專利名稱：一種智能復(fù)合開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電力系統(tǒng)中的開關(guān)執(zhí)行元件，尤其涉及一種對電 力系統(tǒng)中電容器進行過零投切的智能復(fù)合開關(guān)。
背景技術(shù)：
智能復(fù)合開關(guān)是一種安裝在配電箱或配電柜內(nèi)，系統(tǒng)電壓過零時對電 力電容器進行投切的低壓裝置。智能復(fù)合開關(guān)的工作原理是將可控硅與磁 保持繼電器并聯(lián)連接，控制電力電容器的電壓過零投切。投入時在電壓過
零瞬間可控硅先過零觸發(fā)，穩(wěn)定后再將磁保持繼電器吸合導(dǎo)通；切出時先 將可控硅導(dǎo)通，磁保持繼電器斷開，可控硅延時過零斷開，從而實現(xiàn)電流 過零切除?，F(xiàn)有技術(shù)中，智能復(fù)合開關(guān)的電壓過零檢測電路檢測到電壓過 零信號后，由于電壓過零檢測電路具有遲滯特性，檢測到的電壓過零點并 不是準確的電壓過零點，此時觸發(fā)可控硅將產(chǎn)生一定程度的涌流，涌流為 正常電流的幾倍甚至幾十倍，嚴重時甚至會燒毀可控硅及縮短電容器的使 用壽命；智能復(fù)合開關(guān)的主拓撲結(jié)構(gòu)一般釆用可控硅串聯(lián)電路，在可控硅 斷開的瞬間，可控硅兩端承受的壓降較高，容易將可控硅擊穿；另外，復(fù) 合開關(guān)的工作環(huán)境一般都比較惡劣，與上位機的通訊往往會受到嚴重的干 擾。

實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種無投切涌流、可靠性高以及 能準確的檢測出電壓過零點的智能復(fù)合開關(guān)。
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型要采取以下技術(shù)方案
一種智能復(fù)合開關(guān)，包括故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示屏 電路、復(fù)位電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路，還包括極性轉(zhuǎn)換 電路、數(shù)字信號處理DSP芯片，所述故障檢測電路、運行指示電路、LED 顯示電路、復(fù)位電路、極性轉(zhuǎn)換電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電 路分別與DSP芯片電連接。
進一步，所述DSP芯片內(nèi)設(shè)有電壓過零檢測電路的模型參考自適應(yīng)系統(tǒng)。當DSP芯片接收到過零信號后，DSP芯片把此時的過零點與DSP芯片 內(nèi)的電壓過零檢測電路的模型參考相比較，即可求出準確的過零點。
所述可控硅控制電路還包括可控硅保護電路，保護電路并聯(lián)連接有均 壓作用的電阻R3、 R4。保護電路還可并聯(lián)連接有壓敏電阻。
再進一步，DSP芯片采用現(xiàn)有技術(shù)的C一MBUS總線系統(tǒng)與上位機連接進 行通信。
本實用新型能準確的檢測出電壓過零點，實現(xiàn)了電容器投切時無涌流 的目的，也減小了功率的損耗；由于可控硅保護電路并聯(lián)連接有壓敏電阻 及均壓電路，使得可控硅在斷開瞬間兩端的壓降不會太高，不易損壞可控 硅，大大提高了工作的可靠性；DSP芯片與上位機之間通過C—MBUS總線系 統(tǒng)連接，極大地提高了抗干擾能力，充分保證了智能復(fù)合開關(guān)與上位機通 信的可靠性。

附圖1為本實用新型的電路原理框圖；附圖2可控硅控保護電路原理 示意圖；附圖3為C—MBUS總線系統(tǒng)電路原理示意圖。
具體實施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合具體實施例與附圖對本實 用新型作進一步的說明
如附圖1所示，本實用新型公開了一種無投切涌流、可靠性高以及能 準確的檢測出電壓過零點的智能復(fù)合開關(guān)。
一種智能復(fù)合開關(guān)，包括故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示電 路、復(fù)位電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路，還包括極性轉(zhuǎn)換電 路、DSP芯片，所述故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示電路、復(fù)位 電路、極性轉(zhuǎn)換電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路分別與DSP芯 片電連接。DSP芯片內(nèi)設(shè)有電壓過零檢測電路的模型參考系統(tǒng)。如附圖2 所示，可控硅控制電路包括可控硅保護電路，可控硅保護電路并聯(lián)連接有 壓敏電阻M0V1、 M0V2,有效防止了可控硅在斷開瞬間因兩端電壓的突變， 導(dǎo)致因壓降高而燒毀可控硅的危險，保護電路還并聯(lián)連接有電阻R3、 R4， 起到分壓的作用，有效保證了電路的穩(wěn)定性。DSP芯片通過C—MBUS總線系 統(tǒng)與上位機相連接進行通信，由于C_MBUS總線系統(tǒng)具有通訊速率高、抗
4干擾能力強的特點，因而充分保證了本智能復(fù)合開關(guān)與上位機通訊的可靠 性，并使智能復(fù)合開關(guān)得到有效控制。
本實用新型的工作原理為智能復(fù)合開關(guān)接收到投切命令后，首先通 過電壓過零檢測電路對電壓零點進行檢測。由于電壓過零檢測電路具有遲 滯特性，此時檢測到的電壓零點并不是真正的零點。當DSP芯片接收到電
壓零點的信號后，DSP芯片把此時的電壓零點與其內(nèi)的電壓過零檢測電路
的模型參考相比較，求得準確的電壓過零點。在下一周期對可控硅進行過 零觸發(fā)，從而實現(xiàn)了電容器真正意義上的過零投入，實現(xiàn)無涌流投入的目 的。
上述實施例為本實用新型較佳的實現(xiàn)方式之一，除此之外，本實用新 型還可以其他實現(xiàn)方式，需要說明的是，在沒有脫離本實用新型的發(fā)明構(gòu) 思的前提下任何顯而易見的替換均在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種智能復(fù)合開關(guān)，包括故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示屏電路、復(fù)位電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路，其特征在于還包括極性轉(zhuǎn)換電路、數(shù)字信號處理DSP芯片，所述故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示電路、復(fù)位電路、外部信號控制電路、極性轉(zhuǎn)換電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路分別與DSP芯片電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能復(fù)合開關(guān)，其特征在于所述DSP芯片 內(nèi)設(shè)有電壓過零檢測電路的模型參考自適應(yīng)系統(tǒng)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的智能復(fù)合開關(guān)，其特征在于所述可控硅控 制電路包括可控硅保護電路，保護電路并聯(lián)連接有均壓作用的無感電阻 R3、 R4。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的智能復(fù)合開關(guān)，其特征在于所述可控硅保 護電路上還并聯(lián)連接有壓敏電阻。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的智能復(fù)合開關(guān)，其特征在于所述DSP芯片 通過帶供電功能的設(shè)備端串行雙總線通信系統(tǒng)C—MBUS與上位機連接進行 通信。
專利摘要一種智能復(fù)合開關(guān)，包括故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示屏電路、復(fù)位電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路，還包括極性轉(zhuǎn)換電路、數(shù)字信號處理芯片，所述故障檢測電路、運行指示電路、LED顯示電路、復(fù)位電路、極性轉(zhuǎn)換電路、電壓過零檢測電路及可控硅控制電路分別與數(shù)字信號處理芯片電連接。數(shù)字信號處理芯片內(nèi)設(shè)有電壓過零檢測電路的模型參考自適應(yīng)系統(tǒng)，可控硅控制電路上還并聯(lián)連接有壓敏電阻。本實用新型很好的實現(xiàn)了電容器投切時無涌流的目的，而且大大減小了功率損耗，提高了可靠性。
文檔編號H02J3/18GK201315491SQ20082020585
公開日2009年9月23日 申請日期2008年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月19日
發(fā)明者劉秀立, 耀 孫, 張振環(huán), 曾保權(quán), 黎 楊, 王明功, 許曉暉, 鉦 赫 申請人:河源市雅達電子有限公司