專利名稱：包括用于補償寄生電感的電路的半導體裝置的制作方法
包括用于補償寄生電感的電路的半導體裝置
背景技術：
功率電子模塊是用在功率電子電路中的半導體封裝。功率電子模塊典型地用在車輛和工業(yè)應用中，諸如用在逆變器和整流器中。功率電子模塊內包括的半導體部件典型地是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)半導體芯片、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)半導體芯片、結柵場效應晶體管(JFET)半導體芯片或者其他適當的受控裝置。IGBT和MOSFET半導體芯片具有變化的電壓和電流額定值。一些功率電子模塊還包括用于電感負載的續(xù)流電流或者用于過壓保護的半導體封裝中的另外的半導體二極管(即，續(xù)流二極管)。在具有并聯(lián)裝置(S卩，逆變器或轉換器內的模塊、以及模塊內的半導體芯片)的功 率電子模塊中，如果負載或供電電流在放置裝置所沿的方向上流動，則出現(xiàn)從模塊到模塊的或者從半導體芯片到半導體芯片的電感壓降。該壓降由并聯(lián)裝置之間的雜散或寄生電感中的di/dt引起。最具干擾性的壓降位于發(fā)射極(或源極)之間，因為這些在驅動(輔助)發(fā)射極中反射。該壓降引起作為針對所有并聯(lián)裝置的一個公共柵極電壓施加的柵極驅動電壓的劣化。出于這些和其他原因，需要本發(fā)明。

發(fā)明內容
一個實施例提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括第一晶體管、與第一晶體管并聯(lián)耦合的第二晶體管、以及第一晶體管的發(fā)射極和第二晶體管的發(fā)射極之間的第一寄生電感。該半導體裝置包括第一電路，被配置為基于公共驅動器信號向第一晶體管提供第一柵極驅動器信號；和第二電路，被配置為基于公共驅動器信號向第二晶體管提供第二柵極驅動器信號。第一電路和第二電路被配置為補償跨越第一寄生電感的壓降，使得第一柵極驅動器信號和第二柵極驅動器信號與公共驅動器信號同相并且具有與公共驅動器信號相同的幅值(參考至每個驅動發(fā)射極)。


附圖被包括以提供對實施例的進一步理解并且被并入本說明書并構成本說明書的一部分。附示了實施例并且連同描述一起用于說明實施例的原理。其他實施例以及實施例的許多預期優(yōu)點將容易被認識到，因為它們通過參照下面的詳細描述而變得更好理解。圖中的元件不一定相對彼此按比例繪制。相同的附圖標記表示對應的相似部分。圖I是圖示包括三個并聯(lián)裝置的單個開關的等效電路的一個實施例的示意圖。圖2是圖示包括負載或供電電流的不對稱連接的圖I的等效電路的一個實施例的示意圖。圖3是圖示具有如圖2中所示的負載或供電電流的不對稱連接的等效電路的柵極-發(fā)射極電壓對電流的一個實施例的圖表。圖4是圖示包括到所有三個電源線(DC+、DC-和AC)的不對稱連接的等效電路的一個實施例的示意圖。
圖5是圖示包括到DC+和DC-電源線的對稱連接以及到AC電源線的不對稱連接的等效電路的一個實施例的示意圖。圖6是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路的一個實施例的示意圖。圖7是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路的另一實施例的示意圖。圖8是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感 壓降的等效電路的另一實施例的示意圖。圖9是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路的另一實施例的示意圖。圖10是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路的另一實施例的示意圖。圖11是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路的另一實施例的示意圖。圖12是圖示功率模塊的一個實施例的分解視圖的示圖。圖13圖示了功率模塊的一個實施例的橫截面視圖。圖14A圖示了用于替換圖10和11中所示的發(fā)射極跟隨器使用的推挽放大器的一個實施例。圖14B圖示了用于替換圖10和11中所示的發(fā)射極跟隨器使用的電壓控制電流源的一個實施例。
具體實施例方式在下面的詳細描述中，參照附圖，附圖形成詳細描述的一部分并且在附圖中通過圖示的方式示出了其中可以實踐本公開的具體實施例。在這一點上，方向性術語，諸如“頂”、“底”、“前”、“后”、“頭”、“尾”等，是參照所描述的(一幅或多幅)附圖的取向而使用的。由于實施例的部件可以位于許多不同的取向上，因此方向性術語用于說明的目的而決非限制。要理解，可以利用其他實施例并且可以進行結構或邏輯的改變而不偏離本公開的范圍。因此，下面的詳細描述不要被視為限制性意義，并且本公開的范圍由所附權利要求限定。要理解，除非另外具體指出，否則這里描述的各種示例性實施例的特征可以彼此組合。如這里使用的術語“電耦合”并不意味著意指元件必須直接耦合在一起并且在“電耦合”元件之間可以提供中間元件。本發(fā)明的實施例提供了具有并聯(lián)裝置(S卩，逆變器或轉換器內的模塊、以及模塊內的半導體芯片)的功率電路，其補償當負載或供電電流在放置裝置所沿的方向上流動時從模塊到模塊或者從半導體芯片到半導體芯片出現(xiàn)的電感壓降(即，到AC和/或DC電源線的不對稱連接)。這種由并聯(lián)裝置之間的雜散或寄生電感中的di/dt引起的壓降被補償，使得施加到每個個別裝置的柵極的柵極信號與公共驅動器信號同相并且具有與公共驅動器信號相同的幅值(參考至每個驅動發(fā)射極)。圖I是圖示包括三個并聯(lián)裝置(IGBT、二極管)的單個開關的等效電路100的一個實施例的示意圖。盡管圖I和其余圖公開了 IGBT，但是在所公開的每個實施例中可以替換IGBT使用MOSFET、JFET或者其他適當的受控裝置。在一個實施例中，電路100可以用在逆變器或整流器中。等效電路100包括電阻124、110、138、144、180、156、174、186,212,198和222。等效電路 100 還包括電感 120、106、134、148、184、160、170、190、216、202 和 218。此夕卜，等效電路100包括IGBT 116、152和194，二極管114、166和208，集電極端子102,164和206，發(fā)射極端子142、178和226，輔助發(fā)射極端子132和柵極端子128。集電極端子(Cl)102通過信號路徑104電耦合到電感106的一側。電感106的另一側通過信號路徑108電耦合到電阻110的一側。電阻110的另一側電耦合到晶體管116的集電極并且通過信號路徑112電耦合到二極管114的陰極。晶體管116的發(fā)射極和二極管114的陽極通過信號路徑130電耦合到電阻180的一側、電感134的一側和輔助發(fā)射極端子(Aux-E) 132。晶體管116的柵極通過信號路徑118電耦合到電阻144的一側和電感120的一側。電感120的另一側通過信號路徑122電耦合到電阻124的一側。電阻124的另一側通過信號路徑126電耦合到柵極端子(G)128。電感134的另一側通過信號路徑136電耦合到電阻138的一側。電阻138的另一側通過信號路徑140電耦合到發(fā)射極端子(El)142。集電極端子(C2) 164通過信號路徑162電耦合到電感160的一側。電感160的另一側通過信號路徑158電耦合到電阻156的一側。電阻156的另一側通過信號路徑154電耦合到晶體管152的集電極和二極管166的陰極。晶體管152的發(fā)射極和二極管166的陽極通過信號路徑168電稱合到電感184的一側、電阻212的一側和電感170的一側。晶體管152的柵極通過信號路徑150電稱合到電感148的一側和電阻186的一側。電感148的另一側通過信號路徑146電耦合到電阻144的另一側。電感184的另一側通過信號路徑182電耦合到電阻180的另一側。電感170的另一側通過信號路徑172電耦合到電阻174。電阻174的另一側通過信號路徑176電耦合到發(fā)射極端子(E2) 178。集電極端子(C3)206通過信號路徑204電耦合到電感202的一側。電感202的另一側通過信號路徑200電耦合到電阻198的一側。電阻198的另一側通過信號路徑196電耦合到晶體管194的集電極和二極管208的陰極。晶體管194的發(fā)射極和二極管208的陽 極通過信號路徑210電耦合到電感216的一側和電感218的一側。晶體管194的柵極通過信號路徑192電耦合到電感190的一側。電感190的另一側通過信號路徑188電耦合到電阻186的另一側。電感216的另一側通過信號路徑214電耦合到電阻212的另一側。電感218的另一側通過信號路徑220電耦合到電阻222的一側。電阻222的另一側通過信號路徑224電耦合到發(fā)射極端子(E3) 226。電路100中的每個電阻是寄生電阻，并且電路100中的每個電感是寄生電感。晶體管116、152和194并聯(lián)電連接。在操作中，施加到柵極端子128的柵極電壓和施加到Aux-E端子132的輔助發(fā)射極信號用于控制晶體管116、152和194的開關。由于電阻144和電感148，存在施加到晶體管116的柵極的柵極電壓和施加到晶體管152的柵極的柵極電壓之間的壓降。由于電阻186和電感190，存在施加到晶體管152的柵極的柵極電壓和施加到晶體管194的柵極的柵極電壓之間的另外的壓降。同樣地，由于電阻180和電感184，存在施加到晶體管116的輔助發(fā)射極的輔助發(fā)射極電壓和施加到晶體管152的輔助發(fā)射極的輔助發(fā)射極電壓之間的壓降。由于電阻212和電感216，存在施加到晶體管152的輔助發(fā)射極的輔助發(fā)射極電壓和施加到晶體管194的輔助發(fā)射極的輔助發(fā)射極電壓之間的另外的壓降。在柵極和驅動發(fā)射極電路中的寄生電感處感生的電阻電壓可以被忽略，因為柵極電流和柵極電流的di/dt較之外部公共驅動器電路中的柵極電流和柵極電流的di/dt相當小。圖2是圖示包括負載或供電電流的不對稱連接的圖I的等效電路100的一個實施例的示意圖。圖2包括另外的電阻252、258、268、282、290和298以及另外的電感256、264、272、286、294和302。負載或供電信號路徑250電耦合到電阻252的一側。電阻252的另一側通過信號路徑254電耦合到電感256的一側。電感256的另一側通過信號路徑258電耦合到電阻260的一側和到集電極端子(Cl)102。電阻260的另一側通過信號路徑262電耦合到電感264的一側。電感264的另一側通過信號路徑266電耦合到電阻268的一側和到集電極端子(C2) 164。電阻268的另一側通過信號路徑270電耦合到電感272的一側。 電感272的另一側通過信號路徑274電耦合到集電極端子(C3) 206。負載或供電信號路徑280電耦合到電阻282的一側。電阻282的另一側通過信號路徑284電耦合到電感286的一側。電感286的另一側通過信號路徑288電耦合到電阻290的一側和到發(fā)射極端子(El) 142。電阻290的另一側通過信號路徑292電耦合到電感294的一側。電感294的另一側通過信號路徑296電耦合到電阻298的一側和到發(fā)射極端子(E2)178。電阻298的另一側通過信號路徑300電耦合到電感302的一側。電感302的另一側通過信號路徑304電耦合到發(fā)射極端子(E3) 226。圖2中所示的每個電阻是寄生電阻，并且圖2中所示的每個電感是寄生電感。由于電阻258和電感264，存在集電極端子(Cl) 102和集電極端子(C2) 164之間的壓降。由于電阻268和電感272，存在集電極端子(C2) 164和集電極端子(C3) 206之間的另外的壓降。由于電阻280和電感294，存在發(fā)射極端子(El) 142和發(fā)射極端子(E2) 178之間的壓降。由于電阻298和電感302，存在發(fā)射極端子(E2) 178和發(fā)射極端子(E3) 226之間的另外的壓降。發(fā)射極電感中的電感壓降引起驅動發(fā)射極的電壓漂移，從而引起晶體管116、152和194的柵極電壓劣化。因此，如圖3中所示，響應于施加到柵極端子(G)128和輔助發(fā)射極端子(Aux-E) 132的公共驅動信號，310、312和314處指示的電流在晶體管116、152和194的接通期間是不同的。圖3是圖示具有如圖2中所示的負載或供電電流的不對稱連接的等效電路100的柵極-發(fā)射極電壓322對電流324的一個實施例的圖表320。線328指示每個柵極-發(fā)射極電壓(Vra)處的電流I。乘以三。在一個實施例中，響應于施加到柵極端子128的柵極信號和施加到輔助發(fā)射極端子132的輔助發(fā)射極信號，如334處指示的，晶體管116處的Vcje約為11. 8V,如332處指示的，晶體管152處的Vra約為9. 6V，并且如330處指示的，晶體管194處的Vse約為8. 5V。這導致了約通過晶體管116的310處的300A (在圖表320中指示為900A)、通過晶體管152的312處的580A(在圖表320中指示為1740A)、以及通過晶體管194的314處的1400A (在圖表320中指示為4200A)的接通電流。因此，在接通期間，通過晶體管116、152和194的電流不平衡。注意，以上不平衡電流共享的描述忽略了通過寄生電感的互耦的二階效應。由于在其中生成寄生電感的空間內不存在磁材料(即，相對磁導率等于一)，因此互耦對感生電壓具有微小的影響并且未被考慮。
圖4是圖示包括到所有三個電源線(DC+、DC_和AC)的不對稱連接的等效電路350的一個實施例的示意圖。等效電路350包括并聯(lián)耦合的三個半橋。等效電路350包括IGBT354、392、366、408、376 和 414。等效電路 350 還包括二極管 358、394、368、410、378 和 416。此外，等效電路350包括電感360、382、398、370、386和402。晶體管(Zl) 354的發(fā)射極通過信號路徑356電耦合到二極管(Dl) 358的陰極和電感(L2) 360的一側。晶體管(Zl) 354的柵極電耦合到柵極(Gl)信號路徑352。晶體管(Zl) 354的發(fā)射極通過信號路徑380電耦合到二極管(Dl) 358的陽極、電感(LI) 382的一偵U、晶體管(Z2) 392的集電極和二極管(D2) 394的陰極。晶體管(Z2) 392的發(fā)射極通過信號路徑396電耦合到二極管(D2) 394的陽極和電感(L3) 398的一側。晶體管(Z2) 392的柵極電耦合到柵極(G2)信號路徑390。晶體管(Z3) 366的集電極通過信號路徑362電耦合到二極管(D3) 368的陰極、電感(L2)360的另一側和電感(L6)370的一側。晶體管(Z3)366的發(fā)射極通過信號路徑384 電耦合到二極管(D3) 368的陽極、電感(LI) 382的另一側、電感(L4) 386的一側、晶體管(Z4) 408的集電極和二極管(D4) 410的陰極。晶體管(Z3) 366的柵極電耦合到柵極(G3)信號路徑364。晶體管(Z4)408的發(fā)射極通過信號路徑400電耦合到二極管(D4)410的陽極、電感(L3) 398的另一側和電感(L5) 402的一側。晶體管(Z4) 408的柵極電耦合到柵極(G4)信號路徑406。晶體管(Z5)376的集電極通過DC+信號路徑372電耦合到二極管(D5)378的陰極和電感(L6) 370的另一側。晶體管(Z5) 376的發(fā)射極通過AC信號路徑388電耦合到二極管(D5)378的陽極、電感(L4)386的另一側、晶體管(Z6)414的集電極和二極管(D6)416的陰極。晶體管(Z5) 376的柵極電耦合到柵極(G5)信號路徑374。晶體管(Z6) 414的發(fā)射極通過DC-信號路徑404電耦合到二極管(D6)416的陽極和電感(L5)402的另一側。晶體管(Z6) 414的柵極電耦合到柵極(G6)信號路徑412。為了簡化，在圖4中未注明寄生電阻，但是與圖I和2相似存在。注意，寄生電阻引起約數十毫伏或數百毫伏的范圍中的典型壓降，而電感根據di/dt引起約數伏至數十伏的范圍中的典型壓降。在該實施例中，AC電源線388上的di/dt弓丨起LI和L4處的電壓漂移。這些電壓漂移導致在di/dt存在的時間期間的晶體管Zl、Z3和Z5處的不同的柵極-發(fā)射極電壓信號。DC+電源線372上的和DC-電源線404上的di/dt引起L2、L6、L3和L5處的電壓漂移。這些電壓漂移導致在di/dt存在的時間期間的晶體管TA、Z3、Z5和Z2、TA、Z6處的不同的柵極-發(fā)射極電壓信號。因此，在接通期間，通過晶體管Zl、Z3、Z5和Z2、Z4、Z6的電流不平衡。圖5是圖示包括到DC+和DC-電源線的對稱連接以及到AC電源線的不對稱連接的等效電路430的一個實施例的示意圖。等效電路430包括并聯(lián)耦合的三個半橋。等效電路 430 包括 IGBT 354、392、366、408、376 和 414。等效電路 430 還包括二極管 358、394、368、410,378 和 416。此外，等效電路 430 包括電感 360、382、398、370、386 和 402。除了 DC+和DC-電源線的連接之外，晶體管354、392、366、408、376和414，二極管358、394、368、410、378 和 416 以及電感 360、382、398、370、386 和 402 如前面參照圖 4 描述和圖示的那樣彼此電耦合。在該實施例中，DC+信號路徑432電耦合到電感(L2) 360的一偵U、晶體管(Zl) 354的集電極和二極管(Dl) 358的陰極。DC+信號路徑434電耦合到電感(L2) 360的另一側、電感(L6) 370的一側、晶體管(Z3) 366的集電極和二極管(D3) 368的陰極。DC+信號路徑436電耦合到電感(L6) 370的另一側、晶體管(Z5) 376的集電極和二極管(D5) 378的陰極。DC-信號路徑438電耦合到晶體管(Z2) 392的發(fā)射極、二極管(D2) 394的陽極和電感(L3)398的一側。DC-信號路徑440電耦合到電感(L3)398的另一側、晶體管(Z4)408的發(fā)射極、二極管(D4) 410的陽極和電感(L5) 402的一側。DC-信號路徑442電耦合到電感(L5) 402的另一側、晶體管( Z6) 414的發(fā)射極和二極管(D6) 416的陽極。在該實施例中，AC電源線388上的di/dt弓丨起LI和L4處的電壓漂移。這些電壓漂移導致在di/dt存在的時間期間的晶體管Zl、Z3和Z5處的不同的柵極-發(fā)射極電壓信號。因此，在接通期間通過晶體管Zl、Z3和Z5的電流不平衡。圖6是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路500的一個實施例的示意圖。盡管參照圖6和其余示和描述了兩個并聯(lián)裝置，但是本公開可以應用于任何適當數目的并聯(lián)裝置，諸如三個或更多個。電路500包括隔離DC/DC電壓源510和512、隔離驅動器514和522、柵極電阻516和524、IGBT 518和526、二極管520和528以及電感530。每個隔離DC/DC電壓源510和512的輸入分別從端子502和504接收DC+電壓和DC-電壓。隔離DC/DC電壓源510通過信號路徑538向隔離驅動器514的DC-電壓輸入提供DC-電壓。隔離DC/DC電壓源510通過信號路徑540向隔離驅動器514的DC+電壓輸入提供DC+電壓。此外，隔離DC/DC電壓源510通過信號路徑542向隔離驅動器514的地信號輸入、晶體管518的發(fā)射極、二極管520的陽極和電感530的一側提供地(GND)信號(即，參考電位并且不一定是地電位)。隔離驅動器514的輸入分別通過信號路徑534和536接收施加在端子506和508之間的柵極控制信號。隔離驅動器514的輸出通過信號路徑544電耦合到柵極電阻(Rm)516的一側。柵極電阻(Rei) 516的另一側通過信號路徑546電稱合到晶體管518的柵極。晶體管518的集電極電耦合到二極管520的陰極，并且可選地通過信號路徑548電耦合到晶體管526的集電極和二極管528的陰極。隔離DC/DC電壓源512通過信號路徑550向隔離驅動器522的DC-電壓輸入提供DC-電壓。隔離DC/DC電壓源512通過信號路徑552向隔離驅動器522的DC+電壓輸入提供DC+電壓。此外，隔離DC/DC電壓源512通過信號路徑554向隔離驅動器522的地信號輸入、晶體管526的發(fā)射極、二極管528的陽極和電感530的另一側提供地(GND)信號。隔離驅動器522的輸入分別通過信號路徑534和536接收施加在端子506和508之間的柵極控制信號。隔離驅動器522的輸出通過信號路徑556電耦合到柵極電阻(Rffi)524的一側。柵極電阻(Rs2) 524的另一側通過信號路徑558電耦合到晶體管526的柵極。晶體管526的集電極電耦合到二極管528的陰極，并且可選地通過信號路徑548電耦合到晶體管518的集電極和二極管520的陰極。信號路徑554電耦合到端子532。隔離DC/DC電壓源510與隔離DC/DC電壓源512基本上相同。在一個實施例中，隔離DC/DC電壓源510和512是用于分別向隔離驅動器514和522提供隔離DC電壓的DC-DC轉換器。在一個實施例中，由隔離DC/DC電壓源510和512提供的隔離電壓在數百伏的范圍內。在一個實施例中，隔離電壓僅足夠高至承受電感壓降。隔離驅動器514與隔離驅動器522基本上相同，使得隔離驅動器514和522每個具有可忽略的延遲或基本上相同的延遲。在一個實施例中，延遲的差小于10 ns。隔離驅動器514和522提供流電(galvanic)隔離。流電隔離由無芯變壓器或其他適當的電路提供。為了在每個晶體管518和526處實現(xiàn)幾乎相同的柵極信號(在相位方面、在幅值方面和在Uc^t)輪廓方面)，作為示例，可以將數字公共柵極信號傳輸到隔離驅動器的次級側。在該處，數字信號應彼此之間幾乎沒有延遲(在544和556處)。它們的相同幅值由幾乎相同的DC供電電壓510和512控制，例如在100 mV內。通過在晶體管518和526的柵極處使用精密電阻器來確保\E(t)輪廓相同。此外，存在晶體管的開關特性的狹窄展開，這可以通過共同選擇用于并聯(lián)的規(guī)則來實現(xiàn)。隔離驅動器514接收施加在端子506和508之間的柵極信號并且向晶體管518的柵極提供隔離驅動器信號。隔離DC/DC電壓源510和隔離驅動器514使施加到晶體管518的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。隔離驅動器522接收施加在端子506和508之間的柵極信號并且向晶體管526的柵極提供隔離驅動器信號。隔離DC/DC電壓源512和隔離驅動器522使施加到晶體管526的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。通過補償電感壓降，施加在端子506和508之間的公共柵極信號的輪廓(即，電壓和時間)被再生以提供如Ugei (t)所指示的晶體管510的驅動器信號和如Uge2 (t)所指示的晶體管526的驅動器信號，其中僅有某些電壓漂移和某些延遲。因此，晶體管518的U^a)基本上等于晶體管526的UGE2 (t)并且如ia (t)指不的通過晶體管518的電流基本上等于如iC2 (t)指示的通過晶體管526的電流。電流ia (t)和iC2 (t)被求和以提供端子532處的電流。圖7是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路570的另一實施例的示意圖。電路570包括與前面參照圖6描述和圖示的連接成半橋配置的電路500相似的兩個電路。電路570包括電路500，其中晶體管518的集電極和二極管520的陰極通過信號路徑576電耦合到電壓(UDC+)端子572，并且其中晶體管536的集電極和二極管528的陰極通過信號路徑578電耦合到電壓(UD。+)端子574。此外，電路570包括隔離DC/DC電壓源580和582、隔離驅動器584和592、柵極電阻586和594、IGBT 588和596、二極管590和598以及電感600。每個隔離DC/DC電壓源580和582的輸入分別從端子502和504接收DC+電壓和DC-電壓。隔離DC/DC電壓源580通過信號路徑608向隔離驅動器584的DC-電壓輸入提供DC-電壓。隔離DC/DC電壓源580通過信號路徑610向隔離驅動器584的DC+電壓輸入提供DC+電壓。此外，隔離DC/DC電壓源580通過信號路徑612向隔離驅動器584的地信號輸入、晶體管588的發(fā)射極、二極管590的陽極和電感600的一側提供地(GND)信號。隔離驅動器584的輸入分別通過信號路徑604和606接收施加在端子507和509之間的柵極控制信號。隔離驅動器584的輸出通過信號路徑614電耦合到柵極電阻(Rm)586的一側。柵極電阻(Rm) 586的另一側通過信號路徑616電耦合到晶體管588的柵極。晶體管588的集電極通過信號路徑542電耦合到二極管590的陰極和電感530的一側。隔離DC/DC電壓源582通過信號路徑618向隔離驅動器592的DC-電壓輸入提供DC-電壓。隔離DC/DC電壓源582通過信號路徑620向隔離驅動器592的DC+電壓輸入提供DC+電壓。此外，隔離DC/DC電壓源582通過信號路徑622向隔離驅動器592的地信號輸入、晶體管596的發(fā)射極、二極管598的陽極和電感600的另一側提供地(GND)信號。隔離驅動器592的輸入分別通過信號路徑604和606接收施加在端子507和509之間的柵極控制信號。隔離驅動器592的輸出通過信號路徑624電耦合到柵極電阻(Re2)594的一側。柵極電阻(Rs2) 594的另一側通過信號路徑626電耦合到晶體管596的柵極。晶體管596的集電極電耦合到二極管598的陰極并且通過信號路徑554電耦合到電感530的另一側。信號路徑554電耦合到AC端子532。信號路徑622電耦合到電壓(UDe_)端子602。隔離DC/DC電壓源580與隔離DC/DC電壓源582以及前面描述的隔離DC/DC電壓源510和512基本上相同。在一個實施例中，由隔離DC/DC電壓源510、512、580和582提供的隔離電壓在數千伏的范圍內，諸如高達10kV。在一個實施例中，隔離DC/DC電壓源580和582是用于分別向隔離驅動器584和592提供隔離DC電壓的DC-DC轉換器。隔離驅動器584與隔離驅動器592以及前面描述的隔離驅動器514和522基本上相同，使得隔離驅動器584和592每個具有可忽略的延遲或基本上相同的延遲。 隔離驅動器584接收施加在端子507和509之間的柵極信號并且向晶體管588的柵極提供隔離驅動器信號。隔離DC/DC電壓源580和隔離驅動器584使施加到晶體管588的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感600的電感壓降。隔離驅動器592接收施加在端子507和509之間的柵極信號并且向晶體管596的柵極提供隔離驅動器信號。隔離DC/DC電壓源582和隔離驅動器592使施加到晶體管596的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感600的電感壓降。通過補償電感壓降，施加在端子507和509之間的公共柵極信號的輪廓(即，電壓和時間)被再生以提供如Urai (t)所指示的晶體管588的驅動器信號和如Ucje2 (t)所指示的晶體管596的驅動器信號，其中僅有某些電壓漂移和某些延遲。因此，在接通期間晶體管588的Ugei (t)基本上等于晶體管596的UGE2 (t)并且通過晶體管588的電流基本上等于通過晶體管596的電流。圖8是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路650的另一實施例的示意圖。電路650與前面參照圖6描述和圖示的電路500相似，除了電路650包括單個隔離DC/DC電壓源654、解耦電阻器662，664、666、668、670和672、以及電容器680,682,690和692。隔離DC/DC電壓源654的輸入分別從端子502和504接收DC+電壓和DC-電壓。隔離DC/DC電壓源654通過信號路徑656向電阻器666的一側和電阻器672的一側提供DC-電壓。隔離DC/DC電壓源654通過信號路徑658向電阻器664的一側和電阻器670的一側提供DC+電壓。此外，隔離DC/DC電壓源654通過信號路徑660向電阻器662的一側和電阻器668的一側提供地(GND)信號。電阻器662的另一側通過信號路徑674電I禹合到電容器680的一側、電容器682的一側、隔離驅動器514的地信號輸入、晶體管518的發(fā)射極、二極管520的陽極以及電感530的一側。電阻器664的另一側電耦合到電容器680的另一側并且通過信號路徑676電耦合到隔離驅動器514的DC+電壓輸入。電阻器666的另一側電耦合到電容器682的另一側并且通過信號路徑678電耦合到隔離驅動器514的DC-電壓輸入。電阻器668的另一側通過信號路徑684電I禹合到電容器690的一側、電容器692的一側、隔離驅動器522的地信號輸入、晶體管526的發(fā)射極、二極管528的陽極以及電感530的另一側。電阻器670的另一側電耦合到電容器690的另一側并且通過信號路徑686電耦合到隔離驅動器522的DC+電壓輸入。電阻器672的另一側電耦合到電容器692的另一側并且通過信號路徑688電耦合到隔離驅動器522的DC-電壓輸入。在該實施例中，代替針對每個隔離驅動器514和522使用單獨的隔離DC/DC電壓源，使用了單個隔離DC/DC電壓源654、解耦電阻器662，664、666、668、670和672、以及電容器680、682、690和692。隔離驅動器514以及解耦電阻器662、664和666使施加到晶體管518的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。電容器680和682在轉變期間保持局部的個別電壓。隔離驅動器522以及解耦電阻器6 68、670和672使施加到晶體管526的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。電容器690和692在轉變期間保持局部的個別電壓。因此，晶體管518的Ut)基本上等于晶體管526的Ut^a)并且如ia(t)指示的通過晶體管518的電流基本上等于如ie2(t)指示的通過晶體管526的電流。圖9是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路700的另一實施例的示意圖。電路700與前面參照圖8描述和圖示的電路650相似，除了在電路700中解耦電阻器被耦合共模(CMM)扼流器702和704替換。分別地，CCM扼流器702的一側電耦合到地信號路徑660、DC+電壓信號路徑658和DC-電壓信號路徑656，而CMM扼流器702的另一側電耦合到信號路徑674、676和678。分別地，CMM扼流器704的一側電耦合到地信號路徑660、DC+電壓信號路徑658和DC-電壓信號路徑656，而CMM扼流器704的另一側電耦合到信號路徑684、686和688。在該實施例中，代替針對每個隔離驅動器514和522使用單獨的隔離DC/DC電壓源，使用了單個隔離DC/DC電壓源654、CCM扼流器701和704、以及電容器680、682、690和692。隔離驅動器514和CCM扼流器702使施加到晶體管518的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。電容器680和682在轉變期間保持局部的個別電壓。隔離驅動器522和CCM扼流器704使施加到晶體管526的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。電容器690和692在轉變期間保持局部的個別電壓。因此，晶體管518的Ugei (t)基本上等于晶體管526的Uge2 (t)并且如ia (t)指不的通過晶體管518的電流基本上等于如iC2(t)指示的通過晶體管526的電流。圖10是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路720的另一實施例的示意圖。電路720與前面參照圖6描述和圖示的電路500相似，除了電路720包括發(fā)射極跟隨器722和724。隔離驅動器514的輸出電耦合到發(fā)射極跟隨器722的輸入。此外，發(fā)射極跟隨器722的輸入接收信號路徑538上的DC-電壓、信號路徑540上的DC+電壓和信號路徑542上的地信號。發(fā)射極跟隨器522的輸出通過信號路徑726電耦合到柵極電阻(Rei)516的一側。隔離驅動器522的輸出電耦合到發(fā)射極跟隨器724的輸入。此外，發(fā)射極跟隨器724的輸入接收信號路徑550上的DC-電壓、信號路徑552上的DC+電壓和信號路徑554上的地信號。發(fā)射極跟隨器724的輸出通過信號路徑728電耦合到柵極電阻(Rffi) 524的一側。 在該實施例中，發(fā)射極跟隨器722和724被分別布置在隔離驅動器514和522與晶體管518和526的柵極之間。在其他實施例中，每個發(fā)射極跟隨器722和724被另一適當的電流放大器替換，諸如如圖14A中所示的推挽放大器900或者如圖14B中所示的電壓控制電流源902。隔離DC/DC電壓源510、隔離驅動器514和發(fā)射極跟隨器722使施加到晶體管518的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。隔離DC/DC電壓源512、隔離驅動器522和發(fā)射極跟隨器724使施加到晶體管526的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。因此，晶體管518的Ugei⑴基本上等于晶體管526的Uge2⑴并且如ia(t)指示的通過晶體管518的電流基本上等于如ie2(t)指示的通過晶體管526的電流。圖11是圖示用于補償并聯(lián)裝置之間的電感壓降的等效電路750的另一實施例的示意圖。電路750與前面參照圖10描述和圖示的電路720相似，除了在電路750中隔離驅動器514和522被非隔離驅動器756和758以及耦合共模(CMM)扼流器752和754替換。CMM
扼流器752的輸入分別通過信號路徑760和762電耦合到柵極控制信號端子506和508，而CCM扼流器752的輸出分別通過信號路徑764和766電耦合到驅動器756的輸入。CMM扼流器754的輸入分別通過信號路徑760和762電耦合到柵極控制信號端子506和508，而CMM扼流器754的輸出分別通過信號路徑768和770電耦合到驅動器758的輸入。在該實施例中，發(fā)射極跟隨器722和724被分別布置在非隔離驅動器756和758與晶體管518和526的柵極之間。此外，CCM扼流器752和754分別布置在非隔離驅動器756和758之前。在其他實施例中，每個發(fā)射極跟隨器722和724被另一適當的電流放大器替換，諸如如圖14A中所示的推挽放大器900或者如圖14B中所示的電壓控制電流源902。隔離DC/DC電壓源510、CCM扼流器752、驅動器756和發(fā)射極跟隨器722使施加到晶體管518的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。隔離DC/DC電壓源512、CMM扼流器754、驅動器758和發(fā)射極跟隨器724使施加到晶體管526的柵極的驅動器信號漂移以補償跨越電感530的電感壓降。因此，晶體管518的Urai (t)基本上等于晶體管526的UGE2 (t)并且如ia(t)指示的通過晶體管518的電流基本上等于如iC2(t)指示的通過晶體管526的電流。圖12是圖示功率模塊800的一個實施例的分解視圖的示圖。圖13圖示了功率模塊800的一個實施例的橫截面視圖。功率模塊800包括交流(AC)連接條802、帽808、并聯(lián)裝置816、公共柵極端子814、驅動器板812以及DC+和DC-端子810。AC連接條802被布置為使得如806處所指示的那樣相電流(S卩，AC電流)沿模塊800的長度流動。DC (+/-)電流是對稱的并且如804處所指示的那樣垂直于并聯(lián)裝置816的行流動。在一個實施例中，驅動器板812是印刷電路板(PCB)并且包括用于驅動并聯(lián)裝置816的電路820、用于每個段的驅動端子824、公共柵極和發(fā)射極端子814、到個別裝置的公共柵極信號路徑、公共柵極供電連接器以及個別電壓源。在一個實施例中，驅動器板812通過壓入配合連接器附接到模塊。在另一實施例中，驅動器板812通過彈簧或焊接連接器附接到模塊。在又一實施例中，驅動器板812通過激光熔接互連而附接到模塊。驅動器板812由帽808覆蓋并且通過絕緣灌注材料826進行灌注。帽808由塑料或其他適當材料制成。驅動器板812由高溫材料制成，諸如陶瓷聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂(對于環(huán)氧樹脂，玻璃轉變溫度大于150°C或170°C )。功率模塊800包括如822處所指示的在帽808的頂部的用于驅動端子的封裝底座。在828處指示了用于帽-模塊的分離水平。外殼818圍住功率模塊800。
實施例提供了公共驅動器信號與并聯(lián)裝置的每個裝置的每個個別柵極和輔助發(fā)射極之間的電路，其中電流沿裝置被并聯(lián)所在的方向流動。該電路使每個裝置處的驅動器信號漂移以補償功率發(fā)射極處的電感壓降。該電路確保了每個裝置處的個別柵極信號與公共驅動器信號同相并且具有與公共驅動器信號相同的幅值。因此，公共柵極信號的輪廓(即，電壓和時間)在每個個別裝置的每個柵極處被再生。
盡管這里圖示和描述了具體實施例，但是本領域的普通技術人員將認識到，在不偏離本公開的范圍的情況下多種替選的和/或等同的實現(xiàn)方案可以替換所示出和描述的具體實施例。本申請旨在涵蓋這里討論的具體實施例的任何適配或變化。因此，旨在本公開僅由權利要求及其等同物限制。
權利要求
1.一種半導體裝置，包括 第一晶體管； 第二晶體管，與所述第一晶體管并聯(lián)耦合； 第一寄生電感，位于所述第一晶體管的發(fā)射極和所述第二晶體管的發(fā)射極之間； 第一電路，被配置為基于公共驅動器信號向所述第一晶體管提供第一柵極驅動器信號；以及 第二電路，被配置為基于所述公共驅動器信號向所述第二晶體管提供第二柵極驅動器信號， 其中所述第一電路和所述第二電路被配置為補償跨越所述第一寄生電感的壓降，使得所述第一柵極驅動器信號和所述第二柵極驅動器信號與所述公共驅動器信號同相并且具有與所述公共驅動器信號相同的幅值。
2.根據權利要求I所述的半導體裝置，進ー步包括 第一ニ極管，耦合在所述第一晶體管的集電極和發(fā)射極之間；以及 第二ニ極管，耦合在所述第二晶體管的集電極和發(fā)射極之間。
3.根據權利要求I所述的半導體裝置， 其中所述第一電路包括第一隔離電壓源；以及第一隔離驅動器，耦合到所述第一隔離電壓源，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第一柵極驅動器信號；以及其中所述第二電路包括第二隔離電壓源；以及第二隔離驅動器，耦合到所述第二隔離電壓源，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第二柵極驅動器信號。
4.根據權利要求I所述的半導體裝置，進ー步包括 第三晶體管，與所述第一晶體管串聯(lián)耦合； 第四晶體管，與所述第二晶體管串聯(lián)耦合并且與所述第三晶體管并聯(lián)耦合； 第二寄生電感，位于所述第三晶體管的發(fā)射極和所述第四晶體管的發(fā)射極之間； 第三電路，被配置為基于另外公共驅動器信號向所述第三晶體管提供第三柵極驅動器信號；以及 第四電路，被配置為基于所述另外公共驅動器信號向所述第四晶體管提供第四柵極驅動器信號， 其中所述第三電路和所述第四電路被配置為補償跨越所述第二寄生電感的壓降，使得所述第三柵極驅動器信號和所述第四柵極驅動器信號與所述另外公共驅動器信號同相并且具有與所述另外公共驅動器信號相同的幅值。
5.根據權利要求I所述的半導體裝置，進ー步包括 隔離電壓源， 其中所述第一電路包括經由第一解耦電阻器耦合到所述隔離電壓源的第一隔離驅動器，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第一柵極驅動器信號，以及其中所述第二電路包括經由第二解耦電阻器耦合到所述隔離電壓源的第二隔離驅動器，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第二柵極驅動器信號。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述隔離電壓源提供DC+電壓、DC-電壓和地信號， 其中所述第一電路包括第一電容器和第二電容器，所述第一電容器稱合在第一 DC+電壓信號路徑和第一地信號路徑之間，而所述第二電容器耦合在第一 DC-電壓信號路徑和所述第一地信號路徑之間，以及 其中所述第二電路包括第三電容器和第四電容器，所述第三電容器耦合在第二 DC+電壓信號路徑和第二地信號路徑之間，而所述第四電容器耦合在第二 DC-電壓信號路徑和所述第二地信號路徑之間。
7.根據權利要求I所述的半導體裝置，進ー步包括 隔離電壓源， 其中所述第一電路包括經由第一耦合共模扼流器耦合到所述隔離電壓源的第一隔離驅動器，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第一柵極驅動器信號，以及 其中所述第二電路包括經由第二耦合共模扼流器耦合到所述隔離電壓源的第二隔離驅動器，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第二柵極驅動器信號。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中隔離電壓源提供DC+電壓、DC-電壓和地信號， 其中所述第一電路包括第一電容器和第二電容器，所述第一電容器稱合在第一 DC+電壓信號路徑和第一地信號路徑之間，而所述第二電容器耦合在第一 DC-電壓信號路徑和所述第一地信號路徑之間，以及 其中所述第二電路包括第三電容器和第四電容器，所述第三電容器耦合在第二 DC+電壓信號路徑和第二地信號路徑之間，而所述第四電容器耦合在第二 DC-電壓信號路徑和所述第二地信號路徑之間。
9.根據權利要求I所述的半導體裝置， 其中所述第一電路包括 第一隔離電壓源；第一隔離驅動器，耦合到所述第一隔離電壓源，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第一信號；以及第一電流放大器，耦合到所述第一隔離電壓源，所述第一電流放大器被配置為接收所述第一信號并且基于所述第一信號提供所述第一柵極驅動器信號；以及 其中所述第二電路包括 第二隔離電壓源；第二隔離驅動器，耦合到所述第二隔離電壓源，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第二信號；以及第二電流放大器，耦合到所述第二隔離電壓源，所述第二電流放大器被配置為接收所述第二信號并且基于所述第二信號提供所述第二柵極驅動器信號。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述第一電流放大器包括發(fā)射極跟隨器、推挽放大器和電壓控制電流源之一，以及 其中所述第二電流放大器包括發(fā)射極跟隨器、推挽放大器和電壓控制電流源之一。
11.根據權利要求I所述的半導體裝置， 其中所述第一電路包括 第一隔離電壓源；第一耦合共模扼流器，被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第一信號； 第一驅動器，耦合到所述隔離電壓源，所述第一驅動器被配置為接收所述第一信號并且基于所述第一信號提供第二信號；以及 第一電流放大器，耦合到所述隔離電壓源，所述第一電流放大器被配置為接收所述第二信號并且基于所述第二信號提供所述第一柵極驅動器信號；以及其中所述第二電路包括 第二隔離電壓源；第二耦合共模扼流器，被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第三信號； 第二驅動器，耦合到所述隔離電壓源，所述第二驅動器被配置為接收所述第三信號并且基于所述第三信號提供第四信號；以及 第二電流放大器，耦合到所述隔離電壓源，所述第二電流放大器被配置為接收所述第四信號并且基于所述第四信號提供所述第二柵極驅動器信號。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述第一電流放大器包括發(fā)射極跟隨器、推挽放大器和電壓控制電流源之一，以及 其中所述第二電流放大器包括發(fā)射極跟隨器、推挽放大器和電壓控制電流源之一。
13.—種功率模塊，包括 第一開關裝置； 第二開關裝置，與所述第一開關裝置并聯(lián)耦合； 第一寄生電感，位于所述第一開關裝置和所述第二開關裝置之間； 第一電路，被配置為接收公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號向所述第一開關裝置提供用于控制所述第一開關裝置的開關的第一信號；以及 第二電路，被配置為接收公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號向所述第二開關裝置提供用于控制所述第二開關裝置的開關的第二信號， 其中所述第一電路和所述第二電路每個被配置為補償跨越所述第一寄生電感的壓降，使得所述第一信號和所述第二信號與所述驅動器信號同相并且具有與所述驅動器信號相同的幅值。
14.根據權利要求13所述的功率模塊，其中所述第一電路包括對第一隔離驅動器供電的第一隔離DC-DC轉換器，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第一信號；以及 其中所述第二電路包括對第二隔離驅動器供電的第二隔離DC-DC轉換器，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第二信號。
15.根據權利要求13所述的功率模塊，進一步包括 隔離DC-DC轉換器，提供DC+電壓、DC-電壓和地信號； 其中所述第一電路包括耦合在所述隔離DC-DC轉換器和第一隔離驅動器之間的第一解耦電阻器、耦合在第一 DC+電壓信號路徑和第一地信號路徑之間的第一電容器、和耦合在第一 DC-電壓信號路徑和所述第一地信號路徑之間的第二電容器，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第一信號；以及 其中所述第二電路包括耦合在所述隔離DC-DC轉換器和第二隔離驅動器之間的第二解耦電阻器、耦合在第二 DC+電壓信號路徑和第二地信號路徑之間的第三電容器、和耦合 在第二 DC-電壓信號路徑和所述第二地信號路徑之間的第四電容器，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第二信號。
16.根據權利要求13所述的功率模塊，進一步包括 隔離DC-DC轉換器，提供DC+電壓、DC-電壓和地信號； 其中所述第一電路包括耦合在所述隔離DC-DC轉換器和第一隔離驅動器之間的第一率禹合共模扼流器、稱合在第一 DC+電壓信號路徑和第一地信號路徑之間的第一電容器、和耦合在第一 DC-電壓信號路徑和所述第一地信號路徑之間的第二電容器，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第一信號；以及 其中所述第二電路包括耦合在所述隔離DC-DC轉換器和第二隔離驅動器之間的第二耦合共模扼流器、耦合在第二 DC+電壓信號路徑和第二地信號路徑之間的第三電容器、和耦合在第二 DC-電壓信號路徑和所述第二地信號路徑之間的第四電容器，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供所述第二信號。
17.根據權利要求13所述的功率模塊，其中所述第一電路包括對第一隔離驅動器和第一電流放大器供電的第一隔離DC-DC轉換器，所述第一隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第三信號，并且所述第一電流放大器被配置為接收所述第三信號并且基于所述第三信號提供所述第一信號；以及 其中所述第二電路包括對第二隔離驅動器和第二電流放大器供電的第二隔離DC-DC轉換器，所述第二隔離驅動器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第四信號，并且所述第二電流放大器被配置為接收所述第四信號并且基于所述第四信號提供所述第二信號。
18.根據權利要求13所述的功率模塊，其中所述第一電路包括對第一驅動器和第一電流放大器供電的第一隔離DC-DC轉換器以及第一耦合共模扼流器，所述第一耦合共模扼流器被配置為接收所述公共驅動器信號以基于所述公共驅動器信號提供第三信號，所述第一驅動器被配置為接收所述第三信號并且基于所述第三信號提供第四信號，并且所述第一電流放大器被配置為接收所述第四信號并且基于所述第四信號提供所述第一信號；以及 所述第二電路包括對第二驅動器和第二電流放大器供電的第二隔離DC-DC轉換器以及第二耦合共模扼流器，所述第二耦合共模扼流器被配置為接收所述公共驅動器信號并且基于所述公共驅動器信號提供第五信號，所述第二驅動器被配置為接收所述第五信號并且基于所述第五信號提供第六信號，并且所述第二電流放大器被配置為接收所述第六信號并且基于所述第六信號提供所述第二信號。
19.一種用于開關具有并聯(lián)裝置的功率電路中的裝置的方法，所述方法包括 接收被配置用于開關每個裝置的公共驅動器信號；以及 使所述公共驅動器信號漂移以提供每個裝置處的個別裝置驅動器信號以補償每個裝置之間的電感壓降，使得每個裝置處的每個個別裝置驅動器信號與所述公共驅動器信號同相并且具有與所述公共驅動器信號相同的幅值。
20.根據權利要求19所述的方法，其中使所述公共驅動器信號漂移包括 個別地隔離每個裝置的電壓源；以及 經由由每個裝置的相應隔離電壓源供電的隔離驅動器個別地隔離所述公共驅動器信號，以提供每個裝置處的個別裝置驅動器信號。
21.根據權利要求19所述的方法，其中使所述公共驅動器信號漂移包括 隔離電壓源； 個別地使所述電壓源與每個裝置的隔離驅動器解耦；以及 經由每個裝置的隔離驅動器個別地隔離所述公共驅動器信號，以提供每個裝置處的個別裝置驅動器信號。
22.根據權利要求19所述的方法，其中使所述公共驅動器信號漂移包括 個別地隔離每個裝置的電壓源；以及 經由由每個裝置的相應隔離電壓源供電的隔離驅動器和電流放大器個別地隔離所述公共驅動器信號，以提供每個裝置處的個別裝置驅動器信號。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括用于補償寄生電感的電路的半導體裝置。一種半導體裝置包括第一晶體管、與第一晶體管并聯(lián)耦合的第二晶體管、以及第一晶體管的發(fā)射極和第二晶體管的發(fā)射極之間的第一寄生電感。該半導體裝置包括第一電路，被配置為基于公共驅動器信號向第一晶體管提供第一柵極驅動器信號；和第二電路，被配置為基于公共驅動器信號向第二晶體管提供第二柵極驅動器信號。第一電路和第二電路被配置為補償跨越第一寄生電感的壓降，使得第一柵極驅動器信號和第二柵極驅動器信號與公共驅動器信號同相并且具有與公共驅動器信號相同的幅值。
文檔編號H02M1/088GK102684461SQ20121006813
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月15日 優(yōu)先權日2011年3月15日
發(fā)明者P.T.盧尼夫斯基, R.巴耶雷爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司