專利名稱：手機及充電保護電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動通訊終端領(lǐng)域，特別是涉及一 種手機及充電保護電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的手機中，引入電壓的位置有兩個一個是電池，一個是充電接口。正常手機充電時，都需要將電池先行放入，隨后才是充電接口。但是在用戶使用過程中，往往會出現(xiàn)先插充電器后放電池的情形。根據(jù)設(shè)計經(jīng)驗，手機插入充電器后處于不斷重啟或等待的狀態(tài)，但并不會有顯示。主要因為此時與電池正極連接的VBATT端口上已經(jīng)開始產(chǎn)生4. 2V電池電壓，只是由于與電池檢測接口連接的電壓未偵測到，手機保持黑屏不開機狀態(tài)。此時，如果用戶放入的電池的電壓過低，或者電池連接器存在某些短路情形，則放入電池時很容易產(chǎn)生瞬時的大電流。而一旦場效晶體管關(guān)斷不及時，將直接使得充電芯片瞬間產(chǎn)生過流，導(dǎo)致?lián)p壞或者壽命減短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種手機及充電保護電路，能夠防止手機先插入充電器后放入電池時產(chǎn)生瞬時的大電流，降低充電芯片的損壞幾率，并且延長充電芯片的壽命。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種充電保護電路，包括第一端口，在電池接入時與電池的BATT_ID接口連接以產(chǎn)生第一控制電壓，在電池未接入時第一端口懸空；第二端口，與充電器的充電接口選擇性連接，且在與充電接口連接時，從充電器獲取第一充電電壓；充電芯片，包括輸入端；受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及控制端，第一端與第二端口連接，第二端與輸入端連接，控制端與第一端口連接，控制端在從第一端口獲取到第一控制電壓時，第一端與第二端連接，控制端懸空時，第一端與第二端斷開連接。其中，充電保護電路進一步包括充電端口，充電端口在電池接入時與電池的VBATT接口和GND接口連接，充電芯片進一步包括輸出端，輸出端與充電端口連接，充電芯片用于將從輸入端獲取的第一充電電壓轉(zhuǎn)換為適合于對電池進行充電的第二充電電壓，并利用輸出端輸出第二充電電壓至電池。其中，第一端口與第二端口之間設(shè)置有第三電阻，在第一端口與BATT_ID接口連接且第二端口在與充電接口連接時，第一端口通過電池中設(shè)置的與BATT_ID接口連接的第一電阻接地，第一電阻和第三電阻的電阻值設(shè)置為使得在第一端口與BATT_ID接口連接時在第一端口產(chǎn)生第一控制電壓。其中，受控開關(guān)進一步包括開關(guān)三極管、NMOS管、第二電阻以及第一電容，其中開關(guān)三極管的基極為控制端，NMOS管的源極為第一端，NMOS管的漏極為第二端，開關(guān)三極管的發(fā)射極與NMOS管的源極之間設(shè)置有第二電阻，開關(guān)三極管的集電極接地，第一電容設(shè)置在NMOS管的漏極與開關(guān)三極管的集電極之間。
其中，第二電阻的電阻值范圍在10000至100000歐姆之間。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是提供一種手機，包括充電保護電路，充電保護電路包括第一端口，在電池接入時與電池的BATT_ID接口連接以產(chǎn)生第一控制電壓，在電池未接入時第一端口懸空；第二端口，與充電器的充電接口選擇性連接，且在與充電接口連接時，從充電器獲取第一充電電壓；充電芯片，包括輸入端；受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及控制端，第一端與第二端口連接，第二端與輸入端連接，控制端與第一端口連接，控制端在從第一端口獲取到第一控制電壓時，第一端與第二端連接，控制端懸空時，第一端與第二端斷開連接。其中，充電保護電路進一步包括充電端口，充電端口在電池接入時與電池的VBATT接口和GND接口連接，充電芯片進一步包括輸出端，輸出端與充電端口連接，充電芯片用于將從輸入端獲取的第一充電電壓轉(zhuǎn)換為適合于對電池進行充電的第二充電電壓，并利用輸出端輸出第二充電電壓至電池。
其中，第一端口與第二端口之間設(shè)置有第三電阻，在第一端口與BATT_ID接口連接且第二端口在與充電接口連接時，第一端口通過電池中設(shè)置的與BATT_ID接口連接的第一電阻接地，第一電阻和第三電阻的電阻值設(shè)置為使得在第一端口與BATT_ID接口連接時在第一端口產(chǎn)生第一控制電壓。其中，受控開關(guān)進一步包括開關(guān)三極管、NMOS管、第二電阻以及第一電容，其中開關(guān)三極管的基極為控制端，NMOS管的源極為第一端，NMOS管的漏極為第二端，開關(guān)三極管的發(fā)射極與NMOS管的源極之間設(shè)置有第二電阻，開關(guān)三極管的集電極接地，第一電容設(shè)置在NMOS管的漏極與開關(guān)三極管的集電極之間。其中，第二電阻的電阻值范圍在10000至100000歐姆之間。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明能夠防止手機先插入充電器后放入電池時產(chǎn)生瞬時的大電流，降低充電芯片的損壞幾率，并且延長充電芯片的壽命。


圖I是本發(fā)明實施例的充電保護電路的示意框圖；圖2是圖I中的受控開關(guān)的電路圖。
具體實施例方式參閱圖1，圖I是本發(fā)明實施例的充電保護電路的示意框圖。在本實施例中，充電保護電路包括電池接口 11、充電芯片13以及受控開關(guān)14。電池接口 11上設(shè)置有第一端口 111及充電端口 112。第一端口 111在電池(未圖示)接入時與電池的BATT_ID接口連接以產(chǎn)生第一控制電壓，在電池未接入時懸空。充電端口 112在電池接入時與電池的VBATT接口和GND接口連接。第二端口 121與充電器(未圖示)的充電接口 12選擇性連接，且在與充電接口12連接時,從充電器獲取第一充電電壓。在本實施例中，手機插入充電器準備充電時，第二端口 121與充電接口 12連接；手機未插入充電器時，第二端口 121與充電接口 12斷開連接。具體地，第二端口 121可為各種現(xiàn)有通用的充電端口，如第二端口 121可為USB端口(Universal Serial BUS，通用串行總線)，充電器可為外接的USB充電器等。
充電芯片13上設(shè)置有輸入端131以及輸出端132。輸出端132與充電端口 112連接，充電芯片13用于將從輸入端132獲取的第一充電電壓轉(zhuǎn)換為適合于對電池進行充電的第二充電電壓，并利用輸出端132以及充電端口 112輸出第二充電電壓至電池。受控開關(guān)14包括第一端141、第二端142以及控制端143。第一端141與第二端口 121連接，第二端142與輸入端131連接，控制端143與第一端口 111連接。受控開關(guān)14的控制端143在從第一端口 111獲取到第一控制電壓時，第一端141與第二端142連接；控制端143在懸空時，第一端141與第二端142斷開連接。
由此可見，在電池未插入手機時，第一端口 111產(chǎn)生第二控制電壓。受控開關(guān)14的控制端獲取到第二控制電壓，導(dǎo)致第一端141與第二端142斷開連接。此時，在第二端口121與充電器的充電接口 12連接時，第二端口 121處所獲取的第一充電電壓無法輸入至充電芯片13。而在電池插入手機后,第一端口 111產(chǎn)生第一控制電壓。受控開關(guān)14的控制端獲取到第一控制電壓，導(dǎo)致第一端141與第二端142連接。此時，第二端口 121與充電器的充電接口 12連接時，第二端口 121處獲取的第一充電電壓輸入至充電芯片13。參閱圖2，圖2是圖I中的受控開關(guān)的電路圖。第一端口 111與第二端口 121之間設(shè)置有第三電阻R3，在第一端口 111與BATT_ID接口連接且第二端口 121在與充電接口 12連接時，第一端口 111通過電池Ul中設(shè)置的與BATT_ID接口連接的第一電阻Rl接地。當電池Ul接入手機時，第一端口 111與BATT_ID接口連接；當電池Ul未接入手機時，第一端口 111與BATT_ID接口斷開連接。第一電阻Rl與第三電阻R3的電阻值設(shè)置為使得在第一端口 111與BATT_ID接口連接時在第一端口 111產(chǎn)生第一控制電壓。其中，第一電阻Rl的電阻值可設(shè)置為10000歐姆。第一控制電壓為高電平電壓信號(其具體值取決于電池Ul的BATT_ID接口所提供的電壓)，第二控制電壓為地電壓信號。受控開關(guān)14 包括開關(guān)三極管 Ql、NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor, N 型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3以及第一電容Cl。開關(guān)三極管Ql的基極為控制端，NMOS管Q2的源極為第一端，NMOS管Q2的漏極為第二端。開關(guān)三極管Ql的發(fā)射極與NMOS管Q2的源極之間設(shè)置有第二電阻R2，開關(guān)三極管Ql的集電極接地。NMOS管Q2的柵極與源極為控制端，NMOS管Q2的柵極與開關(guān)三極管Ql的發(fā)射極連接。第一電容Cl設(shè)置在NMOS管Q2的漏極與開關(guān)三極管Ql的集電極之間。其中，在本實施例中，第一電阻Rl的阻值為10000歐姆。在其他實施例中，第一電阻Rl的阻值可跟據(jù)實際需要進行調(diào)節(jié)。在優(yōu)選實施例中，第二電阻R2的電阻值范圍在10000至100000歐姆之間。當電池Ul接入手機時，第一端口 111與BATT_ID接口連接，在第一端口 111產(chǎn)生第一控制電壓。開關(guān)三極管Ql的基極接受第一控制電壓后，其發(fā)射極與集電極導(dǎo)通。此時，由于第二電阻R2的作用，受控開關(guān)14的第一端141，即NMOS管Q2的源極，與NMOS管Q2的柵極之間存在電勢差，因此NMOS管Q2的源極與漏極導(dǎo)通，使受控開關(guān)14的第一端141與第二端142導(dǎo)通。當電池Ul未接入手機時，第一端口 111與BATT_ID接口斷開連接，在第一端口 111產(chǎn)生第二控制電壓。開關(guān)三極管Ql的基極接受第二控制電壓后，其發(fā)射極與集電極斷開。此時，NMOS管Q2的源極與柵極之間不存在電勢差，因此無法導(dǎo)通，使受控開關(guān)14的第一端141與第二端142斷開。值得注意的是，本實施例中，主要利用開關(guān)三極管Q1、NM0S管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3以及第一電容Cl來完成受控開關(guān)14的對應(yīng)功能，該電路結(jié)構(gòu)相對于現(xiàn)有技術(shù)具有簡單，成本低廉，可大規(guī)模推廣使用，尤其適合于作為本實施例中的受控開關(guān)。但，值得注意的是，在本發(fā)明對受控開關(guān)的具體實現(xiàn)方式并不作具體限定，凡能夠?qū)崿F(xiàn)在控制信號的控制下進行開關(guān)控制的相應(yīng)電路或芯片均可在本發(fā)明中作為受控開關(guān)使用。進一步的，本發(fā)明還公開一種手機，該手機包括上述充電保護電路。 區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的手機及其充電保護電路能夠 防止手機先插入充電器后放入電池時產(chǎn)生瞬時的大電流，降低充電芯片的損壞幾率，并且延長充電芯片的壽命。以上僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種充電保護電路，其特征在于，包括 第一端口，在電池接入時與電池的BATT_ID接口連接以產(chǎn)生第一控制電壓，在電池未接入時所述第一端口懸空； 第二端口，與充電器的充電接口選擇性連接，且在與所述充電接口連接時，從所述充電器獲取第一充電電壓； 充電芯片，包括輸入端； 受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及控制端，所述第一端與所述第二端口連接，所述第二端與所述輸入端連接，所述控制端與所述第一端口連接，所述控制端在從所述第一端口獲取到所述第一控制電壓時，所述第一端與所述第二端連接，所述控制端懸空時，所述第一端與所述第二端斷開連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的充電保護電路，其特征在于，所述充電保護電路進一步包括充電端口，所述充電端口在所述電池接入時與所述電池的VBATT接口和GND接口連接，所述充電芯片進一步包括輸出端，所述輸出端與所述充電端口連接，所述充電芯片用于將從所述輸入端獲取的第一充電電壓轉(zhuǎn)換為適合于對所述電池進行充電的第二充電電壓，并利用所述輸出端輸出所述第二充電電壓至所述電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的充電保護電路，其特征在于，所述第一端口與所述第二端口之間設(shè)置有第三電阻，在所述第一端口與BATT_ID接口連接且所述第二端口在與所述充電接口連接時，所述第一端口通過電池中設(shè)置的與BATT_ID接口連接的第一電阻接地，所述第一電阻和所述第三電阻的電阻值設(shè)置為使得在所述第一端口與所述BATT_ID接口連接時在所述第一端口產(chǎn)生所述第一控制電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的充電保護電路，其特征在于，所述受控開關(guān)進一步包括開關(guān)三極管、NMOS管、第二電阻以及第一電容，其中 所述開關(guān)三極管的基極為所述控制端，所述NMOS管的源極為所述第一端，所述NMOS管的漏極為所述第二端，所述開關(guān)三極管的發(fā)射極與所述NMOS管的源極之間設(shè)置有所述第二電阻，所述開關(guān)三極管的集電極接地，所述第一電容設(shè)置在所述NMOS管的漏極與所述開關(guān)三極管的集電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的充電保護電路，其特征在于，所述第二電阻的電阻值范圍在10000至100000歐姆之間。
6.一種手機，其特征在于，包括充電保護電路，所述充電保護電路包括 第一端口，在電池接入時與電池的BATT_ID接口連接以產(chǎn)生第一控制電壓，在電池未接入時所述第一端口懸空； 第二端口，與充電器的充電接口選擇性連接，且在與所述充電接口連接時，從所述充電器獲取第一充電電壓； 充電芯片，包括輸入端； 受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及控制端，所述第一端與所述第二端口連接，所述第二端與所述輸入端連接，所述控制端與所述第一端口連接，所述控制端在從所述第一端口獲取到所述第一控制電壓時，所述第一端與所述第二端連接，所述控制端懸空時，所述第一端與所述第二端斷開連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的手機，其特征在于，所述充電保護電路進一步包括充電端口，所述充電端口在所述電池接入時與所述電池的VBATT接口和GND接口連接，所述充電芯片進一步包括輸出端，所述輸出端與所述充電端口連接，所述充電芯片用于將從所述輸入端獲取的第一充電電壓轉(zhuǎn)換為適合于對所述第二電池進行充電的第二充電電壓，并利用所述輸出端輸出所述第二充電電壓至所述電池。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的手機，其特征在于，所述第一端口與所述第二端口之間設(shè)置有第三電阻，在所述第一端口與BATT_ID接口連接且所述第二端口在與所述充電接口連接時，所述第一端口通過電池中設(shè)置的與BATT_ID接口連接的第一電阻接地，所述第一電阻和所述第三電阻的電阻值設(shè)置為使得在所述第一端口與所述BATT_ID接口連接時在所述第一端口產(chǎn)生所述第一控制電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的手機，其特征在于 ，所述受控 開關(guān)進一步包括開關(guān)三極管、NMOS管、第二電阻以及第一電容，其中所述開關(guān)三極管的基極為所述控制端，所述NMOS管的源極為所述第一端，所述NMOS管的漏極為所述第二端，所述開關(guān)三極管的發(fā)射極與所述NMOS管的源極之間設(shè)置有所述第二電阻，所述開關(guān)三極管的集電極接地，所述第一電容設(shè)置在所述NMOS管的漏極與所述開關(guān)三極管的集電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的手機，其特征在于，所述第二電阻的電阻值范圍在10000至100000歐姆之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種手機及充電保護電路。充電保護電路包括第一端口，在電池接入時與電池的BATT_ID接口連接以產(chǎn)生第一控制電壓，在電池未接入時第一端口懸空；第二端口，與充電器的充電接口選擇性連接，且在與充電接口連接時，從充電器獲取第一充電電壓；充電芯片，包括輸入端；受控開關(guān)，包括第一端、第二端以及控制端，第一端與第二端口連接，第二端與輸入端連接?？刂贫伺c第一端口連接，控制端在從第一端口獲取到第一控制電壓時，第一端與第二端連接，控制端懸空時，第一端與第二端斷開連接。通過上述方式，本發(fā)明的手機及其充電保護電路能夠防止手機先插入充電器后放入電池時產(chǎn)生瞬時的大電流，降低充電芯片的損壞幾率，并延長充電芯片的壽命。
文檔編號H02H7/18GK102624051SQ20121007386
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月19日
發(fā)明者伍延椿, 林子華 申請人:惠州Tcl移動通信有限公司