充放電電路以及使用此充放電電路的鎖相回路電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種充電放電電路，包含：一連接端、一參考電流提供模塊、一上升電流模塊以及一下降電流模塊。其中下降電流模塊包含：一第一開關(guān)模塊，具有一控制端，用以接收該下降信號以決定該第一開關(guān)模塊是否導(dǎo)通；一第一偏壓晶體管，具有一第一端耦接該連接端，一第二端耦接該第一開關(guān)模塊，并具有一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及一第一電容模擬晶體管，具有一第一端以及一第二端耦接于該第一開關(guān)模塊的該控制端，并具有一控制端耦接于該第一偏壓晶體管的該控制端。
【專利說明】充放電電路以及使用此充放電電路的鎖相回路電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明有關(guān)于充放電電路以及使用此充放電電路的鎖相回路電路，特別有關(guān)于可省略電容的充放電電路以及使用此充放電電路的鎖相回路電路。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1繪示了已知技術(shù)的鎖相回路電路100的方塊圖。如圖1所示，鎖相回路電路100包含一相位檢測器101、一電荷泵103、一回路濾波器105以及一壓控振蕩器107。相位檢測器101用以比較一參考信號Sraf以及一輸出信號Srat的相位，以控制電荷泵103對回路濾波器105進(jìn)行充放電，以控制回路濾波器105輸出的控制電壓V。。詳細(xì)言之，回路濾波器105會包含如電容或電感之類的儲能元件，因此若提供電流至回路濾波器105進(jìn)行充電，則控制電壓\會上升，反之若自回路濾波器105汲取電流進(jìn)行放電，則控制電壓\會下降。
[0003]壓控振蕩器107接收控制電壓V。而產(chǎn)生輸出信號S-。壓控振蕩器107通常在控制電壓V。增加時(shí)會增加輸出信號Stjut的頻率，而在控制電壓V。降低時(shí)會減少輸出信號Swt的頻率，但亦可能隨電路設(shè)計(jì)有所不同。因此若參考信號Sm以及輸出信號Srat的相位不同，則可以改變控制電壓Vc來改變輸出信號Stjut的頻率(等效上亦改變了 Stjut的相位)，藉由這樣的機(jī)制，輸出信號Srat的相位可鎖定至參考信號SMf。鎖相回路電路100可在壓控振蕩器107至相位檢測器101的路徑上包含一除頻器來調(diào)整輸出信號S-。舉例來說，若參考信號Sief為IOOMHz的時(shí)脈信號，但壓控振蕩器107所能提供的時(shí)脈信號的頻率范圍未包含IOOMHz，此時(shí)可使先壓控振蕩器107產(chǎn)生頻率較高的400MHz輸出信號Stjut,并利用除頻比為4的除頻器來將輸出信號Srat除頻后，再讓相位檢測器101比對參考信號Sref和除頻后的輸出信號S-。如此可以讓壓控振蕩器107不需要那么廣的頻率范圍，而相位檢測器101在比較兩較低頻的時(shí)脈信號時(shí)也可以有較精確的比較結(jié)果。
[0004]電荷泵103可具有各種不同結(jié)構(gòu)，其中一種為根據(jù)上升信號或下降信號來提供電流給回路濾波器105或自回路濾波器10`5或汲取電流，如前所述若提供電流至回路濾波器105則控制電壓\會上升，反之若自回路濾波器105汲取電流則控制電壓\會下降。因此可以藉由這樣的方式控制回路濾波器105輸出的控制電壓V。。詳細(xì)言之，相位檢測器101會比較參考信號SMf以及輸出信號Srat的相位而據(jù)以產(chǎn)生上升信號UP或下降信號DN。電荷泵103在接收到上升信號UP時(shí)產(chǎn)生一上升電流Iup以對回路濾波器105進(jìn)行充電來增加控制電壓V。。相反的，電荷泵103接收到下降信號DN時(shí)會自回路濾波器105汲取一下降電流Idn以對回路濾波器105進(jìn)行放電藉此降低控制電壓V。。而壓控振蕩器107則根據(jù)控制電壓V。來改變輸出信號Stjut的頻率。
[0005]圖2繪示了已知技術(shù)的由上升信號和下降信號來控制的電荷泵200的電路圖。如圖2所示，電荷泵200包含了參考電流提供模塊201、電容203、207、開關(guān)模塊205、209以及偏壓晶體管Β?\、ΒΤ2。電容203、電容開關(guān)模塊205以及偏壓晶體管BT1可視為一上升電流模塊204，當(dāng)上升信號UP使開關(guān)模塊205導(dǎo)通時(shí)，上升電流模塊便可提供上升電流Iup給回路濾波器202。電容207、電容開關(guān)模塊209以及偏壓晶體管BT2可視為一下降電流模塊206，當(dāng)下降信號DN使開關(guān)模塊209導(dǎo)通時(shí)，下降電流模塊便可自回路濾波器202汲取下降電流
Idn。
[0006]電容203和207的設(shè)置是為了穩(wěn)定上升電流Iup的提供動作以及下降電流Idn的汲取動作。舉例來說，當(dāng)下降信號DN為高電位時(shí)，開關(guān)模塊209導(dǎo)通，開始汲取下降電流IDN，然而偏壓晶體管BT2的電壓電位會隨之下降而變成低電壓電位，造成偏壓晶體管BT2不導(dǎo)通。因此，若無電容203，則開關(guān)模塊209導(dǎo)通后，偏壓晶體管BT2會很快的關(guān)閉而使上升電流Iup的提供動作以及下降電流Idn的汲取動作沒辦法有效率的進(jìn)行，亦即沒辦法快速提供電流值較大的上升電流Iup給回路濾波器202或自回路濾波器202快速汲取電流值較大的下降電流IDN，因而降低了回路濾波器202調(diào)整控制電壓V。的速度。如此一來使用此電荷泵的鎖相回路電路沒有辦法快速有效的提供具有所需相位的信號。然而，電容為所占面積較大的電子元件，往往一顆電容所占的面積便接近于一半的電荷泵所占的面積。因此已知技術(shù)中采用固定電容來穩(wěn)定上升電流Iup的提供動作以及下降電流Idn的汲取動作的機(jī)制，會使電路的面積較大，不符合現(xiàn)代電子裝置越來越輕薄的需求。
[0007]因此，需要一種新的電路來解決前述的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明的之一目的為提供一種充電放電電路，可用面積較小的元件取代電容但仍維持電容原有的功能。
[0009]本發(fā)明的一實(shí)施例揭示了一種充電放電電路，用以提供一上升電流至一目標(biāo)元件以充電該目標(biāo)元件，或自該目標(biāo)元件汲取一下降電流以使該目標(biāo)元件放電，此充電放電電路包含:一連接端、一參考電流提供模塊、一上升電流模塊以及一下降電流模塊。其中下降電流模塊包含:一第一開關(guān)模塊，具有一控制端，該第一開關(guān)模塊于該第一開關(guān)模塊的該控制端接收該下降信號以決定該第一開關(guān)模塊是否導(dǎo)通；一第一偏壓晶體管，其中該第一偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該第一偏壓晶體管的一第二端耦接該第一開關(guān)模塊，且該第一偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及一第一電容模擬晶體管，其中該第一電容模擬晶體管的一第一端以及一第二端耦接于該第一開關(guān)模塊的該控制端，且該第一電容模擬晶體管的一控制端耦接于該第一偏壓晶體管的該控制端。
[0010]前述的下降電流模塊的結(jié)構(gòu)可實(shí)施在上升電流模塊中，且本發(fā)明亦揭示了使用本發(fā)明所提供的充放電電路做為電荷泵的鎖相回路電路。其結(jié)構(gòu)可由前述下降電流模塊的結(jié)構(gòu)推得，故于此不再贅述。
[0011]藉由前述的實(shí)施例，本發(fā)明所揭示的充放電電路可以在不使用電容的情況下，使電路仍具有使用電容時(shí)的優(yōu)點(diǎn)，因此能大幅減少電路面積但仍維持充放電的良好效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1繪示了已知技術(shù)的鎖相回路電路的方塊圖。
[0013]圖2繪示了已知技術(shù)的由上升信號和下降信號來控制的電荷泵的電路圖。
[0014]圖3繪示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電荷泵的電路圖。
[0015]圖4繪示了圖3所示的電荷泵的詳細(xì)電路圖。
[0016]主要元件符號說明[0017]100鎖相回路電路
[0018]101相位檢測器
[0019]103、200、300 電荷泵
[0020]201,301參考電流提供模塊
[0021]105、202、303 回路濾波器
[0022]107壓控振蕩器
[0023]203、207 電容
[0024]204、304上升電流模塊
[0025]205、2O9 開關(guān)模塊
[0026]206下降電流模塊
[0027]302連接端
[0028]305、3O9 開關(guān)模塊
[0029]306下降電流模塊
[0030]BT1、BT2偏壓晶體管
[0031]CTpCT2電容模擬`晶體管
[0032]MT1、MT2、MT3、MT4、MT5、MT6 晶體管
[0033]Iref參考電流源
[0034]STpSI^STyST4 開關(guān)元件
[0035]Tks1、Tks2信號接收端
[0036]Tisti > Tist2 > T1ST3、Tist4 > Tibti > Tibt2 > Ticti > Tict2 > Timti > Timt2 > Timt3 > Timt4 > Timt5> Timt6 ?而
[0037]T2sn、T2st2、T2st3、T2st4、T2bt1、T2bt2、T2cn、T2ct2、T2mt1、T2mt2、T2mt3、T2mt4、T2mt5、T2mt6 _-?
[0038]Tcst1、Tcst2、Tcst3、Tcst4、Tcbt1、Tcbt2、Tccn、Tcct2、Tcmt1、Tcmt2、Tcmt3、Tcmt4、Tcmt5、Tcmt6 控制立而
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下將詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電荷泵。圖3繪示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電荷泵300的電路圖。相較于圖2所示的電路，圖3所示的電荷泵300亦包含了參考電流提供模塊301、上升電流模塊304以及下降電流模塊306。上升電流模塊304以及下降電流模塊306透過一連接端302連接至回路濾波器303。上升電流模塊304于信號接收端TKSi接收上升信號UP，由上升信號UP控制來產(chǎn)生上升電流IUP給回路濾波器303，而下降電流模塊306于信號接收端Tks2接收下降信號DN，由下降信號DN控制來自回路濾波器303汲取下降電流IDN。然而，圖3所示的上升電流模塊304、下降電流模塊306所包含的元件，和圖2所示的上升電流模塊204、下降電流模塊206所包含的元件并不相同。圖3所示的上升電流模塊304、下降電流模塊306未包含圖2所示的上升電流模塊204、下降電流模塊206中的電容203、207，但包含了電容模擬晶體管CTp CT2。電容模擬晶體管CT1在此例中為P型金氧半導(dǎo)體晶體管而電容模擬晶體管CT2在此例中為N型金氧半導(dǎo)體晶體管，但并不限定。底下將以電容模擬晶體管CT1來解釋電容模擬晶體管的功能，但電容模擬晶體管CT2亦具有相同的功能。
[0040]電容模擬晶體管CT1是作為電容使用，其具有輔助偏壓晶體管BT2導(dǎo)通的效果。舉例來說，當(dāng)下降信號DN電位(位準(zhǔn))為高時(shí)，開關(guān)模塊309會導(dǎo)通，但在開關(guān)模塊309導(dǎo)通前，高電位(位準(zhǔn))的信號會透過電容模擬晶體管CT1所形成的電容先行傳送至偏壓晶體管BT2的控制端Tcbt2。而當(dāng)開關(guān)|旲塊309導(dǎo)通后，開關(guān)|旲塊309中的晶體管和偏壓晶體管BT2會耦合成新的電容(此部份將于圖4的描述中詳述)，以延遲偏壓晶體管BT2的關(guān)閉(即不導(dǎo)通)。因此，以電容模擬晶體管取代原本的電容仍可以避免掉已知技術(shù)中偏壓晶體管BT2會快速關(guān)閉的問題。而且，晶體管所占的面積相較于電容來說相當(dāng)?shù)男。虼艘跃w管代替電容可以有效率的減少電路面積。然請留意，圖3以及圖4的實(shí)施例中雖然上升電流模塊以及下降電流模塊都具有電容模擬晶體管，但亦可僅有其中之一具有電容模擬晶體管。
[0041]圖4繪示了圖3所示的電荷泵300的詳細(xì)電路圖,請留意為了簡化圖示,有些圖3中的元件符號未予標(biāo)示。如圖4所示，參考電流提供模塊301為一電流鏡，但并不限定。此電流鏡包含了晶體管MTpMTyMTpMTpMI^MT6以及參考電流源IMf。晶體管MT3、MT4、MT5、MT6分別自晶體管Μ?\、ΜΤ2的路徑將參考電流源Iref產(chǎn)生的電流映射至晶體管MT3、MT4、MT5、MT6的路徑上。偏壓晶體管BI\、BT2分別自晶體管MT3、MT4, MT5, MT6的路徑映射參考電流源Iref產(chǎn)生的電流以作為上升電流Iup以及下降電流IDN。
[0042]于圖4所示的實(shí)施例中，開關(guān)模塊305具有兩開關(guān)元件SI\、ST2,且開關(guān)模塊309亦具有兩開關(guān)元件ST3、ST4。其中開關(guān)元件ST2是輔助開關(guān)元件ST1的開關(guān)動作(導(dǎo)通或不導(dǎo)通)，而開關(guān)元件ST3是輔助開關(guān)元件ST4的開關(guān)動作。
[0043]此外,于一實(shí)施例中，電容模擬晶體管CT1和偏壓晶體管BT1為具有相同規(guī)格的晶體管，且電容模擬晶體管CT2和偏壓晶體管BT2為具有相同規(guī)格的晶體管。于一實(shí)施例中，電容模擬晶體管CT1和偏壓晶體管BT1均為P型金氧半導(dǎo)體晶體 管，而電容模擬晶體管CT2和偏壓晶體管BT2均為N型金氧半導(dǎo)體晶體管。于開關(guān)模塊305導(dǎo)通時(shí)，電容模擬晶體管(^會工作在完全導(dǎo)通(fully turn on)的狀態(tài),而偏壓晶體管BT1會工作在飽合區(qū)(saturationregion)的狀態(tài)，此時(shí)偏壓晶體管BT1亦可視為一電容，其電容值為電容模擬晶體管CT1的2/3,而偏壓晶體管BT1和電容模擬晶體管CT1會稱合成新的電容。同樣的，于開關(guān)模塊309導(dǎo)通時(shí)，電容模擬晶體管CT2會工作在完全導(dǎo)通的狀態(tài)，而偏壓晶體管BT2會工作在飽合區(qū)的狀態(tài)，此時(shí)偏壓晶體管BT2亦可視為一電容，其電容值為電容模擬晶體管CT2的2/3，而偏壓晶體管BT2和電容模擬晶體管CT2會耦合成新的電容。然而，電容模擬晶體管和偏壓晶體管亦可為不同規(guī)格的晶體管，因此可透過選擇電容模擬晶體管的尺寸，來調(diào)整其本身造成的電容值以及電容模擬晶體管和偏壓晶體管耦合形成的電容為所須的電容值。
[0044]圖4中,標(biāo)號Tlxx表示特定晶體管或特定開關(guān)元件的第一端,T2XX表示特定晶體管或特定開關(guān)元件的第二端，TCxx表示特定晶體管或特定開關(guān)元件的控制端。舉例來說，Tist2代表了開關(guān)元件ST2的第一端、T2st2代表了開關(guān)元件ST2的第二端，而Tot2代表了開關(guān)元件ST2的控制端。因此，由圖4的圖示可知，開關(guān)元件ST2的控制端Tot2耦接至開關(guān)元件ST1的控制端Tkti且接收上升信號UP。而開關(guān)元件ST2的第一端Tist2耦接至開關(guān)元件ST1的第一端T1ST1。藉由這樣的標(biāo)號，可得知圖4所示的電荷泵300的詳細(xì)電路以及各元件的連接關(guān)系，因此在此不再贅述。
[0045]請留意，前述的實(shí)施例是以使用于鎖相回路電路的電荷泵來做說明，因此圖3和圖4的電荷泵300可以取代圖1中的電荷泵103。但電荷泵可視為一充放電電路且可運(yùn)用在其他電路上。舉例來說，可使用在時(shí)脈與數(shù)據(jù)回復(fù)電路(Clock and DataRecovery,⑶R上)。因此本發(fā)明所揭示的電荷泵可視為一充放電電路，來對一目標(biāo)元件(如鎖相回路電路中的回路濾波器)進(jìn)行充放電動作。
[0046]藉由前述的實(shí)施例，本發(fā)明所揭示的充放電電路可以在不使用電容的情況下，使電路仍具有使用電容時(shí)的優(yōu)點(diǎn)，因此能大幅減少電路面積但仍維持充放電的良好效率。
[0047]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種充電放電電路，用以對一目標(biāo)兀件充放電，包含: 一連接端，耦接該目標(biāo)元件，其中該充電放電電路透過該連接端提供一上升電流給該目標(biāo)元件且透過該連接端自該目標(biāo)元件汲取一下降電流: 一參考電流提供|吳塊，用以提供一參考電流； 一上升電流模塊，由一上升信號控制并根據(jù)該參考電流來提供該上升電流；以及 一下降電流模塊，由一下降信號控制并根據(jù)該參考電流來汲取該下降電流，包含: 一第一開關(guān)模塊，具有一控制端，該第一開關(guān)模塊于該第一開關(guān)模塊的該控制端接收該下降信號以決定該第一開關(guān)模塊是否導(dǎo)通； 一第一偏壓晶體管，其中該第一偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該第一偏壓晶體管的一第二端耦接該第一開關(guān)模塊，且該第一偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及 一第一電容模擬晶體管，其中該第一電容模擬晶體管的一第一端以及一第二端稱接于該第一開關(guān)模塊的該控制端，且該第一電容模擬晶體管的一控制端耦接于該第一偏壓晶體管的該控制端。
2.如權(quán)利要求1所述的充電放電電路，其特征在于，該第一開關(guān)模塊包含: 一第一開關(guān)元件，其中該第一開關(guān)元件的一第一端耦接一第一預(yù)定電壓，該第一開關(guān)元件的一第二端耦接該第一偏壓晶體管的該第二端，且該第一開關(guān)元件的一控制端接收該下降信號；以及 一第二開關(guān)元件，其中該第`二開關(guān)元件的一第一端耦接該第一開關(guān)元件的該第二端，該第二開關(guān)元件的一第二端耦接一第二預(yù)定電壓，且該第二開關(guān)元件的一控制端耦接該一開關(guān)元件的該控制端并接收該下降信號。
3.如權(quán)利要求1所述的充電放電電路，其特征在于，當(dāng)該下降信號使該第一開關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)，該第一電容模擬晶體管為完全導(dǎo)通的狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的充電放電電路，其特征在于，該第一偏壓晶體管以及該第一電容模擬晶體管為具有相同規(guī)格的晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的充電放電電路，其特征在于，該第一偏壓晶體管以及該第一電容模擬晶體管均為N型金氧半導(dǎo)體晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的充電放電電路，其特征在于，該參考電流提供模塊為一電流鏡，且該第一偏壓晶體管用以自該參考電流提供模塊映射該參考電流以做為該下降電流。
7.如權(quán)利要求1所述的充電放電電路，其特征在于，該上升電流模塊包含: 一第二開關(guān)模塊，具有一控制端，該第二開關(guān)模塊于該第二開關(guān)模塊的該控制端接收該上升信號以決定該第二開關(guān)模塊是否導(dǎo)通； 一第二偏壓晶體管，其中該第二偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該第二偏壓晶體管的一第二端耦接該開關(guān)模塊，且該第二偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及 一第二電容模擬晶體管，其中該第二電容模擬晶體管的一第一端以及一第二端耦接于該第二開關(guān)模塊的該控制端，且該第二電容模擬晶體管的一控制端耦接于該第二偏壓晶體管的該控制端。
8.如權(quán)利要求7所述的充電放電電路，其特征在于，該第二開關(guān)模塊包含:一第一開關(guān)兀件，其中該第一開關(guān)兀件的一第二端稱接一第一預(yù)定電壓，該第一開關(guān)元件的一第一端耦接該第二偏壓晶體管的該第二端，且該第一開關(guān)元件的一控制端接收該上升信號；以及 一第二開關(guān)元件，其中該第二開關(guān)元件的一第二端耦接該第一開關(guān)元件的該第一端，該第二開關(guān)元件的一第一端耦接一第二預(yù)定電壓，且該第二開關(guān)元件的一控制端耦接該第一開關(guān)元件的該控制端并接收該上升信號。
9.如權(quán)利要求7所述的充電放電電路，其特征在于，當(dāng)該上升信號使該第二開關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)，該第二電容模擬晶體管為完全導(dǎo)通的狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求7所述的充電放電電路，其特征在于，該第二偏壓晶體管以及該第二電容模擬晶體管為具有相同規(guī)格的晶體管。
11.如權(quán)利要求7所述的充電放電電路，其特征在于，該第二偏壓晶體管以及該第二電容模擬晶體管均為P型金氧半導(dǎo)體晶體管。
12.—種充電放電電路,用以對一目標(biāo)兀件充放電,包含: 一連接端，耦接該目標(biāo)元件，其中該充電放電電路透過該連接端提供一上升電流給該目標(biāo)元件且透過該連接端自該目標(biāo)元件汲取一下降電流: 一參考電流提供1?塊，用以提供一參考電流； 一下降電流模塊，由一下降信號控制并根據(jù)該參考電流來汲取該下降電流；以及 一上升電流模塊，由一上升信號控制并根據(jù)該參考電流來提供該上升電流，包含: 一開關(guān)模塊，具有一控制端，該開關(guān)模塊于該開關(guān)模塊的該控制端接收該上升信號以決定該開關(guān)模塊是否導(dǎo)通；` 一偏壓晶體管，其中該偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該偏壓晶體管的一第二端耦接該開關(guān)模塊，且該偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及 一電容模擬晶體管，其中該電容模擬晶體管的一第一端以及一第二端耦接于該開關(guān)模塊的該控制端，且該電容模擬晶體管的一控制端耦接于該偏壓晶體管的該控制端。
13.如權(quán)利要求12所述的充電放電電路，其特征在于，該開關(guān)模塊包含: 一第一開關(guān)兀件，其中該第一開關(guān)兀件的一第二端稱接一第一預(yù)定電壓，該第一開關(guān)元件的一第一端耦接該偏壓晶體管的該第二端，且該第一開關(guān)元件的一控制端接收該上升信號；以及 一第二開關(guān)元件，其中該第二開關(guān)元件的一第二端耦接該第一開關(guān)元件的該第一端，該第二開關(guān)元件的一第一端耦接一第二預(yù)定電壓，且該第二開關(guān)元件的一控制端耦接該一開關(guān)元件的該控制端并接收該下降信號。
14.如權(quán)利要求12所述的充電放電電路，其特征在于，當(dāng)該上升信號使該開關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)，該電容模擬晶體管為完全導(dǎo)通的狀態(tài)。
15.如權(quán)利要求12所述的充電放電電路，其特征在于，該偏壓晶體管以及該電容模擬晶體管為具有相同規(guī)格的晶體管。
16.如權(quán)利要求12所述的充電放電電路，其特征在于，該偏壓晶體管以及該電容模擬晶體管均為P型金氧半導(dǎo)體晶體管。
17.如權(quán)利要求12所述的充電放電電路，其特征在于，該參考電流提供模塊為一電流鏡，且該偏壓晶體管用以自該參考電流提供模塊映射該參考電流以做為該上升電流。
18.—種鎖相回路電路,包含: 一相位檢測器，用以比較一參考信號以及一輸出信號的相位以產(chǎn)生一上升信號或一下降信號； 一回路濾波器； 一電荷泵，對該回路濾波器進(jìn)行充放電而使該回路濾波器產(chǎn)生一控制電壓，該電荷泵在接收到該上升信號時(shí)產(chǎn)生一上升電流以對該回路濾波器進(jìn)行充電，而該電荷泵接收到該下降信號時(shí)自該回路濾波器汲取一下降電流以對該回路濾波器進(jìn)行放電；以及一壓控振蕩器，接收該控制電壓而產(chǎn)生該輸出信號； 其中該電荷泵包含: 一連接端，耦接該回路濾波器，其中該電荷泵透過該連接端提供該上升電流給該回路濾波器且透過該連接端自該回路濾波器汲取該下降電流: 一參考電流提供1?塊，用以提供一參考電流； 一上升電流模塊，由該上升信號控制并根據(jù)該參考電流來提供該上升電流；以及 一下降電流模塊，由該下降信號控制并根據(jù)該參考電流來汲取該下降電流，包含: 一第一開關(guān)模塊，具有一控制端，該第一開關(guān)模塊于該第一開關(guān)模塊的該控制端接收該下降信號以決定該第一開關(guān)模塊是否導(dǎo)通； 一第一偏壓晶體管，其中該第一偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該第一偏壓晶體管的一第二端耦接該第一開關(guān)模塊，且該第一偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及 一第一電容模擬晶體管，其中該第一電容模擬晶體管的一第一端以及一第二端稱接于該第一開關(guān)模塊的該控制端，且該第一電容模擬晶體管的一控制端耦接于該第一偏壓晶體管的該控制端。
19.如權(quán)利要求18所述的鎖相回路電路，其特征在于，該第一開關(guān)模塊包含: 一第一開關(guān)元件，其中該第一開關(guān)元件的一第一端耦接一第一預(yù)定電壓，該第一開關(guān)元件的一第二端耦接該第一偏壓晶體管的該第二端，且該第一開關(guān)元件的一控制端接收該下降信號；以及 一第二開關(guān)元件，其中該第二開關(guān)元件的一第一端耦接該第一開關(guān)元件的該第二端，該第二開關(guān)元件的一第二端耦接一第二預(yù)定電壓，且該第二開關(guān)元件的一控制端接收該下降信號。
20.如權(quán)利要求18所述的鎖相回路電路，其特征在于，當(dāng)該下降信號使該第一開關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)，該第一電容模擬晶體管為完全導(dǎo)通的狀態(tài)。
21.如權(quán)利要求18所述的鎖相回路電路，其特征在于，該第一偏壓晶體管以及該第一電容模擬晶體管為具有相同規(guī)格的晶體管。
22.如權(quán)利要求18所述的鎖相回路電路，其特征在于，該第一偏壓晶體管以及該第一電容模擬晶體管均為N型金氧半導(dǎo)體晶體管。
23.如權(quán)利要求18所述的鎖相回路電路，其特征在于，該參考電流提供模塊為一電流鏡，且該第一偏壓晶體管用以自該參考電流提供模塊映射該參考電流以做為該下降電流。
24.如權(quán)利要求18所述的鎖相回路電路，其特征在于，該上升電流模塊包含: 一第二開關(guān)模塊，具有一控制端，該第二開關(guān)模塊于該第二開關(guān)模塊的該控制端接收該上升信號以決定該第二開關(guān)模塊是否導(dǎo)通；以及 一第二偏壓晶體管，其中該第二偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該第二偏壓晶體管的一第二端耦接該開關(guān)模塊，且該第二偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊。
25.如權(quán)利要求24所述的鎖相回路電路，其特征在于，該開關(guān)模塊包含: 一第一開關(guān)兀件，其中該第一開關(guān)兀件的一第二端稱接一第一預(yù)定電壓，該第一開關(guān)元件的一第一端耦接該第二偏壓晶體管的該第二端，且該第一開關(guān)元件的一控制端接收該上升信號；以及 一第二開關(guān)元件，其中該第二開關(guān)元件的一第二端耦接該第一開關(guān)元件的該第一端，該第二開關(guān)元件的一第一端耦接一第二預(yù)定電壓，且該第二開關(guān)元件的一控制端接收該上升信號。
26.如權(quán)利要求24所述的鎖相回路電路，其特征在于，當(dāng)該上升信號使該第二開關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)，該第二電容模擬晶體管為完全導(dǎo)通的狀態(tài)。
27.如權(quán)利要求24所述的鎖相回路電路，其特征在于，該第二偏壓晶體管以及該第二電容模擬晶體管為具有相同規(guī)格的晶體管。
28.如權(quán)利要求24所述的鎖相回路電路，其特征在于，該偏壓晶體管以及該電容模擬晶體管均為P型金氧半導(dǎo)體晶體管。
29.—種鎖相回路 電路，包含: 一相位檢測器，用以比較一參考信號以及一輸出信號的相位以產(chǎn)生一上升信號或一下降信號； 一回路濾波器； 一電荷泵，對該回路濾波器進(jìn)行充放電而使該回路濾波器產(chǎn)生一控制電壓，該電荷泵在接收到該上升信號時(shí)產(chǎn)生一上升電流以對該回路濾波器進(jìn)行充電，而該電荷泵接收到該下降信號時(shí)自該回路濾波器汲取一下降電流以對該回路濾波器進(jìn)行放電；以及一壓控振蕩器，接收該控制電壓而產(chǎn)生該輸出信號； 其中該電荷泵包含: 一連接端，耦接該回路濾波器，其中該電荷泵透過該連接端提供該上升電流給該回路濾波器且透過該連接端自該回路濾波器汲取該下降電流: 一參考電流提供1?塊，用以提供一參考電流； 一下降電流模塊，由一下降信號控制并根據(jù)該參考電流來汲取該下降電流；以及 一上升電流模塊，由一上升信號控制并根據(jù)該參考電流來提供該上升電流，包含: 一開關(guān)模塊，具有一控制端，該開關(guān)模塊于該開關(guān)模塊的該控制端接收該上升信號以決定該開關(guān)模塊是否導(dǎo)通； 一偏壓晶體管，其中該偏壓晶體管的一第一端耦接該連接端，該偏壓晶體管的一第二端耦接該開關(guān)模塊，且該偏壓晶體管的一控制端耦接該參考電流提供模塊；以及 一電容模擬晶體管，其中該電容模擬晶體管的一第一端以及一第二端耦接于該開關(guān)模塊的該控制端，且該電容模擬晶體管的一控制端耦接于該偏壓晶體管的該控制端。
30.如權(quán)利要求29所述的鎖相回路電路，其特征在于，該開關(guān)模塊包含: 一第一開關(guān)兀件，其中該第一開關(guān)兀件的一第二端稱接一第一預(yù)定電壓，該第一開關(guān)元件的一第一端耦接該偏壓晶體管的該第二端，且該第一開關(guān)元件的一控制端接收該上升信號；以及 一第二開關(guān)元件，其中該第二開關(guān)元件的一第二端耦接該第一開關(guān)元件的該第一端，該第二開關(guān)元件的一第一端耦接一第二預(yù)定電壓，，且該第二開關(guān)元件的一控制端耦接該第一開關(guān)元件的該控制端并接收該上升信號。
31.如權(quán)利要求29所述的鎖相回路電路，其特征在于，當(dāng)該上升信號使該開關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)，該電容模擬晶體管為完全導(dǎo)通的狀態(tài)。
32.如權(quán)利要求29所述的鎖相回路電路，其特征在于，該偏壓晶體管以及該電容模擬晶體管為具有相同規(guī)格的晶體管。
33.如權(quán)利要求29所述的鎖相回路電路，其特征在于，該偏壓晶體管以及該電容模擬晶體管均為P型金氧半導(dǎo)體晶體管。
34.如權(quán)利要求29所述的鎖 相回路電路，其特征在于，該參考電流提供模塊為一電流鏡，且該偏壓晶體管用以自該參考電流提供模塊映射該參考電流以做為該上升電流。
【文檔編號】H02M3/07GK103780080SQ201210415316
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日
【發(fā)明者】謝宜政 申請人:晨星軟件研發(fā)(深圳)有限公司, 晨星半導(dǎo)體股份有限公司