專利名稱：一種自勵(lì)式可控飽和電抗器及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)送變電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種自勵(lì)式可控飽和電抗器及其 控制方法。
背景技術(shù)：
隨著電力系統(tǒng)的不斷發(fā)展，對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行要求越來越高，電能質(zhì)量的要求 也越來越高。串聯(lián)電抗器可限制短路電流；并聯(lián)電抗器可限制過電壓；電抗器與電容聯(lián)合 可構(gòu)成濾波電路；電抗器在電力系統(tǒng)的應(yīng)用是非常廣泛的。在一部分應(yīng)用領(lǐng)域，電抗器的電 抗值可以是固定的；在許多應(yīng)用領(lǐng)域，需要電抗值能隨著電力系統(tǒng)運(yùn)行方式的改變而改變。 近年來電抗值可以連續(xù)調(diào)節(jié)的可控電抗器的研究與應(yīng)用成為熱門課題。可控飽和電抗器是 可控電抗器的一種重要方式?？煽仫柡碗娍蛊魇抢蔑柡碗娍蛊麒F芯的飽和特性來改變電抗器的電抗值。已經(jīng) 有許多可控飽和電抗器被提出來，發(fā)明專利號(hào)為2006100476121的“自饋式可控電抗器” 和發(fā)明專利號(hào)為200810011902X的“一種自身取能的快速響應(yīng)可控電抗器”提出了兩種可 控飽和電抗器。中國(guó)水利水電出版社2008年出版蔡宣三，高越農(nóng)著《可控飽和電抗器原理、 設(shè)計(jì)與應(yīng)用》一書也對(duì)可控飽和電抗器作了總結(jié)。提出的各種可控飽和電抗器各具特色，但 是，這些可控飽和電抗器的直流電流控制回路復(fù)雜，電抗器的電抗值調(diào)節(jié)范圍較小、電抗器 的容量較小、功能單一。發(fā)明專利號(hào)為20111000120 的“一種可控飽和電抗器及其控制方法”提出了
一種一對(duì)反向并聯(lián)的晶閘管并聯(lián)于全橋整流電路的兩輸入端間；反向并聯(lián)的晶閘管導(dǎo)通 量小，可控飽和電抗器的電抗值小；反向并聯(lián)的晶閘管導(dǎo)通量大，可控飽和電抗器的電抗值 大，連續(xù)調(diào)節(jié)反向并聯(lián)的晶閘管導(dǎo)通量即可連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電抗器電抗值的方法。并且 具有控制器件耐壓很小、電抗器的電抗值調(diào)節(jié)范圍大、電抗器的容量大、功能多樣、安全性 較好的優(yōu)點(diǎn)。但是這種可控飽和電抗器及其控制方法仍然需要直流線圈，重量較重，損耗較 大，直流電流控制回路仍然不夠簡(jiǎn)單。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為解決上述問題，提供一種自勵(lì)式可控飽和電抗器及其控制方 法，它具有不需要直流線圈，重量較輕，損耗較小，電路結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種自勵(lì)式可控飽和電抗器，它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯；磁飽和電抗器鐵芯設(shè)有至少一個(gè)線圈Ll和至少一 個(gè)線圈L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端直接連接，并作為裝置的輸入端子；線圈Ll的 另一端串聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子；線圈L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管 D2后連接到輸出端子；正向二極管Dl的兩端并聯(lián)一只反向的晶閘管D3 ；反向二極管D2的兩端并聯(lián)一只反向的晶閘管D4;一個(gè)控制電路，控制電路的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接。一種自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯；磁飽和電抗器鐵芯設(shè)有至少一個(gè)線圈Ll和至少一 個(gè)線圈L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端直接連接，并作為裝置的輸入端子；線圈Ll的 另一端串聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子；線圈L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管 D2后連接到輸出端子；在線圈Ll和線圈L2的兩個(gè)輸出端間還并聯(lián)一對(duì)反向的晶閘管D3和晶閘管D4 ；一個(gè)控制電路，控制電路的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接。所述磁飽和電抗器鐵芯為日字型結(jié)構(gòu)，以中間鐵芯中線為軸，兩側(cè)對(duì)稱；中間鐵芯 與其中一側(cè)鐵芯形成磁通閉環(huán)，中間鐵芯與另一側(cè)鐵芯形成另一個(gè)磁通閉環(huán)；兩側(cè)鐵芯間 形成第三個(gè)磁通閉環(huán)；兩側(cè)鐵芯的截面積相等；中間鐵芯的截面積等于兩側(cè)鐵芯的截面積 之和；磁飽和電抗器鐵芯兩側(cè)分別安裝至少一個(gè)線圈Ll和至少一個(gè)線圈L2。所述磁飽和電抗器鐵芯3為四柱式鐵芯，四個(gè)柱子的截面積相等，四個(gè)柱子可相 互形成磁通閉合回路；在磁通閉合回路最短的中間二個(gè)柱子分別安裝至少一個(gè)線圈Ll和 至少一個(gè)線圈L2。所述磁飽和電抗器線圈Ll與線圈L3結(jié)構(gòu)、匝數(shù)相同。所述磁飽和電抗器線圈Li、L2的匝數(shù)與磁飽和電抗器鐵芯的鐵芯截面積和鐵芯 結(jié)構(gòu)，應(yīng)滿足磁飽和電抗器線圈Ll與L2并聯(lián)后兩端加工作電壓的條件下，線圈Ll和L2 流過正常勵(lì)磁電流。所述控制電路可以從0°至180°范圍連續(xù)控制晶閘管D3的導(dǎo)通量，控制電路向 晶閘管D3發(fā)觸發(fā)脈沖后的10毫秒即工頻180°也向晶閘管D4發(fā)觸發(fā)脈沖，使晶閘管D3和 晶閘管D4先后分別導(dǎo)通；晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角小時(shí)，晶閘管D3和晶閘管D4的 導(dǎo)通量大；晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角大時(shí)，晶閘管D3和晶閘管D4的導(dǎo)通量小。所述控制電路可以從0°至180°范圍連續(xù)控制晶閘管D4的導(dǎo)通量，控制電路向 晶閘管D4發(fā)觸發(fā)脈沖后的10毫秒即工頻180°也向晶閘管D3發(fā)觸發(fā)脈沖，使晶閘管D4和 晶閘管D3先后分別導(dǎo)通；晶閘管D4和晶閘管D3的觸發(fā)角小時(shí)，晶閘管D4和晶閘管D3的 導(dǎo)通量大；晶閘管D4和晶閘管D3的觸發(fā)角大時(shí)，晶閘管D4和晶閘管D3的導(dǎo)通量小。一種自勵(lì)式可控飽和電抗器的控制方法，控制電路通過控制晶閘管D3和晶閘管 D4的觸發(fā)角的大小，調(diào)節(jié)晶閘管D3和晶閘管D4導(dǎo)通程度的大小，從而連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電 抗器的電抗值；它的具體控制過程為當(dāng)控制電路觸發(fā)晶閘管D3和晶閘管D4全關(guān)斷；正半波電流流入線圈Ll經(jīng)串聯(lián)的 正向二極管Dl流到輸出端子，負(fù)半波電流不能在線圈Ll中流動(dòng)；負(fù)半波電流流入線圈L2 經(jīng)串聯(lián)的反向二極管D2流到輸出端子，正半波電流不能在線圈L2中流動(dòng)；線圈Ll與線圈 L2中電流的直流分量的比例有最大值；可控飽和電抗器線圈的電抗為裝置的最小值；當(dāng)控制電路逐步減小晶閘管的觸發(fā)角，晶閘管D3和晶閘管D4從全關(guān)斷狀態(tài)逐步 加大導(dǎo)通量，線圈Ll與線圈L2中電流的直流分量的比例逐漸減?。豢煽仫柡碗娍蛊骶€圈的 電抗值從裝置的最小值逐漸變大；
當(dāng)控制電路觸發(fā)晶閘管D5和晶閘管D6全導(dǎo)通，相當(dāng)于線圈Ll與線圈L2并聯(lián)；線 圈Ll與線圈L2中電流的直流分量為零；線圈Ll和L2流過正常勵(lì)磁電流，可控飽和電抗器 線圈的電抗為裝置的最大值。本發(fā)明的有益效果是它具有不需要直流線圈，重量較輕，損耗較小，電路結(jié)構(gòu)更 加簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。


圖1表示一種自勵(lì)式可控飽和電抗器結(jié)構(gòu)與連接方式；圖2表示自勵(lì)式可控飽和電抗器的另一種結(jié)構(gòu)與連接方式。圖3表示自勵(lì)式可控飽和電抗器的另一種結(jié)構(gòu)與連接方式。 其中，1.輸入端子，2.輸出端子，3.磁飽和電抗器鐵芯，4.控制電路。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。實(shí)施例1 一種自勵(lì)式可控飽和電抗器的結(jié)構(gòu)與連接方式如圖1所示。一個(gè)磁飽和電抗器鐵 芯3 ；磁飽和電抗器鐵芯3為日字型結(jié)構(gòu)；磁飽和電抗器鐵芯3兩側(cè)分別安裝線圈Ll和線 圈L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端連接，并作為裝置的輸入端子1 ；線圈Ll的另一端 串聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子2 ；線圈L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管D2后 連接到輸出端子2 ；與線圈Ll連接的二極管的兩端并聯(lián)一只與二極管反向的晶閘管D3 ；與線圈L2連 接的二極管的兩端并聯(lián)一只與二極管反向的晶閘管D4;—個(gè)控制電路4，控制電路4的輸出 分別與反向并聯(lián)的晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接。所述磁飽和電抗器鐵芯3日字型結(jié)構(gòu)以中間鐵芯中線為軸，兩側(cè)對(duì)稱；中間鐵芯 與其中一側(cè)鐵芯形成磁通閉環(huán)，中間鐵芯與另一側(cè)鐵芯形成另一個(gè)磁通閉環(huán)；兩側(cè)鐵芯形 成第三個(gè)磁通閉環(huán)；兩側(cè)鐵芯的截面積相等；中間鐵芯的截面積等于兩側(cè)鐵芯的截面積之 和。所述磁飽和電抗器線圈Ll與線圈L3結(jié)構(gòu)、匝數(shù)相同。所述磁飽和電抗器線圈Li、L2的匝數(shù)與磁飽和電抗器鐵芯的鐵芯截面積和鐵芯 結(jié)構(gòu)，應(yīng)滿足磁飽和電抗器線圈Ll與L2并聯(lián)后兩端加工作電壓的條件下，線圈Ll和L2 流過正常勵(lì)磁電流。所述晶閘管D3和晶閘管D4兩端為工頻電壓；可控飽和電抗器的控制電路4可從 0°至180°范圍連續(xù)控制晶閘管D3的導(dǎo)通量，控制電路4向晶閘管D3(也可先向晶閘管 D4發(fā)送出發(fā)脈沖，觸發(fā)順序都相應(yīng)改變即可)發(fā)觸發(fā)脈沖后的10毫秒即工頻180°也向晶 閘管D4發(fā)觸發(fā)脈沖，使晶閘管D3和晶閘管D4先后分別導(dǎo)通；晶閘管D3和晶閘管D4的觸 發(fā)角小時(shí)，晶閘管D3和晶閘管D4的導(dǎo)通量大；晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角大時(shí)，晶閘 管D3和晶閘管D4的導(dǎo)通量小。當(dāng)控制電路4觸發(fā)晶閘管D3和晶閘管D4全關(guān)斷；正半波電流流入線圈Ll經(jīng)串聯(lián) 的正向二極管Dl流到輸出端子2，負(fù)半波電流不能在線圈Ll中流動(dòng)；負(fù)半波電流流入線圈 L2經(jīng)串聯(lián)的反向二極管D2流到輸出端子2，正半波電流不能在線圈L2中流動(dòng)；流入裝置的交流電流，正半波電流從線圈Ll流動(dòng)，負(fù)半波電流從線圈L2流動(dòng)，從端子2流出的電流又 是完整的交流電流。正半波電流從線圈Ll流動(dòng)，所以，線圈Ll中有較大正方向的直流電流 分量和交流分量，負(fù)半波電流從線圈L2流動(dòng)，所以，線圈L2中有較大反方向的直流電流分 量和交流分量，且線圈Ll與線圈L2中電流的直流分量的比例有最大值。如果線圈Ll的同 名端與線圈L2的同名端連接，線圈Ll中正方向的直流電流在鐵芯產(chǎn)生的磁通由線圈Ll所 在的鐵芯柱經(jīng)日字型結(jié)構(gòu)鐵芯中間柱構(gòu)成閉合回路；線圈L2中反方向的直流電流在鐵芯 產(chǎn)生的磁通由線圈L2所在的鐵芯柱經(jīng)日字型結(jié)構(gòu)鐵芯中間柱構(gòu)成閉合回路。兩側(cè)鐵芯的 截面積相等，中間鐵芯的截面積等于兩側(cè)鐵芯的截面積之和；所以，線圈Ll和線圈L2所在 的鐵芯處于較深的飽和狀態(tài)。線圈Ll正半波電流中交流分量遇到的阻抗較小，線圈L2負(fù) 半波電流中交流分量遇到的阻抗較?。豢煽仫柡碗娍蛊骶€圈的電抗為裝置的最小值。當(dāng)控制電路4逐步減小晶閘管的觸發(fā)角，晶閘管D3和晶閘管D4從全關(guān)斷狀態(tài)逐 步加大導(dǎo)通量，線圈Ll與線圈L2中電流的直流分量的比例逐漸減?。豢煽仫柡碗娍蛊骶€圈 的電抗值從裝置的最小值逐漸變大；當(dāng)控制電路觸發(fā)晶閘管D3和晶閘管D4全導(dǎo)通，相當(dāng)于線圈Ll與線圈L2并聯(lián)；線 圈Ll與線圈L2中電流的直流分量為零；線圈Ll和L2流過正常勵(lì)磁電流，可控飽和電抗器 線圈的電抗為裝置的最大值。控制電路控制晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角的大小，調(diào)節(jié)晶閘管D3和晶閘管D4 導(dǎo)通程度的大小，從而連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電抗器的電抗值。如果線圈Ll的同名端與線圈L2的同名端連接，線圈Ll與線圈L2中的直流電流 分量在中間鐵芯與其中一側(cè)鐵芯形成直流磁通閉環(huán)，中間鐵芯與另一側(cè)鐵芯形成另一個(gè)直 流磁通閉環(huán)；線圈Ll與線圈L2中的交流電流分量在兩側(cè)鐵芯形成第三個(gè)交流磁通閉環(huán)； 第三個(gè)交流磁通閉環(huán)同時(shí)流過線圈Ll與線圈L2，有益效果是可以減小交流勵(lì)磁電流，或減 少線圈Ll與線圈L2匝數(shù)。不利因數(shù)是，可控飽和電抗器輸出波形稍差。如果線圈Ll的同名端與線圈L2的異名端連接，線圈Ll與線圈L2中的直流電流 分量在兩側(cè)鐵芯形成直流磁通閉環(huán)；線圈Ll的交流電流分量在線圈所在鐵芯與中間鐵芯 形成交流磁通閉環(huán)，線圈L2的交流電流分量在線圈所在鐵芯與中間鐵芯形成交流磁通閉 環(huán)；有益效果是可控飽和電抗器輸出波形較好。不利因數(shù)是，可控飽和電抗器線圈Ll與線 圈L2的電抗的交流勵(lì)磁電流較大。所以，線圈Ll與線圈L2的連接方式需要根據(jù)應(yīng)用情況 選擇。一種自勵(lì)式可控飽和電抗器串并聯(lián)于電力系統(tǒng)應(yīng)用，需要提高自勵(lì)式可控飽和電 抗器的最小電抗值時(shí)，可以在晶閘管D3和晶閘管D4兩端分別并聯(lián)相等的阻抗。一種自勵(lì)式 可控飽和電抗器串聯(lián)于輸電回路應(yīng)用，需要減小自勵(lì)式可控飽和電抗器的最小電抗值時(shí)， 可以在磁飽和電抗器鐵芯上增加直流線圈。例如采用發(fā)明專利號(hào)為20101057539 的 “具有柔性開關(guān)特性的電流限制裝置及方法”提出了一種電流限制裝置及方法。實(shí)施例2 自勵(lì)式可控飽和電抗器結(jié)構(gòu)與連接方式還可以如圖2所示。它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯3 ；在磁飽和電抗器鐵芯3兩側(cè)分別安裝至少一個(gè)線 圈Ll和至少一個(gè)線圈L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端直接連接，并作為裝置的輸入端子1 ；線圈Ll的另一端串聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子2 ；線圈L2的另一端串 聯(lián)一個(gè)反向二極管D2后連接到輸出端子2 ；在線圈Ll和線圈L2的兩個(gè)輸出端間還并聯(lián)一對(duì)反向的晶閘管D3和晶閘管D4 ；一個(gè)控制電路4，控制電路4的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接?？刂齐娐?控制晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角的大小，調(diào)節(jié)晶閘管D3和晶閘管 D4導(dǎo)通程度的大小，也可連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電抗器的電抗值。其余結(jié)構(gòu)和控制方法與實(shí)施 例1相同，不再贅述。實(shí)施例3 自勵(lì)式可控飽和電抗器結(jié)構(gòu)與連接方式還可以如圖3所示。它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯3 ；磁飽和電抗器鐵芯3為四柱式鐵芯，四個(gè)柱子的截 面積相等，四個(gè)柱子可相互形成磁通閉合回路；在磁通閉合回路最短的中間二個(gè)柱子分別 安裝至少一個(gè)線圈Ll和至少一個(gè)線圈L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端直接連接，并作 為裝置的輸入端子1 ；線圈Ll的另一端串聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子2 ；線圈 L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管D2后連接到輸出端子2 ；正向二極管Dl的兩端并聯(lián)一只反向的晶閘管D3 ；反向二極管D2的兩端并聯(lián)一只 反向的晶閘管D4;—個(gè)控制電路4，控制電路4的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接。控制電路4控制晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角的大小，調(diào)節(jié)晶閘管D3和晶閘管 D4導(dǎo)通程度的大小，也可連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電抗器的電抗值。圖3所示的鐵芯結(jié)構(gòu)體積較 大，但設(shè)計(jì)靈活，輸出波形較好。其余結(jié)構(gòu)與控制方法與實(shí)施例1相同，不再贅述。本發(fā)明的自勵(lì)式可控飽和電抗器及方法的各部件可用現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)制造，完全可 以實(shí)現(xiàn)。有廣闊應(yīng)用前景。
權(quán)利要求
1.一種自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯；磁飽和電抗器鐵芯有至少一個(gè)線圈Ll和至少一個(gè)線圈 L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端直接連接，并作為裝置的輸入端子；線圈Ll的另一端串 聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子；線圈L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管D2后連接 到輸出端子；正向二極管Dl的兩端并聯(lián)一只反向的晶閘管D3 ；反向二極管D2的兩端并聯(lián)一只反向 的晶閘管D4;一個(gè)控制電路，控制電路的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接。
2.一種自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯；磁飽和電抗器鐵芯設(shè)有至少一個(gè)線圈Ll和至少一個(gè)線 圈L2 ；線圈Ll的一端與線圈L2的一端直接連接，并作為裝置的輸入端子；線圈Ll的另一 端串聯(lián)一個(gè)正向二極管Dl后連接到輸出端子；線圈L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管D2后 連接到輸出端子；在線圈Ll和線圈L2的兩個(gè)輸出端間還并聯(lián)一對(duì)反向的晶閘管D3和晶閘管D4 ；一個(gè)控制電路，控制電路的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，所述磁飽和電抗器鐵芯 為日字型結(jié)構(gòu)，以中間鐵芯中線為軸，兩側(cè)對(duì)稱；中間鐵芯與其中一側(cè)鐵芯形成磁通閉環(huán)， 中間鐵芯與另一側(cè)鐵芯形成另一個(gè)磁通閉環(huán)；兩側(cè)鐵芯間形成第三個(gè)磁通閉環(huán)；兩側(cè)鐵芯 的截面積相等；中間鐵芯的截面積等于兩側(cè)鐵芯的截面積之和；磁飽和電抗器鐵芯兩側(cè)分 別安裝至少一個(gè)線圈Ll和至少一個(gè)線圈L2。
4.如權(quán)利要求1或2所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，所述磁飽和電抗器鐵 芯3為四柱式鐵芯，四個(gè)柱子的截面積相等，四個(gè)柱子可相互形成磁通閉合回路；在磁通閉 合回路最短的中間二個(gè)柱子分別安裝至少一個(gè)線圈Ll和至少一個(gè)線圈L2。
5.如權(quán)利要求1或2所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，所述磁飽和電抗器線圈 Ll與線圈L3結(jié)構(gòu)、匝數(shù)相同。
6.如權(quán)利要求5所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，所述磁飽和電抗器線圈Ll、 L2的匝數(shù)與磁飽和電抗器鐵芯的鐵芯截面積和鐵芯結(jié)構(gòu)，應(yīng)滿足磁飽和電抗器線圈Ll與 L2并聯(lián)后兩端加工作電壓的條件下，線圈Ll和L2流過正常勵(lì)磁電流。
7.如權(quán)利要求1或2所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，所述控制電路從0°至 180°范圍連續(xù)控制晶閘管D3的導(dǎo)通量，控制電路向晶閘管D3發(fā)觸發(fā)脈沖后的10毫秒即 工頻180°也向晶閘管D4發(fā)觸發(fā)脈沖，使晶閘管D3和晶閘管D4先后分別導(dǎo)通；晶閘管D3 和晶閘管D4的觸發(fā)角小時(shí)，晶閘管D3和晶閘管D4的導(dǎo)通量大；晶閘管D3和晶閘管D4的 觸發(fā)角大時(shí)，晶閘管D3和晶閘管D4的導(dǎo)通量小。
8.如權(quán)利要求1或2所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器，其特征是，所述控制電路從0°至 180°范圍連續(xù)控制晶閘管D4的導(dǎo)通量，控制電路向晶閘管D4發(fā)觸發(fā)脈沖后的10毫秒即 工頻180°也向晶閘管D3發(fā)觸發(fā)脈沖，使晶閘管D4和晶閘管D3先后分別導(dǎo)通；晶閘管D4 和晶閘管D3的觸發(fā)角小時(shí)，晶閘管D4和晶閘管D3的導(dǎo)通量大；晶閘管D4和晶閘管D3的 觸發(fā)角大時(shí)，晶閘管D4和晶閘管D3的導(dǎo)通量小。
9.一種采用權(quán)利要求1或2所述的自勵(lì)式可控飽和電抗器的控制方法，其特征是，控制電路通過控制晶閘管D3和晶閘管D4的觸發(fā)角的大小，調(diào)節(jié)晶閘管D3和晶閘管D4導(dǎo)通程 度的大小，從而連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電抗器的電抗值；
10.如權(quán)利要求9所述的一種自勵(lì)式可控飽和電抗器的工作方法，其特征是，它的具體 控制過程為當(dāng)控制電路觸發(fā)晶閘管D3和晶閘管D4全關(guān)斷；正半波電流流入線圈Ll經(jīng)串聯(lián)的正向 二極管Dl流到輸出端子，負(fù)半波電流不能在線圈Ll中流動(dòng)；負(fù)半波電流流入線圈L2經(jīng)串 聯(lián)的反向二極管D2流到輸出端子，正半波電流不能在線圈L2中流動(dòng)；線圈Ll與線圈L2中 電流的直流分量的比例有最大值；可控飽和電抗器線圈的電抗為裝置的最小值；當(dāng)控制電路逐步減小晶閘管的觸發(fā)角，晶閘管D3和晶閘管D4從全關(guān)斷狀態(tài)逐步加大 導(dǎo)通量，線圈Ll與線圈L2中電流的直流分量的比例逐漸減?。豢煽仫柡碗娍蛊骶€圈的電抗 值從裝置的最小值逐漸變大；當(dāng)控制電路觸發(fā)晶閘管D5和晶閘管D6全導(dǎo)通，相當(dāng)于線圈Ll與線圈L2并聯(lián)；線圈Ll 與線圈L2中電流的直流分量為零；線圈Ll和L2流過正常勵(lì)磁電流，可控飽和電抗器線圈 的電抗為裝置的最大值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種自勵(lì)式可控飽和電抗器及其控制方法。它包括至少一個(gè)磁飽和電抗器鐵芯；在磁飽和電抗器鐵芯兩側(cè)分別安裝至少一個(gè)線圈L1和至少一個(gè)線圈L2；線圈L1的一端與線圈L2的一端直接連接，并作為裝置的輸入端子；線圈L1的另一端串聯(lián)一個(gè)正向二極管D1后連接到輸出端子；線圈L2的另一端串聯(lián)一個(gè)反向二極管D2后連接到輸出端子；D1的兩端并聯(lián)一只反向的晶閘管D3；D2的兩端并聯(lián)一只反向的晶閘管D4；一個(gè)控制電路，控制電路的輸出分別與晶閘管D3和晶閘管D4的控制端連接?？刂齐娐氛{(diào)節(jié)晶閘管D3和晶閘管D4導(dǎo)通程度的大小，從而連續(xù)調(diào)節(jié)可控飽和電抗器的電抗值。具有不需要直流線圈，重量較輕，損耗較小，電路結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02P13/00GK102064759SQ20111000483
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月11日
發(fā)明者李曉明 申請(qǐng)人:山東大學(xué)