專利名稱：一種n溝道m(xù)os管的降壓電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種N溝道MOS管的降壓電路，屬于開關電源技術領域。
背景技術：
目前，在各種開關電源中，對于非隔離性的降壓電路通常采用導通電阻小、價格便宜的N溝道MOS管作為開關，如圖I所示，但由于N溝道MOS管的柵極和源極都位于高電位側(cè)，驅(qū)動信號不能直接驅(qū)動MOS管，這樣使驅(qū)動電路變得復雜，同時也增加電路的成本。針對上述問題，現(xiàn)有的技術主要有如下幾種方法，ー是采用自舉驅(qū)動方式，ニ是采用光耦隔離驅(qū)動方式，三是采用變壓器隔離驅(qū)動方式，四是采用新型隔離驅(qū)動模塊。這幾種方法都存在一定的缺陷，自舉驅(qū)動方式當輸入電壓較高時不易處理，由于增加電荷泵電路使電路復雜；光耦隔離驅(qū)動方式由于次級需要隔離電源使電路復雜，并且受光耦速度的影響電路工作頻率不能太高；變壓器隔離驅(qū)動方式由于變壓器只能傳遞交流信號，輸出的正負脈沖幅值隨占空比而變，只適用占空比在O. 5左右的情況，并且驅(qū)動波形前后沿不理想；采用新型隔離驅(qū)動模塊效果最好但成本會增加很多。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于為了解決上述問題，提供了ー種N溝道MOS管的降壓電路，它具有電路簡單可靠、N溝道MOS管可以直接驅(qū)動、干擾小、成本低等特點。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案是ー種N溝道MOS管的降壓電路，包括MOS管、ニ極管、電感、電解電容及電容；其特征在于所述電解電容與電容并聯(lián)，電解電容的正端分別接ニ極管的陰極、輸入端正及輸出端正，電解電容的負端分別接電感的一端及輸出端負，所述電感的另一端分別接ニ極管的陽極及MOS管的漏極，所述MOS管的源極接輸入端負，MOS管的柵極接驅(qū)動信號PWM輸入。所述的MOS管為N溝道MOS管。所述驅(qū)動信號PWM輸入直接由驅(qū)動芯片或驅(qū)動電路產(chǎn)生。本實用新型采用的技術方案與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點為一方面由于N溝道MOS管的源極和柵極都位于低電位側(cè)，可以直接驅(qū)動，不需要驅(qū)動隔離電路，減少了驅(qū)動波形的失真，提高驅(qū)動的可靠性；另一方面電路簡單，不需要増加元件，降低電路的成本；最后由于該降壓電路輸出高電位測和輸入高電位測是等電位連接，從而減少電路的干擾。

圖I為現(xiàn)有技術的電路原理圖；圖2為本實用新型具體實施例的電路原理圖。
具體實施方式
下面將結合附圖和實施例對本實用新型做進ー步的詳述如圖2所示，ー種N溝道MOS管的降壓電路，包括MOS管Ql、ニ極管Dl、電感LI、電解電容Cl及電容C2 ;本實用新型特點是所述電解電容Cl與電容C2并聯(lián)，電解電容Cl的正端分別接ニ極管Dl的陰極、輸入端正及輸出端正，電解電容Cl的負端分別接電感LI的一端及輸出端負，所述電感LI的另一端分別接ニ極管Dl的陽極及MOS管Ql的漏極，所述MOS管Ql的源極接輸入端負，MOS管Ql的柵極接驅(qū)動信號PWM輸入。在本實施例中，ニ極管Dl起續(xù)流作用，電解電容Cl起儲能作用，電容C2起濾波作用。在本實施例中，所述的MOS管Ql為N溝道MOS管。所述驅(qū)動信號PWM輸入直接由驅(qū)動芯片或驅(qū)動電路產(chǎn)生。 工作原理如圖2所示，N溝道的MOS管Ql的源極和柵極都位于低電位側(cè)，MOS管Ql的源極接輸入端負即輸入電壓地，MOS管Ql的柵極和源極有共同參考地，從而MOS管Ql可以直接被驅(qū)動，驅(qū)動信號的PWM輸入直接由驅(qū)動芯片或驅(qū)動電路產(chǎn)生。當驅(qū)動信號的PWM輸入為高電平吋，MOS管Ql導通，ニ極管Dl截止，電路形成了輸入端正一電解電容Cl、電容C2 —輸出端正一輸出端負一電感LI — MOS管Ql —輸入端負的回路，輸入電壓對電容Cl充電，對負載供電，電感LI儲能。當驅(qū)動信號的PWM輸入為低電平吋，MOS管Ql截止，ニ極管Dl導通，電路形成了電感LI —續(xù)流ニ極管Dl —電解電容Cl、電容C2 —輸出端正一輸出端負一電感LI的回路，電感LI和電解電容Cl同時對負載放電，來維持負載兩端電壓不變，輸出穩(wěn)定的電壓，實現(xiàn)電壓的降壓變換。以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施例，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術方案及其構思加以等同替換或改變，都屬于本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種N溝道MOS管的降壓電路，包括MOS管(Ql)、二極管(DI)、電感(LI)、電解電容(Cl)及電容(C2);其特征在于所述電解電容(Cl)與電容(C2)并聯(lián)，電解電容(Cl)的正端分別接二極管(Dl)的陰極、輸入端正及輸出端正，電解電容(Cl)的負端分別接電感(LI)的一端及輸出端負，所述電感(LI)的另一端分別接二極管(Dl)的陽極及MOS管(Ql)的漏極，所述MOS管(Ql)的源極接輸入端負，MOS管(Ql)的柵極接驅(qū)動信號PWM輸入。
2.根據(jù)權利要求I所述的一種N溝道MOS管的降壓電路，其特征在于所述的MOS管(Ql)為N溝道MOS管。
3.根據(jù)權利要求I所述的一種N溝道MOS管的降壓電路，其特征在于所述驅(qū)動信號PWM輸入直接由驅(qū)動芯片或驅(qū)動電路產(chǎn)生。
專利摘要本實用新型涉及一種N溝道MOS管的降壓電路，包括MOS管、二極管、電感、電解電容及電容；特點是電解電容與電容并聯(lián)，電解電容的正端分別接二極管的陰極、輸入端正及輸出端正，電解電容的負端分別接電感的一端及輸出端負，電感的另一端分別接二極管的陽極及MOS管的漏極，MOS管的源極接輸入端負，MOS管的柵極接驅(qū)動信號PWM輸入。其優(yōu)點為一方面由于N溝道MOS管的源極和柵極都位于低電位側(cè)，可以直接驅(qū)動，不需要驅(qū)動隔離電路，減少了驅(qū)動波形的失真，提高驅(qū)動的可靠性；另一方面電路簡單，不需要增加元件，降低電路的成本；最后由于該降壓電路輸出高電位測和輸入高電位測是等電位連接，從而減少電路的干擾。
文檔編號H02M3/156GK202385001SQ20112055587
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權日2011年12月28日
發(fā)明者桂芳, 謝飛, 鄧榆林 申請人:順德職業(yè)技術學院