專利名稱：直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法 及裝置。
背景技術(shù)：
通常，電子設(shè)備的直流電源在輸入端口處會(huì)使用容量不等的電解電容，在開機(jī)的 時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流，給前端供電設(shè)備、該電子設(shè)備輸入端熔絲的選型及器件的可 靠性造成了一定的影響。為了克服這種影響，需要為電子設(shè)備的直流電源配備輸入防反接 和緩啟動(dòng)保護(hù)電路。目前，在現(xiàn)有的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)電路中，通常采用兩個(gè)MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶 體管)Ql和Q2實(shí)現(xiàn)防反接和緩啟動(dòng)功能。如圖1所示，其中，Ql起到防反接的作用，剛開 機(jī)的時(shí)候靠其體內(nèi)二極管作用，正常工作以后管子打開，減小其體內(nèi)二極管的正向壓降；Q2 起到緩啟動(dòng)的作用，相當(dāng)于一個(gè)可變電阻，對輸入電流有限制的作用。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題在現(xiàn)有的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)電路中，當(dāng)反復(fù)上下電的時(shí)候，Q2容 易損壞；在生產(chǎn)安裝過程中，對輸入端先正接再反接會(huì)損壞Q1，并且沖擊電流負(fù)向的時(shí)候 會(huì)損壞Ql，電路可靠性較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法及裝置，能夠在 保證防反接和緩啟動(dòng)功能的前提下提高器件的可靠性。本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案為一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法，包括在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸 入電壓開始向防反接和緩啟動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩 啟動(dòng)電路開始工作；在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸 入電壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止工作；其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置，所述裝置包括防反接和緩啟動(dòng)電路 以及開關(guān)控制器；所述開關(guān)控制器，用于接收直流電源的輸入電壓，并耦合至所述防反接和緩啟動(dòng) 電路中防反接MOSFET的柵極，在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓 時(shí)，開始利用所述直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反 接和緩啟動(dòng)電路開始工作，在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，停
3止利用所述直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和 緩啟動(dòng)電路停止工作；所述防反接和緩啟動(dòng)電路包括所述防反接MOSFET以及緩啟動(dòng)單元，所述防反接 MOSFET用于防止反接，所述緩啟動(dòng)單元用于在所述上電過程中實(shí)現(xiàn)緩啟動(dòng)；其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。本發(fā)明實(shí)施例提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法及裝置，在上電過程 中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電壓開始向防反接 和緩啟動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路開始工作；在 下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電壓停止 向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止工作；其中，所述 第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例能夠控制防反接和 緩啟動(dòng)電路開啟和關(guān)斷的回滯，避免直流電源在低壓輸入重載的條件下防反接和緩啟動(dòng)電 路反復(fù)重啟的情況發(fā)生，從而在保證防反接和緩啟動(dòng)功能的前提下提高器件的可靠性。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些 實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附 圖獲得其它的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)電路圖；圖2為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法流程圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)示意 圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例三提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置開啟和關(guān) 斷過程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。為使本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明實(shí) 施例作詳細(xì)說明。如圖2所示，為MOSFET在不同溫度時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線圖，其中，橫軸為柵極與源極 之間的電壓降Ves，縱軸為漏極電流ID，曲線1 (虛線所示)為MOSFET在溫度為25°C時(shí)的轉(zhuǎn) 移特性曲線圖，曲線2(實(shí)線所示)為MOSFET在溫度為150°C時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線圖，曲線1 和曲線2相交于點(diǎn)A，即零溫度系數(shù)工作點(diǎn)。
4
在點(diǎn)A的左側(cè)，即Ves小于一定值時(shí)，Id隨著溫度升高而增大，此時(shí)為正溫度特性； 在點(diǎn)A的右側(cè)，即Ves大于一定值時(shí)，Id隨著溫度升高而減小，此時(shí)為負(fù)溫度特性；漏極電流Id隨溫度的變化受遷移率和閾值電壓兩個(gè)因素支配，受遷移率影響是負(fù) 溫度系數(shù)當(dāng)溫度升高時(shí)，遷移率減小，導(dǎo)通電阻變大，漏極電流Id變?。皇荛撝惦妷河绊?正溫度系數(shù)當(dāng)溫度升高時(shí)，閾值電壓減小，導(dǎo)通電阻變小，漏極電流Id變大；當(dāng)Ves小于一定值時(shí)，閾值電壓影響占主導(dǎo)地位，Id隨溫度升高而增加；當(dāng)Ves大于 一定值時(shí)，遷移率影響占主導(dǎo)地位，Id隨溫度升高而減小。由于每個(gè)MOSFET的內(nèi)部是由很多小MOSFET單元并聯(lián)組成的，MOSFET在反復(fù)上 下電的過程中，漏極電流k很大，當(dāng)MOSFET的柵極與源極之間的電壓降Vgs處于負(fù)溫度特 性區(qū)間，其中的某個(gè)小MOSFETId單元偏大，從而導(dǎo)致該小MOSFET單元的溫度升高，最終可 能導(dǎo)致該小MOSFET單元因過熱而燒毀，即處于負(fù)溫度特性區(qū)間工作會(huì)出現(xiàn)因內(nèi)部多個(gè)小 MOSFET單元不均流導(dǎo)致單個(gè)小MOSFET單元過功率而燒毀的情況。針對MOSFET中存在的上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案能夠避免防反接 和緩啟動(dòng)MOSFET在漏極電路Id很大，同時(shí)MOSFET處于負(fù)溫度特性區(qū)間工作，由于MOSFET 內(nèi)小MOSFET單元的不均流而燒毀MOSFET的情況出現(xiàn)，從而提高器件的可靠性。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法，如圖3所示，所 述方法包括301、在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源 的輸入電壓開始向防反接和緩啟動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接 和緩啟動(dòng)電路開始工作。302、在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源 的輸入電壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止 工作，其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。本發(fā)明實(shí)施例提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法，在上電過程中，當(dāng) 直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電壓開始向防反接和緩啟 動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路開始工作；在下電過 程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電壓停止向所述 防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止工作，其中，所述第一輸 入電壓低于所述第二輸入電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例能夠控制防反接和緩啟動(dòng) 電路開啟和關(guān)斷的回滯，避免直流電源在低壓輸入重載的條件下防反接和緩啟動(dòng)電路反復(fù) 重啟的情況發(fā)生，從而在保證防反接和緩啟動(dòng)功能的前提下提高器件的可靠性。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法，如圖4所示，所 述方法包括401、在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源 的輸入電壓開始向防反接和緩啟動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接 和緩啟動(dòng)電路開始工作。402、當(dāng)所述直流電源的輸入電壓開始向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，所述防反接MOSFET的柵極電壓在所述防反接和緩啟動(dòng)電路中緩啟動(dòng)單元控制下緩慢上升，促 使所述防反接MOSFET導(dǎo)通。403、當(dāng)所述防反接MOSFET的柵極電壓上升到第二設(shè)定電壓時(shí)，所述防反接和緩 啟動(dòng)電路完成緩啟動(dòng)功能并開始正常工作。404、在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源 的輸入電壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止 工作，其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。405、當(dāng)所述直流電源的輸入電壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，所述 防反接MOSFET的柵極電壓在所述緩啟動(dòng)單元控制下下降到第一設(shè)定電壓，并開始迅速下 降促使所述防反接MOSFET關(guān)閉，其中，所述第一設(shè)定電壓低于所述第二設(shè)定電壓。本發(fā)明實(shí)施例提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法，在上電過程中，能 夠控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路開始工作；在下電過程中，能夠控制所述防反接和緩啟動(dòng) 電路停止工作；此外，防反接MOSFET的柵極電壓在防反接和緩啟動(dòng)電路中緩啟動(dòng)單元控制 下緩慢上升，促使所述防反接MOSFET導(dǎo)通；當(dāng)防反接MOSFET的柵極電壓上升到第二設(shè)定電 壓時(shí)，所述防反接和緩啟動(dòng)電路完成緩啟動(dòng)功能并開始正常工作；防反接MOSFET的柵極電 壓在緩啟動(dòng)單元控制下下降到第一設(shè)定電壓，并開始迅速下降促使所述防反接MOSFET關(guān) 閉，其中，所述第一設(shè)定電壓低于所述第二設(shè)定電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例能夠 控制防反接和緩啟動(dòng)電路開啟和關(guān)斷的回滯，避免直流電源在低壓輸入重載的條件下防反 接和緩啟動(dòng)電路反復(fù)重啟的情況發(fā)生，從而在保證防反接和緩啟動(dòng)功能的前提下提高器件 的可靠性。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例提供一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置，如圖5所示，所 述裝置包括防反接和緩啟動(dòng)電路52以及開關(guān)控制器51 ；所述開關(guān)控制器51，用于接收直流電源的輸入電壓，并耦合至所述防反接和緩啟 動(dòng)電路52中防反接MOSFET的柵極，在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電 壓時(shí)，開始利用所述直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防 反接和緩啟動(dòng)電路52開始工作，在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓 時(shí)，停止利用所述直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反 接和緩啟動(dòng)電路52停止工作；所述防反接和緩啟動(dòng)電路52包括所述防反接MOSFET以及緩啟動(dòng)單元，所述防反 接MOSFET用于防止反接，所述緩啟動(dòng)單元用于在所述上電過程中實(shí)現(xiàn)緩啟動(dòng)；其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。進(jìn)一步的，所述緩啟動(dòng)單元，用于當(dāng)所述開關(guān)控制器開始利用直流電源的輸入電 壓向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，控制所述防反接MOSFET的柵極電壓緩慢上升，促使 所述防反接MOSFET導(dǎo)通。進(jìn)一步的，所述緩啟動(dòng)單元，還用于當(dāng)所述開關(guān)控制器停止利用直流電源的輸入 電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，控制所述防反接MOSFET的柵極電壓下降到第一 設(shè)定電壓，并開始迅速下降促使所述防反接MOSFET關(guān)閉。進(jìn)一步的，所述防反接和緩啟動(dòng)電路52，還用于在所述防反接MOSFET的柵極電壓上升到第二設(shè)定電壓時(shí)，完成緩啟動(dòng)功能并正常工作。其中，所述第一設(shè)定電壓低于所述第二設(shè)定電壓。如圖5所示，Ql為防反接MOSFET，Q2為緩啟動(dòng)MOSFET ；晶體管Q2、電容Cl和C2、 二極管Dl等共同構(gòu)成所述緩啟動(dòng)單元。對于緩啟動(dòng)單元其它可能的結(jié)構(gòu)本實(shí)施例不做限 制，只要其能在電源上電中實(shí)現(xiàn)緩啟動(dòng)功能即可。所述開關(guān)控制器51的一端與地連接，所述開關(guān)控制器51的另一端與Ql的柵極連 接。開關(guān)控制器51可以用一普通的遲滯開關(guān)來實(shí)現(xiàn)。所述遲滯開關(guān)在輸入電壓大于第一 閾值時(shí)導(dǎo)通，小于第二閾值時(shí)關(guān)閉，且第一閾值大于第二閾值。遲滯開關(guān)可以由晶體管或邏 輯門組成，本實(shí)施例對其結(jié)構(gòu)不做限制。其中，第一輸入電壓Vin_Ll、第二輸入電壓Vin_L2、第一設(shè)定電壓Vset 1、第二設(shè) 定電壓Vset2的電壓值可以根據(jù)電路中各器件的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，以控制防反接和緩啟動(dòng)電 路開啟和關(guān)斷的回滯，避免直流電源在低壓輸入重載的條件下防反接和緩啟動(dòng)電路反復(fù)重 啟的情況發(fā)生。在圖5中，供電電源為負(fù)，因此Vin連接地，而Ql連接負(fù)電源-48v。但在實(shí) 際應(yīng)用中，Vin可以連接正電源，而Ql可連接地，但這都不影響本實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)，只要電路 按照本實(shí)施例所述工作原理根據(jù)電源兩端電壓變化而執(zhí)行帶有遲滯的緩啟動(dòng)和防反接功 能，則可以有效保護(hù)電路的上電和下電，并減少反復(fù)重啟，提高器件的可靠性。如圖6所示，所述直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置的工作過程為當(dāng)直流電源的輸入上電以后，直流電源的輸入電壓Vin開始上升，當(dāng)直流電源的 輸入電壓Vin高于第二輸入電壓Vin_L2時(shí)，防反接和緩啟動(dòng)電路開始工作，直到Ql的柵極 電壓Vg達(dá)到第二設(shè)定電壓Vset 2時(shí)，防反接和緩啟動(dòng)電路完成緩啟動(dòng)功能并正常工作；當(dāng)直流電源的輸入下電以后，直流電源的輸入電壓Vin開始下降，當(dāng)直流電源的 輸入電壓Vin下降到第一輸入電壓Vin_Ll時(shí)，Ql的柵極電壓Vg開始緩慢下降，當(dāng)Ql的柵 極電壓降到第一設(shè)定電壓Vsetl時(shí)，Ql的柵極電壓Vg迅速降到0V，防反接和緩啟動(dòng)電路關(guān) 斷，停止工作；從而，當(dāng)出現(xiàn)雷擊或浪涌負(fù)向的時(shí)候，防反接和緩啟動(dòng)電路仍然保持打開狀態(tài)，不 會(huì)因?yàn)槔讚艋蚶擞控?fù)向而造成電源復(fù)位；同時(shí)也能避免防反接和緩啟動(dòng)MOSFET在漏極電 流k很大且處于Id負(fù)溫度特性區(qū)間工作時(shí)造成管子燒毀的情況出現(xiàn)。本發(fā)明實(shí)施例提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置，在上電過程中，能 夠控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路開始工作；在下電過程中，能夠控制所述防反接和緩啟動(dòng) 電路停止工作；此外，防反接MOSFET的柵極電壓在防反接和緩啟動(dòng)電路中緩啟動(dòng)單元控制 下緩慢上升，促使所述防反接MOSFET導(dǎo)通；當(dāng)防反接MOSFET的柵極電壓上升到第二設(shè)定電 壓時(shí)，所述防反接和緩啟動(dòng)電路完成緩啟動(dòng)功能并開始正常工作；防反接MOSFET的柵極電 壓在緩啟動(dòng)單元控制下下降到第一設(shè)定電壓，并開始迅速下降促使所述防反接MOSFET關(guān) 閉，其中，所述第一設(shè)定電壓低于所述第二設(shè)定電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例能夠 控制防反接和緩啟動(dòng)電路開啟和關(guān)斷的回滯，避免直流電源在低壓輸入重載的條件下防反 接和緩啟動(dòng)電路反復(fù)重啟的情況發(fā)生，從而在保證防反接和緩啟動(dòng)功能的前提下，提高防 反接和緩啟動(dòng)電路在生產(chǎn)、安裝和使用過程中防反接MOSFET和緩啟動(dòng)MOSFET的可靠性。本發(fā)明實(shí)施例提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置可以實(shí)現(xiàn)上述提供 的方法實(shí)施例，具體功能實(shí)現(xiàn)請參見方法實(shí)施例中的說明，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法及裝置可以適用于直流電源的輸入防反接和 緩啟動(dòng)保護(hù)，但不僅限于此。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分流程，是可以 通過計(jì)算機(jī)程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì) 中，該程序在執(zhí)行時(shí)，可包括如上述各方法的實(shí)施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁 碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory, ROM)或隨機(jī)存儲記憶體(Random Access Memory, RAM)等。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng) 涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法，其特征在于，包括在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電 壓開始向防反接和緩啟動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng) 電路開始工作；在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電 壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止工作；其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括當(dāng)所述直流電源的輸入電壓開始向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，所述防反接 MOSFET的柵極電壓在所述防反接和緩啟動(dòng)電路中緩啟動(dòng)單元控制下緩慢上升，促使所述防 反接MOSFET導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括當(dāng)所述直流電源的輸入電壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，所述防反接 MOSFET的柵極電壓在所述緩啟動(dòng)單元控制下下降到第一設(shè)定電壓，并開始迅速下降促使所 述防反接MOSFET關(guān)閉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述防反接MOSFET的柵極電壓上升到 第二設(shè)定電壓時(shí)，所述防反接和緩啟動(dòng)電路完成緩啟動(dòng)功能并開始正常工作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一設(shè)定電壓低于所述第二設(shè)定電壓。
6.一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)裝置，其特征在于，所述裝置包括防反接和 緩啟動(dòng)電路以及開關(guān)控制器；所述開關(guān)控制器，用于接收直流電源的輸入電壓，并耦合至所述防反接和緩啟動(dòng)電路 中防反接MOSFET的柵極，在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，開 始利用所述直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和 緩啟動(dòng)電路開始工作，在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，停止利 用所述直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟 動(dòng)電路停止工作；所述防反接和緩啟動(dòng)電路包括所述防反接MOSFET以及緩啟動(dòng)單元，所述防反接 MOSFET用于防止反接，所述緩啟動(dòng)單元用于在所述上電過程中實(shí)現(xiàn)緩啟動(dòng)；其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述緩啟動(dòng)單元，用于當(dāng)所述開關(guān)控制 器開始利用直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，控制所述防反接 MOSFET的柵極電壓緩慢上升，促使所述防反接MOSFET導(dǎo)通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述緩啟動(dòng)單元，還用于當(dāng)所述開關(guān)控 制器停止利用直流電源的輸入電壓向所述防反接MOSFET的柵極供電時(shí)，控制所述防反接 MOSFET的柵極電壓下降到第一設(shè)定電壓，并開始迅速下降促使所述防反接MOSFET關(guān)閉。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述防反接和緩啟動(dòng)電路，還用于在所述 防反接MOSFET的柵極電壓上升到第二設(shè)定電壓時(shí)，完成緩啟動(dòng)功能并正常工作。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一設(shè)定電壓低于所述第二設(shè)定電壓。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種直流電源輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)方法及裝置，所述方法包括在上電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓高于第二輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電壓開始向防反接和緩啟動(dòng)電路中防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路開始工作；在下電過程中，當(dāng)直流電源的輸入電壓低于第一輸入電壓時(shí)，所述直流電源的輸入電壓停止向所述防反接MOSFET的柵極供電，并控制所述防反接和緩啟動(dòng)電路停止工作；其中，所述第一輸入電壓低于所述第二輸入電壓。本發(fā)明適用于直流電源的輸入防反接和緩啟動(dòng)保護(hù)。
文檔編號H02M1/36GK102136724SQ201110028270
公開日2011年7月27日 申請日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月26日
發(fā)明者夏維洪, 楊文科 申請人:華為技術(shù)有限公司