專利名稱：一種推挽變換器及推挽拓?fù)鋖ed驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于照明電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種推挽變換器及推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的推挽變換器包括一個高頻推挽變壓器Tl、開關(guān)管Ql和開關(guān)管Q2，另外，還包括由電容Cl、電阻Rl、二極管Dl和電容C2、電阻R2、二極管D2分別組成的兩個RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，用以減小開關(guān)管關(guān)斷瞬間高頻推挽變壓器Tl漏感造成的電壓尖峰。但是，現(xiàn)有的推挽變換器的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)會將高頻推挽變壓器Tl漏感儲存的能量通過阻尼振蕩的方式消耗掉，使得電源整體的電氣效率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種推挽變換器，旨在解決現(xiàn)有的推挽變換器中的 RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)存在會將高頻推挽變壓器漏感儲存的能量通過阻尼振蕩的方式消耗掉，使得電源整體的電氣效率較低的問題。本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種推挽變換器，所述推挽變換器包括MOS管Q1、 MOS管Q2和高頻推挽變壓器，所述高頻推挽變壓器的初級繞組的第一端和第三端分別接 MOS管Ql的漏極和MOS管Q2的漏極，所述MOS管Ql的源極和MOS管Q2的源極分別接地， 所述高頻推挽變壓器的初級繞組的第二端接電源輸入端，所述推挽變換器還包括分別與所述MOS管Ql的漏極、MOS管Q2的漏極以及電源輸入端連接，用于去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時產(chǎn)生的漏感尖峰的漏感尖峰鉗位電路。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路，所述推挽拓?fù)?LED驅(qū)動電路包括如上述的推挽變換器、整流電路、濾波電感以及恒流芯片，所述高頻推挽變壓器的次級繞組的第一端和第三端分別接整流電路的輸入端，所述整流電路的輸出端通過濾波電感接恒流芯片的輸入端，所述恒流芯片的輸出端接LED負(fù)載的陽極，所述高頻推挽變壓器的次級繞組的第二端接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，推挽變換器能有效去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管 Q2關(guān)斷瞬間時產(chǎn)生的漏感尖峰，同時將高頻推挽變壓器漏感儲存的能量反饋到輸入電源， 相比傳統(tǒng)的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，其電氣效率更高，并且成本也更低。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽變換器的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的MOS管Ql、MOS管Q2和MOS管Q3的驅(qū)動波形圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽變換器的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。推挽變換器包括MOS管Q1、M0S管Q2和高頻推挽變壓器Tl，高頻推挽變壓器Tl的初級繞組的第一端1和第三端3分別接MOS管Ql的漏極和MOS管Q2的漏極，MOS管Ql的源極和MOS管Q2的源極分別接地，高頻推挽變壓器Tl的初級繞組的第二端2接電源輸入端Vin，推挽變換器還包括分別與MOS管Ql的漏極、MOS管Q2的漏極以及電源輸入端Vin連接，用于去掉高頻推挽變壓器Tl在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時產(chǎn)生的漏感尖峰的漏感尖峰鉗位電路10。作為本發(fā)明一實(shí)施例，漏感尖峰鉗位電路10包括二極管 D1、二極管 D2 和 MOS 管 Q3 ；二極管Dl的陽極接MOS管Ql的漏極，二極管Dl的陰極接二極管D2的陰極，二極管D2的陽極接MOS管Q2的漏極，MOS管Q3的漏極同時接二極管Dl和二極管D2的陰極， MOS管Q3的源極接電源輸入端Vin。作為本發(fā)明一實(shí)施例，推挽變換器還包括驅(qū)動芯片U1，驅(qū)動芯片Ul的三個輸出端分別接MOS管Ql、MOS管Q2和MOS管Q3的柵極。圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的MOS管Q1、M0S管Q2和MOS管Q3的驅(qū)動波形圖。圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。本發(fā)明實(shí)施例還提供一推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路，推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路包括上述的推挽變換器、整流電路20、濾波電感Ll以及恒流芯片U2，高頻推挽變壓器Tl的次級繞組的第一端1和第三端3分別接整流電路20的輸入端，整流電路20的輸出端通過濾波電感 Ll接恒流芯片U2的輸入端，恒流芯片U2的輸出端接LED負(fù)載的陽極，高頻推挽變壓器Tl 的次級繞組的第二端2接地。其工作原理為在MOS管Ql或MOS管Q2導(dǎo)通時，能量由高頻推挽變壓器Tl的初級耦合到次級， 當(dāng)MOS管Ql柵極信號由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，此時MOS管Q2也還截止，即死區(qū)處MOS管 QU MOS管Q2都不導(dǎo)通，高頻推挽變壓器Tl初級上半部分由于和次級耦合的原因，能量僅在MOS管Ql導(dǎo)通時向次級傳遞能量，到MOS管Ql截止時，高頻推挽變壓器Tl初級上半部分上端的電位已恢復(fù)到輸入電壓；隨著MOS管Ql由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止，由于流過電感的電流不能突變，那么高頻推挽變壓器Tl初級繞組兩端勢必會產(chǎn)生很高的反向電動勢來阻礙電流的減??；由于高頻推挽變壓器Tl的初級繞組產(chǎn)生的磁力線有一部門沒有經(jīng)過磁芯耦合到次級繞組，而是直接經(jīng)空氣返回到初級繞組，這部門磁力線就是漏磁，即變壓器的漏感；MOS 管Ql關(guān)斷時由漏感產(chǎn)生的反向電動勢由于沒有耦合到次級，將會施加到MOS管Ql和MOS管 Q2上，如果MOS管Ql和MOS管Q2未加保護(hù)就勢必會被高壓擊穿損壞，本發(fā)明如圖3所示， 在MOS管Ql和MOS管Q2的漏極和電源正極之間加入了一個二極管D1、二極管D2和MOS管Q3，這樣在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間讓MOS管Q3導(dǎo)通，就可以將MOS管Ql或MOS管 Q2的漏極電壓鉗制在輸入電壓上(二極管和MOS管的導(dǎo)通壓降很低，可忽略)，避免了 MOS 管Ql，MOS管Q2由于高壓而被擊穿，這就是二極管D1、二極管D2和MOS管Q3組成的漏感尖峰鉗位電路所起的鉗位作用；同時漏感儲存的能量又被回饋到輸入電源，減小了電路本身的損耗。在本發(fā)明實(shí)施例中，推挽變換器能有效去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管 Q2關(guān)斷瞬間時產(chǎn)生的漏感尖峰，同時將高頻推挽變壓器漏感儲存的能量反饋到輸入電源， 相比傳統(tǒng)的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，其電氣效率更高，并且成本也更低。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種推挽變換器，所述推挽變換器包括MOS管Ql、MOS管Q2和高頻推挽變壓器，所述高頻推挽變壓器的初級繞組的第一端和第三端分別接MOS管Ql的漏極和MOS管Q2的漏極，所述MOS管Ql的源極和MOS管Q2的源極分別接地，所述高頻推挽變壓器的初級繞組的第二端接電源輸入端，其特征在于，所述推挽變換器還包括分別與所述MOS管Ql的漏極、MOS管Q2的漏極以及電源輸入端連接，用于去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時產(chǎn)生的漏感尖峰的漏感尖峰鉗位電路。
2.如權(quán)利要求1所述的推挽變換器，其特征在于，所述漏感尖峰鉗位電路包括二極管Dl、二極管D2和MOS管Q3 ；所述二極管Dl的陽極接MOS管Ql的漏極，所述二極管Dl的陰極接二極管D2的陰極， 所述二極管D2的陽極接MOS管Q2的漏極，所述MOS管Q3的漏極同時接二極管Dl和二極管D2的陰極，所述MOS管Q3的源極接電源輸入端。
3.如權(quán)利要求2所述的推挽變換器，其特征在于，所述推挽變換器還包括驅(qū)動芯片，所述驅(qū)動芯片的三個輸出端分別接MOS管Ql、MOS管Q2和MOS管Q3的柵極。
4.一種推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路，其特征在于，所述推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的推挽變換器、整流電路、濾波電感以及恒流芯片，所述高頻推挽變壓器的次級繞組的第一端和第三端分別接整流電路的輸入端，所述整流電路的輸出端通過濾波電感接恒流芯片的輸入端，所述恒流芯片的輸出端接LED負(fù)載的陽極，所述高頻推挽變壓器的次級繞組的第二端接地。
全文摘要
本發(fā)明適用于照明電路技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種推挽變換器及推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動電路。在本發(fā)明中，推挽變換器能有效去掉高頻推挽變壓器在MOS管Q1或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時產(chǎn)生的漏感尖峰，同時將高頻推挽變壓器漏感儲存的能量反饋到輸入電源，相比傳統(tǒng)的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，其電氣效率更高，并且成本也更低。
文檔編號H02M7/48GK102480242SQ20101056446
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者周明杰, 邵賢輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司