專利名稱：熔斷器電路及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體的技術(shù)，更具體地涉及一種用于通過使用熔斷器 來進(jìn)行各種電路操作的熔斷器電路及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
一般而言，隨著包括雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM (DDR SDRAM)的半導(dǎo)體器件的集成度 迅速增加，在一個半導(dǎo)體器件內(nèi)提供多于數(shù)千萬的存儲器單元。然而，如果在這些存儲器單 元中的任一存儲器單元中出現(xiàn)故障，對應(yīng)半導(dǎo)體器件可能無法進(jìn)行所需操作。隨著半導(dǎo)體 器件工藝的技術(shù)發(fā)展，只在半導(dǎo)體器件的少量存儲器單元中出現(xiàn)故障。即使半導(dǎo)體器件具 有少量有缺陷的存儲器單元，仍然可能丟棄半導(dǎo)體器件，這造成差的成品率。為了應(yīng)對這一 點(diǎn)，已經(jīng)提出使用冗余存儲器單元即額外的正常存儲器單元。如果在正常存儲器單元中出 現(xiàn)故障，則替換和使用冗余存儲器。下文將由于存在有缺陷的單元而需要用冗余單元來替 代的存儲器單元稱為“待修復(fù)的存儲器單元”。與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息編程在用于冗余的熔斷器電路中。用于冗 余的熔斷器電路包括用于地址信息的編程的多個熔斷器。換而言之，用于冗余的熔斷器電 路輸出編程的地址信息，并且半導(dǎo)體器件比較輸出信號與在讀取和寫入操作期間施加的地 址信息，從而如果訪問待修復(fù)的存儲器單元，則允許訪問冗余存儲器單元而不是待修復(fù)的 存儲器單元。作為參考，一種用于編程熔斷器的方案包括電熔斷器切斷方法、激光切斷方案等。 這里，電熔斷器切斷方法是基于以下事實(shí)即，將過量電流施加到待切斷的熔斷器以便融化 并造成待切斷的熔斷器斷開。激光切斷方案是基于使用激光束來燒斷待切斷的熔斷器造成 待切斷的熔斷器斷開這一事實(shí)。通常，相對于電熔斷器切斷方法，激光切斷方案使用廣泛， 因?yàn)樗入娙蹟嗥髑袛喾椒ǜ喴?。同時，除了上述用于冗余的熔斷器電路，熔斷器還用于在整個半導(dǎo)體器件中執(zhí)行 各種操作。例如，熔斷器用于調(diào)節(jié)以工藝敏感方式來工作的恒定電壓生成電路中的電壓。同 樣，熔斷器多樣地用在用于測試的控制電路、用于選擇各種模式的控制電路等中。下文出于 說明目的將給出對使用熔斷器的用于冗余的熔斷器電路例子的描述。圖1是圖示了構(gòu)成常規(guī)半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電路的電路圖。參照圖1，用于冗余的熔斷器電路包括熔斷器單元110、鎖存單元130、預(yù)充電單元 150和緩沖單元170。熔斷器單元110被配置成響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號EN_ADD<0:3>，通過 流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動電流來驅(qū)動輸出級的公共節(jié)點(diǎn)COM。熔斷器單元110包括多個熔斷器112和多個開關(guān)單元114。熔斷器112用來編程與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息，并且包括第零到第 三熔斷器F0、Fl、F2和F3。開關(guān)單元114用來分別接收熔斷器使能信號EN_ADD<0:3>，以 便形成具有對應(yīng)熔斷器的下拉電流路徑。開關(guān)單元114包括第零到第三NM0S晶體管NM0、 NMUNM2 禾口 NM3。鎖存單元130被配置成根據(jù)響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號EN_ADD<0:3>而 操作的公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平來鎖存對應(yīng)邏輯值。鎖存單元130包括第零和第一反相器 INV0 和 INV1。預(yù)充電單元150被配置成在鎖存單元130中設(shè)置初始邏輯值。預(yù)充電單元150包 括第零PM0S晶體管PM0，該晶體管具有在電源電壓VDD級與公共節(jié)點(diǎn)COM之間的源極-漏 極路徑，并且通過其柵極接收預(yù)充電信號PCGB。這里，預(yù)充電信號PCGB在半導(dǎo)體器件進(jìn)行 激活操作、讀取操作或者寫入操作時從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯‘高’。緩沖單元170被配置成接收鎖存單元130的輸出信號并且輸出熔斷器狀態(tài)信號 INF_ADD，而且包括兩個反相器。這里，熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD包括編程在多個熔斷器112 中的待修復(fù)的存儲器單元的地址信息。半導(dǎo)體器件響應(yīng)于熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD來判斷 待訪問的存儲器單元是否對應(yīng)于待修復(fù)的存儲器單元。下文出于說明目的將描述對于切斷或者沒有切斷第零熔斷器F0的每一種情況， 如何根據(jù)第零熔斷器使能信號EN_ADD<0>是否激活來操作用于冗余的熔斷器電路。首先，由于響應(yīng)于邏輯‘低’的預(yù)充電信號PCGB對公共節(jié)點(diǎn)COM進(jìn)行預(yù)充電，所以 鎖存單元130鎖存邏輯‘高’。隨后在激活操作、讀取操作或者寫入操作時，預(yù)充電信號PCGB 從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯‘高’，并且第零使能信號EN_ADD<0>被激活成邏輯‘高’，因此接通 第零NM0S晶體管NM0。在這一情況中，當(dāng)沒有切斷第零熔斷器F0時，由于下拉電流路徑形成于公共節(jié)點(diǎn) COM與接地電壓(VSS)級之間，所以公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平低于第零反相器INV0的閾值 電壓，并且熔斷器狀態(tài)信號為邏輯‘高’?；蛘撸?dāng)切斷第零熔斷器F0時，公共節(jié)點(diǎn)COM通過 鎖存單元130來維持邏輯‘高’。也就是說，由于第一驅(qū)動單元INV1產(chǎn)生上拉電流路徑，所 以公共節(jié)點(diǎn)COM維持邏輯‘高’，并且熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD為邏輯‘低’。如上所述，熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD根據(jù)對應(yīng)熔斷器是否被切斷來維持邏輯‘低’ 或者邏輯‘高，。半導(dǎo)體器件基于熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD來接收待修復(fù)的存儲器單元的地 址f曰息。同時，隨著半導(dǎo)體器件的工藝技術(shù)發(fā)展，不僅在構(gòu)成電路的部件之間而且在熔斷 器之間的間距減少使半導(dǎo)體器件尺寸縮小。當(dāng)進(jìn)行用于切斷熔斷器的燒斷過程時，在熔斷 器之間的間距減小可能造成以下問題。也就是說，與待切斷的熔斷器相鄰的熔斷器受到由傳導(dǎo)性副作用所造成的破壞 (例如斷裂)以及在進(jìn)行燒斷過程時產(chǎn)生的沖擊。當(dāng)然，斷裂可能沒有在進(jìn)行燒斷過程時出 現(xiàn)，但是也可能由于在熔斷器與覆蓋熔斷器的絕緣層之間的應(yīng)力或者錯誤工藝而出現(xiàn)。在 斷裂出現(xiàn)在熔斷器中的情況中，最嚴(yán)重的問題在于可能將沒有打算切斷的熔斷器置于該熔 斷器被確定為‘切斷的熔斷器’的狀態(tài)。這一情形可能造成半導(dǎo)體器件故障。一般而言，在熔斷器中出現(xiàn)的斷裂分類成三類。第一類是由于斷裂本身而造成熔斷器失效的失效斷裂。第二類是根據(jù)環(huán)境和時間造成熔斷器失效的漸進(jìn)斷裂。第三類是由 于在熔斷器中出現(xiàn)的斷裂程度不大而在半導(dǎo)體器件的壽命內(nèi)不造成失效的無害斷裂(free crack)。在第一類的情況中，由于半導(dǎo)體器件在其裝運(yùn)之前出現(xiàn)故障，所以在測試模式如探 測模式或者封裝測試中可以檢測到故障，因而能夠防止故障或者將半導(dǎo)體器件確定為“有 缺陷”。然而在第二類的情況中，由于在半導(dǎo)體器件的裝運(yùn)之前進(jìn)行的測試模式中沒有檢測 到半導(dǎo)體器件的故障，所以沒有進(jìn)行正確的判斷。此外，由于半導(dǎo)體器件在裝運(yùn)之后故障， 所以使用半導(dǎo)體器件的消費(fèi)者可能遇到故障。圖2是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖1的熔斷器狀態(tài)為根據(jù)的電壓電平改變的波形圖。參照圖1和圖2，當(dāng)切斷熔斷器時，通過流過由第一反相器INV1產(chǎn)生的上拉電流路 徑的驅(qū)動電流來驅(qū)動公共節(jié)點(diǎn)COM，并且公共節(jié)點(diǎn)COM維持高電壓電平。也就是說，公共節(jié) 點(diǎn)COM的電壓電平取決于流過上拉電流路徑的驅(qū)動電流?；蛘撸?dāng)沒有切斷熔斷器時，通過 流過由對應(yīng)熔斷器和耦合到熔斷器的NM0S晶體管產(chǎn)生的下拉電流路徑的驅(qū)動電流來驅(qū)動 公共節(jié)點(diǎn)COM，并且公共節(jié)點(diǎn)COM維持低電壓電平。在這一情況中，公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電 平取決于流過上拉電流路徑的驅(qū)動電流和流過下拉電壓電路的驅(qū)動電流。圖2圖示了其中公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平基于熔斷器的電阻值(例如60KQ)而 變?yōu)楦唠娖交虻碗娖降睦印Ｒ簿褪钦f，當(dāng)熔斷器的電阻值低于例如60KQ時，因?yàn)轭A(yù)充電 的電荷被放電，公共節(jié)點(diǎn)COM具有低電壓電平。當(dāng)熔斷器的電阻值高于60KQ時，公共節(jié)點(diǎn) COM通過流過上拉電流路徑的驅(qū)動電流來維持高電壓電平。然后，公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平 確定熔斷器狀態(tài)信號INF-ADD的邏輯電平。換而言之，根據(jù)熔斷器是否被切斷來確定熔斷 器狀態(tài)信號INF_ADD的邏輯電平。同時如上所述，斷裂可能在任何熔斷器中出現(xiàn)。這時，沒有切斷的熔斷器的電阻值 根據(jù)環(huán)境和時間變得越來越高。換而言之，在沒有切斷的狀態(tài)中的正常熔斷器應(yīng)當(dāng)具有低 于例如60KQ的電阻值。如果斷裂在熔斷器中出現(xiàn)，則熔斷器可能具有比沒有出現(xiàn)斷裂的 熔斷器的電阻值更高的電阻值，但是出現(xiàn)斷裂的熔斷器也可能具有低于60KQ的電阻值。 因此，在測試模式中檢測結(jié)果表明出現(xiàn)斷裂的熔斷器沒有被切斷，并且因此被確定為“正常 熔斷器”。然而，出現(xiàn)斷裂的熔斷器的電阻值根據(jù)環(huán)境和時間變得高于60KQ。這時，因?yàn)閷?沒有打算切斷的熔斷器識別為切斷的熔斷器，半導(dǎo)體器件出現(xiàn)故障。因此，對于沒有打算切斷的熔斷器，應(yīng)為邏輯‘高’的熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD由 于斷裂而為邏輯‘低’，并且半導(dǎo)體器件的可靠性由于這一故障而降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實(shí)施例涉及提供一種半導(dǎo)體器件，其用于控制流過具有熔斷器的電 流路徑的驅(qū)動電流、由此檢測出現(xiàn)斷裂的熔斷器。本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及提供一種用于確定在切斷熔斷器時將向熔斷器施加的 適當(dāng)力的半導(dǎo)體器件，其按照通過調(diào)整流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動電流而獲得的測 試結(jié)果來確定所述適當(dāng)?shù)牧Α８鶕?jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種熔斷器電路，該熔斷器電路包括熔斷器單元， 配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)形成電流路徑；驅(qū)動電流控制器，配置成響應(yīng)于測試信號來控制第一節(jié)點(diǎn)的電勢電平；以及輸出單元，配置成響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的電勢電 平來輸出熔斷器狀態(tài)信號。驅(qū)動電流控制器可以在接收熔斷器狀態(tài)信號的反饋之后驅(qū)動第一節(jié)點(diǎn)。熔斷器電路還可以包括配置成響應(yīng)于預(yù)充電信號對第一節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充 電單元。驅(qū)動電流控制器可以允許第一節(jié)點(diǎn)在測試模式中的電勢大于在正常模式中的電勢。驅(qū)動電流控制器可以包括第一驅(qū)動單元，配置成接收測試信號，并且響應(yīng)于測試 信號來驅(qū)動第一節(jié)點(diǎn)；以及第二驅(qū)動單元，配置成接收測試信號，并且響應(yīng)于測試信號來驅(qū) 動第一節(jié)點(diǎn)，其中第一驅(qū)動單元和第二驅(qū)動單元各自具有互不相同的驅(qū)動強(qiáng)度。第一驅(qū)動單元可以在正常模式期間被使能，第二驅(qū)動單元可以在測試模式期間被 使能，并且第二驅(qū)動單元可以具有比第一驅(qū)動單元的電流驅(qū)動強(qiáng)度更大的電流驅(qū)動強(qiáng)度。驅(qū)動電流控制器可以包括基本驅(qū)動單元，配置成接收熔斷器狀態(tài)信號并且驅(qū)動 第一節(jié)點(diǎn)；以及附加驅(qū)動單元，配置成接收熔斷器狀態(tài)信號并且響應(yīng)于測試信號來附加地 驅(qū)動第一節(jié)點(diǎn)?；掘?qū)動單元可以在正常模式期間被使能，并且基本驅(qū)動單元和附加驅(qū)動單元可 以在測試模式期間被使能。熔斷器單元可以包括熔斷器，配置成編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成響應(yīng) 于熔斷器使能信號來將熔斷器耦合到電流路徑中，其中熔斷器和開關(guān)單元可以耦合于第一 節(jié)點(diǎn)與電源電壓級之間。熔斷器單元可以包括多個熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng) 的地址信息；以及多個開關(guān)單元，配置成對應(yīng)于多個熔斷器中的相應(yīng)熔斷器，并且響應(yīng)于與 熔斷器使能信號對應(yīng)的地址信號將多個熔斷器中的對應(yīng)熔斷器耦合到電流路徑中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種熔斷器電路，該熔斷器電路包括熔斷器單元， 配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；鎖存單元，配置成鎖存第一 節(jié)點(diǎn)以便輸出熔斷器狀態(tài)信號；以及供應(yīng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測試信號來控制向鎖 存單元施加的驅(qū)動電流。熔斷器電路還可以包括配置成響應(yīng)于預(yù)充電信號對第一節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，以及設(shè) 置鎖存單元中的初始值的預(yù)充電單元。供應(yīng)電流控制器可以包括偏置電壓生成單元，配置成生成與測試信號對應(yīng)的偏 置電壓；以及電流供應(yīng)單元，配置成向鎖存單元供應(yīng)與偏置電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流。供應(yīng)電流控制器可以允許在測試模式中的驅(qū)動電流大于在正常模式中的驅(qū)動電 流，并且將所得驅(qū)動電流施加到鎖存單元。熔斷器單元可以包括熔斷器，配置成用來編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成 響應(yīng)于熔斷器使能信號將熔斷器耦合到電流路徑中，其中熔斷器和開關(guān)單元可以耦合于第 一節(jié)點(diǎn)與電源電壓級之間。熔斷器單元可以包括多個熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng) 的地址信息；以及多個開關(guān)單元，配置成對應(yīng)于多個熔斷器中的相應(yīng)熔斷器，并且響應(yīng)于與 熔斷器使能信號對應(yīng)的地址信號將多個熔斷器之中的對應(yīng)熔斷器耦合到電流路徑中。
7
鎖存單元可以包括前向驅(qū)動單元，配置成響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的電勢電平來輸出熔 斷器狀態(tài)信號；以及后向驅(qū)動單元，配置成被供應(yīng)有通過供應(yīng)電流控制器控制的驅(qū)動電流， 并且在接收熔斷器狀態(tài)信號的反饋之后驅(qū)動第一節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于驅(qū)動熔斷器電路的方法，該方法包括當(dāng)進(jìn) 入測試模式時生成測試信號；形成通過第一節(jié)點(diǎn)和熔斷器的電流路徑；響應(yīng)于測試信號來 驅(qū)動第一節(jié)點(diǎn)；并且在緩沖第一節(jié)點(diǎn)的電勢之后檢測熔斷器的狀態(tài)。第一節(jié)點(diǎn)可以包括通過流過電流路徑的正常驅(qū)動電流在正常模式中驅(qū)動第一節(jié) 點(diǎn)；并且通過比正常驅(qū)動電流更大的測試驅(qū)動電流在測試模式中驅(qū)動第一節(jié)點(diǎn)。熔斷器可以具有編程于其中的與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息。本發(fā)明可以通過調(diào)整流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動電流來檢測出現(xiàn)斷裂的 熔斷器。也能夠基于檢測結(jié)果針對出現(xiàn)斷裂的熔斷器進(jìn)行校正步驟。此外，能夠通過這些 校正步驟來確保具有熔斷器的電路的可靠性。能夠針對用于冗余的熔斷器電路保證穩(wěn)定的 修復(fù)操作。另外，能夠通過如在本發(fā)明中這樣的測試操作來獲取能夠判斷在切斷熔斷器時向 熔斷器施加的適當(dāng)力的數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)對熔斷器更迅速和穩(wěn)定的切斷。


圖1是圖示了構(gòu)成常規(guī)半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電路的電路圖；圖2是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖1中所示熔斷器的狀態(tài)為根據(jù)的電勢電平改變的 波形圖；圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖；圖4是圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；圖5是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖4中所示熔斷器的狀態(tài)為根據(jù)的電壓電平改變的 波形圖；圖6是圖示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；圖8是圖示了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；并且圖9是圖示了根據(jù)圖8中所示偏置電檢測的造成短路的電阻值的曲線 圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過以下描述來理解，并且參照本發(fā)明實(shí)施例而變
得清楚。圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的框圖。參照圖3，半導(dǎo)體器件包括熔斷器單元310、驅(qū)動電流控制器330和輸出單元350。
熔斷器單元310被配置成響應(yīng)于熔斷器使能信號EN_ADD，根據(jù)熔斷器312是否被 切斷來形成包括熔斷器312的電流路徑。熔斷器單元310包括編程了所需信息的熔斷器 312，和用于響應(yīng)于熔斷器使能信號EN_ADD將熔斷器包括到電流路徑中的開關(guān)單元314。驅(qū)動電流控制器330響應(yīng)于測試信號TMB來控制流過電流路徑的驅(qū)動電流，由此 驅(qū)動熔斷器單元310的輸出級的公共節(jié)點(diǎn)COM。在本發(fā)明中，能夠通過測試信號TMB來控 制流向電流路徑的驅(qū)動電流。也就是說，通過驅(qū)動電流控制器330的電流路徑以及熔斷器 單元310和熔斷器312的電流路徑來控制公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平，其中向驅(qū)動電流控制 器330供應(yīng)第一電源，并且驅(qū)動電流控制器330響應(yīng)于測試信號TMB來操作，向熔斷器單元 310供應(yīng)第二電源而沒有切斷熔斷器312，而且響應(yīng)于熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD來操作熔斷 器單元。輸出單元350響應(yīng)于公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平來輸出熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD。 這里，熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD根據(jù)熔斷器312是否被切斷而具有預(yù)定邏輯值。圖4是圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖。參照圖4，用于冗余的熔斷器電路包括熔斷器單元410、驅(qū)動電流控制器430、輸出 單元450、緩沖單元470和預(yù)充電單元490。熔斷器單元410被配置成響應(yīng)于熔斷器使能信號EN_ADD<0:3>，根據(jù)對應(yīng)熔斷器 是否被切斷來形成電流路徑，并且熔斷器單元410包括多個熔斷器412和多個開關(guān)單元 414。所述多個熔斷器412用于編程所需信息，例如與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址 信息，并且包括第零到第三熔斷器F0、F1、F2和F3。這里，熔斷器的數(shù)目可以根據(jù)半導(dǎo)體器 件的設(shè)計(jì)而變化。所述多個開關(guān)單元414被配置成在接收熔斷器使能信號EN_ADD<0 3>中的相應(yīng)信 號之后形成包括對應(yīng)熔斷器的下拉電流路徑，其包括耦合到第零到第三熔斷器F0、Fl、F2 和F3中的相應(yīng)熔斷器的第零到第三NM0S晶體管NM0、匪1、匪2和匪3。這里，在用于冗余 的熔斷器電路情況中，熔斷器使能信號EN_ADD<0:3>是通過對從外界施加的地址進(jìn)行解碼 而獲得的信號，并且根據(jù)在半導(dǎo)體器件的讀取操作和寫入操作時選擇的存儲器單元矩陣來 激活。作為參考，存儲器單元矩陣(mat)是指從多個存儲器單元之中分組的存儲器單元集， 并且根據(jù)包括待訪問的所需存儲器單元的存儲器單元矩陣來激活第零到第三熔斷器使能 信號 EN_ADD<0:3>。驅(qū)動電流控制器430響應(yīng)于測試信號TMB來控制流過上拉電流路徑的驅(qū)動電流、 由此驅(qū)動熔斷器單元410的輸出級的公共節(jié)點(diǎn)COM，其包括第一和第二驅(qū)動單元INV1和 INV2。這里，第一和第二驅(qū)動單元INV1和INV2接收從輸出單元450輸出的信號的反饋， 并且由相應(yīng)測試信號TMB控制。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二驅(qū)動單元INV1和INV2具有互不 相同的電流驅(qū)動強(qiáng)度，并且根據(jù)通常模式和測試模式響應(yīng)于測試信號TMB來被使能。換言 之，在正常模式時，測試信號TMB為邏輯‘高’，將驅(qū)動強(qiáng)度比第二驅(qū)動單元INV2的驅(qū)動強(qiáng)度 更低的第一驅(qū)動單元INV1使能?；蛘撸跍y試模式時，測試信號TMB為邏輯‘低’，將驅(qū)動強(qiáng) 度比第一驅(qū)動單元INV1的驅(qū)動強(qiáng)度更大的第二驅(qū)動單元INV2使能。最后，驅(qū)動電流控制器430可以在電流驅(qū)動強(qiáng)度比正常模式的電流驅(qū)動強(qiáng)度更大的測試中驅(qū)動公共節(jié)點(diǎn)COM。輸出單元450被配置成輸出與公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平對應(yīng)的信號，并且包括第 零驅(qū)動單元INV0。緩沖單元470在緩沖第零驅(qū)動單元INV0的輸出信號之后輸出熔斷器狀 態(tài)信號INF_ADD。這里，熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD根據(jù)所述多個熔斷器412是否被切斷而具 有預(yù)定邏輯值。然后，熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD包括熔斷器412中編程的待修復(fù)的存儲器 單元的地址信息。半導(dǎo)體器件響應(yīng)于熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD來判斷待訪問的存儲器單元 是否為待修復(fù)的存儲器單元。預(yù)充電單元490被配置成對公共節(jié)點(diǎn)COM進(jìn)行預(yù)充電，并且包括第零PM0S晶體 管，該晶體管具有在電源電壓VDD級與公共節(jié)點(diǎn)COM之間的源極-漏極路徑，并且接收預(yù)充 電信號PCGB信號。這里，預(yù)充電信號PCGB在半導(dǎo)體器件的激活操作、讀取操作或者寫入操 作時從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯‘高，。在其中預(yù)充電信號PCGB為邏輯‘低’的時段中，將公共 節(jié)點(diǎn)COM預(yù)充電至與電源電壓(VDD)對應(yīng)的電勢電平。下文將描述在正常模式時對于第零熔斷器F0被切斷或者沒有被切斷的各個情 況、用于冗余的熔斷器電路如何根據(jù)第零熔斷器使能信號EN_ADD是否激活來操作。在本發(fā)明中，由于測試信號TMB在正常模式時為邏輯‘高’，所以沒有操作第二驅(qū) 動單元INV2。首先，響應(yīng)于邏輯‘低’的預(yù)充電信號PCGB對公共節(jié)點(diǎn)COM進(jìn)行預(yù)充電。隨 后，在進(jìn)行激活操作、讀取操作或者寫入操作時，預(yù)充電信號PCGB從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯 ‘高，。將第零熔斷器使能信號EN_ADD<0>激活成邏輯‘高，，因此接通第零NM0S晶體管NM0。這時，當(dāng)沒有切斷第零熔斷器F0時，由于下拉電流路徑形成于公共節(jié)點(diǎn)COM與接 地電壓(VSS)級之間，所以公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平低于第零驅(qū)動單元INV0的閾值電壓， 并且熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD為邏輯‘高’?；蛘?，當(dāng)切斷第零熔斷器F0時，公共節(jié)點(diǎn)COM 通過第一驅(qū)動單元INV1來維持邏輯‘高’。也就是說，由于上拉電流路徑通過第一驅(qū)動單 元INV1形成，所以公共節(jié)點(diǎn)COM維持邏輯‘高’，并且熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD為邏輯‘低’。 半導(dǎo)體器件通過使用邏輯‘高，或者邏輯‘低’的熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD來接收待修復(fù)的 存儲器單元的地址信息。同時，將給出對其中在沒有切斷熔斷器的狀態(tài)中出現(xiàn)斷裂的情況的描述。出于說 明目的將給出對其中斷裂出現(xiàn)在第零熔斷器F0中的例子的描述。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，在測試模式時，測試信號TMB為邏輯‘低’，因而沒 有操作第一驅(qū)動單元INV1，但是操作第二驅(qū)動單元INV2。這里，第二驅(qū)動單元INV2具有比 第一驅(qū)動單元INV1的電流驅(qū)動強(qiáng)度更大的電流驅(qū)動強(qiáng)度，因此在驅(qū)動電流比正常模式的 驅(qū)動電流更大的測試模式中驅(qū)動公共節(jié)點(diǎn)COM。換而言之，出現(xiàn)斷裂的第零熔斷器F0的電 阻值變得高于沒有出現(xiàn)斷裂的熔斷器的電阻值。在現(xiàn)有技術(shù)中，在測試模式中不可能檢測 到第零熔斷器F0的電阻值由于斷裂而增加。然而在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，能夠通過 在驅(qū)動電流比正常模式的驅(qū)動電流更大的測試模式中驅(qū)動公共節(jié)點(diǎn)COM來檢測第零熔斷 器F0由于斷裂而增加的電阻值。圖5是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖4的熔斷器狀態(tài)為根據(jù)的電勢電平改變的波形 圖。參照圖4和圖5，當(dāng)熔斷器切斷時，在測試模式中，以流過由第二驅(qū)動單元INV2產(chǎn) 生的上拉電流路徑的大驅(qū)動電流驅(qū)動公共節(jié)點(diǎn)C0M，從而維持高電勢電平。也就是說，公共
10節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平取決于從第二驅(qū)動單元INV2提供的驅(qū)動電流。當(dāng)熔斷器沒有切斷時， 在測試模式中，公共節(jié)點(diǎn)COM具有由對應(yīng)熔斷器和耦合到熔斷器的NM0S晶體管產(chǎn)生的下拉 電流路徑。在這種情況下，公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平取決于與下拉電流路徑對應(yīng)的驅(qū)動電 流和從第二驅(qū)動單元INV2提供的驅(qū)動電流。然而在本發(fā)明中，通過增加在測試模式中公 共節(jié)點(diǎn)COM的操作所需要的驅(qū)動電流，可以將電阻值由于斷裂而有些增加的熔斷器檢測為 “切斷的熔斷器”。圖5圖示了其中公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平在測試模式時基于熔斷器的電阻值(例 如4KQ)而變高或者變低的例子。也就是說，當(dāng)熔斷器的電阻值低于4KQ時，在公共節(jié)點(diǎn) COM中預(yù)充電的電荷被放電，因此公共節(jié)點(diǎn)COM具有低電勢電平?；蛘撸?dāng)熔斷器的電阻值 大于4KQ時，公共節(jié)點(diǎn)COM將電勢電平維持為高。圖2圖示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)基于60KQ來 改變公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平，而圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明基于4KQ來改變公共節(jié)點(diǎn)COM的 電勢電平。也就是說，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)尚未切斷的熔斷器具有60KQ或者更低的電阻值 時，將對應(yīng)熔斷器檢測為‘正常熔斷器’。然而在本發(fā)明中，當(dāng)熔斷器具有4KQ或者更高電 阻值時，即使尚未切斷的熔斷器具有少于60KQ的電阻值，仍然可以將尚未切斷的熔斷器 檢測為‘有缺陷的熔斷器’。換言之，當(dāng)尚未切斷的熔斷器由于斷裂而具有大于4KQ的電阻 值時，可以獲得與在熔斷器切斷的情況中一樣的檢測結(jié)果。由此，公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平是確定熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD的直接因素。也 就是說，當(dāng)沒有切斷的熔斷器的電阻值由于斷裂而高于4KQ時，輸出針對切斷的熔斷器被 檢測到的邏輯‘低’的熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD。測試執(zhí)行者可以通過使用檢測結(jié)果來確定 斷裂是否出現(xiàn)在熔斷器中，并且針對出現(xiàn)斷裂的熔斷器進(jìn)行校正步驟。另外，可以在進(jìn)行校 正步驟的處理之后在正常操作中生成與熔斷器狀態(tài)對應(yīng)的熔斷器狀態(tài)信號INF_ADD。這意 味著用于冗余的熔斷器電路防止在半導(dǎo)體器件正常操作時出現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的故障， 從而獲得穩(wěn)定的修復(fù)操作。圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電路的電 路圖。出于說明目的，圖6僅圖示了與圖4的驅(qū)動電流控制器不同的驅(qū)動電流控制器610。參照圖6，驅(qū)動電流控制器610被配置成響應(yīng)于測試信號TMB通過控制流過上拉電 流路徑的驅(qū)動電流來驅(qū)動公共節(jié)點(diǎn)COM。驅(qū)動電流控制器610包括基本驅(qū)動單元INV4和附 加驅(qū)動單元INV5。輸出單元630被配置成輸出與公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平對應(yīng)的信號，并 且包括第三驅(qū)動單元INV3。這里，基本驅(qū)動單元INV4被配置成在接收輸出單元630的輸出信號的反饋之后驅(qū) 動公共節(jié)點(diǎn)C0M，并且在正常模式和測試模式中總是被使能。然后，附加驅(qū)動單元INV5接收 輸出單元630的輸出信號的反饋，并且被配置成響應(yīng)于測試信號TMB來附加地驅(qū)動公共節(jié) 點(diǎn)C0M，附加驅(qū)動單元INV5在測試模式中被使能。下文將簡述第二實(shí)施例的操作。在正常模式中，基本驅(qū)動單元INV4操作公共節(jié)點(diǎn)COM。也就是說，公共節(jié)點(diǎn)COM由 流過由基本驅(qū)動單元INV4產(chǎn)生的上拉電流路徑的驅(qū)動電流驅(qū)動。在測試模式中，操作基本 驅(qū)動單元INV4和附加驅(qū)動單元INV5。另外，公共節(jié)點(diǎn)COM通過流過由附加驅(qū)動單元INV5 產(chǎn)生的附加上拉電流路徑的附加驅(qū)動電流和流過由基本驅(qū)動單元INV4產(chǎn)生的上拉電流路 徑的驅(qū)動電流來驅(qū)動。也就是說，通過向公共節(jié)點(diǎn)COM的操作所需要的驅(qū)動電流添加附加驅(qū)動電流來操作在測試模式中的公共節(jié)點(diǎn)COM。因此，第二實(shí)施例可以獲得與在第一實(shí)施例 中相同的效果。圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖。圖7圖示了用于冗余的熔斷器電路具有第一和第二 PM0S晶體管PM1和PM2，而不 是圖6中所示響應(yīng)于測試信號TMB來操作的附加驅(qū)動單元INV5。另外，在測試模式中，在公 共節(jié)點(diǎn)COM在第一 PM0S晶體管PM1接通之后由流過上拉電流路徑的驅(qū)動電流驅(qū)動的情形 中，第二 PM0S晶體管PM2也接通，因此可以向公共節(jié)點(diǎn)COM添加附加驅(qū)動電流。在根據(jù)本 發(fā)明的第三實(shí)施例中，可以通過晶體管數(shù)目比在第一和第二實(shí)施例中的晶體管數(shù)目更小的 配置來最小化芯片的面積。圖8是圖示了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的用于冗余的熔斷器電路的電路圖。參照圖8，用于冗余的熔斷器電路包括熔斷器單元810、鎖存單元830、預(yù)充電單元 850、緩沖單元870、供應(yīng)電流控制器890。熔斷器單元810被配置成響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號EN_ADD<0:3>，根據(jù) 熔斷器是否被切斷來形成包括熔斷器的電流路徑。熔斷器單元810包括多個熔斷器和多個 開關(guān)單元。鎖存單元830被配置成鎖存與響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號EN_ADD<0:3> 來操作的公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢電平對應(yīng)的邏輯值，并且包括第六和第七驅(qū)動單元INV6和 INV7。預(yù)充電單元850響應(yīng)于預(yù)充電信號PCGB在鎖存單元830中設(shè)置初始邏輯值，公共節(jié) 點(diǎn)COM響應(yīng)于預(yù)充電信號PCGB來進(jìn)行預(yù)充電操作。緩沖單元870檢測公共節(jié)點(diǎn)COM的電 勢電平，以便輸出具有與熔斷器狀態(tài)對應(yīng)的信息的預(yù)充電信號PCGB，并且緩沖單元870包 括兩個反相器。供應(yīng)電流控制器890被配置成響應(yīng)于測試信號TM<0:2>來控制向鎖存單元 830施加的驅(qū)動電流，并且包括偏置電壓生成單元894。這里，電流供應(yīng)單元892被配置成向與偏置電壓V_BIS對應(yīng)的鎖存單元830供應(yīng) 驅(qū)動電流，并且包括第三PM0S晶體管PM3，該晶體管具有形成于電源電壓VDD級與鎖存單元 830之間的源極-漏極路徑，并且通過其柵極接收偏置電壓V_BIS。偏置電壓生成單元894通過生成具有與測試信號TM<0 2>對應(yīng)的電勢電平的偏 置電壓V_BIS來控制電流供應(yīng)單元892。偏置電壓生成單元894可以是用于通過測試信號 TM<0:2>或者其它方法生成根據(jù)設(shè)計(jì)需要所需的電壓電平的偏置電壓V_BIS的電路。偏置 電壓生成單元894通過使用由三個代碼組成的測試信號TM<0:2>來生成偏置電壓V_BIS。 測試信號TM<0:2>可以用于正常模式和測試模式中，并且具有與測試信號TM<0:2>對應(yīng)的 電壓電平。下文將給出對第四實(shí)施例的操作的描述。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的特征在于在測試模式中控制公共節(jié)點(diǎn)COM的操作所 需要的驅(qū)動電流，以便檢測出現(xiàn)斷裂的熔斷器。為此，在第四實(shí)施例中，生成與測試信號TM<0 2>對應(yīng)的偏置電壓V_BIS，然后通 過生成的偏置電壓V_BIS來控制第三PM0S晶體管PM3的柵極。然后，流過第三PM0S晶體 管PM3的驅(qū)動電流施加到鎖存單元830的第七驅(qū)動單元INV7，并且公共節(jié)點(diǎn)COM由包括第 三PM0S晶體管PM3和第七驅(qū)動單元INV7的PM0S晶體管的電流路徑驅(qū)動。換言之，在第四實(shí)施例中，能夠通過允許在測試模式中流動的驅(qū)動電流大于在正常模式中流動的驅(qū)動電流 來檢測出現(xiàn)斷裂的熔斷器。 圖9是圖示了根據(jù)圖8的偏置電壓V_BIS而檢測的造成短路的電阻值的曲線圖。 這里，造成短路的電阻值是指用來對代表熔斷器沒有被切斷的信息進(jìn)行檢測的閾值電阻 值。換言之，當(dāng)假設(shè)造成短路的電阻值例如為5KQ時，對于電阻值為5KQ或者更低的熔斷 器，可以將熔斷器檢測為沒有切斷的正常熔斷器。對于電阻值大于5KQ的熔斷器，可以將 熔斷器檢測為出現(xiàn)斷裂的熔斷器。這里，造成短路的電阻值隨著偏置電壓V_BIS的電壓電 平增大而增大，并且造成短路的電阻值隨著偏置電壓V_BIS的電壓電平降低而降低。
因此，在正常模式中，根據(jù)測試信號TM<0 2>來生成與15K Q的造成短路的電阻值 對應(yīng)的偏置電以便進(jìn)行操作。在測試模式中，將偏置電壓V_BIS設(shè)置成低于15KQ 的造成短路的電阻值，從而可以檢測出現(xiàn)斷裂的熔斷器。在這種情況下，可以根據(jù)在熔斷器 中出現(xiàn)的斷裂的程度即待檢測的預(yù)期斷裂的程度來設(shè)置偏置電的電平。也就是 說，當(dāng)打算檢測很小的斷裂時，根據(jù)斷裂的程度將偏置電壓V_BIS的電壓電平設(shè)置為較低， 以便增加在電流路徑上流動的驅(qū)動電流，從而可以檢測在熔斷器中出現(xiàn)的斷裂。另外，在這 樣的配置中，在燒斷過程之前通過測試模式來控制偏置電壓V_BIS，從而可以確認(rèn)熔斷器的 電阻值。同時，在根據(jù)本發(fā)明用于檢測熔斷器斷裂的方案中，能夠在燒斷過程中將激光束 的強(qiáng)度(力)設(shè)置于最佳狀態(tài)。也就是說，通過使用預(yù)定強(qiáng)度的激光束來切斷熔斷器，然后 檢測相鄰熔斷器是否出現(xiàn)斷裂，從而能夠確定當(dāng)前激光束的強(qiáng)度是否造成在相鄰熔斷器中 出現(xiàn)斷裂。因此，燒斷過程執(zhí)行者可以基于檢測結(jié)果來優(yōu)化激光束的強(qiáng)度，因此可以進(jìn)行快 速和穩(wěn)定的燒斷過程。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以控制流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動 電流，從而可以檢測出現(xiàn)斷裂的熔斷器。因此，能夠針對在切斷熔斷器時產(chǎn)生的斷裂進(jìn)行校 正步驟。還能夠通過這些校正步驟來提高具有熔斷器的電路的可靠性。具體而言，對于用 于冗余的熔斷器電路，能夠提供在進(jìn)行修復(fù)操作時的可靠性。本發(fā)明可以通過檢測出現(xiàn)斷裂的熔斷器來防止由于斷裂而引起的半導(dǎo)體器件的故障。另外，當(dāng)在用于冗余的熔斷器電路中利用這一點(diǎn)時，可以準(zhǔn)確地檢測和應(yīng)對出現(xiàn) 斷裂的熔斷器，從而能夠確保半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定修復(fù)操作。另外，能夠確定在切斷電容器時使用的適當(dāng)?shù)牧?，并且使用所確定的力以便可以 對熔斷器進(jìn)行更迅速和穩(wěn)定的切斷。盡管已經(jīng)參照具體實(shí)施例描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚可以進(jìn)行各種 改變和修改而不脫離如在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)和范圍。同時，盡管已經(jīng)以在熔斷器中編程了與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息為例 來說明上述實(shí)施例，但是本發(fā)明可以應(yīng)用于具有用于編程所需信息的熔斷器的所有電路。 在這一情況中，實(shí)施例中所示預(yù)充電信號PCGB和熔斷器使能信號EN_ADD<0 3>取決于對應(yīng) 的電路。另外，雖然已經(jīng)以增加或者控制流過上拉電流路徑的驅(qū)動電流為例來說明上述實(shí) 施例，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于增加或者控制流過下拉電流路徑以及上拉電流路徑的驅(qū)動
1電流的情況。 此外，可以根據(jù)輸入信號的極性以不同位置和不同類型來實(shí)施上述實(shí)施例中說明 的邏輯門和晶體管。
權(quán)利要求
一種熔斷器電路，包括熔斷器單元，配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；驅(qū)動電流控制器，配置成響應(yīng)于測試信號來控制所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢電平；以及輸出單元，配置成響應(yīng)于所述第一節(jié)點(diǎn)的所述電勢電平來輸出熔斷器狀態(tài)信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動電流控制器響應(yīng)于所述熔斷器狀 態(tài)信號來驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，還包括配置成響應(yīng)于預(yù)充電信號對所述第一節(jié) 點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動電流控制器允許所述第一節(jié)點(diǎn)在 所述測試模式中的電勢大于在正常模式中的電勢。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動電流控制器包括第一驅(qū)動單元，配置成接收所述測試信號并且響應(yīng)于所述測試信號來驅(qū)動所述第一節(jié) 點(diǎn)；以及第二驅(qū)動單元，配置成接收所述測試信號并且響應(yīng)于所述測試信號來驅(qū)動所述第一節(jié)占，其中所述第一驅(qū)動單元和所述第二驅(qū)動單元各自具有互不相同的驅(qū)動強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔斷器電路，其中所述第一驅(qū)動單元在所述正常模式期間被 使能，所述第二驅(qū)動單元在所述測試模式期間被使能，并且所述第二驅(qū)動單元具有比所述 第一驅(qū)動單元的電流驅(qū)動強(qiáng)度更大的電流驅(qū)動強(qiáng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動電流控制器包括基本驅(qū)動單元，配置成接收所述熔斷器狀態(tài)信號并且驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)；以及 附加驅(qū)動單元，配置成接收所述熔斷器狀態(tài)信號并且響應(yīng)于所述測試信號來附加地驅(qū) 動所述第一節(jié)點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熔斷器電路，其中所述基本驅(qū)動單元在所述正常模式期間被 使能，并且所述基本驅(qū)動單元和所述附加驅(qū)動單元在所述測試模式期間被使能。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 熔斷器，配置成編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成響應(yīng)于所述熔斷器使能信號來將所述熔斷器耦合到所述電流路徑中，其中所述熔斷器和所述開關(guān)單元耦合于所述第一節(jié)點(diǎn)與電源電壓級之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 多個熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息；以及多個開關(guān)單元，配置成對應(yīng)于所述多個熔斷器中的相應(yīng)熔斷器并且響應(yīng)于與所述熔斷 器使能信號對應(yīng)的地址信號將所述多個熔斷器中的對應(yīng)熔斷器耦合到所述電流路徑中。
11.一種熔斷器電路，包括熔斷器單元，配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；鎖存單元，配置成鎖存所述第一節(jié)點(diǎn)以便輸出熔斷器狀態(tài)信號；以及供應(yīng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測試信號來控制向所述鎖存單元施加的驅(qū)動電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，還包括配置成響應(yīng)于所述預(yù)充電信號對所述第一節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，以及設(shè)置所述鎖存單元中的初始值的預(yù)充電單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述供應(yīng)電流控制器包括 偏置電壓生成單元，配置成生成與所述測試信號對應(yīng)的偏置電壓；以及電流供應(yīng)單元，配置成向所述鎖存單元供應(yīng)與所述偏置電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述供應(yīng)電流控制器允許在測試模式中 的驅(qū)動電流大于在正常模式中的驅(qū)動電流并且將所得驅(qū)動電流施加到所述鎖存單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 熔斷器，配置成用來編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成響應(yīng)于所述熔斷器使能信號將所述熔斷器耦合到所述電流路徑中， 其中所述熔斷器和所述開關(guān)單元耦合于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述電源電壓級之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 多個熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息；以及多個開關(guān)單元，配置成對應(yīng)于所述多個熔斷器中的相應(yīng)熔斷器并且響應(yīng)于與所述熔斷 器使能信號對應(yīng)的地址信號將所述多個熔斷器之中的對應(yīng)熔斷器耦合到所述電流路徑中。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述鎖存單元包括前向驅(qū)動單元，配置成響應(yīng)于所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢電平來輸出所述熔斷器狀態(tài)信號；以及后向驅(qū)動單元，配置成被供應(yīng)有通過所述供應(yīng)電流控制器控制的驅(qū)動電流，并且在接 收所述熔斷器狀態(tài)信號的反饋之后驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)。
18.一種用于驅(qū)動熔斷器電路的方法，所述方法包括 當(dāng)進(jìn)入測試模式時生成測試信號；形成通過第一節(jié)點(diǎn)和熔斷器的電流路徑； 響應(yīng)于測試信號來驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)；并且 在緩沖所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢之后檢測所述熔斷器的狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于驅(qū)動熔斷器電路的方法，其中驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)包括通過流過所述電流路徑的正常驅(qū)動電流在正常模式中驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)；以及 通過比所述正常驅(qū)動電流更大的測試驅(qū)動電流在測試模式中驅(qū)動所述第一節(jié)點(diǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于驅(qū)動熔斷器電路的方法，其中所述熔斷器具有編程于 其中的與待修復(fù)的存儲器單元對應(yīng)的地址信息。
全文摘要
一種熔斷器電路包括熔斷器單元，配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；驅(qū)動電流控制器，配置成響應(yīng)于測試信號來控制第一節(jié)點(diǎn)的電勢電平；以及輸出單元，配置成響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的電勢電平來輸出熔斷器狀態(tài)信號。
文檔編號H02H3/08GK101888080SQ200910160949
公開日2010年11月17日 申請日期2009年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月13日
發(fā)明者宋根洙, 金官彥 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司