專利名稱：利用磁場觸發(fā)的超導限流器的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種磁場觸發(fā)的超導限流器部件，其中，所述超導體元件插入到線圈 中并與該線圈并聯(lián)。
背景技術(shù)：
基于高溫超導體(HTS)的限流器尤其對于供電系統(tǒng)的安全系統(tǒng)具有很大的益處， 尤其是對于高壓電網(wǎng)，這是由于例如在短路時可以它們能夠防止不均衡大地電流尖脈沖， 否則后者會導致設備損壞。高溫超導體通過在電流尖脈沖情況下減小設備所承受的負載而為優(yōu)化供電系統(tǒng) 提供新的措施。在超導狀態(tài)下，超導體特性類似于零損耗的導電體。如果出現(xiàn)如下的情形，所有超導材料會突然損失其超導性能，即超過a)臨界溫度(Tc)；b)臨界磁場(He)；或c)臨界電流密度(Ic)或者d)如果這些情形中的兩個或三個情形同時出現(xiàn)。電阻限流器利用這些特性只要在超導體任何位置(point)處的電流密度超過臨 界值，所述超導體就離開其超導狀態(tài)而變成普通導電狀態(tài)，結(jié)果，限制了電流。從超導狀態(tài) 到普通導電狀態(tài)的轉(zhuǎn)變通常稱作“失超(quenching)”。在系統(tǒng)出現(xiàn)故障后，當電流再次達 到其通常值時，超導體返回到超導狀態(tài)并且為隨后的使用做好準備。但是，實際上，制造超導體部件的超導體材料在整個部件上并非是均勻的。這種非 均勻性意味著前述特性，如臨界電流密度，會在不部件的不同區(qū)域有所不同。結(jié)果在于在出 現(xiàn)故障的情況下，一些區(qū)域已經(jīng)失超，即變成普通導電狀態(tài)，而其他區(qū)域仍處于超導狀態(tài)。 由于仍處于超導狀態(tài)的這些區(qū)域，使得大電流流過該部件，導致已經(jīng)處于普通導電狀態(tài)的 區(qū)域內(nèi)的溫度升高很大。這種很大的溫度升高導致這些區(qū)域熔化。因此，為了防止超導體 部件損壞或破壞，失超過程需要盡可能均勻和快速地進行，使得在足以防止熔化的充分短 的時間內(nèi)，超導體部件作為整體轉(zhuǎn)變成普通導電狀態(tài)。存在各種方法來為將超導體部件均勻且快速轉(zhuǎn)變成普通導電狀態(tài)提供支持。因此，將一層普通導電的材料，如銀，沿著高溫超導體部件的縱向長度施加到高溫 超導體部件的表面上的方法是已知的，所述層與高溫超導體材料在該超導體材料的整個長 度上電接觸。在限流的情況下如果超導體部件的區(qū)域開始失超，電流和熱量被傳導到該分 路(shunt)，并且通過后者耗散。這種傳導和耗散防止超導體部件熔化。根據(jù)如EP1524748A1中描述的另一個原理，該專利文件的整個內(nèi)容引用于此，限 流器包括圓柱形的高溫超導體部件。圍繞該高溫超導體部件，包含普通導電材料，如銅或銀 的線圈，螺旋纏繞，并且相對于高溫超導體部件的縱軸線同軸。普通導電線圈在HTS部件的 兩端處通過電觸點與HTS部件電并聯(lián)。不同于上面描述的方法中的情形，在這種情況下，線圈僅僅物理纏繞高溫超導體部件，沿著其整個長度沒有電接觸。這樣，一旦超導體部件一個位置處的電流密度超過臨界值且所述超導體部件局部離開其超導狀態(tài)，電流被分流到所并聯(lián)的線圈。電流在線圈中的流動產(chǎn)生磁場，該磁場立即 迫使高溫超導體部件在其整個長度上成為普通導電狀態(tài)，從而加速失超過程和限制電流。 這個效應稱作“磁場觸發(fā)”。在這種情況下，失超過程的速度取決于磁場由線圈建立的速度以及磁場的大小。因此，為了能夠獲得盡可能快的失超過程，希望獲得一種能夠快速產(chǎn)生盡可能大 的磁場的利用磁場觸發(fā)的限流器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明借助于具有管狀超導體元件的超導體限流器部件實現(xiàn)了這個目的，所述管 狀超導體元件與導電材料的線圈電并聯(lián)，其中，所述管狀超導體元件具有第一端和第二端， 所述線圈繞組在軸向上在所述超導體元件的第一端和第二端之間沿周邊在超導體元件的 外側(cè)表面和內(nèi)側(cè)表面上交替地延伸。根據(jù)本發(fā)明，線圈的各個匝沿著超導體元件的縱向長度在第一端和第二端之間延 伸，使得各個匝沿著縱軸的方向包圍外側(cè)和內(nèi)側(cè)上的側(cè)表面。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，基于本發(fā)明的纏繞類型被稱為方位角纏繞(azimuthal)。
根據(jù)本發(fā)明使用的管狀超導體元件具有管狀橫截面，該管狀橫截面具有中空的內(nèi) 部。超導體元件可以具有任何所需的管狀或筒狀形狀。原則上，可以具有任何理想的基本形狀，該適當?shù)幕拘螤畹睦影▓A形、橢圓 形和多邊形基本形狀?；诒景l(fā)明的一個優(yōu)先選擇是超導體元件具有圓形基本形狀的管狀形狀或筒狀 形狀。該圓柱或管也可以與理想的圓形基本形狀有所偏離。取決于特定設備的需求，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個限流器可以彼此電并聯(lián)和/或 電串聯(lián)。根據(jù)進一步實施方式，根據(jù)本發(fā)明的方位角纏繞線圈可以在兩個或多個超導體元 件上延伸，其中，它從第一超導體元件的第一端延伸到最后一個超導體元件的第二端，并且 分別電連接到第一超導體元件的第一端以及最后一個超導體元件的第二端。由線圈纏繞的 管狀超導體元件彼此電串聯(lián)。在管狀超導體元件中線圈需要從側(cè)表面的一側(cè)偏轉(zhuǎn)到另一側(cè)(也稱為偏轉(zhuǎn)點)的 區(qū)域中，具有通孔，線圈導線可以通過通孔從一側(cè)穿到另一側(cè)。優(yōu)選地是，通孔圍繞周邊規(guī)則地布置在超導體元件上的相同高度上。根據(jù)進一步實施方式，至少線圈和管狀超導體元件的側(cè)表面在它們之間以公知方 式具有絕緣層。同樣，通孔的內(nèi)表面可以設置有薄絕緣層。原則上，本發(fā)明可以用于所有超導材料。尤其適用于高溫超導材料，該高溫超導材料通常臨界溫度(Tc)高于液氮溫度。這些材料的實例是基于鉍、釔、鉈和汞的高溫超導陶瓷氧化物，如 Bi2Sr2Ca1Cu2Oy (BSCC0 2212)、Bi2Sr2Ca2Cu3Oy (BSCC0 2223)、Y1Ba2Cu3Oy (YBC0 123)、 Tl2Ba2Ca2Cu3OyJl1Ba2Ca2Cu3OpHg1Ba2Ca2Cu3Oy 和 Hg1Ba2Ca1Cu2Oy，其中 y 是在具有超導特性的 各個陶瓷氧化物中氧的含量。
本發(fā)明的特定優(yōu)先選擇是BSCCO和YBCO類型的超導材料。BSCCO類型的優(yōu)選超導 體材料是例如BSCCO 2212和BSCCO 2223。為了改進特性，上述化合物可以用其他元素摻雜或替代。例如，在BSCCO中，一部 分鉍可以用鉛替代[(Pb-) BiJ-Sr-Ca-Cu-O和/或Sr可以部分用鋇替代。另外，根據(jù)需要，HTS材料可以包含一種或多種適當?shù)幕衔?，如，堿土金屬的硫酸 鹽，如具有高熔點的硫酸鹽，例如BaS04、SrSO4和/或BaSr (SO4) 2。管狀超導體元件可以是包含超導體材料的實心本體。它可以由超導體材料的薄層形成，其 中，適當?shù)墓軤钪渭谄鋬?nèi)側(cè)和外側(cè)以公 知的方式涂敷有超導體材料。


下面，利用優(yōu)選實施方式參照附圖更詳細描述本發(fā)明，圖中圖Ia示意性示出穿過具有同軸纏繞線圈的已知限流器的縱截面圖；圖Ib示意性示出穿過具有同軸線圈繞組的圖Ia所示的已知限流器的橫截面圖；圖2a示意性示出穿過根據(jù)本發(fā)明的具有方位角線圈繞組的限流器的縱截面圖；圖2b示意性示出穿過圖2A所示的根據(jù)本發(fā)明的限流器的橫截面圖；以及圖3示意性示出穿過根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的縱截面圖。附圖標記列表1第一管狀超導體元件2傳統(tǒng)同軸纏繞線圈3根據(jù)本發(fā)明的方位角纏繞線圈4電觸點5偏轉(zhuǎn)點6磁場的方向7補償管
具體實施例方式在圖Ia和2a中，管狀超導體元件由1標識，而線圈由2 (現(xiàn)有技術(shù))或3 (根據(jù)本 發(fā)明)標識。另外，如通常已知的那樣，超導體元件1的端部具有相應的電觸點4，由此，超導體 元件1可以電連接到電網(wǎng)或者連接到另一限流器元件。電觸點4包括作為普通電導體的材料，通常是諸如銅、銀的金屬或者這些金屬的 合金。用于電觸點4的適當材料以及它們的安裝方法是普遍公知的并且頻繁描述到。線圈2和3基本上在超導體元件的整個長度上在電觸點4之間延伸，但是，根據(jù)本 發(fā)明的線圈3的纏繞方向基本上與線圈2的纏繞方向成直角延伸。優(yōu)選地是，如圖2a所示，線圈3的偏轉(zhuǎn)點5位于電觸點4的區(qū)域內(nèi)或者位于第一 管狀元件1內(nèi)正好鄰近電觸點4的邊緣。線圈2、3的相應端部電連接到電觸點4，使得線圈2、3與超導體元件1電并聯(lián)。線圈2、3本身與超導體元件1的表面并不電接觸，而是物理上圍繞其纏繞。這意味著在線圈表面和超導體元件1的表面之間沒有電接觸，因此沒有電流流過。根據(jù)本發(fā)明的線圈3可以包括與線圈2相同的材料。它可以包括普通導電材料， 如金屬，或者超導體材料。適當?shù)牟牧鲜倾~、銅合金、鋼等。包括超導材料的線圈的實例是帶狀超導體，例如， 包含BS CCO材料或包含YBCO材料薄層。如果線圈包括超導材料，為了防止在線圈中過早電流流動，它應該設置充分高的 接觸電阻。線圈導線可以為任何適當?shù)臋M截面形狀，而圓形或者方形橫截面形狀如帶狀形狀 是優(yōu)選的。如同在傳統(tǒng)同軸纏繞線圈的情況中，對于根據(jù)本發(fā)明的線圈，匝數(shù)和節(jié)距并非特 別關(guān)鍵。根據(jù)用途不同，可以改變線圈的匝數(shù)，這可以由本領域技術(shù)人員輕易確定。但是，為了快速和均勻失超，已經(jīng)證明盡可能大的超導體區(qū)域被線圈繞組所圍繞 是有效的。優(yōu)選地是，至少90%的側(cè)表面、特別優(yōu)選的是95%的側(cè)表面、且尤其是100%的側(cè)
表面被線圈圍繞。線圈建立磁場的速度基本上受到流過線圈的電流的影響。因此，電流流過線圈應 該盡可能快地發(fā)生并且電流盡可能大。被每個匝所圍繞的側(cè)表面并因此超導體元件應該盡可能大。優(yōu)選地是，線圈盡可 能緊地纏繞超導體本體。優(yōu)選地是，線圈靠在超導體元件的表面上。在這種情況下，可以設 置絕緣層，以避免超導體元件和線圈之間短路。方位纏繞的效果在于與傳統(tǒng)線圈2相比，根據(jù)本發(fā)明的線圈3每單位面積包圍更 大的超導體面積。如下面計算所演示的，通過根據(jù)本發(fā)明的線圈可以獲得明顯更大的磁場。為了計算，假設在兩個實施方式中的線圈2、3具有相同的電感、于是在線圈2、3中 存在相同的電流。因此，當I1 = I2(線圈電流)知=L2(電感)時兩個線圈都包含銅。
圖例 L1:已知線圈的電感L2:根據(jù)本發(fā)明的線圈的電感(在Ll =L2時)I1 已知線圈的長度260mmI2 根據(jù)本發(fā)明的線圈的長度270_Γι 已知線圈的平均直徑67mmr2 根據(jù)本發(fā)明的線圈的平均直徑46mmd 根據(jù)本發(fā)明的線圈的厚度結(jié)果表明在兩個線圈具有相同的電感的情況下，根據(jù)本發(fā)明的線圈能夠用于獲 得幾乎兩倍大的磁場。相同的電感意味著在相同的時間內(nèi)建立磁場。鑒于上面的結(jié)果，這意味著在根據(jù) 本發(fā)明的線圈的電感減小時，可以在更短的時間內(nèi)獲得與同軸線圈相同大小的磁場。鑒于根據(jù)本發(fā)明的一項改進，限流器部件包括第二管狀超導體元件7，該第二管狀 超導體元件7圍繞具有方位纏繞線圈的第一管狀超導體元件1。也稱為補償管的第二管狀 超導體元件7優(yōu)選的在第一管狀超導體元件1的兩個觸點4之間的整個長度上延伸。圖3示意性示出這個改進的結(jié)構(gòu)。超導體元件1的方位線圈3已經(jīng)被省略，以提 供更好的觀察。補償管7可以用于減小AC損耗，并改進限流器部件的載流容量。AC損耗的原因為在AC操作過程中，在載流超導體元件內(nèi)形成的磁場變化。這個磁 場越大，AC損耗越大。在正常工作期間，第一管狀超導體元件1的磁場在補償管7中產(chǎn)生與第一管狀超 導體元件1的磁場相對應的電壓或電流。在補償管7中感應的電壓(或感應電流)其本身 (for its part)產(chǎn)生磁場，這個磁場與第一管狀超導體元件1的磁場相反，由此補償或減小 在第一管狀超導體元件1內(nèi)的磁場。第一管狀超導體元件1的磁場越小，AC損耗越小。補償管可以由與第一管狀超導體元件相同的超導材料制成，但是它也可以用不同 的材料。對于第一管狀超導體元件，適當?shù)母邷爻瑢w材料與上面列出的相同。基本上在補償管內(nèi)流動的電流不會超過補償管的載流容量Ic。超導體材料的載流容量Ic所取決的因素本身是公知的，該因素的例子是特定的 超導材料本身、管的壁厚、工作溫度和圍繞磁場。優(yōu)選地是，補償管的載流容量大于第一超 導體元件的載流容量。影響補償管的磁場強度的因素例如是第一管狀超導體元件的磁場的大小和第一 管狀超導體元件的橫截面積大小Al及補償管的橫截面積大小A2。如同第一管狀超導體元件，原則上，補償管可以具有任何理想的形狀，如圓形的、 橢圓形的或者多邊形的基本形狀。
優(yōu)選地是，其具有與第一管狀超導體元件相同的基本形狀。圓筒形或基本上圓筒形的基本形狀是優(yōu)選的。如同第一管狀超導體元件，補償管可以在形狀和角度上具有差異，尤其是在與圓柱的圓度偏離方面、或者是在與圓柱的軸線 與用來確定圓柱的角度的平面的直角偏離方面。補償管固定到位的方式本身并不是關(guān)鍵，而是可以采用任何理想的方式。作為例子，補償管可以連接到固定器，具有方位線圈角度的第一管狀超導體元件 也安裝在使用它的設備中。在第一管狀超導體元件和補償管之間沒有電連接。第一管狀超導體元件和補償管之間的間隔原則上可以包含任何理想的不導電介
質(zhì)或真空。有利地是，這個間隔包含與冷卻設備所用的相同的冷卻裝置，通常是液氮。有利地是，所述介質(zhì)應選擇成其滲透性μ是1或者大約是1。下面的文字將更詳細解釋補償管如何工作。在圖3中，超導體元件1的磁場B1的方向由向上指向的箭頭示出，而補償管7的 磁場B2的方向由向下指向的箭頭示出。在超導體元件1的內(nèi)側(cè)的磁通量O1作為B1 -A1獲得，而管7內(nèi)側(cè)的磁通量Φ2作 為化· A2獲得?？紤]到管7的超導特性，管7的內(nèi)側(cè)與超導體元件1的總磁通量φ8總是零。以下成立Og = B1 · A1+B2 · A2 = O或者B1 · A1 = B2 · A2其中Φ8是總磁通量(①和Φ2)B1是超導體元件的磁場(補償后)A1是超導體元件的內(nèi)橫截面積B2是補償管的磁場A2是補償管的內(nèi)橫截面積對于大小相同但方向相反的磁場B1和B2,它遵從上面的方程，S卩，磁通量的完全補 償需要超導體元件1的內(nèi)橫截面積A1等于補償管7的內(nèi)橫截面積Α2。為了形成這種理想 情況，超導體元件1和補償管7需要具有無限薄的壁厚并且一個直接位于另一個上。實際上，如圖3所示，超導體元件的內(nèi)徑T1小于補償管7的內(nèi)徑r2 (包括超導體元 件的壁厚)。如果在這種情況下磁場&和化具有相同的絕對值，那么雖然完全補償超導體元件 1內(nèi)側(cè)的磁場B1，在由巧-巧所限定的補償管7內(nèi)側(cè)的環(huán)形圍繞區(qū)域中仍然存在磁場B2和磁 通量 Φ，且 在AC模式下，這個未補償?shù)拇艌鯞2將自身部分導致AC損失，該AC損失與由未補 償?shù)拇艌鯞1所產(chǎn)生的AC損失具有相同的大小量級。結(jié)果，AC損失沒有減小。
但是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，AC損耗與磁場不成正比，而是成指數(shù)增長，為&，其中n> 1。指 數(shù)η的大小取決于特定超導體材料并且通常是3的數(shù)量級。基于η > 1并尤其是η 3的指數(shù)相關(guān)性，因此，磁場相對小的減弱就已經(jīng)導致不 成比例地高的AC損耗降低，η越大，AC損耗的降低越明顯。換句話說，對于磁場B1給定的減小，η越大，在AC損耗中所獲得的降低越高，其中， AC損耗的絕對值成指數(shù)降低。原則上，在超導體元件1內(nèi)的磁場B1可以被控制在幾乎完全補償?shù)拇蠹s0值和未 補償?shù)淖畲笾抵g。使用實際情況的補償處于這兩個末端之間。如所述，因此對于磁場B1 的完全補償是不可能的，并且由于A1 = A2不實際，因此，本發(fā)明包含最優(yōu)性能，該最優(yōu)性能 也將在管7和超導體元件1之間的環(huán)形間隙中的磁場B2考慮在內(nèi)。因此，實際獲得的補償 對于相應的各種情況而有所變化。本發(fā)明的一個重要的先決條件為補償管7具有超導特性，并因此在沒有電流流過 線圈的正常工作中，沒有電阻或者電阻變?yōu)榱恪?
為了本發(fā)明的安排和設計，這意味著在補償管7內(nèi)感應的電流不能超過管7的載 流容量Ic。例如，影響磁場B2的強度的因素是超導體元件的磁場大小以及橫截面積A1和A2的 大小。因此，通過調(diào)節(jié)補償管7的橫截面積A2，本發(fā)明使得對于給定橫截面積A1以及給 定的超導體元件1的磁場B1, AC損耗的降低最佳。下面，利用具有圓形橫截面積的超導部件的例子，來更詳細解釋本發(fā)明所實現(xiàn)的 超導體元件1中的AC損耗降低的優(yōu)化。根據(jù)這個實施方式，這是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，超導體元件1的磁場B1減 小 50%。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，對于磁場B1中減小50%，考慮到AC電流損耗對磁場強度的相關(guān)性，可 以獲得最優(yōu)的AC損耗降低。倘若 且B1 (被補償?shù)?=B2對于圓形橫截面積A1和A2,以下成立 由此得到為了減小超導體元件1內(nèi)側(cè)的磁場50%，橫截面積A2需要為超導體元 件的橫截面積A1的兩倍大小。
這個結(jié)果與超導體元件1和管7的橫截面的形狀相關(guān)，并因此也可以應用到其形狀不同于圓形形狀的橫截面，如橢圓形、正方形、多邊形等形狀?；贏C損耗對磁場的相關(guān)性，其中Βη(η>1)，在總的損耗中導致不成比例高的降 低。上面的實施方式表明在超導體元件內(nèi)側(cè)和外側(cè)的合成磁場以及由其獲得的AC損 耗中的降低可以通過調(diào)節(jié)補償管7的橫截面積A2來控制。補償管7應該在整個超導體元件本體上在電觸點4之間延伸。補償管7也可以完全或局部在一個或兩個電觸點4上延伸。如果兩個電觸點4之間的區(qū)域沒有被補償管7包圍，例如，如果補償管7完全沒有 在兩個電觸點4之間延伸，沒有被補償管7包圍的這些線圈區(qū)域?qū)⒂龅紸C損耗，這會導致 加熱并尤其導致所述區(qū)域的載流容量Ic降低。通常，限流器必須能夠承載高于設備額定電流的電流特定時間那么長，這被已知 為過電流。包括在限流器內(nèi)的超導部件也需要針對該過電流設計。對于目前的超導體元件， 這意味著不僅過電流本身而且它所產(chǎn)生的磁場都要被考慮在內(nèi)。這個磁場減小超導體元件 的超導特性，這又對其設計帶來直接影響。根據(jù)本發(fā)明的具有補償管的改進的進一步優(yōu)點在于補償管減小了超導體元件的 磁場，并因此，可以增加超導體元件的載流容量。對于給定的超導體元件，因此帶有補償管 的超導體元件與不帶有補償管的相比具有更大的載流容量。因此，可以表明補償管能夠用 于使得超導體部件承載過電流的時間加倍。結(jié)果，可以表明具有補償管的超導體元件不僅具有降低的AC損耗，而且同時呈現(xiàn) 出改進的增大的載流容量。補償管帶來的AC損耗的降低也對超導設施所需的冷卻容量帶來直接影響。AC損 耗的降低和相關(guān)的溫升的降低意味著對設備的冷卻容量的需求減小。結(jié)果，不僅可以減小 例如適當?shù)睦鋮s設備的購置成本，而且同時也減少設備的操作成本。由此，補償管的改進是本發(fā)明的限流器部件之外的一個構(gòu)思，本發(fā)明的限流器部 件帶有超導體元件，該超導體元件具有方位角纏繞的線圈。在正常工作過程中，補償管促進AC損耗的降低。在發(fā)生故障的情況下，線圈的方 位角效應有助于超導體部件的失超。
權(quán)利要求
一種超導限流器部件，具有第一管狀超導體元件(1)，該超導體元件與導電材料的線圈(3)電并聯(lián)，其中，第一管狀超導體元件(1)具有第一和第二端，線圈繞組在軸向上在第一管狀超導體元件(1)的第一端和第二端之間在超導體元件(1)的外側(cè)表面和內(nèi)側(cè)表面上交替地延伸并且繞著超導體元件(1)的周邊延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的超導限流器部件，其中，第一管狀超導體元件⑴在線圈(3)從 一個側(cè)表面向另一個側(cè)表面偏轉(zhuǎn)的位置處具有通孔(5)，線圈(3)通過該通孔延伸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的超導限流器部件，其中，第一管狀超導體元件(1)在端部具 有電觸點(4)，該線圈(3)分別在電觸點(4)的區(qū)域內(nèi)偏轉(zhuǎn)。
4.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，用于偏轉(zhuǎn)線圈(3)的通孔 (5)圍繞第一管狀超導體元件(1)的周邊規(guī)則地布置在相同高度處。
5.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，所述線圈繞組為使得超過 90%的第一管狀超導體元件(1)的側(cè)表面被線圈(3)圍繞。
6.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，所述外側(cè)表面和內(nèi)側(cè)表面 設置有絕緣材料層，所述線圈(3)直接靠在所述絕緣材料上。
7.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，所述線圈(3)包括從金屬 和超導體材料中選擇的材料。
8.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，所述第一管狀超導體元件 (1)與線圈(3) —起定位在第二管狀超導體元件(7)內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的超導限流器部件，其中，所述第二管狀超導體元件(7)至少在 第一管狀超導體元件(1)的整個長度上、在第一管狀超導體元件的第一端和第二端之間延 伸。
10.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，第一管狀超導體元件(1) 是包括超導體材料的實心元件，或者第一管狀超導體元件(1)是由管狀支撐件形成，在該 管狀支撐件的外側(cè)表面和內(nèi)側(cè)表面上設置有超導體材料薄層。
11.如權(quán)利要求8到10中任一項所述的超導限流器部件，其中，所述第二管狀超導體元 件(7)是包括超導體材料的實心元件，或者第二管狀超導體元件(7)是由管狀支撐件形成， 在該管狀支撐件的外側(cè)表面和內(nèi)側(cè)表面具有施加于其上的超導體材料薄層。
12.如上述權(quán)利要求中任一項所述的超導限流器部件，其中，超導體材料是高溫超導陶 瓷氧化物。
13.如權(quán)利要求12所述的超導限流器部件，其中，所述高溫超導陶瓷氧化物是從BSCC0 和YBC0類型的超導體材料中選出的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用磁場觸發(fā)的超導限流器部件，其具有管狀超導體元件(1)，該元件與觸發(fā)線圈(3)并聯(lián)，其中，觸發(fā)線圈從管狀超導體元件(1)的第一端在管狀超導體元件(1)的側(cè)表面的一側(cè)上沿著管狀超導體元件(1)的第二端的方向延伸，在該點向側(cè)表面的另一側(cè)偏轉(zhuǎn)，并且在第一端的方向上延伸回來，如此反復。
文檔編號H02H9/02GK101841152SQ20101014374
公開日2010年9月22日 申請日期2010年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者瑟奇耶·貝默特, 羅伯特·杜默克 申請人:尼克桑斯公司