專利名稱：高功率密度的直流供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種直流供電電路。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、蓄電池供電等交流低壓、直流低壓供電的可再生新能源系統(tǒng)被廣泛使用，提高低壓新能源供電系統(tǒng)的供電效率、供電質(zhì)量、供電可靠性勢(shì)在必行。目前本領(lǐng)域公知電源轉(zhuǎn)換基本采用I、交流(AC )輸入，采用全波整流器把輸入交流(AC )電源整流為直流(DC )電源，再進(jìn)行DC/DC轉(zhuǎn)換為直流(DC)輸出。此種方案解決了較高輸入電壓交流電源和小功率電源的轉(zhuǎn)換問(wèn)題。但在低電壓交流電源輸入和大功率電源轉(zhuǎn)換時(shí)，因?yàn)锳C/DC整流電路的電壓降較高，而產(chǎn)生很高的功耗，使電源轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換效率很低。2、直流(DC)輸入，直接進(jìn)行DC/DC轉(zhuǎn)換為直流(DC)輸出。此種方案解決了固定設(shè)備供電問(wèn)題。但使用可靠性較低，尤其是在移動(dòng)性設(shè)備，經(jīng)常需要重新連接輸入電源的設(shè)備，一旦出現(xiàn)電源極性接反的情況，就會(huì)產(chǎn)生輸入短路事故。因此一些要求可靠性較高的設(shè)備，在轉(zhuǎn)換器輸入端加入直流定向整流電路。在低電壓直電源輸入和大功率電源轉(zhuǎn)換時(shí)，因?yàn)橹绷髯R(shí)別定向整流電路的電壓降較高，而產(chǎn)生很高的功耗，使電源轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換效率很低。3、為了提高低壓供電效率、降低線路電流一般采用升壓式(BOOST)直流(DC)供電方式。升壓式(BOOST)直流(DC)供電當(dāng)輸出產(chǎn)生短路故障，輸出電壓低于輸入電壓時(shí)BOOST電路功能失效，輸入電源直接對(duì)負(fù)載短路，大電流(大功率)系統(tǒng)短路保護(hù)控制難度很大。以常規(guī)整流(識(shí)別定向)電路在輸入為低壓新能源電源為例進(jìn)行說(shuō)明，輸入電壓Ui=IOV(AC、DC),輸入電流Ii=20A,輸入功率Pi=IOX 20=200ff,整流(識(shí)別定向)電路壓降Ud=2V，整流(識(shí)別定向)電路耗為Pd=2X20=40W，輸出功率Po=200_40=160W，其整流(識(shí)別定向)效率為E=160/200=0. 8，由此可見常規(guī)整流(識(shí)別定向)電路在輸入為低壓新能源電源時(shí)，功耗很大,效率很低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種高功率密度的直流供電電路，主要解決了現(xiàn)有低壓新能源電源轉(zhuǎn)換器功耗高、效率低、可靠性差的問(wèn)題。本發(fā)明的具體技術(shù)解決方案如下該高功率密度的直流供電電路，包括VMOS開關(guān)電路和調(diào)寬式脈沖控制電路，VMOS開關(guān)電路的輸入端通過(guò)續(xù)流電感與輸入電源的輸出端連接，VMOS開關(guān)電路的輸出端依次通過(guò)反向隔離電路、儲(chǔ)能濾波電路與負(fù)載連接，所述VMOS開關(guān)電路的輸入端還與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接，所述調(diào)寬式脈沖控制電路的輸出端通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接，調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端通過(guò)輸入電流采樣電路與輸入電源的輸出端連接，驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路的輸入端還通過(guò)續(xù)流電壓采樣電路與VMOS開關(guān)電路的輸出端連接；所述調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端還通過(guò)輸出電流采樣電路與儲(chǔ)能濾波電路的輸出端連接；所述調(diào)寬式脈沖控制電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路、VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路和續(xù)流電壓采樣電路組成控制電路；所述VMOS開關(guān)電路包括兩個(gè)串聯(lián)的VMOS管組，第一VMOS管組是并聯(lián)交替工作的VMOS管M1、M2，第二 VMOS管組是并聯(lián)交替工作的VMOS管M3、M4，輸入電源通過(guò)續(xù)流電感依次與兩個(gè)VMOS管組在反向隔離電路輸入端之前串聯(lián)；所述VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)器，第一驅(qū)動(dòng)器的輸入端Ai、Bi與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸出端的兩個(gè)輸出接口連接，第一驅(qū)動(dòng)器的輸出端Ao、Bo與VMOS管的VMOS開關(guān)電路輸入端的一組接口連接；第二驅(qū)動(dòng)器的輸入端Ai、Bi與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸出端的另外兩個(gè)輸出接口連接，第二驅(qū)動(dòng)器的輸出端Ao、Bo與開關(guān)電路輸入端的另一組接口連接。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路為標(biāo)準(zhǔn)兩輸入或門控制芯片，該控制芯片包括四對(duì)輸入端A1，A2，B1，B2，C1，C2，D1，D2 和相應(yīng)的四個(gè)輸出端 Ao、Bo、Co、Do，其中輸入端 Al，BI，Cl，Dl與調(diào)寬式脈沖控制電路的兩個(gè)輸出端連接，輸入端A2，B2，C2，D2與續(xù)流電壓采樣電路的兩個(gè)輸出端連接，輸出端Ao、Bo、Co、Do與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接。所述調(diào)寬式脈沖控制電路為電壓型PWM控制器，PWM控制器的兩個(gè)輸出端Ao、Bo分別接至驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路的一組輸入端。所述輸入電流采樣電路包括電流傳感器CSl、電容C13、電阻R21，二極管D4，電流傳感器CSl與二極管D4串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)支路，電容C13、電阻R21分別與該支路并聯(lián)。所述輸出電流采樣電路包括電流傳感器CS2、電容C9和二極管D5，電流傳感器CS2與二極管D5串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)支路，電容C9與該支路并聯(lián)。所述續(xù)流電壓采樣電路包括由穩(wěn)壓二極管Z3，濾波電容Cl I，分壓電阻R3，R4組成的輸出米樣電路和由穩(wěn)壓二極管Z4,濾波電容C12,分壓電阻Rl, R5組成的輸入米樣電路,所述輸出采樣電路的輸出端為R4與R3之間的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸入端的一個(gè)接口連接，輸入采樣電路的輸出端為Rl與R5之間的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸入端的另一個(gè)接口連接。所述反向隔離電路由與所述VMOS開關(guān)電路同步整流的VMOS管組構(gòu)成，由所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路經(jīng)續(xù)流驅(qū)動(dòng)電路同步驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明提供的高功率密度的直流供電電路有XC/DC擴(kuò)展(XC)形、無(wú)極性、多波形、寬頻率電源輸入，DC(直流)輸出，自動(dòng)極性識(shí)別定向、高轉(zhuǎn)換效率、高功率因數(shù)、高可靠性、高功率密度、低成本等優(yōu)勢(shì)。


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具體實(shí)施例方式
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該高功率密度的直流供電電路，包括VMOS開關(guān)電路和調(diào)寬式脈沖控制電路，VMOS開關(guān)電路的輸入端通過(guò)續(xù)流電感與輸入電源的輸出端連接，VMOS開關(guān)電路的輸出端依次通過(guò)反向隔離電路、儲(chǔ)能濾波電路與負(fù)載連接，所述VMOS開關(guān)電路的輸入端還與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接，所述調(diào)寬式脈沖控制電路的輸出端通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接，調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端通過(guò)輸入電流采樣電路與輸入電源的輸出端連接，驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路的輸入端還通過(guò)續(xù)流電壓采樣電路與VMOS開關(guān)電路的輸出端連接；所述調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端還通過(guò)輸出電流采樣電路與儲(chǔ)能濾波電路的輸出端連接；所述調(diào)寬式脈沖控制電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路、VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路和續(xù)流電壓采樣電路組成控制電路；所述VMOS開關(guān)電路包括兩個(gè)串聯(lián)的VMOS管組，第一VMOS管組是并聯(lián)交替工作的VMOS管M1、M2，第二 VMOS管組是并聯(lián)交替工作的VMOS管M3、M4，輸入電源通過(guò)續(xù)流電感依次與兩個(gè)VMOS管組在反向隔離電路輸入端之前串聯(lián)；所述VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)器，第一驅(qū)動(dòng)器的輸入端Ai、Bi與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸出端的兩個(gè)輸出接口連接，第一驅(qū)動(dòng)器的輸出端Ao、Bo與VMOS管的VMOS開關(guān)電路輸入端的一組接口連接；第二驅(qū)動(dòng)器的輸入端Ai、Bi與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸出端的另外兩個(gè)輸出接口連接，第二驅(qū)動(dòng)器的輸出端Ao、Bo與開關(guān)電路輸入端的另一組接口連接。驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路為標(biāo)準(zhǔn)兩輸入或門控制芯片，該控制芯片包括四對(duì)輸入端Al，A2，BI，B2, Cl，C2，Dl, D2和相應(yīng)的四個(gè)輸出端Ao、Bo、Co、Do，其中輸入端Al, BI, Cl, Dl與調(diào)寬式脈沖控制電路的兩個(gè)輸出端連接，輸入端A2，B2, C2，D2與續(xù)流電壓采樣電路的兩個(gè)輸出端連接，輸出端Ao、Bo、Co、Do與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接。調(diào)寬式脈沖控制電路為電壓型PWM控制器，PWM控制器的兩個(gè)輸出端Ao、Bo分別接至驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路的一組輸入端。輸入電流采樣電路包括電流傳感器CS1、電容C13、電阻R21，二極管D4，電流傳感器CSl與二極管D4串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)支路，電容C13、電阻R21分別與該支路并聯(lián)。輸出電流采樣電路包括電流傳感器CS2、電容C9和二極管D5，電流傳感器CS2與二極管D5串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)支路，電容C9與該支路并聯(lián)。續(xù)流電壓采樣電路包括由穩(wěn)壓二極管Z3，濾波電容C11，分壓電阻R3，R4組成的輸出采樣電路和由穩(wěn)壓二極管Z4，濾波電容C12，分壓電阻Rl，R5組成的輸入采樣電路，所述輸出采樣電路的輸出端為R4與R3之間的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸入端的一個(gè)接口連接，輸入采樣電路的輸出端為Rl與R5之間的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸入端的另一個(gè)接口連接。反向隔離電路由與所述VMOS開關(guān)電路同步整流的VMOS管組構(gòu)成，由所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路經(jīng)續(xù)流驅(qū)動(dòng)電路同步驅(qū)動(dòng)。以下對(duì)各重要電路的功能進(jìn)行說(shuō)明續(xù)流電感利用電感特性對(duì)輸入電源進(jìn)行升壓；VMOS開關(guān)電路VM0S開關(guān)電路導(dǎo)通期間，續(xù)流電感中有電流通過(guò)；VM0S開關(guān)電路關(guān)斷期間，續(xù)流電路導(dǎo)通，使續(xù)流電感中電流繼續(xù)導(dǎo)通，產(chǎn)生高壓，對(duì)儲(chǔ)能濾波電路進(jìn)行充電，充電后由儲(chǔ)能濾波電路對(duì)負(fù)載進(jìn)行供電；儲(chǔ)能濾波電路VM0S開關(guān)電路關(guān)斷期間充電并對(duì)負(fù)載供電；VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路生成的VMOS開關(guān)信號(hào)和VMOS續(xù)流信號(hào)進(jìn)行放大處理；驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路對(duì)調(diào)寬式脈沖控制電路生成的PWM調(diào)寬式脈沖信號(hào)、電壓采樣電路輸入的交直流信號(hào)、正負(fù)極信號(hào)或續(xù)流信號(hào)以及電源信號(hào)進(jìn)行合成，生成合成信號(hào)(包括極性、交流、直流、調(diào)寬信號(hào));然后根據(jù)合成信號(hào)進(jìn)行自動(dòng)分配，區(qū)分為VMOS開關(guān)信號(hào)和VMOS續(xù)流信號(hào)；調(diào)寬式脈沖控制電路根據(jù)輸入采樣電路和/或輸出采樣電路輸入的電流采樣信號(hào)生成PWM調(diào)寬式脈沖信號(hào)；續(xù)流電壓采樣電路對(duì)VMOS開關(guān)電路和續(xù)流電路的電流信號(hào)進(jìn)行采樣，產(chǎn)生交直流信號(hào)、正負(fù)極信號(hào)或續(xù)流信號(hào)，并將上述信號(hào)輸入至驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路；輸入電流采樣電路對(duì)輸入電源輸入經(jīng)過(guò)續(xù)流電感的電流進(jìn)行采樣,生成采樣信號(hào)并將采樣信號(hào)提供給調(diào)寬式脈沖控制電路進(jìn)行處理； 以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳述ICl (UCC28084或其它同類器件)，為標(biāo)準(zhǔn)雙端交替輸出PWM控制器，通過(guò)器件I端(OC)控制PWM調(diào)寬輸出，輸出交替PWM波形P1、P2。町、! 5、(12、24對(duì)續(xù)流波形？4進(jìn)行檢測(cè)整形，形成波形？3。其中，穩(wěn)壓管Z4保持P3的電壓穩(wěn)定，電容C12用以濾波，使得在PA出現(xiàn)高電平時(shí)能夠使P3持續(xù)高電平。1 4、1 3、(11、23對(duì)續(xù)流波形？8進(jìn)行檢測(cè)整形，形成波形？4。其中，穩(wěn)壓管Z3保持P4的電壓穩(wěn)定，電容Cll用以濾波，使得在PB出現(xiàn)高電平時(shí)能夠使P4持續(xù)高電平。IC2(CD4071或其它同類器件)，為標(biāo)準(zhǔn)2輸入或門，其中Αο=Α1+Α2、Βο=Β1+Β2、Co=Cl+C2、Do=Dl+D2，對(duì)PU P2、P3、P4進(jìn)行邏輯合成后形成交錯(cuò)輸出PWM控制波形。IC3、IC4 (IR442或其它同類器件)，為標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器，其中Ao=Ai、Bo=Bi，對(duì)VMOS進(jìn)行高速大電流驅(qū)動(dòng)，以降低VMOS開關(guān)功耗提高轉(zhuǎn)換效率。CS1、CS2、D4、D5、R21、C13組成電流傳感、鑒別、檢測(cè)電路，自動(dòng)檢測(cè)出PWM開通時(shí)電源高端VMOS通過(guò)的電流波形。同時(shí)超其電路具有很低的功耗，采用電流傳感系數(shù)< 100、采樣控制電壓< O. 5V，控制功耗Pe < O. 5X10X0. 01=0. 005X10 (10為導(dǎo)通電流)，當(dāng)IO為 20A 時(shí)Pe < O. 05X20=0.1ff0C7、C8、C9主要用于進(jìn)一步消除噪聲(窄脈沖)。L1、D3、C14組成BOOST升壓電路的LDC，為了適應(yīng)輸入電源的不對(duì)稱性，例如單極性直流、單極性方波、單極性三角波等，LI采用差模對(duì)稱式，也可僅在輸入回路的正端或負(fù)端設(shè)置電感作為L(zhǎng)I。PWM控制電路(I CI)的Ao端口和Bo端口交替輸出控制信號(hào)PI、P2，且PI、P2之間總保持一個(gè)用于續(xù)流的間隔時(shí)間(對(duì)應(yīng)于PA波形的高電平)。P3、P4由輸入回路中的PA、PB波形分壓所得。PU P2、P3、P4接入觸發(fā)信號(hào)合成電路(IC2)的輸入端口，進(jìn)行如前所述的或邏輯運(yùn)算后，再分別經(jīng)開關(guān)驅(qū)動(dòng)器IC3、IC4驅(qū)動(dòng)將觸發(fā)信號(hào)分別加至兩個(gè)VMOS開關(guān)電路組(Ml、M2 ;M3、M4)，D3具有兩個(gè)輸入端，分別接至輸入回路的正端和負(fù)端，正向電流經(jīng)反向隔離電路D3對(duì)C14充電。Ml與M2并聯(lián)交替工作，M3與M4并聯(lián)交替工作海一個(gè)VMOS開關(guān)本身具有與之并聯(lián)的二極管)。 在輸入交流在波形正半周或輸入直流為上正下負(fù)，當(dāng)PWM控制電路(ICl)輸出的控制信號(hào)Pl和P2之一處于高電平時(shí)，該XC/DC自動(dòng)定向BOOST電路處于PWM導(dǎo)通狀態(tài)，電流在輸入回路中從正端依次流經(jīng)第一組VMOS開關(guān)電路組(Ml、M2 )、第二組VMOS開關(guān)電路組(M3、M4)，然后流回負(fù)端；由于D3起反向隔離作用，C14上的儲(chǔ)能不會(huì)反向流回輸入回路。當(dāng)PWM控制電路(ICl)輸出的控制信號(hào)P1、P2均為低電平時(shí)，則Ml、M2上沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)，因此M1、M2不導(dǎo)通，但由于續(xù)流電感LI的存在，且M3、M4中的二極管能夠形成自地端至輸入回路負(fù)端的導(dǎo)通回路，從而使電路中因續(xù)流電感產(chǎn)生的續(xù)流自輸入回路的正端經(jīng)D3對(duì)C14充電，并且同時(shí)經(jīng)由輸出回路的負(fù)載、第二組VMOS開關(guān)電路組(M3、M4)，然后流回負(fù)端。實(shí)際上，一旦電路中存在上述續(xù)流，即PA為高電平、PB為低電平，從而使得P1、P2、P3、P4進(jìn)行或邏輯運(yùn)算后產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)，使M3、M4導(dǎo)通，由于M3、M4的電阻很小，因此，在續(xù)流過(guò)程中產(chǎn)生的功耗仍然很小。而且，升壓輸出本身能夠降低線路損耗。比如，Ui=IO(V),升壓后Uo=50 (V)，則根據(jù)P=U2/R可知，線路損耗僅為原來(lái)的1/5.舉例說(shuō)明本發(fā)明的低功耗電路中采用Rds=O. 001 Ω低導(dǎo)通電阻N溝道 VMOS管，在PWM開通期間Ml、M2交錯(cuò)導(dǎo)通，VMOS導(dǎo)通電阻Rds=O. 001 Ω，M3、M4雙管并聯(lián)交錯(cuò)導(dǎo)通，VMOS導(dǎo)通電阻Rds=O. 001 Ω /2=0. 0005 Ω，若還是輸入20A電流，則導(dǎo)通電壓為U1=0. 001X20=0. 02V，U2=0. 0005X20=0. OlV,識(shí)別定向功耗為Pe=20X (O. 02+0. 01)=0. 6W ;在PWM關(guān)斷期間Ml、M2截止關(guān)斷，M3、M4雙管并聯(lián)交錯(cuò)導(dǎo)通續(xù)流，VMOS導(dǎo)通電阻Rds=O. 001 Ω /2=0. 0005 Ω，若是20A續(xù)流電流，則導(dǎo)通電壓為U2=0. 0005X20=0. 01V，識(shí)別定向功耗為Pe=20X0· 01=0. 2W。較之于現(xiàn)有技術(shù)的整流識(shí)別定向電路40W的功耗，本發(fā)明的XC/DC自動(dòng)識(shí)別定向BOOST電路功耗顯著降低。若反向隔離電路D3也采用同步的VMOS開關(guān)電路(其觸發(fā)信號(hào)與PA和PB的波形同步)，則可利用VMOS開關(guān)電路電阻小的特性進(jìn)一步降低線路損耗。尤其在BOOST輸出較低時(shí)轉(zhuǎn)換效率的提高更為顯著。VMOS開關(guān)在觸發(fā)信號(hào)作用下，能夠根據(jù)所加電壓極性實(shí)現(xiàn)正向或反向?qū)ǎ诖颂匦?，在輸入交流在波形?fù)半周或輸入直流為上負(fù)下正時(shí)，該XC/DC自動(dòng)定向BOOST電路的工作過(guò)程與上述導(dǎo)通、續(xù)流過(guò)程原理相同，且由于第一組VMOS開關(guān)電路組(Ml、M2)與第二組VMOS開關(guān)電路組(M3、M4)采用對(duì)稱電路結(jié)構(gòu)，在Ui負(fù)半周VMOS導(dǎo)通和續(xù)流是完全可逆的。如，當(dāng)PWM控制電路(ICl)輸出的控制信號(hào)P1、P2均為低電平時(shí)，則M3、M4上沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)，因此M3、M4不導(dǎo)通，而由第一組VMOS開關(guān)電路組(M1、M2)實(shí)現(xiàn)續(xù)流過(guò)程。可見，該BOOST電路能夠自動(dòng)完成對(duì)雙極性電源(交流正玄波、方波、三角波，交流工頻、中頻、低頻、超低頻)的自動(dòng)識(shí)別定向；及對(duì)單極性電源(直流、直流方波、直流三角波等)的自動(dòng)識(shí)別定向，交流雙極性電源及直流單極性電源可以不分正負(fù)任意接入。上述實(shí)施例是本發(fā)明的最佳實(shí)施例，采用這種交錯(cuò)PWM控制方式使Ml、M2交錯(cuò)導(dǎo)通，每個(gè)VMOS開關(guān)工作頻率為1/2電路頻率，能夠使VMOS開關(guān)在較低開關(guān)頻率下工作，大幅降低開關(guān)功耗；相應(yīng)地，電路中L、C器件的工作頻率為2倍VMOS管頻率，較高的電路工作頻率降低了對(duì)LC電路中電感(L)量和電容(C)的要求，降低了成本及工藝難度。實(shí)際上，基于本發(fā)明的導(dǎo)通、續(xù)流的基本原理，也可以考慮每個(gè)VMOS開關(guān)電路組只采用一個(gè)VMOS開關(guān)，也足以體現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)效果。比如只保留M1、M3，同樣也能夠在輸入交流在波形正半周或輸入直流為上正下負(fù)時(shí)，由Ml、M3實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通回路，由M3實(shí)現(xiàn)續(xù)流回路；在輸入交流在波形負(fù)半周或輸入直流為上負(fù)下正時(shí)，由M1、M3實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通回路，由Ml實(shí)現(xiàn)續(xù)流回路。當(dāng)然，在此方案下，也可以嘗試讓每個(gè)VMOS開關(guān)的工作頻率減半，但這就需要成倍地增大續(xù)流電 感、儲(chǔ)能電容，以滿足續(xù)流的要求，從而導(dǎo)致成本較高、元器件體積較大、功率密度降低。
權(quán)利要求
1.一種高功率密度的直流供電電路，其特征在于包括VMOS開關(guān)電路和調(diào)寬式脈沖控制電路，VMOS開關(guān)電路的輸入端通過(guò)續(xù)流電感與輸入電源的輸出端連接，VMOS開關(guān)電路的輸出端依次通過(guò)反向隔離電路、儲(chǔ)能濾波電路與負(fù)載連接，所述VMOS開關(guān)電路的輸入端還與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接，所述調(diào)寬式脈沖控制電路的輸出端通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接，調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端通過(guò)輸入電流采樣電路與輸入電源的輸出端連接，驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路的輸入端還通過(guò)續(xù)流電壓采樣電路與VMOS開關(guān)電路的輸出端連接；所述調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端還通過(guò)輸出電流采樣電路與儲(chǔ)能濾波電路的輸出端連接；所述調(diào)寬式脈沖控制電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路、VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路和續(xù)流電壓采樣電路組成控制電路；所述VMOS開關(guān)電路包括兩個(gè)串聯(lián)的VMOS管組，第一 VMOS管組是并聯(lián)交替工作的VMOS管M1、M2，第二 VMOS管組是并聯(lián)交替工作的VMOS管M3、M4，輸入電源通過(guò)續(xù)流電感依次與兩個(gè)VMOS管組在反向隔離電路輸入端之前串聯(lián)；所述VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)器，第一驅(qū)動(dòng)器的輸入端Ai、Bi與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸出端的兩個(gè)輸出接口連接，第一驅(qū)動(dòng)器的輸出端Ao、Bo與VMOS管的VMOS開關(guān)電路輸入端的一組接口連接；第二驅(qū)動(dòng)器的輸入端Ai、Bi與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸出端的另外兩個(gè)輸出接口連接，第二驅(qū)動(dòng)器的輸出端Ao、Bo與開關(guān)電路輸入端的另一組接口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高功率密度的直流供電電路，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路為標(biāo)準(zhǔn)兩輸入或門控制芯片，該控制芯片包括四對(duì)輸入端Al，A2，BI，B2，Cl，C2，D1，D2和相應(yīng)的四個(gè)輸出端Ao、Bo、Co、Do，其中輸入端A1，B1，C1，D1與調(diào)寬式脈沖控制電路的兩個(gè)輸出端連接，輸入端A2，B2，C2，D2與續(xù)流電壓采樣電路的兩個(gè)輸出端連接，輸出端Ao、Bo、Co、Do與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高功率密度的直流供電電路，其特征在于所述調(diào)寬式脈沖控制電路為電壓型PWM控制器，PWM控制器的兩個(gè)輸出端Ao、Bo分別接至驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路的一組輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高功率密度的直流供電電路，其特征在于所述輸入電流采樣電路包括電流傳感器CSl、電容C13、電阻R21，二極管D4，電流傳感器CSl與二極管D4串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)支路，電容C13、電阻R21分別與該支路并聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高功率密度的直流供電電路，其特征在于所述輸出電流采樣電路包括電流傳感器CS2、電容C9和二極管D5，電流傳感器CS2與二極管D5串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)支路，電容C9與該支路并聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高功率密度的直流供電電路，其特征在于所述續(xù)流電壓采樣電路包括由穩(wěn)壓二極管Z3，濾波電容C11，分壓電阻R3，R4組成的輸出采樣電路和由穩(wěn)壓二極管Z4,濾波電容C12,分壓電阻Rl, R5組成的輸入米樣電路,所述輸出米樣電路的輸出端為R4與R3之間的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸入端的一個(gè)接口連接，輸入采樣電路的輸出端為Rl與R5之間的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路輸入端的另一個(gè)接口連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高功率密度的直流供電電路，其特征在于所述反向隔離電路由與所述VMOS開關(guān)電路同步整流的VMOS管組構(gòu)成，由所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路經(jīng)續(xù)流驅(qū)動(dòng)電路同步驅(qū)動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高功率密度的直流供電電路，主要解決了現(xiàn)有應(yīng)用在光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、蓄電池供電等交流低壓、直流低壓供電等可再生新能源系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器功耗高、效率低、可靠性差的問(wèn)題。該高功率密度的直流供電電路的調(diào)寬式脈沖控制電路的輸出端通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)合成電路與VMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接，調(diào)寬式脈沖控制電路的輸入端通過(guò)輸入電流采樣電路與輸入電源的輸出端連接，該高功率密度的直流供電電路有效提高了供電效率、供電質(zhì)量和供電可靠性。
文檔編號(hào)H02M1/088GK102983728SQ201210517279
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者胡家培, 胡民海 申請(qǐng)人:西安智海電力科技有限公司