專利名稱：屏蔽型插拔式終端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電纜附件，尤其是一種屏蔽型插拔式終端。
(二)
背景技術(shù)：
中壓電纜附件市場(chǎng)中，熱縮、冷縮電纜附件基本上二分天下。從電纜 附件市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)看，市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品材料性能的要求不斷提高，同時(shí)對(duì)產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)的合理性、安裝的方便性以及使用的可靠性更加重視。而冷縮電纜 附件產(chǎn)品在這些方面有著熱縮產(chǎn)品無法比擬的優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)電纜附件市場(chǎng)正 處于由熱縮型為主逐步向屏蔽電纜附件產(chǎn)品過渡階段。
插拔式終端在運(yùn)行時(shí)，由于高壓電場(chǎng)的作用，其表面產(chǎn)生感應(yīng)龜荷，表 面電集聚到一定程度時(shí)，會(huì)引起終端放電，造成燭燒終端絕緣材料，導(dǎo)致絕 緣水平下降。所以在插拔式終端表面進(jìn)行處理。
目前使用的屏蔽型插拔頭其外面屏蔽層大都采用噴涂的方式，外加金 屬接地環(huán)接地來消除感應(yīng)電荷。這種方法存在的問題是對(duì)噴涂的材料、方 式、涂層厚度有較高的要求。另外插拔頭由于模具和工藝的原因，外表面 存在一條貫穿整個(gè)終端的合模線。該合模線處理不當(dāng)，會(huì)造成該處電場(chǎng)強(qiáng) 度畸形。電場(chǎng)相對(duì)不穩(wěn)定，電氣性能較低。
(三) 實(shí)細(xì)新型內(nèi)容 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)方便、
有效消除合模線的屏蔽型插拔式終端。
所述的屏蔽型插拔式終端，終端總體呈T型結(jié)構(gòu)，所述終端包括絕緣 層，所述絕緣層外側(cè)固定復(fù)合有半導(dǎo)體屏蔽層。進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體屏蔽層厚度為2. 5ram。
進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體屏蔽層側(cè)部設(shè)有硅橡膠接地線耳。硅橡膠接地線 耳代替金屬接地圈可保證接地更為可靠。
. 本實(shí)用新型特別適用于制作20kV規(guī)格，.通過對(duì)現(xiàn)有插拔式終端的結(jié), 改進(jìn)，消除了合模線，從而確保附件的內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度降到最低。本終端通 常采用復(fù)合成型二次硫化工藝制備，消除了橡膠內(nèi)部的小分子殘留物，確 保附件正常運(yùn)行30年以上。


圖1為實(shí)施例所述屏蔽型插拔式終端結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但本實(shí)用新型的保護(hù)范
圍并不限于此。
參照?qǐng)Dl， 一種屏蔽型插拔式終端，終端總體呈T型結(jié)構(gòu)，所述終端包 括絕緣層1，所述絕緣層1外側(cè)固定復(fù)合有半導(dǎo)體屏蔽層2。 所述半導(dǎo)體屏蔽層2厚度為2. 5mm。 所述半導(dǎo)體屏蔽層2側(cè)部設(shè)有硅橡膠接地線耳3。
權(quán)利要求1、一種屏蔽型插拔式終端，終端總體呈T型結(jié)構(gòu)，所述終端包括絕緣層，其特征在于所述絕緣層外側(cè)固定復(fù)合有半導(dǎo)體屏蔽層。
2、 如權(quán)利要求1所述的屏蔽型插拔式終端，其特征在于所述半導(dǎo)體屏 蔽層厚度為2. 5mm。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的屏蔽型插拔式終端，其特征在于所述半導(dǎo) 體屏蔽層側(cè)部設(shè)有硅橡膠接地線耳。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種屏蔽型插拔式終端，終端總體呈T型結(jié)構(gòu)，所述終端包括絕緣層，所述絕緣層外側(cè)固定復(fù)合有半導(dǎo)體屏蔽層。本實(shí)用新型特別適用于制作20kV規(guī)格，通過對(duì)現(xiàn)有插拔式終端的結(jié)構(gòu)改進(jìn)，消除了合模線，從而確保附件的內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度降到最低。
文檔編號(hào)H02G15/02GK201270404SQ20082016490
公開日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2008年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月25日
發(fā)明者姮 張, 王錦明, 胡忠鋒, 閔葉峰 申請(qǐng)人:浙江恒坤電力技術(shù)有限公司