的如圖2和圖3中所示的種類表示的多個(gè)大致平面的層次。圖3中的這些大致平面的層次例如包括陶瓷介電材料801，在制造過程中外加或沉積一種799G傳導(dǎo)電極材料。各共用屏蔽電極層(多得數(shù)不清)的主電極表面位于與實(shí)施例層9905的主介電材料805表面大致平行的位置(二者在圖3中都未予示出)。
如圖3中所示，為了便于在具有疊層傳導(dǎo)層次步進(jìn)的通用法拉第屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)的各種反向差動(dòng)能量通道之間的最佳可能的磁場(chǎng)耦合消除，一般的規(guī)矩是，成對(duì)的并且僅僅一個(gè)互相之間最小的距離應(yīng)當(dāng)操作地隔離反向差動(dòng)導(dǎo)體?？赡苡心承├狻Ｈ欢?，通過以總體反向或異相的方式操作，位置相反的能量通道對(duì)855BB和865BB連同855BT和865BT的互相耦合，增強(qiáng)它們各自相反磁場(chǎng)的互相消除，與此同時(shí)，還互相地同時(shí)協(xié)作，利用也發(fā)生在沿著發(fā)明實(shí)施例AOC內(nèi)相同的位置相反的能量通道對(duì)的各種電路部分能量傳播的各部分上的靜電或法拉第屏蔽效應(yīng)。
也應(yīng)當(dāng)注意到，通過用通用屏蔽電極體系結(jié)構(gòu)的預(yù)定元件，以沉積的或外加的介電介質(zhì)材料的大致相等的間隔放置剛才所述的兩個(gè)差動(dòng)傳導(dǎo)通道，產(chǎn)生的發(fā)明實(shí)施例將產(chǎn)生對(duì)位于剛才所述的AOC內(nèi)的差動(dòng)傳導(dǎo)通道上的電路能量的各部分的有益的能量調(diào)節(jié)。剛才所述的成對(duì)的反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道也保持一個(gè)通電的關(guān)系，其互相之間是電互補(bǔ)的，同時(shí)也是電反向的，不管沿著各個(gè)成對(duì)的差動(dòng)能量通道855BB和865BB以及855BT和865BT上駐留的各部分傳播能量的普遍方向如何。
如圖3中所示的這樣一種包含例如855BB和865BB以及855BT和865BT的設(shè)置，分別將產(chǎn)生兩個(gè)相應(yīng)的電定位為能量通道的差動(dòng)能量通道855BT和865BT之一，在本例中，能量通道被電定位在一個(gè)能量源和一個(gè)由800-IM中央共用傳導(dǎo)屏蔽元件和其它元件隔開的使用能量的負(fù)載之間，而其余各個(gè)差動(dòng)能量通道855BB和865BB也將被考慮能量通道的形式被電定位，定位在一個(gè)連接回到其能量源起始器的使用能量的負(fù)載之間，該能量源起始器與一個(gè)確定的電路一起以某種形式啟動(dòng)過各能量傳播部分，確定電路可以認(rèn)為是來自在電路通電的起始時(shí)間開始的能量傳播的源。就是說，兩個(gè)相應(yīng)的、相鄰的但是被屏蔽和分隔的差動(dòng)能量通道或差動(dòng)電極-例如855BB和865BB的之一，處于彼此互相共同活動(dòng)的關(guān)系中的通電狀態(tài)，但是在物理上和電學(xué)上都屏蔽的體系結(jié)構(gòu)之間，然而所保持的實(shí)際的物理分隔的范圍，在小于50mm到更小但大于或等于0的數(shù)目之間，只要每個(gè)處理相對(duì)于另一個(gè)的電路能量部分的傳播。
聯(lián)合的共用傳導(dǎo)和封裝多重共用屏蔽通電分別與共用的、中央定位的共用傳導(dǎo)通道800“X”-IM的傳導(dǎo)連接，將幾乎總是變得像例如圖3中所示的外部傳導(dǎo)元件6803的擴(kuò)展一樣，并且將幾乎總是被以多重并行的方式被插入，使得所述共用傳導(dǎo)元件將幾乎總是相對(duì)于互補(bǔ)、相差動(dòng)電極相隔數(shù)微米的距離或“回路區(qū)”，后者本身被包夾。但與例如圖3中所示的外部傳導(dǎo)能量通道或區(qū)6803的擴(kuò)展隔開一個(gè)包含一個(gè)介電介質(zhì)的距離。
這使圖3中所示的外部傳導(dǎo)能量通道或區(qū)6803的電或傳導(dǎo)擴(kuò)展能幫助提高靜電屏蔽功能等的性能，剛才所述的通電的組合將幾乎總是加強(qiáng)和產(chǎn)生對(duì)靜電屏蔽組件(assembly)900A的外部差動(dòng)導(dǎo)體865BB和865BT上的能量傳播的有效和同時(shí)的調(diào)節(jié)。組合的共用傳導(dǎo)900A的內(nèi)部和外部平行排列(arrangement)分組將幾乎總是也取消或消除可能逃出或進(jìn)入被各部分能量在沿這些披露的傳導(dǎo)通道傳播到有源組體負(fù)載(圖3中未予示出)時(shí)使用的所述差動(dòng)導(dǎo)體855BT和855BB的各部分的無益的寄生物和電磁輻射。
所以，由標(biāo)準(zhǔn)方法類似地構(gòu)造或制造的、用于標(biāo)準(zhǔn)的、單一的、成對(duì)線電路情形并作為相同配置的發(fā)明實(shí)施例之間的唯一重要變化而具有一個(gè)介電差動(dòng)的發(fā)明實(shí)施例的幾乎所有實(shí)施例和變體，將幾乎總是以預(yù)料外的和不明顯的方式產(chǎn)生一個(gè)插入損失性能測(cè)量，考慮到現(xiàn)有技術(shù)各個(gè)已知的介電材料響應(yīng)。類似發(fā)明單元(介電材料以外的)的比較清楚地明確地揭示了導(dǎo)致這個(gè)結(jié)果的主要原因，電路性能是實(shí)施例內(nèi)各單元、更大的共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)和共用外部傳導(dǎo)單元的傳導(dǎo)連接的平衡，共用外部傳導(dǎo)單元組合起來工作，使用靜電消除、物理屏蔽來影響對(duì)在采用各種發(fā)明實(shí)施例的電路系統(tǒng)內(nèi)傳播的能量的調(diào)節(jié)。各種發(fā)明實(shí)施例的用戶可以使用所有類型的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)連接方法和/或傳導(dǎo)材料或結(jié)構(gòu)來把所有共用傳導(dǎo)能量通道互相地傳導(dǎo)連接和/或連接到一般與差動(dòng)成對(duì)通道分隔的相同的位于外部的傳導(dǎo)能量通道。
所有位于或可被外部傳導(dǎo)能量通道連接接觸的現(xiàn)有共用傳導(dǎo)電極通道的完全平衡連接的關(guān)鍵性質(zhì)，已經(jīng)在過去的文件中被披露，在能實(shí)現(xiàn)同時(shí)執(zhí)行多重和不同能量調(diào)節(jié)功能方面，被認(rèn)為非常關(guān)鍵，這些能量調(diào)節(jié)功能例如是利用相對(duì)于“0”的反面的電定位的電力和信號(hào)去耦、過濾、電源平衡。在單一的位于中央的共用和共享傳導(dǎo)電極通道的反面上生成的電壓基準(zhǔn)和那些文件中所公開的原理體現(xiàn)在發(fā)明實(shí)施例中。
與所有共用和傳導(dǎo)地連接的共用電極元件的同一個(gè)共用傳導(dǎo)外部區(qū)或通道的發(fā)明連接，當(dāng)連接到一個(gè)單獨(dú)的返回路徑、內(nèi)在的地、機(jī)殼地或不是差動(dòng)傳導(dǎo)通道的低阻抗通道時(shí)，將幾乎總是允許AOC傳播的能量與源和負(fù)載電平行地工作，以及與其它共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電并行地工作，不僅是相對(duì)彼此、也是相對(duì)于幾乎任何主電路定位的共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。用所述的在通電電路中放置或附接的USS，所公開的與內(nèi)部和外部差動(dòng)能量通道并行的共用傳導(dǎo)能量通道將幾乎總是由此再次增強(qiáng)或降低AOC內(nèi)的第三傳導(dǎo)/共用傳導(dǎo)通道的阻抗，以允許所傳播的能量-返回路徑能使用從一個(gè)源起源的部分能量。
應(yīng)當(dāng)注意到，盡管一旦發(fā)明被放置到共用傳導(dǎo)區(qū)上，通常外部和內(nèi)部差動(dòng)電極能量通道二者是平衡的。位于外部的共用傳導(dǎo)通道的增加，加回傳導(dǎo)能量通道平衡并偏移在類似類型的發(fā)明中所指出的自諧振。如圖2和圖3中所示的那樣，那些標(biāo)記為(#-IM)的、與內(nèi)在的中央共享圖象“0”電壓基準(zhǔn)平面附接的額外地放置的共用傳導(dǎo)能量通道，將幾乎總是以多種方式增加發(fā)明實(shí)施例的屏蔽效果。這些額外地放置的、位于外部的、包夾其緊鄰的位于內(nèi)部的鄰居的共用傳導(dǎo)能量通道，是為了大于向USS實(shí)施例增加電容。這些額外放置的共用傳導(dǎo)能量通道是在至少一組外部差動(dòng)電極對(duì)的任何應(yīng)用之前被放置的。
發(fā)明實(shí)施例內(nèi)的磁滯效應(yīng)被顯著地減少至接近零，這是由于放置在以在插入的共用傳導(dǎo)能量通道的反面上同時(shí)相反和異相的幾乎180度的方式到達(dá)的材料上的互補(bǔ)應(yīng)力的作用。如所公開那樣的這些應(yīng)力處理技術(shù)如果用現(xiàn)有技術(shù)的部件是難以復(fù)制的。對(duì)于在饋通傳播方式和應(yīng)用中配置的現(xiàn)有技術(shù)部件來說尤其如此。用作傳導(dǎo)電極擴(kuò)展部分的795”X”允許部分傳播能量流經(jīng)位于內(nèi)部的、從按照標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)裝置和方法附接的外部傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(未予示出)到達(dá)的差動(dòng)傳導(dǎo)電極。
如圖7A和7B中所示的9210那樣的新發(fā)明實(shí)施例的組成可以是，分支電極7300C和7300D直接饋通版本，它們被相對(duì)彼此緊密地定位并間隔，其方式使得傳導(dǎo)電極材料799的分支差動(dòng)電極平面的每組通常呈現(xiàn)為一個(gè)完全的9210中的單個(gè)，具有與現(xiàn)有技術(shù)機(jī)構(gòu)的體積相同或稍小的體積。
然而，這個(gè)用于如圖7A和7B中所示的9210之類的那樣的新發(fā)明實(shí)施例內(nèi)的單獨(dú)的同類電極分組(僅差動(dòng)電極或僅共用電極)或者兩個(gè)分組(差動(dòng)電極和共用電極)的小而重要的分支差動(dòng)電極配置，便于有更多利用傳導(dǎo)電極材料799的每組分支差動(dòng)電極平面的能量傳輸和能量傳播能力，以及通過占據(jù)更小的區(qū)域而便于有更少的、任何單一共用或差動(dòng)電極原本需要的層次，這便于有更多的電路傳導(dǎo)連接，與此同時(shí)處理多個(gè)正常電極能量通道的額外能力調(diào)節(jié)需求，其能量處理能力，比含有不同數(shù)量的大小相同的分支差動(dòng)饋通傳導(dǎo)差動(dòng)電極或共用屏蔽電極的相同大小的現(xiàn)有技術(shù)器件的能力處理能力更有效和更強(qiáng)大。
使用這些位置緊密的、如圖5中所示的7300C和7300D那樣的分支電極對(duì)的現(xiàn)有技術(shù)器件，將仍然沒有新發(fā)明那樣有效或者有能效。
例如，當(dāng)只為分支差動(dòng)電極設(shè)置時(shí)，僅僅因?yàn)榘迅鞣N分支或非分支電極分組組合成一個(gè)預(yù)定位置的體系結(jié)構(gòu)，就得出一個(gè)使用類似分層和排列的現(xiàn)有技術(shù)疊層中的總電極的較少分支層次的器件或?qū)嵤├?br> 在例如一個(gè)差動(dòng)的三通道電路附接方案中，現(xiàn)有技術(shù)器件有效地具有雙倍數(shù)量的傳輸電流的電極，用于增加其能量處理能力，具有較少的相同數(shù)量的分支電極通道的新發(fā)明將能夠比現(xiàn)有技術(shù)處理更多的能量，這是由于分支和非分支共用和差動(dòng)傳導(dǎo)電極能量傳輸通道二者的預(yù)定安排。
所以，7300C和7300D，即分支差動(dòng)電極7300C和7300D一起，被定義為至少兩個(gè)單個(gè)的、大小相同的能量通道，它們被至少一個(gè)更大的第三共用傳導(dǎo)屏蔽電極或內(nèi)部能量通道分隔，后者以插入的方式放置，以便被7300C和7300D二者共享，用于能量調(diào)節(jié)，而仍然使用如非分支對(duì)所用的相同的電壓基準(zhǔn)作為實(shí)施例9210中的電路基準(zhǔn)功能。它們?nèi)匀话唤M電反向的、成對(duì)的、大小相同的傳導(dǎo)電極主區(qū)797“X”，用于每組被放置的電極材料799和使用共用電壓基準(zhǔn)作電路基準(zhǔn)功能的能量調(diào)節(jié)實(shí)施例的許多變體的一部分的平面區(qū)。這在具有分支電極配置的發(fā)明中是通用的。這兩個(gè)共同大小的傳導(dǎo)材料或電極能量通道區(qū)7300C和7300D仍然小于共用屏蔽電極810F-1和2、800/800-IM-1和2、810B-1和2，這幾個(gè)共用屏蔽電極一起包含一組四個(gè)不同的卻緊密間隔的對(duì)，每對(duì)有兩個(gè)單元，各是薄傳導(dǎo)電極797SF1-A、797SF1-B、797SF2-A和797SF2-B，分別處于平行的關(guān)系，由一個(gè)薄層的介電罩材料801在它們之間將它們間隔開來。
參看圖7A，應(yīng)當(dāng)注意到，類似地，每個(gè)共用屏蔽電極能量通道不必由一對(duì)對(duì)應(yīng)的緊密間隔的薄共用屏蔽電極能量通道元件組成，因?yàn)闆]有必要在所有情況中都讓這些屏蔽電極的這些共用屏蔽電極能量通道單元因?yàn)槭褂眠@個(gè)設(shè)置而具有雙倍的總電極表面區(qū)，包含更大的具有疊層的層次步進(jìn)的通用共用傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)體系結(jié)構(gòu)的共用屏蔽電極結(jié)構(gòu)元件不處理能量、像現(xiàn)有技術(shù)的那些一樣的主輸入或輸出能量傳播通道功能。相反，在多數(shù)情況中，共用屏蔽電極結(jié)構(gòu)元件在發(fā)明實(shí)施例9210之類中被用作不是外部差動(dòng)能量通道(未予示出)的第三個(gè)額外能量傳輸通道。
現(xiàn)在參看圖7B，圖7A中所示的9210疊層，現(xiàn)在被顯示為一個(gè)制成的能量調(diào)節(jié)部件。六個(gè)外部傳導(dǎo)連接電極，被標(biāo)記為798-“X”，并各自被它們相應(yīng)的外部傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)或電極特別標(biāo)記，它們圍繞著9210體。能量調(diào)節(jié)部件910包含兩個(gè)外部共用傳導(dǎo)連接電極798-GNDA和798-GNDB，用于所有位于內(nèi)部的GNDG屏蔽電極與一個(gè)不是任何差動(dòng)外部能量通道或電路(未予示出)的外部共用傳導(dǎo)能量通道(未予示出)的共用傳導(dǎo)連接。四個(gè)用于傳導(dǎo)連接外部差動(dòng)傳導(dǎo)電路通道(未予示出)的跨接饋通外部傳導(dǎo)連接電極798FA、798FD、798FC和798DB，以及兩個(gè)外部共用傳導(dǎo)連接電極798-GNDA和798-GNDB，用于與第三差動(dòng)傳導(dǎo)電路通道(未予示出)的傳導(dǎo)連接。
為了進(jìn)一步改善和簡化說明書中所涉及的元件，如圖7A中所示的發(fā)明公開了一個(gè)在同一個(gè)能量調(diào)節(jié)實(shí)施例內(nèi)配備的單電路、高-低壓處理能力，以便在需要時(shí)允許低壓能量調(diào)節(jié)功能被用于預(yù)定的通電電路、但同時(shí)對(duì)使用高壓能量通道的電路起作用，以及允許在非常相同的多層發(fā)明內(nèi)的調(diào)節(jié)功能。
所以，圖7A的有些其它實(shí)施例(未予示出)適合于同時(shí)包含低壓和高壓電路應(yīng)用的電路系統(tǒng)，將幾乎總是通過利用平衡的配備電極體系結(jié)構(gòu)提供極佳的可靠性，該體系結(jié)構(gòu)采用成對(duì)的和更小的(相對(duì)于共用屏蔽通電電極)電極，也采用相同大小和成對(duì)的差動(dòng)直接饋通配置的和成對(duì)的差動(dòng)饋通設(shè)置的傳導(dǎo)和電反向電極，例如圖5中所示的那樣。
最好使分支傳導(dǎo)電極元件對(duì)797F4A、797F4B和797F3A、797F3B以及797F1A、797F1B和797F2A、797F2B之間的間隔最小化，一般小于1.0mil，但大于0，具體視目前具有的制造容限而定。電極材料能量處理特性將幾乎總是利于所希望的效果，而位于被插入的差動(dòng)和共用能量通道電極例如797F1B和810B-1和2以及797F2A和810B-1和2之間的介電距離814C實(shí)質(zhì)上大于814-B間隔的距離。
應(yīng)當(dāng)注意到，每個(gè)成對(duì)的和分支傳導(dǎo)電極通道的傳導(dǎo)區(qū)大小基本上非常相似，但是最好與其分支對(duì)偶相同，因此，成雙的板797F4A、797F4B和797F1A、797F1B分別只是797F3A、797F3B和797F2A、797F2B的反向傳導(dǎo)電極材料鏡像。然而，電反向差動(dòng)電極對(duì)797F3A、797F3B和797F2A、797F2B總體上分別將幾乎總是被認(rèn)為是797F4A、797F4B和797F1A、797F1B，每個(gè)幾乎總是相對(duì)于其在實(shí)施例9210內(nèi)的位置。
現(xiàn)在將大致描述圖7中的分立變體中的一個(gè)用于建立這些特定能量傳導(dǎo)通道結(jié)構(gòu)之一的實(shí)際實(shí)施例9210制造順序。首先，制造介電材料801的一個(gè)沉積或設(shè)置，然后設(shè)置和定位一層電極材料799G，以便形成差動(dòng)傳導(dǎo)通道797F2B，然后制造一層814B很薄的、分隔的介電材料801，接著是一層電極材料799，用于形成差動(dòng)傳導(dǎo)通道797F2A，然后放置介電材料801的814C應(yīng)用，然后設(shè)置定位一層電極材料799G，用于形成共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道810B-1和2，然后是一層814C介電材料801，接著是一層電極材料799，用于形成差動(dòng)傳導(dǎo)通道797F2B，使用一個(gè)間隔以介電材料801的距離的非常薄的層，然后是另一層電極材料799，用于形成差動(dòng)傳導(dǎo)通道797F1A，然后是一層814C介電材料801，接著是一層電極材料799G，用于形成共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道800/800-IM-1和2，它也是實(shí)施例9210的通用傳導(dǎo)籠狀結(jié)構(gòu)的共享、中央屏蔽電極結(jié)構(gòu)平衡點(diǎn)和中央共用通道點(diǎn)，然后是一層814C介電材料801，然后是一層電極材料799，以便形成差動(dòng)跨接饋通電極通道797F3B，接著是介電材料801的814B沉積，然后是一層電極材料799，以便形成差動(dòng)跨接饋通電極通道797F3A，接著是介電材料801的814B沉積，然后是一層電極材料799G，用于形成共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道810F-1和2，然后是一層814C介電材料801，然后是一層電極材料799，以便形成差動(dòng)跨接饋通電極通道797F4B，接著是介電材料801的814B沉積，然后是一層電極材料799，以便形成差動(dòng)跨接饋通電極通道797F4A；最后施加814介電材料801，以包含9210的物理疊層組成的一些主要層次結(jié)構(gòu)和支持元件。
盡管分支電極7300C和7300D構(gòu)造的電流傳輸能力大約能比一個(gè)單一的成對(duì)能量通道組合的能量翻一番，這個(gè)差動(dòng)電極特點(diǎn)將幾乎總是允許如圖7A所示的9210那樣的幾乎任何發(fā)明實(shí)施例的分壓功能，跨接類型的差動(dòng)傳導(dǎo)電極進(jìn)一步利用發(fā)明實(shí)施例的電路分壓體系結(jié)構(gòu)來增加發(fā)明實(shí)施例自己的總體電流處理能力，在減小體積的同時(shí)，仍然為包含發(fā)明實(shí)施例的各種799電極材料元件的各種799電極材料元件保持一個(gè)較小壓力的能量調(diào)節(jié)環(huán)境。
所以，新發(fā)明也適合于同時(shí)包含低壓和高壓兩種電路應(yīng)用的電系統(tǒng)，通過利用包含成對(duì)的和小型的(相對(duì)與共用屏蔽通道電極而言)差動(dòng)通道電極的平衡的屏蔽電極體系結(jié)構(gòu)而提供很好的可靠性。此外，發(fā)明實(shí)施例也能與包含各種低和高電流電路應(yīng)用的點(diǎn)系統(tǒng)組合并適合于這種電系統(tǒng)。也應(yīng)當(dāng)注意到，各種異類組合，無論是二者大小相同的還是混合的為電反向成對(duì)操作而設(shè)置的成對(duì)差動(dòng)旁通和成對(duì)差動(dòng)饋通能量通道的組合，都能用所述的各種能量傳播方式，在縱向或橫向?qū)盈B，或者按縱向和橫向上混合和配對(duì)的差動(dòng)電路通道的組合層疊。
所以，類似地構(gòu)造的或由標(biāo)準(zhǔn)裝置制造并用于標(biāo)準(zhǔn)的、成對(duì)的線電路情形并作為與類似設(shè)置的發(fā)明實(shí)施例之間的唯一重要變化而具有介電差動(dòng)的發(fā)明實(shí)施例的幾乎所有實(shí)施例和變體，將幾乎總是產(chǎn)生一個(gè)插入損耗性能測(cè)量，其方式是至今為止考察現(xiàn)有技術(shù)的各個(gè)已知介電材料響應(yīng)所預(yù)料不到和不明顯的。
類似類型發(fā)明單元(而不是介電材料)的這個(gè)比較，清楚而明確地揭示了導(dǎo)致這個(gè)結(jié)果的一個(gè)更大原因或因素，電路性能是把靜電屏蔽用于消除寄生體、物理屏蔽和用于影響對(duì)在采用所述發(fā)明的電路系統(tǒng)內(nèi)傳播的能量的調(diào)節(jié)的組合地工作的新共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)和外部傳導(dǎo)連接單元。所以，使用所公開的共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)和外部傳導(dǎo)連接單元并使用已經(jīng)主要為一定的電調(diào)節(jié)功能或結(jié)果而分類的介電質(zhì)的分立的或非分立的實(shí)施例，將幾乎總是發(fā)現(xiàn)，用以等同元件構(gòu)造的發(fā)明實(shí)施例元件，將幾乎總是取得比所用的電極材料的以前有限的使用知識(shí)更多的預(yù)料不到的有益特點(diǎn)。這包括幾乎任何可能的使用能在例如制成的分立硅片之類內(nèi)包含發(fā)明實(shí)施例的變體的非分立電容或電感結(jié)構(gòu)的分層應(yīng)用，或超級(jí)電容器應(yīng)用，甚至原子級(jí)的能量調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
返回圖7A，介電材料801的分隔或分隔等同物(未予示出)的隔離距離806A、806、814、814A、814B、814C和814D(未予全部示出)幾乎總是與器件相關(guān)的。查看圖7A中的截面，可以注意到其它重要的縱向和橫向距離隔離關(guān)系(未予全部示出)，即所示的預(yù)定電極和傳導(dǎo)通道疊層排列的關(guān)系(未予全部示出)。
注意到例如9210器件內(nèi)的元件的幾乎所有隔離距離，都是相對(duì)于包含在器件內(nèi)的各種電極通道結(jié)構(gòu)的，盡管對(duì)許多電路能量調(diào)節(jié)應(yīng)用來說，保持對(duì)特定系統(tǒng)電路內(nèi)的平衡的控制并非絕對(duì)必要，這些材料距離關(guān)系在實(shí)施例間隔考慮和分布中應(yīng)當(dāng)均勻。已經(jīng)試驗(yàn)過，這些成對(duì)的材料體積或距離的大的差動(dòng)或不一致，對(duì)本發(fā)明的多數(shù)一般電學(xué)應(yīng)用的電路平衡是有害的。
例如在圖7中，各種隔離距離814“X”引起一個(gè)應(yīng)用相關(guān)的、預(yù)定的、三維距離或填充以801材料的間隔區(qū)，如分別在共用電極能量路徑容器800疊合800E與各種差動(dòng)電極、分支電極或其它電極之間所測(cè)量的那樣。
隔離距離814A(未予示出)是在諸如共用電極通道的多個(gè)相鄰共用電極材料通道與例如含有薄介電材料801或隔離等同物(未予全部示出)或其它類型的隔離物(未予示出)的共用電極通道圖像屏蔽800/800-IM-之間具有的三維間隔距離的總體很小的平行相鄰區(qū)。
間隔距離814C是在諸如共用電極通道的各共用電極通道與諸如差動(dòng)電極通道的各差動(dòng)電極通道之間具有的縱向間隔。間隔距離814B是在諸如分支差動(dòng)傳導(dǎo)通道797F1-A和797F1-B和797F2-A和797F2-B的各分支差動(dòng)電極通道之間具有的縱向間隔。
這些獨(dú)特的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)力(未予示出)組合同時(shí)地在屏蔽電極結(jié)構(gòu)的容器內(nèi)發(fā)生，并且由于其作為管道的使用而作用到一個(gè)與差動(dòng)通道不同的第三能量通道。因此，通過使用和組合各種物理元件距離和傳導(dǎo)能量通道之間的能量場(chǎng)間隔，提供了在能量調(diào)節(jié)能力范圍內(nèi)具有的在通電電路通道內(nèi)發(fā)生的介電材料、非傳導(dǎo)材料以及動(dòng)態(tài)能量關(guān)系。
在不在反向差動(dòng)環(huán)境中工作的現(xiàn)有技術(shù)的能量調(diào)節(jié)器內(nèi)的不平衡電路內(nèi)將幾乎總是產(chǎn)生各種程度的磁滯效應(yīng)、材料記憶效應(yīng)、角應(yīng)力、由各有不同熱膨脹系數(shù)的各種材料的熱應(yīng)力引起的不均勻膨脹，它們的有效分壓能力都由在本發(fā)明實(shí)施例內(nèi)發(fā)生的互相反向互補(bǔ)能量傳播內(nèi)發(fā)生的而降低。
現(xiàn)在看圖4和圖5，圖中可見各種不同配置的成對(duì)的介電/電極層或成對(duì)的電極層。對(duì)于圖4和圖5來說，這些電極對(duì)或電極層對(duì)每個(gè)都有差動(dòng)電極通道和介電材料801(未予示出)至少兩個(gè)部分。
圖4中很好地表示了這些結(jié)構(gòu)中一些結(jié)構(gòu)之間的差別。圖4是一個(gè)頂視圖，圖中是兩個(gè)相鄰的、頂靠頂?shù)寞B層7200A和7200B，疊層中有不同的饋通差動(dòng)電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B。總稱為7200A和7200B的設(shè)置被統(tǒng)稱為跨接饋通差動(dòng)電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B，因?yàn)橥ㄟ^每個(gè)通道的能量傳播都必須跨越通過另一個(gè)的能量傳播，但是插在這個(gè)行動(dòng)之間的是一個(gè)共用屏蔽電極通道，這個(gè)第三能量通道(未予示出)的類型，不是這些電反向跨接饋通差動(dòng)電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B，它們都位于發(fā)明813AOC(未予示出)內(nèi)，以便使總的發(fā)明(未予示出)能從這個(gè)定位和能量流效果中提供和利用一部分能量調(diào)節(jié)。
該對(duì)的跨接部分或截面和能量傳播(未予示出)的快速扭結(jié)的相對(duì)間隔維數(shù)814-“X”對(duì)降低或最小化813 AOC(圖7A)內(nèi)的電路部分阻抗有積極的效果，并且由于傳播能量沿跨接饋通差動(dòng)電極通道(未予示出)799F1A、799F2A和799F1B、799F2B對(duì)的對(duì)彼此的影響的集中效應(yīng)而導(dǎo)致一個(gè)統(tǒng)一的阻抗，這樣，與直饋通對(duì)傳播方法相比，在相反方向上和相同方向上的傳播發(fā)生的各個(gè)扭結(jié)效應(yīng)以某種方式增強(qiáng)對(duì)與消除效應(yīng)的交互作用。扭結(jié)的或跨接電反向差動(dòng)電極通道對(duì)利用對(duì)諸如成對(duì)跨接饋通差動(dòng)電極通道799F1A、799F2A和799F1B、799F2B的成對(duì)電極隔離效應(yīng)的非常短的距離(由工業(yè)功能所定義)(未予示出)，并允許它們?yōu)槭褂脦缀跞魏涡掳l(fā)明實(shí)施例變體內(nèi)的技術(shù)的每個(gè)電路(未予示出)充分利用這個(gè)有益的電調(diào)節(jié)效應(yīng)。
概括地命名為7300A和7300B的兩個(gè)并列的疊層配置一般包含所謂的電反向直饋通差動(dòng)電極通道，后者在這里由799SF1A、799SF2A(未予示出，但在799SF1A之下)和799SF2B、799SF1B(未予示出，但在799SF2B之下)表示，因?yàn)殡姺聪蛑别佂ú顒?dòng)電極通道有用于各個(gè)能量部分的入口/出口點(diǎn)，它們互相排列成行，并加入剛才所述的79SF1A、79SF2A和79SF2B、79SF1B傳導(dǎo)電極擴(kuò)展對(duì)。通過每個(gè)差動(dòng)電極通道799SF1A、799SF2A和799SF1B、799SF2B的能量傳播進(jìn)入差動(dòng)電極通道799SF1A、799SF2A和799SF1B、799SF2B的更大區(qū)域，使得在相反方向上通過差動(dòng)電極通道799SF1A、799SF2A和799SF1B、799SF2B的能量傳播部分對(duì)AOC內(nèi)各部分傳播能量提供各種同時(shí)的能量調(diào)節(jié)效應(yīng)。
過去，一直通過將介電材料制成比較薄的薄片來制造含有分層結(jié)構(gòu)的無源部件。在燒制前處于較柔性或“綠色”狀態(tài)期間，介電薄片是被電極或絲網(wǎng)隔離的(silk-screened)，有耐熔或傳導(dǎo)金屬或金屬沉積物來界定選定區(qū)域的薄傳導(dǎo)電極。將多個(gè)這種基于介電的上有傳導(dǎo)電極的薄片層疊在一起，然后燒制，把這些薄片制成剛性而致密的、實(shí)質(zhì)上是單片的殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)部嵌置有差動(dòng)和共用傳導(dǎo)電極，與已經(jīng)形成的差動(dòng)共用傳導(dǎo)電極的預(yù)定分層序列有預(yù)定的介電間隔。在使用流經(jīng)共用板電極的電流的饋通操作中，薄電極板所具有的固有電阻，導(dǎo)致至少一些以熱為形式的能量損失，盡管在諸如具有本發(fā)明的縮短到外部傳導(dǎo)區(qū)或其它類型的附接的共用傳導(dǎo)板的旁通配置中可被視為是最小的。電極板電力損耗以及由此引起的在饋通類操作中的板加熱，是電能的函數(shù)。如果板能量足夠高，即使持續(xù)較短的時(shí)間，也會(huì)發(fā)生足以導(dǎo)致電極/板故障的板加熱，尤其是薄電極板和/或其連接對(duì)傳導(dǎo)終端部件的局部破壞。用于起搏器和電振發(fā)生器應(yīng)用的現(xiàn)有技術(shù)的過濾電容器經(jīng)常遇到高峰電流中的相當(dāng)高的脈沖，因而易受過度加熱和相關(guān)的故障，這些都是說明這種問題的很好的例子。解決這種問題的一個(gè)方法是增加多層次電路調(diào)節(jié)組合體的分層結(jié)構(gòu)內(nèi)的電極板層的厚度。然而，層厚的顯著增加是無益的，或者說，用現(xiàn)有的電極制板和絲網(wǎng)隔離技術(shù)是不實(shí)際的。過度厚的層或板導(dǎo)致脫層和相關(guān)的可靠性問題。就此而言，電極板的重要一點(diǎn)是要有薄而連續(xù)的結(jié)構(gòu)，以選定的介電顆粒生長滲透并集成整個(gè)結(jié)構(gòu)成一個(gè)高低不平的單片結(jié)構(gòu)。另一個(gè)方法是增加傳導(dǎo)電極板的總表面面積，但是這個(gè)構(gòu)思需要顯著地增加結(jié)構(gòu)的物理大小的體積，這與許多電路應(yīng)用是不適應(yīng)的。
制造類似于多層的工業(yè)大小的單元的實(shí)施例的旁通或饋通裝置的一種方法與制造多層陶瓷電容器的常規(guī)方法相同。由于本領(lǐng)域的熟練人員熟悉這種方法，所以只對(duì)其作簡短的說明。介電部件是通過澆注薄薄的一層細(xì)介電構(gòu)成材料而構(gòu)成的，這種介電構(gòu)成材料諸如是懸浮在包括粘結(jié)劑的填質(zhì)(matrix)中的鈦酸鋇(barium titanate)?！熬G色”陶瓷表面被用構(gòu)成顏料的電極印上所希望形狀的圖案。該顏料通常包含一種金屬，例如鈀。將有圖案的綠色陶瓷疊置起來，以提供所需層數(shù)，協(xié)調(diào)相鄰層的圖案，以取得所需的重疊條件。將疊置的各層分隔成各個(gè)單元，以露出預(yù)燒芯片的相反端上的基部分。然后要將被分隔的各單元在第一溫度下灼燒聯(lián)結(jié)，然后在更高溫度下燒結(jié)成單塊。將端接頭分別連接到一端露出的基部分和另一端的基部分。端接頭的形成有各種已知方法，包括蒸鍍(vapor deposition)方法，以提供與單塊的相反端上露出的電極基的電和機(jī)械聯(lián)結(jié)，然后在濺射層施加一個(gè)或多個(gè)金屬層，以便能焊接到母板上。需要表面安裝時(shí)可以將端接頭延伸到端邊緣。
備擇的端接方法包括在施加碳后接著施加銀質(zhì)外層，在碳層和銀層之間可以有也可以沒有金屬層。各層材料元素也與可用的和將來的處理技術(shù)兼容。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)中遇到的問題和缺點(diǎn)，因?yàn)楸景l(fā)明用內(nèi)置電極層/板圖案提供了一種改進(jìn)的電路調(diào)節(jié)功能，能處理某些預(yù)定應(yīng)用中的顯著地更高的RF的傳播部分，而不需要顯著地增加體積。
理想情況下，共用傳導(dǎo)電極層共享共用連接的多個(gè)點(diǎn)或傳導(dǎo)通道，在能量以并行方式傳導(dǎo)或影響共用元件時(shí)，它們互相連接或連接到相同的外部傳導(dǎo)區(qū)或外部共用傳導(dǎo)通道。通電的發(fā)明作為由各層單元構(gòu)成的整體，具有多個(gè)互補(bǔ)的、不同密度或程度的動(dòng)態(tài)能量通道，這些互補(bǔ)的動(dòng)態(tài)能量通道就同時(shí)的能量傳輸方向而言可以被看成是三維的和多方向的。
通過本發(fā)明整體的能量移動(dòng)相對(duì)于本發(fā)明的單一的分層單元的能量傳輸通道或移動(dòng)通道來說是不同的，不過兩種類型的移動(dòng)或影響的發(fā)生是互補(bǔ)的、動(dòng)態(tài)的，并同時(shí)通過非平行和平行這兩種能量傳輸通道。由于這些平行的和非平行的能量傳輸移動(dòng)在本發(fā)明內(nèi)是同時(shí)發(fā)生的，它們影響電路功能。這些移動(dòng)總是動(dòng)態(tài)的并同時(shí)影響一些或所有的分層元件。
例如，當(dāng)被用作電容能量調(diào)節(jié)器并被放置在一個(gè)差動(dòng)應(yīng)用中和附接到三個(gè)獨(dú)立的能量通道或放置在一個(gè)共用電極通道附接到一個(gè)獨(dú)立的共用傳導(dǎo)通道的電路中時(shí)，被每個(gè)能量調(diào)節(jié)器電極層攜帶的電流載荷是電容能量調(diào)節(jié)器中使用的層數(shù)的一個(gè)函數(shù)。
就是說，用兩倍數(shù)量的電極層使給定電路應(yīng)用中的每個(gè)層攜帶的電流降低一半。所以，通過使電極層數(shù)加倍，必須由每個(gè)層以熱的形式發(fā)散的電力被減少四分之三。
相應(yīng)地，僅僅根據(jù)電力散發(fā)，具有兩倍數(shù)量的電極層的電容能量調(diào)節(jié)器就能在沒有因熱導(dǎo)致?lián)p害的情況下有大得多的電流處理能力。然而在過去，要使能量調(diào)節(jié)器層的層數(shù)加倍，就需要相應(yīng)地增加電容能力調(diào)節(jié)器的體積，而所要求的體積則不適于某些操作環(huán)境。
本發(fā)明認(rèn)識(shí)到，可以將電容能量調(diào)節(jié)器中的電極層數(shù)有效地加倍，以提供顯著改進(jìn)的電流處理能力，但是在高壓應(yīng)用中，所要求的介電間隔較厚，如果使用僅用于共用傳導(dǎo)電極的分立層技術(shù)，電容能量調(diào)節(jié)器的物理大小只有很少的增加。如果使用僅用于差動(dòng)傳導(dǎo)電極的分立層技術(shù)，電容能量調(diào)節(jié)器的物理大小也是如此。如果一起使用用于共用傳導(dǎo)電極和用于差動(dòng)傳導(dǎo)電極的分立層技術(shù)，電容能量調(diào)節(jié)器的物理大小也是如此。
轉(zhuǎn)至圖6，將圖1中的電極800/800-IM作為一個(gè)共用的緊密配對(duì)的對(duì)稱電極組合體或者由相同大小的、在本例中由介電材料801組成的非常薄的層814B隔離的800/800-IM-1和800/800-IM-2電極各為一半的分立配對(duì)的800/800-IM如上所述地放入雙層單元800/800-IM-1和800/800-IM-2電極。這是通過將例如800/800-IM電極層次按是否是差動(dòng)電極(未予示出)細(xì)分成緊密配對(duì)的對(duì)稱電極和相同大小的、由介電材料801組成的非常薄的層814B隔離的單元，介電材料可能視814B薄層的屬性而不同于材料801，該薄層不僅需要保留電極元件整體本身的能力，還需要保留整個(gè)能量調(diào)節(jié)器的能力和可靠性，以抗擊電場(chǎng)或通電操作的能量出入，包括諸如電壓脈沖和電沖擊等異常。分立電極之間的距離一般大于零至分隔距離的25％的范圍，該距離或者是預(yù)先計(jì)劃的，或者是任何兩個(gè)分立電極之間的正常距離，或者是任何兩個(gè)由被材料801之類互相隔離的一個(gè)差動(dòng)電極組和一個(gè)共用電極組的分立配對(duì)之間的正常的電極間隔。
按照這種構(gòu)造，每個(gè)有源層元件800/800-IM-1和2作為一個(gè)整體被按需要的正常的介電間隔關(guān)系放置，具有一個(gè)對(duì)應(yīng)的差動(dòng)電極(未予示出)。
對(duì)于給定數(shù)量的如800/800-IM-1和2或800“X”-1和2這樣的共用電極層來說，能量調(diào)節(jié)器總大小的唯一增加涉及到用于每對(duì)雙層單元800/800-IM-1和2之間的像801的特定介電材料或其它介電材料的最小厚度間隔814B。
現(xiàn)在參看圖5中所示的各種元件。美國專利號(hào)5,978,204公開了一種包含多個(gè)有源接地電極板的分層電容器體系結(jié)構(gòu)，有源接地電極板疊放并內(nèi)置在陶瓷之類的介電質(zhì)外殼內(nèi)，每個(gè)有源接地電極板由一對(duì)緊密間隔的導(dǎo)電板元件界定，這顯著地增加了每個(gè)電極板的總面積，并由此相應(yīng)地增加現(xiàn)有技術(shù)電容器的電流處理能力。
在進(jìn)一步解釋如何進(jìn)一步改進(jìn)和簡化所引用的專利號(hào)5,978,204中的某些元件之前，如圖5中所示的一部分新發(fā)明實(shí)施例現(xiàn)在將用各個(gè)實(shí)施例公開一種能包括和單獨(dú)區(qū)分通電電路的高-低電壓處理能力，這些實(shí)施例沒有在圖7中顯示，也不像圖7中的9210所示的那樣，它們是以變化的、但是基本的屏蔽電極能量調(diào)節(jié)實(shí)施例或結(jié)構(gòu)的形式提供的，能允許低壓能量調(diào)節(jié)功能既被用于預(yù)定的通電電路，同時(shí)又對(duì)使用高壓能量通道的電路起作用，以及需要時(shí)允許相同的多層發(fā)明內(nèi)的調(diào)節(jié)功能。
圖5顯示電反向差動(dòng)電極對(duì)7300C和7300D。每個(gè)完全差動(dòng)電極7300C和7300D分別包含分立電極797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B，它們構(gòu)成7300C和7300D，它們被分組并配對(duì)，但是電直接饋通差動(dòng)電極能量通道在結(jié)構(gòu)上類似于包含圖7A的實(shí)施例9210一部分的電反向差動(dòng)電極對(duì)。父797SF2和797SF1的每個(gè)分立差動(dòng)電極在發(fā)明實(shí)施例內(nèi)的位置如此接近，以至分立差動(dòng)電極對(duì)797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B在被電定義時(shí)每個(gè)分別作為一個(gè)單一的電容器板7300C和7300D。圖5的79-SF1和79-SF2是所構(gòu)造的電極形狀的簡單延長部分，用于表示傳導(dǎo)電極延長部分，傳導(dǎo)電極延長部分允許從按標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)裝置和方法附接的外部傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(未予示出)到達(dá)的各部分傳播能量流經(jīng)位于內(nèi)部的差動(dòng)傳導(dǎo)電極。
這些雙板元件797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B分別合作地定義兩個(gè)差動(dòng)傳導(dǎo)通道電極父7300C和7300D電極元件的電反向配對(duì)集合，電極元件有顯著增加的總電極表面積，將總是引起通電電路的電路處理能力的相應(yīng)增加，而不顯著增加總體能量調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)(未予示出)的總體積。
為了進(jìn)一步定義對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的電流狀態(tài)的改進(jìn)，發(fā)明實(shí)施例(未予示出)允許使用這些差動(dòng)電極對(duì)797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B，它們被放置在由814B分隔的位置，彼此相距僅數(shù)微米，因此將總是允許部分傳播能量經(jīng)過這些差動(dòng)傳導(dǎo)通道，以利用緊密定位的分立對(duì)797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B，在電路(未予示出)內(nèi)，所述的每組分立電極將呈現(xiàn)為一個(gè)單一的差動(dòng)傳導(dǎo)電極，并且這還不需要設(shè)置額外的共用傳導(dǎo)屏蔽電極。使用成對(duì)的分立電極的優(yōu)點(diǎn)是，通過使用額外的電極所獲得的額外的區(qū)，與沒有這個(gè)特點(diǎn)的一組非分立配對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道7300E和7300E(未予示出)的電流攜帶能力相比，將總是顯著地增加兩個(gè)電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道797SF1-A和797SF1-B以及797SF2-A和797SF2-B電極元件的電流處理能力。
盡管分立電極7300C和7300D的構(gòu)造大約能使電流攜帶能力比單一配對(duì)的能量通道分組的電流攜帶能力加倍，這個(gè)差動(dòng)電極特點(diǎn)將幾乎總是也允許如圖7A中所示的9210那樣的幾乎任何發(fā)明實(shí)施例的分壓功能，其具有的跨接類型的差動(dòng)傳導(dǎo)電極進(jìn)一步利用發(fā)明實(shí)施例的電路的分壓體系結(jié)構(gòu)來增加發(fā)明實(shí)施例自己的總體電流處理能力，同時(shí)仍然對(duì)包含發(fā)明實(shí)施例的各種799電極材料元件的各種799電極材料元件保持壓力較小的能量調(diào)節(jié)環(huán)境。
轉(zhuǎn)至圖7A，標(biāo)識(shí)為806A、806、814、814A、814B、814C和814D(未予完全示出)的介電材料801間隔或間隔等同物(未予完全示出)分隔距離幾乎總是與器件相關(guān)的。觀察圖7A的截面，觀察者將注意到所示的預(yù)定電極和傳導(dǎo)通道層疊安排(未予完全示出)的其它重要的縱向距離和縱向分隔關(guān)系(未予完全示出)。
注意到例如9210器件內(nèi)的元件的所有間隔距離都是相對(duì)于器件內(nèi)含有的各種電極通道結(jié)構(gòu)的，盡管對(duì)許多能量調(diào)節(jié)應(yīng)用來說不是絕對(duì)必要，為了保持對(duì)特定的系統(tǒng)電路內(nèi)的平衡的控制，這些材料距離關(guān)系在實(shí)施例間隔考慮和分布中應(yīng)當(dāng)是均勻的。對(duì)材料的這些成對(duì)的量或距離的較大變化或不一致進(jìn)行過的試驗(yàn)表明它們對(duì)本發(fā)明的多數(shù)通用電應(yīng)用的電路平衡是有害的。可以為例如圖2設(shè)想具有分立電極的屏蔽結(jié)構(gòu)的用途和多用性。在圖2中，可以將圖3中所示的分隔距離814用于一個(gè)應(yīng)用-如分別在共用屏蔽電極能量通道容器800C、800D、800E、800F之間所測(cè)量的間隔或分隔的相對(duì)的、需要預(yù)定的三維距離或區(qū)。圖2也能含有一個(gè)或一組分立差動(dòng)電極，諸如包含共用屏蔽810B-1和2和820F-1和2以及包含圖7A中所示的差動(dòng)傳導(dǎo)通道797SF2的800F，包括在這些結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)材料表面或“表皮”上相鄰的區(qū)，它們會(huì)影響各部分能量傳播的移動(dòng)，在一個(gè)例子中，諸如在810F-1和2和820F-1和2或包含810B-1和2和82081和2-并含有如圖3中所示的差動(dòng)旁通電極通道865BT的800F-1和2中，也可以在通電狀態(tài)中的這種定義區(qū)內(nèi)找到，其包括在這些結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)材料表面或“表皮”上相鄰的區(qū)，它們會(huì)影響也可以其它例子中(未予示出)在通電狀態(tài)中的這種定義區(qū)內(nèi)找到的各部分能量傳播的移動(dòng)。
分隔距離814是在多個(gè)相鄰共用電極材料通道之間的間隔的三維分隔距離或鄰近的非常小的平行相鄰區(qū)，例如共用電極通道820B和共用電極通道圖形屏蔽850B/850B-IM-含有薄介電材料801或間隔等同物(未予完全示出)或其它類型的間隔物(未予示出)。
分隔距離814C是諸如共用電極通道820B-的共用電極通道與諸如差動(dòng)電極通道865BT的差動(dòng)電極通道之間的縱向分隔。分隔距離814B是諸如分立差動(dòng)傳導(dǎo)通道797SF1-A和797SF1-B的分立差動(dòng)傳導(dǎo)通道之間的縱向分隔。
這些動(dòng)態(tài)和靜態(tài)力(未予示出)的獨(dú)特組合同時(shí)發(fā)生在屏蔽電極結(jié)構(gòu)的可容度內(nèi)，并且由于其作為管道的使用，至不同于差動(dòng)通道的第三能量通道。因此通過使用和組合物理元件距離的各種規(guī)則和傳導(dǎo)能量通道、介電材料、非傳導(dǎo)材料之間的能量場(chǎng)間隔以及在通電電路通道中發(fā)生的動(dòng)態(tài)能量關(guān)系，提供了一種新穎實(shí)用的電路能量調(diào)節(jié)能力。
在內(nèi)部，不在反向差動(dòng)環(huán)境中操作的現(xiàn)有技術(shù)能量調(diào)節(jié)器內(nèi)的失衡電路，將幾乎總是產(chǎn)生各種程度的滯后效應(yīng)、材料記憶效應(yīng)、角應(yīng)力、由各具有不同膨脹溫度系數(shù)的各種熱應(yīng)力材料導(dǎo)致的膨脹，并且它們的分壓能力都從互反向能量傳播內(nèi)發(fā)生中被減少，相比之下，互反向能量傳播在發(fā)明實(shí)施例內(nèi)是全方位發(fā)生的。
因此，在發(fā)明實(shí)施例內(nèi)，滯后效應(yīng)被顯著地降低到接近零，這是由于在材料以幾乎180度的方式到達(dá)后置于放在之間的共用電極能量通道能量的另一邊上的互補(bǔ)應(yīng)力的作用。所公開的這些應(yīng)力處理技術(shù)，用現(xiàn)有技術(shù)的部件(如果有的話)是非常難以復(fù)制的。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的以饋通傳播方式配置的部件以及應(yīng)用來說尤其如此。被用作傳導(dǎo)電極擴(kuò)展部分的名稱的79S″X″允許各部分傳播能量流經(jīng)從被標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)裝置或技術(shù)附接的外部傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(未完全示出)到達(dá)的位于內(nèi)部的差動(dòng)傳導(dǎo)電極。
如圖7A和7B中9210的新發(fā)明可以由分支電極7300C和7300D直接饋通版本構(gòu)成，它們的位置互相接近并有間隔，使得傳導(dǎo)電極材料799的每組分之差動(dòng)電極平面一般看起來包含一個(gè)完整的9210，其體積與現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)的體積相同或者稍小，但是其能量處理功能比相同大小的含有不同數(shù)量的相同大小的分支差動(dòng)饋通傳導(dǎo)差動(dòng)電極的現(xiàn)有技術(shù)器件的能量處理功能更有效或更大。
差別就在于，新發(fā)明用更少的層次、占據(jù)更小的區(qū)域，卻允許更多的能量傳輸或能量傳播能力，允許更多電路連接，而同時(shí)處理多個(gè)能量通道的能量調(diào)節(jié)需求。新發(fā)明配置內(nèi)的這個(gè)小而重要的設(shè)置如圖7A的9210等等。
由于電極定位體系結(jié)構(gòu)的原因，利用這些位置靠近的分支電極對(duì)7300C和7300D進(jìn)行能量調(diào)節(jié)的現(xiàn)有技術(shù)器件的效率或能效，不如大約少用1/3的類似地分層的現(xiàn)有技術(shù)疊層中總電極的分支層次的新發(fā)明。盡管現(xiàn)有技術(shù)器件會(huì)有效地有雙倍數(shù)量的傳輸電流的電極來增加其能量處理能力，具有數(shù)量少了約25-30％的分支電極通道的新發(fā)明將能夠比現(xiàn)有技術(shù)的器件處理更多的能量，原因在于對(duì)分支的和非分支的這兩種共用和差動(dòng)傳導(dǎo)電極能量傳輸通道的預(yù)定安排。
因此，將7300C和7300D一起定義為至少兩個(gè)單一的、大小相同的能量通道，它們被至少一個(gè)更大的第三共用傳導(dǎo)屏蔽電極能量通道分隔，后者位于一個(gè)中間位置，由7300C和7300D二者共享，用于能量調(diào)節(jié)和用于實(shí)施例中電路基準(zhǔn)功能的電壓基準(zhǔn)。
分支的差動(dòng)電極7300C和7300D包含一組電反向的、成對(duì)的、類似大小的傳導(dǎo)材料區(qū)，用于使用共用電壓基準(zhǔn)用于電路基準(zhǔn)功能的能量調(diào)節(jié)實(shí)施例許多變體的一部分。這兩個(gè)類似大小的傳導(dǎo)材料或電極能量區(qū)7300C和7300D仍然小于共用屏蔽電極810F-1&2、800/800-IM-1&2和797SF2-A和797SF2-B，后者所有共同包含由四對(duì)不同的而又緊密間隔的各含兩個(gè)單元的薄傳導(dǎo)電極元件797SF1-A、797SF1-B、797SF2-A、797SF2-B，它們之間呈大致平行的關(guān)系，分別由一層薄的介電殼體材料801間隔(參看圖7A，用797F1-A、797F1-B、797F2-A、797F2-B分別替換797SF1-A、797SF1-B、797SF2-A、797SF2-B)參看圖7A，應(yīng)當(dāng)注意到，類似地，每個(gè)共用屏蔽電極能量通道也包含對(duì)應(yīng)的一對(duì)緊密間隔的薄的共用屏蔽電極能量通道，因?yàn)樵谟行┡渲弥?，這些屏蔽電極的這些共用屏蔽電極結(jié)構(gòu)元件有雙倍的總電極表面區(qū)是有好處的。由于使用這個(gè)配置，在有些附屬配置中，包含帶有層疊分層步進(jìn)的更大的通用共用傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)體系結(jié)構(gòu)共用傳導(dǎo)屏蔽電極結(jié)構(gòu)將也處理主要輸入或輸出能量傳播通道功能。共用屏蔽電極結(jié)構(gòu)元件在多數(shù)情況中在發(fā)明實(shí)施例9210等中被用作第三個(gè)附加的非外部差動(dòng)能量通道的能量傳輸通道(未予示出)。
轉(zhuǎn)至圖8，顯示的實(shí)施例9915，是相對(duì)元件對(duì)稱平衡電極配對(duì)的新概念，被用于各種平衡的和成對(duì)的和相同大小的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道概念，然而處于相對(duì)元件平衡配對(duì)狀態(tài)。
相對(duì)元件對(duì)稱平衡電極配對(duì)適合于更大型包夾共用傳導(dǎo)通道以及差動(dòng)傳導(dǎo)通道，涉及到對(duì)一個(gè)新系列的分立多功能能量調(diào)節(jié)器的繼續(xù)改進(jìn)，這些調(diào)節(jié)器不同于前文述及的互補(bǔ)型相同大小原則，現(xiàn)在將涉及該新系列的分立多功能能量調(diào)節(jié)器的另一個(gè)變化概念。
從根本上說，本發(fā)明形成各種內(nèi)部電極模式799和799G，使得主電極區(qū)(不包括例如延長部分79-GNDA或812A)對(duì)于多個(gè)成組的和個(gè)別的以及成對(duì)的內(nèi)部電極來說處于彼此相關(guān)的位置，它們的位置沿著陶瓷片的層積方向從介電體1的表面的中心部分逐漸(或逐步地)減少?；蛘?，形成內(nèi)部電極模式(不包括例如延長部分79-GNDA或812A)，使得由多個(gè)內(nèi)部電極的傳導(dǎo)主表面區(qū)(以上未予示出)占據(jù)的區(qū)域，在離開起著對(duì)稱平衡點(diǎn)的中央共用屏蔽電極的位置對(duì)稱地在兩個(gè)向外的方向上逐漸(或逐步)地減少。在這種情況中的配對(duì)位于分割800-1和2/800-IM-1和2中央共用屏蔽電極之間。
在發(fā)明實(shí)施例的更大的迭層(5個(gè)共用和差動(dòng)能量通道迭層組合)中，例如圖8的9915中，通過從中央共用共享電極通道800/800-IM查看發(fā)明實(shí)施例的橫斷面并觀察一個(gè)成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT(它們都可能是分支電極)，可以觀察到一個(gè)差別(為了概念簡潔，-9915的其他材料元件在這部分說明中被省略)，差別在于，在第一和第二共用傳導(dǎo)屏蔽能量通道810F-1和2以及810B-1和2的位置有第一對(duì)相同大小的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BB和855BT。
可以看到，可以放置第三和第四縮小的或第三和第四增大的下一組電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道，如865BB和865BT，它們?nèi)缓蟊环胖玫冒鼕A整個(gè)以前布置的中央共用共享電極通道800/800-IM、第一對(duì)相同大小的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BB和855BT、以及第一和第二共用傳導(dǎo)屏蔽能量通道810F-1和2/810B-1和2。
這樣，器件或?qū)嵤├c成比例地縮小或增大的相同大小的第三和第四差動(dòng)傳導(dǎo)通道865BB和865BT成比例地和對(duì)稱地平衡，可以看到，它們?nèi)匀皇瞧教沟?，但是最好在后繼的包夾的第四和第五共用傳導(dǎo)屏蔽能量通道820B-1和2/820F-1和2等等內(nèi)后退40、41、42、43。提供一個(gè)另外的發(fā)明變體9915，它仍然遵循局部使用具有層疊傳導(dǎo)層次步進(jìn)的法拉第屏蔽結(jié)構(gòu)的通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)加兩個(gè)電反向差動(dòng)能量通道(9915中的855BT和855BB)的一般原理。
這個(gè)構(gòu)思也可以用于包含利用旁通或饋通(未予示出)能量傳導(dǎo)方式沿成對(duì)和電差動(dòng)通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT同時(shí)進(jìn)行能量(未予示出)傳播的電路的通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)(未予示出)。
所以，預(yù)定模式的對(duì)稱地匹配的、大小相同的、成對(duì)的差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT，物理地彼此平行并相對(duì)彼此定位，位于中央共用傳導(dǎo)屏蔽能量通道800/800-IM-1和2的反面，并可以與例如后退方案40、41、42、43放置在一起，使得855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT不必與放在其前面的對(duì)應(yīng)的相鄰差動(dòng)電極(例如885BT和875BT)匹配。所披露的相對(duì)成對(duì)原理概念是，這些匹配的、物理上平行的、相同大小的成對(duì)的差動(dòng)傳導(dǎo)通道855BB、855BT、865BB、865BT、875BB、875BT、885BB、885BT主要是在大小上分別相對(duì)彼此(855BB與855BT、865BB與865BT、875BB與875BT、885BB與885BT)匹配的，但是不一定要像例如圖3的9905那樣的其它實(shí)施例那樣在大小上與相鄰的匹配(例如855BB與865BB與875BB與885BB)，相反，不必相對(duì)于以前沉積的傳導(dǎo)通道相鄰體(被至少一個(gè)共用傳導(dǎo)屏蔽能量通道830F-1和2、820F-1和2、810F-1和2、800/800-IM-1和2、810B-1和2、820B-1和2、830B-1和2分隔的)。
所以一個(gè)相對(duì)配對(duì)概念和后退方案甚至擴(kuò)展到與后退方案44、45、46、47一樣包括屏蔽電極結(jié)構(gòu)元件的共用通道電極830F-1和2、820F-1和2、810F-1和2、800/800-IM-1和2、810B-1和2、820B-1和2、830B-1和2，只要每個(gè)發(fā)明實(shí)施例變體能包含一定部分的各種其他材料和像801材料那樣的方法放置概念元件，814-″X″相對(duì)后退區(qū)(814A、814b、814C、814D等等，如果需要的話)或各種分立形式的像798-GND″X″那樣的連接元件(例如盡管不是總以被用于非分立的形式)，它們?cè)谥圃鞎r(shí)被沉積在關(guān)鍵的、自明的共用共享電極通道800/800-IM(800/800-IM總是在相對(duì)于任何后繼的分層或沉積的起點(diǎn)起作用，但不必是制造起點(diǎn))。
只要各種相對(duì)配對(duì)對(duì)互補(bǔ)反向調(diào)整是匹配的和對(duì)稱地配對(duì)的并且保持其它距離關(guān)系和在相對(duì)成對(duì)的或相對(duì)平衡對(duì)稱關(guān)系中的后退，發(fā)明實(shí)施例變體將以預(yù)定的電調(diào)節(jié)方式對(duì)用戶要求的各種能量調(diào)節(jié)進(jìn)行操作。這個(gè)相對(duì)平衡、相對(duì)“雙對(duì)”或相對(duì)“鏡像”元件匹配或配對(duì)平衡，是對(duì)諸如9905的以前的實(shí)施例的新穎改進(jìn)，是一種結(jié)構(gòu)性改進(jìn)，將產(chǎn)生許多預(yù)料不到的結(jié)果，只要具有包含成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道的疊層傳導(dǎo)層次步進(jìn)的通用法拉第屏蔽體系結(jié)構(gòu)靜電屏蔽功能(未予示出)不受損害，就將是可行的。這個(gè)相對(duì)配對(duì)概念也適合于在其它共有的和共同待定的申請(qǐng)中所描述的不使用外部的、成對(duì)的電反向差動(dòng)傳導(dǎo)通道的發(fā)明實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意到，9915可能是后退方案40、41、42、43、44、45、46、47或任何可能的后退的變體的錐形的反轉(zhuǎn)，是申請(qǐng)人完全考慮到的。
通電時(shí)，前文中預(yù)定分支電極分層裝置的外部跡線通路、傳導(dǎo)通道和導(dǎo)體等等與所完整地描述的或不在本文件中的眾多實(shí)施例之一的組合，能構(gòu)造一個(gè)完整的發(fā)明配置。在不限制本發(fā)明的前提下，以下在圖9中舉出按照本發(fā)明的一個(gè)組合體的例子。
圖9中的電路和電極簡單地示意性地表示一個(gè)雙通道，如圖所示，它是由位于預(yù)定裝置外部的預(yù)定傳導(dǎo)材料附件(未予示出)和構(gòu)成發(fā)明實(shí)施例的各種分支電極組成的。不管實(shí)施例包裝如何，都能制造這些傳導(dǎo)電路附件，因?yàn)轭A(yù)定導(dǎo)體的分立或非分立的實(shí)施例本身實(shí)際不是利用發(fā)明的連接分支電極部分附到外部結(jié)構(gòu)通道上的層。以下列出電路中涉及的各部分300分支電極通道，共電源的差動(dòng)電極層，和共同連接和共負(fù)載源的分支電極屏蔽層，被組合成一個(gè)整體電路，由顯示一個(gè)源、通道301、負(fù)載302和返回通道303的通電和附接配置生成。
301“電力輸入”傳導(dǎo)能量通道或Vcc的示意表示。
302動(dòng)態(tài)功能的高亮區(qū)的示意表示。
303一個(gè)非共用、差動(dòng)傳導(dǎo)分支電極至外部導(dǎo)體的附接點(diǎn)和/或結(jié)構(gòu)的示意表示，該外部導(dǎo)體有約1/2的能量部分從一個(gè)單個(gè)的外部電力路徑(進(jìn)入到″A″和″B″差動(dòng)分支電極的能量部分的分支)被輸送，使得該部分能量從303和309在相反方向進(jìn)入分層的電極裝置。
304在差動(dòng)分支電極與共用返回分支電極/通道之間形成的能量調(diào)節(jié)器的示意表示。
305表示相對(duì)于屏蔽分支電極或返回分支電極329、330、331的兩種差動(dòng)分支電極的“0”電壓電路基準(zhǔn)以及所生成的屏蔽效應(yīng)的示意表示。
306能量路徑進(jìn)入分支電極313、314的分支點(diǎn)的示意表示。
307共用差動(dòng)傳導(dǎo)分支電極的固有電感的示意表示。
308共用差動(dòng)傳導(dǎo)分支電極的固有電阻的示意表示。
309一個(gè)共用、差動(dòng)傳導(dǎo)分支電極至外部導(dǎo)體的附接點(diǎn)和/或結(jié)構(gòu)的示意表示，該外部導(dǎo)體有約1/2的能量部分從一個(gè)單個(gè)的外部電力路徑(進(jìn)入到″A″和″B ″差動(dòng)分支電極的能量部分的分支)被輸送，使得該部分能量從303和309在相反方向進(jìn)入分層的電極裝置。
310表示差動(dòng)傳導(dǎo)分支電極的同一個(gè)附接點(diǎn)和/或結(jié)構(gòu)309的動(dòng)態(tài)功能的高亮區(qū)。
311形成一組的分層差動(dòng)分支電極和共用分支電極屏蔽元件。
312為解釋電路部分中的層次而把分支電極設(shè)置去掉一邊的分層發(fā)明。
313差動(dòng)分支電極″A″。
314差動(dòng)分支電極″B″。
315電路與能量傳輸?shù)姆种Р糠值脑俳M合點(diǎn)的連接的表示。
316電路與能量傳輸?shù)姆种Р糠?可選的)的再組合點(diǎn)的連接的表示。
317接收部分能量共使用的負(fù)載。
318傳導(dǎo)分支電極的固有電阻的表示。
319消除的傳導(dǎo)分支電極的固有電感的表示。
320305個(gè)區(qū)內(nèi)的動(dòng)態(tài)功能的高亮區(qū)。
321在通電期間形成的線至線電容元件的表示。
322傳導(dǎo)能量返回路徑VSS。
323表示發(fā)明區(qū)312內(nèi)的動(dòng)態(tài)功能區(qū)。
324各部分能量從饋通共用傳導(dǎo)分支電極和負(fù)載返回到源的出口點(diǎn)。
325共用差動(dòng)傳導(dǎo)分支電極的固有電阻。
326能量的饋通返回部分從進(jìn)入共用傳導(dǎo)分支電極的負(fù)載返回到源的入口點(diǎn)。
327在通電期間形成的線至共用分支電極-能量調(diào)節(jié)器。
328表示(1)傳導(dǎo)分支電極303的相同附接點(diǎn)和/或結(jié)構(gòu)。
329共用傳導(dǎo)分支電極。
330共用傳導(dǎo)分支電極。
331共用傳導(dǎo)分支電極。
圖9中所示的兩線電路中的電路和功能沒有選擇第三通道連接。圖9中所示的發(fā)明電路和器件功能在預(yù)定排列的層疊的、分支電極329、330、331和313和314的兩個(gè)獨(dú)立工作的分組的更小和更大分組中像具有電容和電感消除的屏蔽轉(zhuǎn)換調(diào)節(jié)器那樣地工作。這兩組分支電極還是共用的，在本例中現(xiàn)在僅僅由字的方向感而差動(dòng)。所以，產(chǎn)生一個(gè)在Vdd和Vss之間的大的理想能量調(diào)節(jié)電路，具有通過本發(fā)明的電路共用分支電極屏蔽的返回，使主電路部分元件有雙重功能，既用作一部分能量返回，又用作具有屏蔽中央共用電極330的電壓圖象。
為了使去耦性能最優(yōu)，應(yīng)當(dāng)將發(fā)明電路和器件放置得盡可能靠近負(fù)載317，這將使與電路蹤跡301、322的內(nèi)部電極部分314、313相關(guān)聯(lián)的漂泊感應(yīng)和電阻(未予示出)最小化，由此充分地利用發(fā)明電路和器件的性能，由占據(jù)其中的能量路徑的各部分用它們的傳播來進(jìn)行調(diào)節(jié)。在這個(gè)例子中，電路中的各部分能量將在旁通傳播方式中相對(duì)各個(gè)物理差動(dòng)旁通分支電極313和314的所有處理而工作，并將在饋通關(guān)系中、在器件通過現(xiàn)在也被用作能量返回322的一部分的中央共用分支電極330和包夾的分支電極329、331返回到源(未予示出)時(shí)，完全通過該器件工作。附接配置的屏蔽分支電極也有可能旁通可被通過325和326端接結(jié)構(gòu)或源(未予示出)與負(fù)載317之間的連接點(diǎn)325和326而連接的能量通道(未予示出)上的傳播能量，建立一個(gè)備擇的第三通道和更低的阻抗和電阻之一，并讓不需要的能量部分從現(xiàn)在也作為能量返回322一部分的共用分支電極流回到源(未予示出)。
也應(yīng)當(dāng)注意到，在調(diào)節(jié)下的能量部分的當(dāng)前路徑將在旁通方式中相對(duì)各個(gè)物理差動(dòng)旁通分支電極313和314的所有處理而工作，并將在饋通關(guān)系中、在其通過現(xiàn)在也在一個(gè)附接設(shè)置可能性中被完全用作能量返回和屏蔽分支電極的中央共用分支電極的過濾器300而工作。
312中的層次的數(shù)目不受限制，但是，在所使用的單元中的共用電極屏蔽電極數(shù)需要是奇整數(shù)。這便于在這種情況中屏蔽電極329和331的平衡，以便能均勻地分布于有關(guān)的中央屏蔽電極330的每一邊，因?yàn)槟苁褂孟嗤胤謱拥脑M管每個(gè)電路差別很大。
當(dāng)把發(fā)明的元件以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)插入或附接方法組合到更大的電系統(tǒng)中并通電時(shí)，形成電路中具有與外部差動(dòng)分支電極或路徑的預(yù)定附接和具有與共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、區(qū)或路徑的預(yù)定附接的差別。
所獲得的功能包括但不限于，同時(shí)的、差動(dòng)方式和共用方式過濾、電沖擊保護(hù)和去耦、某些類型的電磁能量場(chǎng)傳播的相互通量消除、各種寄生輻射，具有最小部分的能量降級(jí)，這在不含有如前文所述的元件的現(xiàn)有實(shí)施例中一般是不具有的。
應(yīng)當(dāng)注意到，使用具有所公開的共用外部傳導(dǎo)元件以及使用主要按一定電調(diào)節(jié)功能或結(jié)果分類的各種介電體的分立和非分立的兩種發(fā)明實(shí)施例變體將幾乎總是發(fā)現(xiàn)，作為發(fā)明元件構(gòu)造的新用途將幾乎總是取得增加到以前對(duì)所使用的特定介電材料的有限用途知識(shí)的預(yù)料不到和有意的特點(diǎn)。這包括幾乎任何可能的使用能在例如制成的分立硅片之類內(nèi)采用發(fā)明實(shí)施例變體的非分立電容或電感結(jié)構(gòu)的分層應(yīng)用、或超級(jí)電容器應(yīng)用，甚至原子級(jí)能量調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
所以，幾乎所有類似構(gòu)造的或用標(biāo)準(zhǔn)方法制造的并用于標(biāo)準(zhǔn)的多重成對(duì)線-電路情形并具有一個(gè)介電差別作為相同配置的發(fā)明實(shí)施例之間的唯一重要差別的發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施例和變體，考慮到現(xiàn)有技術(shù)的各個(gè)已知介電材料響應(yīng)，將幾乎總是以預(yù)料不到和非顯而易見的方式產(chǎn)生一個(gè)插入損耗性能測(cè)量。類似類型的發(fā)明單元(介電材料以外的)的這個(gè)比較清楚明確地揭示導(dǎo)致這個(gè)結(jié)果的主要原因或因素，電路性能是實(shí)施例內(nèi)元件、更大共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)和利用靜電消除、物理屏蔽來影響在采用各種發(fā)明實(shí)施例的電路系統(tǒng)內(nèi)傳播的能量的調(diào)節(jié)的組合地工作的共用外部傳導(dǎo)元件的傳導(dǎo)附接的平衡。
與所有共用和傳導(dǎo)地附接的共用電極元件的同一個(gè)共用傳導(dǎo)外部區(qū)或通道的發(fā)明附接，將幾乎總是允許AOC(區(qū)或匯聚點(diǎn))傳播的能量與源和負(fù)載電平行地工作，以及與其它的共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)平行地工作，該其它的共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，不僅包括互相定位的共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，而且包括相對(duì)幾乎任何連接到不是差動(dòng)傳導(dǎo)通道的單獨(dú)的返回路徑、固有地、外殼地或低阻抗通道的主要電路定位的共用傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。將USS(通用屏蔽結(jié)構(gòu))如所描述的那樣放置和附接在通電電路后，如所公開的那樣的與內(nèi)部和外部的差動(dòng)能量通道平行的共用傳導(dǎo)能量通道將幾乎總是增加或降低AOC內(nèi)的第三傳導(dǎo)/共用傳導(dǎo)通道的阻抗，以讓所傳播能量有一個(gè)能被起源于一個(gè)源的部分能量使用的可能的返回通道。
應(yīng)當(dāng)注意到，盡管外部和內(nèi)部的差動(dòng)電極能量通道二者一般是互補(bǔ)的，一旦將發(fā)明放到共用傳導(dǎo)區(qū)上，諸如由在檢測(cè)過程中放置的熔焊材料可能產(chǎn)生的共用傳導(dǎo)區(qū)上，則在共用傳導(dǎo)板之間產(chǎn)生一個(gè)輕微但不重要的失衡。位于外部的共用傳導(dǎo)通道的增加，加回傳導(dǎo)能量通道平衡并抵消頻率比類似類型的發(fā)明檢測(cè)中更高的自振蕩。圖2和3中所示的揭示，額外放置的、標(biāo)記為(#-IM)的與內(nèi)在的中央共享圖形“0”電壓基準(zhǔn)平面的共用傳導(dǎo)能量通道將幾乎總是增加發(fā)明實(shí)施例的屏蔽有效性。這些是額外放置的位于外部的共用傳導(dǎo)能量通道，緊鄰其相鄰的位于內(nèi)部的鄰居包夾，是為了大于向USS實(shí)施例增加電容的目的。這些額外放置的共用傳導(dǎo)能量通道是在至少一組外部差動(dòng)電極對(duì)的任何最終應(yīng)用之前放置的。
這些外部成對(duì)差動(dòng)傳導(dǎo)通道在成對(duì)傳導(dǎo)屏蔽類容器800X的基本分組之間的包夾功能將幾乎總是有助于相對(duì)于外部附接的共用傳導(dǎo)區(qū)和/或是個(gè)共用傳導(dǎo)區(qū)的第三能量通道的能量傳播。
這些外部成對(duì)差動(dòng)傳導(dǎo)通道在成對(duì)傳導(dǎo)屏蔽類容器800X的基本分組之間的包夾和嵌入(inlet)功能將幾乎總是再次幫助相對(duì)于外部附接的共用傳導(dǎo)區(qū)和/或是個(gè)共用傳導(dǎo)區(qū)的第三能量通道的能量傳播。應(yīng)當(dāng)注意，構(gòu)成屏蔽800“X”容器結(jié)構(gòu)應(yīng)當(dāng)按照所述的層疊順序保持平衡。
在發(fā)明實(shí)施例的幾乎任何變體內(nèi)，只要包夾共用傳導(dǎo)屏蔽能量通道的區(qū)腳印內(nèi)的有源能量通道的電路屏蔽被保持和包容在AOC內(nèi)，則將幾乎總是出現(xiàn)至少三個(gè)不同的同時(shí)能量調(diào)節(jié)功能?？梢詫⑦@些功能分解成至少三種在發(fā)明實(shí)施例內(nèi)同時(shí)發(fā)生的電路屏蔽。
物理法拉第籠狀效應(yīng)或靜電屏蔽效應(yīng)功能具有與有源差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道屏蔽的內(nèi)部生成的能量寄生體的充電包容度以及提供對(duì)與相同的有源差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道相連的外部生成的能量寄生體的物理保護(hù)以及能量寄生體的最小化，原因在于利用包夾共用充電屏蔽能量通道的區(qū)腳印內(nèi)的有源能量通道的嵌入的幾乎總的通電和物理屏蔽外殼。
物理傳導(dǎo)材料和介電屏蔽功能的疊置允許以電和磁控制的方式互相影響的共用能量通道內(nèi)含有的相反充電的有源差動(dòng)傳導(dǎo)能量通道有很小的間隔距離。
沿成對(duì)的電反向互補(bǔ)電極或傳導(dǎo)能量通道的各部分能量傳播的相互能量通量場(chǎng)取消連同散逸的能量寄生互補(bǔ)充電的消除和物理屏蔽和電屏蔽包容效應(yīng)是發(fā)明實(shí)施例具有的功能的主要原因。
因?yàn)榇磐烤€在傳輸線或線導(dǎo)體或?qū)觾?nèi)是逆時(shí)針方向運(yùn)轉(zhuǎn)的，如果RF返回通道平行于并相鄰于其對(duì)應(yīng)的源軌道，在返回通道(逆時(shí)針方向場(chǎng))中觀測(cè)到與源通道(順時(shí)針方向場(chǎng))有關(guān)的磁通量線將幾乎總是在相反方向。如果將順時(shí)針場(chǎng)與逆時(shí)針場(chǎng)組合起來，就能觀測(cè)到消除或最小化效應(yīng)。通道之間越靠近，消除效應(yīng)越佳。
由位于中央的共享共用屏蔽能量通道電極產(chǎn)生的“0”電壓基準(zhǔn)的使用，兩個(gè)不同共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的互補(bǔ)充電部分。平行移動(dòng)屏蔽效應(yīng)(與使用AOC的大多數(shù)能量部分的系列移動(dòng)效應(yīng)相對(duì))中，每個(gè)能量部分在中央共用和共享傳導(dǎo)能量通道的一端上工作，在電互補(bǔ)充電和/或磁操作中，這種效應(yīng)將幾乎總是有一個(gè)平行的、非增強(qiáng)性的但是互補(bǔ)充電的對(duì)應(yīng)體，同時(shí)地以大致相反的消除類型或互補(bǔ)方式操作。
本發(fā)明也將使用包夾靜電屏蔽功能來在由相對(duì)于差動(dòng)電極邊沿的共用電極邊沿界定的預(yù)定電極區(qū)內(nèi)進(jìn)行同時(shí)的互補(bǔ)充電消除，以便如本說明中所述的那樣在共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)之間或內(nèi)部進(jìn)行交互。
所有或幾乎所有傳導(dǎo)分層電極或內(nèi)部能量通道都同時(shí)被位于各部分被傳播能量使用，該各部分能量關(guān)鍵的位于中央的共用傳導(dǎo)能量通道電極和“0”電壓基準(zhǔn)平面(包括#-IM的額外的按非分立定義的共用電極罩)的相反的各端上。
一個(gè)相對(duì)于傳導(dǎo)能量通道電平行的裝置被部分被傳播能量使用，該部分被傳播能量來自一個(gè)操作源，被傳播到AOC，然后被進(jìn)一步傳播到使用能量的源，然后，部分能量被從使用能量的源傳播到AOC，然后，部分通過AOC返回到源通道，或者部分通過由在AOC內(nèi)共用的第三組傳導(dǎo)通道增強(qiáng)的低阻抗通道消除到位于外部的共用傳導(dǎo)外部通道。如上所述，一個(gè)適當(dāng)附接的發(fā)明，無論是分立的還是非分立的，將幾乎總是有助于能同時(shí)執(zhí)行多個(gè)不同的能量調(diào)節(jié)功能，諸如利用用于多個(gè)單獨(dú)的不同電路的平行電定位原則進(jìn)行的去耦、過濾、電壓均衡，執(zhí)行電路幾乎總是相對(duì)于能量源、成對(duì)的傳導(dǎo)能量通道、使用能量的負(fù)載和返回到源以完成電路的傳導(dǎo)能量通道。
這也包括各部分傳播能量的反向的但電消除和互補(bǔ)定位，這些傳播能量在用關(guān)鍵的中央定位的共用和共享傳導(dǎo)電極通道同時(shí)生成的“0”電壓基準(zhǔn)的相反端上以平衡的方式作用于傳導(dǎo)能量通道。這個(gè)幾乎總是平行的能量分布方案允許由所有制成的發(fā)明元件構(gòu)成的材料與負(fù)載和位于電路內(nèi)的源通道一起更有效地共同操作。通過以互補(bǔ)方式操作，材料壓力與現(xiàn)有技術(shù)相比得到顯著降低。因此，諸如彈性材料記憶或磁滯效應(yīng)等現(xiàn)象被最小化。
對(duì)構(gòu)成發(fā)明實(shí)施例各部分的材料的壓電效應(yīng)也實(shí)質(zhì)上被最小化，因此能量在AOC內(nèi)沒有迂回或者被低效地利用，并自動(dòng)地可為負(fù)載所用，極大地提高了標(biāo)準(zhǔn)和普通介電材料執(zhí)行AOC和電路內(nèi)功能的能力，用途更廣，限制更少，因此降低成本，同時(shí)允許性能水平超過現(xiàn)有技術(shù)。在通電狀態(tài)中，對(duì)發(fā)明實(shí)施例的AOC內(nèi)的介電和傳導(dǎo)材料壓力的磁滯效應(yīng)以及壓電控制效應(yīng)的最小化，相當(dāng)于增加諸如SS0狀態(tài)、去耦電力系統(tǒng)之類應(yīng)用的性能水平。由有源部件對(duì)無源部件的更快利用，直接原因也是這些壓力減少和允許使用傳播能量以利用本發(fā)明的互補(bǔ)方式。
然后，可以應(yīng)用圍繞共享中央定位傳導(dǎo)能量通道的組合或圍繞一組中心傳導(dǎo)能量通道和多個(gè)差動(dòng)傳導(dǎo)電極的額外的共用傳導(dǎo)能量通道來提供一個(gè)增加的內(nèi)在地和優(yōu)化的法拉第籠狀功能和電沖擊消散區(qū)以及增加或增強(qiáng)不被認(rèn)為是如在所有實(shí)施例中所述的差動(dòng)傳導(dǎo)通道的一部分的共用傳導(dǎo)通道和連接結(jié)構(gòu)的低阻抗效應(yīng)。
此外，一個(gè)盡管沒有示出的發(fā)明實(shí)施例能容易地被用硅制造并直接用于集成電路、微處理器電路或芯片。制造集成電路時(shí)總是帶有在硅?；虬雽?dǎo)體?；蚬杌變?nèi)蝕刻的電容器，這使本發(fā)明的體系結(jié)構(gòu)能容易地被采用到現(xiàn)今可用的技術(shù)中。
最后，注意到現(xiàn)有技術(shù)的能量調(diào)節(jié)器件一般以線至線就位方案連接在成對(duì)的和外部的電反向差動(dòng)能量通道之間，以從電路內(nèi)其它地方使用的其它需要的現(xiàn)有技術(shù)能量調(diào)節(jié)器件中改進(jìn)能量調(diào)節(jié)功能，以便處理為被傳播電路能量使用的電路的線至線部分發(fā)展的高輸入阻抗(Z)。所以，線至線就位方案在確實(shí)具有改進(jìn)的能量調(diào)節(jié)功能的同時(shí)，將幾乎總是需要至少兩個(gè)額外的、現(xiàn)有技術(shù)的能量調(diào)節(jié)器件分別線至地地放置在相同的外部電反向差動(dòng)能量通道的每個(gè)之間和至一個(gè)地連接。需要這個(gè)額外的放置以調(diào)節(jié)仍然需要能量調(diào)節(jié)來保持剛剛描述的電路的正常操作的各部分傳播能量。這個(gè)需要部分是由于內(nèi)在地生成的內(nèi)部感應(yīng)電路元件，這些元件是在每個(gè)各種現(xiàn)有技術(shù)的能量調(diào)節(jié)器件內(nèi)在通電電路內(nèi)操作時(shí)發(fā)展的，并且?guī)缀蹩偸桥c它們的使用一起出現(xiàn)。
這三個(gè)元件最少為內(nèi)部各部分傳播電路能量提供同時(shí)的取消和消除能量調(diào)節(jié)功能(因此非常有效的過濾)，使得分層的發(fā)明裝置的AOC電路部分內(nèi)的傳播電路能量不發(fā)展，在這部分通電電路內(nèi)也不需要任何感應(yīng)電路元件(“L”)。所以，新的能量調(diào)節(jié)發(fā)明實(shí)施例的幾乎所有變體將幾乎總是提供比現(xiàn)有技術(shù)的電容器或相同大小和電容值的現(xiàn)有技術(shù)的能量調(diào)節(jié)器件呈指數(shù)級(jí)地更寬的帶寬過濾功能。
最后，通過眾多的實(shí)施例顯然可見，形狀、厚度或大小可以視電應(yīng)用而不同，這些應(yīng)用是由共用傳導(dǎo)屏蔽電極通道的安排和附接結(jié)構(gòu)導(dǎo)出，用來構(gòu)成至少兩個(gè)成對(duì)容器，它們隨后生成至少一個(gè)更大的單個(gè)地傳導(dǎo)和同類的法拉第籠式屏蔽結(jié)構(gòu)或發(fā)明部分，后者又能包含至少一個(gè)或多個(gè)通電電路內(nèi)的分立或非分立操作方式的各部分成對(duì)的差動(dòng)傳導(dǎo)電極或成對(duì)的能量通道。
盡管本文詳細(xì)地描述了本發(fā)明的原則、最佳實(shí)施例和最佳操作，這不意味著是受限于所公開的特定的示例性形式。因此，本領(lǐng)域的熟練人員顯然知道在不偏離所定義的發(fā)明實(shí)施例的精神和范圍的情況下可以對(duì)最佳實(shí)施例作出各種修改。
權(quán)利要求
1.一種能量調(diào)節(jié)器，包括傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)，包括傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層和傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層上方，并且所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層上方；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層相互導(dǎo)電地連接；第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)，所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)包括第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第一層和第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層；其中所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第一層和所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層相互導(dǎo)電地連接；其中所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第一層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層之間，并且所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的所有層下方；第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)，所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)包括第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第一層和第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層；其中所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第一層和所述第三傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層相互導(dǎo)電地連接；其中所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第一層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層之間，并且所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的所有層上方。
2.權(quán)利要求1所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層位于所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的所有層下方。
3.權(quán)利要求1所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)第二層位于所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)的所有層上方。
4.權(quán)利要求1所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)僅僅連接到形成所述能量調(diào)節(jié)器的外表面的一部分的單一傳導(dǎo)段。
5.權(quán)利要求1所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)連接到兩個(gè)傳導(dǎo)段，其中每個(gè)傳導(dǎo)段形成所述能量調(diào)節(jié)器的外表面的一部分。
6.一種電路，包括權(quán)利要求1所述的能量調(diào)節(jié)器，并且還包括能量源；負(fù)載；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)與從所述負(fù)載到所述能量源的第一傳導(dǎo)路徑導(dǎo)電地接觸；和其中所述第一傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)和所述第二傳導(dǎo)非屏蔽結(jié)構(gòu)均與從所述能量源到所述負(fù)載的第二傳導(dǎo)路徑導(dǎo)電地接觸。
7.一種能量調(diào)節(jié)器，包括傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)，包括傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層和傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層上方，并且所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層位于所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層上方；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層導(dǎo)電地相互連接；第一對(duì)傳導(dǎo)非屏蔽層包括第一對(duì)第一層和第一對(duì)第二層；第二對(duì)傳導(dǎo)非屏蔽層包括第二對(duì)第一層和第二對(duì)第二層；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層、所述第一對(duì)傳導(dǎo)非屏蔽層和所述第二對(duì)傳導(dǎo)非屏蔽層中的每一個(gè)均在第一維度和第二維度上延伸；和其中所述第一對(duì)第一層包括第一對(duì)第一層重疊區(qū)和至少一個(gè)第一對(duì)第一層非重疊區(qū)；其中所述第一對(duì)第二層包括第一對(duì)第二層重疊區(qū)和至少一個(gè)第一對(duì)第二層非重疊區(qū)；其中所述第一對(duì)第一層和所述第一對(duì)第二層被疊置成使得所述第一對(duì)第一層重疊區(qū)和所述第一對(duì)第二層重疊區(qū)相互重疊，由此限定了第一對(duì)重疊區(qū)；其中所述第二對(duì)第一層包括第二對(duì)第一層重疊區(qū)和至少一個(gè)第二對(duì)第一層非重疊區(qū)；其中所述第二對(duì)第二層包括第二對(duì)第二層重疊區(qū)和至少一個(gè)第二對(duì)第二層非重疊區(qū)；其中所述第二對(duì)第一層和所述第二對(duì)第二層被疊置成使得所述第二對(duì)第一層重疊區(qū)和所述第二對(duì)第二層重疊區(qū)相互重疊，由此限定了一個(gè)第二對(duì)重疊區(qū)；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層處于所述第一對(duì)第一層和所述第一對(duì)第二層之間；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層處于所述第二對(duì)第一層和所述第二對(duì)第二層之間；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層在所述第一維度和所述第二維度上的延伸都超過所述第一對(duì)重疊區(qū)在所述第一維度和所述第三維度上的延伸；和其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層、所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層在所述第一維度和所述第二維度上的延伸均超過了所述第二對(duì)重疊區(qū)在所述第一維度和所述第二維度上的延伸；六個(gè)傳導(dǎo)段；其中所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的每個(gè)傳導(dǎo)段均形成所述能量調(diào)節(jié)器的表面的一部分，所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的每一個(gè)傳導(dǎo)段在物理上均與所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的另一個(gè)傳導(dǎo)段不相接觸；其中所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第一個(gè)傳導(dǎo)段和所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第二個(gè)傳導(dǎo)段在物理上都與所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)相接觸；和其中所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第三個(gè)傳導(dǎo)段、所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第四個(gè)傳導(dǎo)段、所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第五個(gè)傳導(dǎo)段和所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第六個(gè)傳導(dǎo)段均在物理上與所述第一對(duì)第一層、所述第一對(duì)第二層、所述第二對(duì)第一層和所述第二對(duì)第二層中的至少一個(gè)相接觸。
8.權(quán)利要求7所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第三個(gè)傳導(dǎo)段和所述六個(gè)傳導(dǎo)中的第四個(gè)傳導(dǎo)段均與所述第一對(duì)第一層和所述第一對(duì)第二層相接觸。
9.權(quán)利要求7所述的能量調(diào)節(jié)器7，其中所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的所述第五個(gè)傳導(dǎo)段和所述六個(gè)傳導(dǎo)段中所述第六個(gè)傳導(dǎo)段均與所述第二對(duì)第一層和所述第二對(duì)第二層這兩者相接觸。
10.權(quán)利要求7所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第五個(gè)傳導(dǎo)段與所述第二對(duì)第一層接觸，并且所述六個(gè)傳導(dǎo)段中的第六個(gè)傳導(dǎo)段與所述第二對(duì)第二層接觸。
11.權(quán)利要求7所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第二層在所述第一維度和所述第二維度上的延伸超出了所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第一層和所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)第三層在所述第一維度和所述第三維度上的延伸。
12.權(quán)利要求11所述的能量調(diào)節(jié)器，其中所述至少一個(gè)第一對(duì)第一層非重疊區(qū)、所述至少一個(gè)第一對(duì)第二層非重疊區(qū)、所述至少一個(gè)第二對(duì)第一層非重疊區(qū)和所述至少一個(gè)第二對(duì)第二層非重疊區(qū)相互之間都不重疊。
13.一種電路，包括權(quán)利要求7所述的能量調(diào)節(jié)器，并且還包括能量源；負(fù)載；其中所述傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)與從所述負(fù)載到所述能量源的第一傳導(dǎo)路徑導(dǎo)電地接觸；和其中所述第一對(duì)第一層、所述第一對(duì)第二層、所述第二對(duì)第一層，和所述第二對(duì)第二層都與從所述能量源到所述負(fù)載的第二傳導(dǎo)路徑導(dǎo)電地接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通用多功能共用傳導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)(9905)，加上兩個(gè)電反向差動(dòng)的能量通道(810b，810f)，該屏蔽結(jié)構(gòu)局部使用一個(gè)帶有疊層傳導(dǎo)分層步進(jìn)的電屏蔽體系結(jié)構(gòu)，包含用于沿著利用旁路和饋通能量傳播方式的成對(duì)的電差動(dòng)通道同時(shí)進(jìn)行能量傳播的電路。
文檔編號(hào)H02H1/00GK101039020SQ200710007920
公開日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2001年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月3日
發(fā)明者W·M·安東尼, A·A·安東尼 申請(qǐng)人:X2Y衰減器有限公司