專利名稱：均衡限壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種限壓電路，具體是一種均衡限壓電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的充電電路一般都是基于電池作為儲(chǔ)電單元設(shè)計(jì)的，一般都是針對(duì)單一的充 電電池，不適用于利用多個(gè)電容串聯(lián)組成的儲(chǔ)電單元的充電，在給多個(gè)電容串聯(lián)組成的儲(chǔ) 電單元充電的過程中，必須確保每個(gè)電容的安全充電，為此需要對(duì)每個(gè)電容進(jìn)行充電電壓 的限制，并且能夠自動(dòng)的根據(jù)電路的電壓情況對(duì)每個(gè)電容的充電電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此，需要 對(duì)每個(gè)電容進(jìn)行均衡調(diào)節(jié)，起到限壓保護(hù)的作用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種適用于多個(gè)串聯(lián)電容組成的儲(chǔ)電單元的充電時(shí)的 一種均衡限壓電路，以確保充電過程中電容的安全。為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種支持多路多壓工作電路串行連接，透 過調(diào)節(jié)各個(gè)工作電路的電壓耐受點(diǎn)，使多電路正常工作，并維持電壓穩(wěn)定，保護(hù)各電路不受 損壞的電路，具體是一種均衡限壓電路，其特殊之處在于，該電路包括電源、穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐贰?第一分壓電阻R1、第二分壓電阻R2、限流電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R4、 PNP型晶體管Ql、NPN型晶體管Q2、第三電阻R11、第四電阻R12、第六電阻R15 ；所述第一分壓電阻R1和第二分壓電阻R2串接在電源的正負(fù)極之間；所述第一電容C1、第一電阻R4依次串接在第一分壓電阻R1和第二分壓電阻R2的 節(jié)點(diǎn)及PNP型晶體管Q1的基極之間；所述限流電阻R3和穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐芬来未釉陔娫吹恼?fù)極之間；所述PNP型晶體管Q1的集電極接電源正極，發(fā)射極通過第三電阻R11接地；所述第四電阻R12串接在PNP型晶體管Q1的發(fā)射極和NPN型晶體管Q2的基極之 間；所述NPN型晶體管Q2的集電極通過第六電阻R15接電源正極，其發(fā)射極接地。該電路還包括第二電阻R10和第五電阻R5，其中，所述第二電阻R10與第二電容 C2并接在PNP型晶體管Q1的基極和地之間；所述第五電阻R5串接在所述第一分壓電阻R1 和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)及PNP型晶體管Q1的發(fā)射極之間。所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐肥欠€(wěn)壓管D1或電壓檢測(cè)器電路；所述穩(wěn)壓管D1的觸發(fā)極接至 第一分壓電阻R1和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)，其負(fù)極和限流電阻R3相接，其正極接電源負(fù) 極；所述電壓檢測(cè)電路由電壓檢測(cè)器和NPN型晶體管Q3組成，電壓檢測(cè)器的電源輸入端接 至第一分壓電阻R1和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)，其電源輸出端接NPN型晶體管Q3的基極， 其接地端與NPN型晶體管Q3的發(fā)射極一起接電源負(fù)極；NPN型晶體管Q3的集電極接限流 電阻R3。本實(shí)用新型的限壓電路，能夠根據(jù)與保護(hù)的電容的安全電壓設(shè)定其基準(zhǔn)電壓，并通過穩(wěn)壓管Dl在輸入電壓高于基準(zhǔn)電壓時(shí)泄流鉗位，并通過導(dǎo)通NPN型晶體管Q2，使其及時(shí)分流，從而起到保護(hù)電容的目的。

圖1是本實(shí)用新型的電路示意圖；圖2是電壓檢測(cè)電路示意圖；圖3是多個(gè)串聯(lián)電容的限壓電路示意圖。
具體實(shí)施方式
參見圖1，本實(shí)用新型的電路中的第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2串接在電 源的正負(fù)極之間；第一電容Cl、第一電阻R4依次串接在第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻 R2的節(jié)點(diǎn)及PNP型晶體管Ql的基極之間；限流電阻R3和穩(wěn)壓管Dl依次串接在電源的正 負(fù)極之間，穩(wěn)壓管Dl的觸發(fā)極接至第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)；第二電阻 RlO和第二電容C2并接至PNP型晶體管Ql的基極和地之間；PNP型晶體管Ql的集電極接 電源正極，發(fā)射極通過第三電阻Rll接地；第五電阻R5串接在所述節(jié)點(diǎn)和PNP型晶體管Ql 的發(fā)射極之間；第四電阻R12串接在PNP型晶體管Ql的發(fā)射極和NPN型晶體管Q2的基極 之間；NPN型晶體管Q2的集電極通過第六電阻R15接電源正極，其發(fā)射極接地。本實(shí)用新型的電路中的穩(wěn)壓管Dl為電壓基準(zhǔn)(電壓基準(zhǔn)的電壓值根據(jù)欲保護(hù)的 電容SCl的額定電壓設(shè)定)，通過第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2來調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管Dl的 受壓值，若電源VCC的值通過第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2分壓后加于穩(wěn)壓管Dl上 的電壓仍然大于穩(wěn)壓管Dl的設(shè)定電壓值，則穩(wěn)壓管Dl泄流鉗位，PNP型晶體管Ql導(dǎo)通，控 制NPN型晶體管Q2導(dǎo)通，通過第六電阻R15泄放電源VCC上的電流，將穩(wěn)壓管Dl的電壓值 拉到設(shè)定值，從而起到保護(hù)電容SCl的作用。例如，要保護(hù)的電路耐壓為5V，而選擇的電壓基準(zhǔn)的閥值電壓為2.5V，則可以設(shè) 定第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2均選擇100ΚΩ，R1，R2選值不應(yīng)太小，以減小電路功 耗，并保護(hù)電壓基準(zhǔn)；限流電阻R3的選值以電壓基準(zhǔn)的額定工作電流為參考，一般選值在 幾百到幾千歐姆之間；C2選0. IuF或IuF防抖；晶體管Ql —般PNP管，如9012等；晶體管 Q2選大功率的NPN管，第六電阻R15最好選幾歐姆的大功率電阻，2到3瓦，可以可靠泄流。參見圖2，本實(shí)用新型的穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐芳措妷簷z測(cè)器電路由電壓檢測(cè)器和NPN型 晶體管Q3組成，利用該電路替換圖1中的穩(wěn)壓管即可見電壓檢測(cè)器的電源輸入端接至第 一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)，其電源輸出端接NPN型晶體管Q3的基極，其接 地端與NPN型晶體管Q3的發(fā)射極一起接電源負(fù)極；NPN型晶體管Q3的集電極接限流電阻 R3。參見圖3，本實(shí)用新型的電路，可以通過Pl和P2首位相接組成串聯(lián)電路的多節(jié)點(diǎn) 限壓電路，實(shí)現(xiàn)電路的平衡有效運(yùn)作，確保串聯(lián)的每個(gè)電容的安全。
權(quán)利要求一種均衡限壓電路，其特征在于該電路包括電源、穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐?、第一分壓電阻R1、第二分壓電阻R2、限流電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R4、PNP型晶體管Q1、NPN型晶體管Q2、第三電阻R11、第四電阻R12、第六電阻R15；所述第一分壓電阻R1和第二分壓電阻R2串接在電源的正負(fù)極之間；所述第一電容C1、第一電阻R4依次串接在第一分壓電阻R1和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)及PNP型晶體管Q1的基極之間；所述限流電阻R3和穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐芬来未釉陔娫吹恼?fù)極之間；所述PNP型晶體管Q1的集電極接電源正極，發(fā)射極通過第三電阻R11接地；所述第四電阻R12串接在PNP型晶體管Q1的發(fā)射極和NPN型晶體管Q2的基極之間；所述NPN型晶體管Q2的集電極通過第六電阻R15接電源正極，其發(fā)射極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均衡限壓電路，其特征在于該電路還包括第二電阻RlO和 第五電阻R5，其中，所述第二電阻RlO與第二電容C2并接在PNP型晶體管Ql的基極和地之 間；所述第五電阻R5串接在所述第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)及PNP型晶體 管Ql的發(fā)射極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的均衡限壓電路，其特征在于所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐肥欠€(wěn)壓 管Dl或電壓檢測(cè)器電路；所述穩(wěn)壓管Dl的觸發(fā)極接至第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)，其負(fù)極和限 流電阻R3相接，其正極接電源負(fù)極；所述電壓檢測(cè)電路由電壓檢測(cè)器和NPN型晶體管Q3組成，電壓檢測(cè)器的電源輸入端接 至第一分壓電阻Rl和第二分壓電阻R2的節(jié)點(diǎn)，其電源輸出端接NPN型晶體管Q3的基極， 其接地端與NPN型晶體管Q3的發(fā)射極一起接電源負(fù)極；NPN型晶體管Q3的集電極接限流 電阻R3。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種均衡限壓電路，包括電源、穩(wěn)壓?jiǎn)卧娐?、第一分壓電阻R1、第二分壓電阻R2、限流電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R4、PNP型晶體管Q1、NPN型晶體管Q2、第三電阻R11、第四電阻R12、第六電阻R15；該電路，能夠根據(jù)與保護(hù)的電容的安全電壓設(shè)定其基準(zhǔn)電壓，并通過穩(wěn)壓管D1在輸入電壓高于基準(zhǔn)電壓時(shí)泄流鉗位，并通過導(dǎo)通NPN型晶體管Q2，使其及時(shí)分流，從而起到保護(hù)電容的目的。
文檔編號(hào)H02J15/00GK201570913SQ20092024541
公開日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2009年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月24日
發(fā)明者劉升, 張玉東 申請(qǐng)人:西安奇維測(cè)控科技有限公司