專利名稱：一種開關(guān)電源主開關(guān)mos管柵極泄放電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源產(chǎn)品領(lǐng)域，具體的是涉及一種開關(guān)電源主開關(guān)MOS管柵極泄放電路。
背景技術(shù)：
圖I所示的為現(xiàn)有液晶顯示產(chǎn)品中交流-直流轉(zhuǎn)換器一通用實(shí)例，該電路為反激式架構(gòu)，該轉(zhuǎn)換器通常采用一 PWM驅(qū)動芯片，該驅(qū)動芯片輸出端通過一電阻R3與一 N溝道的MOS管Ql的柵極(Gate)相連接，該N溝道的MOS管Ql的漏極(Drain)端與一反激式變壓器Tl初級側(cè)主繞組的pi端相連接，該P(yáng)WM驅(qū)動芯片通過輸出端輸出一 PWM訊號到該N溝道MOS管Ql的柵極來控制該MOS Ql開與關(guān)，從而控制變壓器Tl能量的輸出；電阻R3主要作用是用來控制MOS管Ql開與關(guān)的導(dǎo)通速度，以降低交流-直流轉(zhuǎn)換器的電磁輻射強(qiáng)度，而目前所有MOS管均存在寄生電容，如圖I. I所示，MOS管柵極(G端)與漏極(D端)之間存在寄生電容Cgd，M0S管柵極(G端)與源極(S端)之間存在寄生電容Cgs，當(dāng)電阻R3或是PWM驅(qū)動芯片輸出端引腳開路時，由于MOS管Ql寄生電容原因，該MOS管Ql的柵極端將得到如下電壓Vgs=Cgd/ (Cgd+Cgs)*Vds,當(dāng)Vgs大于Ql柵極導(dǎo)通的門濫電壓Vth時，Ql將做持續(xù)的導(dǎo)通，使得變壓器Tl初級側(cè)主繞組飽和，最終MOS管因漏極與源極之間電流過大而被燒毀；故現(xiàn)有反激式電源中通常會在開關(guān)MOS Ql的柵極對地之間增加一阻值約為IOK左右的電阻Rg做MOS Ql柵極電容Cgs中的電荷的泄放電路，確保在電阻R3或是PWM驅(qū)動芯片輸出端引腳虛焊開路情況下Ql MOS管不被燒毀。圖2所示為現(xiàn)有反源式電源變壓器初級側(cè)各個參考地的連接關(guān)系一通用實(shí)例，其中G1代表工頻高壓電容參考地，該地相對屬于較干凈參考地；G2代表與MOS管Ql源極相連接的功率電阻R5參考地，該地相對其它參考地通常被認(rèn)為最臟的參考地；G3代表驅(qū)動芯片小信號較干凈參考地；G4代表驅(qū)動芯片供電輸入端電容,該地相對為較干凈地；G5代表變壓器輔助繞組地，相對較臟；G6代表整流橋參考地；G7代表光耦小信號較干凈地；G8代表MOS管Ql柵極泄放電阻Rg參考地；G9代表跨接在初次級之間的安規(guī)電容Cy的初級參考地；G10代表跨接在初次級之間的安規(guī)電容Cy的次級側(cè)地，該地最終與大地相連接。從圖2中可知，現(xiàn)有電源板Layout通常采用以工頻高壓電容為中心點(diǎn)，將大信號較臟地與小信號較干凈地分開，最終連接到工頻高壓電容Gl地上，現(xiàn)有液晶顯示產(chǎn)品電源板，由于PCB板布線及零件擺放問題，通常泄放電阻Rg參考地G8離驅(qū)動芯片小信號G3等地往往較遠(yuǎn)，而離G9地到Gl之間地相對較近，因此在Layout時通常往往會將泄放電阻Rg地G8接在安規(guī)Y電容初級地G9到工頻高壓電容Gl地之間。圖3為現(xiàn)有一 G對L雷擊主要路徑圖，當(dāng)某一雷電擊中該交流-直流轉(zhuǎn)換器時，假設(shè)雷擊為大地G對L火線打一脈沖高壓時，因安規(guī)Y電容Cy為高壓脈沖主要通道路徑，故雷擊電流Isurgel主要路徑為此時在Rg上會產(chǎn)生另一雷擊放電路徑G8;Rg今Ql柵極或從R3到驅(qū)動芯片輸出端、[0007]該雷擊路徑會可能導(dǎo)致1、驅(qū)動芯片輸出端被打壞，造成雷雨季節(jié)產(chǎn)生較高的電源板上驅(qū)動芯片不良；2、使得MOS管Ql做持續(xù)的導(dǎo)通，使得變壓器Tl初級側(cè)繞組出現(xiàn)飽和問題，最終使得MOS管Ql漏極與源極因電流過大而被燒毀，以及大電流流過R5功率電阻時產(chǎn)生一脈沖高壓，該脈沖高壓會從路徑I : Cgs+R33驅(qū)動芯片輸出端引腳，導(dǎo)致驅(qū)動芯片輸出端被高壓擊穿而阻抗下降。路徑2 :從R4低通濾波電阻一驅(qū)動芯片電流偵測引腳，導(dǎo)致驅(qū)動芯片電流偵測引腳被高壓擊穿而阻抗下降；這種情況通常會導(dǎo)致電源板上同時出現(xiàn)驅(qū)動芯片，MOS管Ql等零件損壞。最終造成雷雨季節(jié)產(chǎn)生較高的電源板上驅(qū)動芯片及主開關(guān)MOS管等電子零件不良。從上述現(xiàn)有技術(shù)可以知道主開關(guān)MOS管柵極對地泄放電阻Rg的接地端一旦接到了雷擊通道主要路徑上，造成了液晶顯示產(chǎn)品的電源板上的驅(qū)動芯片及主開關(guān)MOS管等零件在雷雨季節(jié)中產(chǎn)生較高的不良率。(目前TPV公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的液晶顯示產(chǎn)品的Power板的市場不良中，Power板上驅(qū)動芯片不良均比Power板上其它電子零件不良比率高得多，其中驅(qū)動芯片IC和MOS開關(guān)管Ql同時不良約占所有驅(qū)動芯片不良的一半左右)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)而提出一種開關(guān)電源主開關(guān)MOS管柵極泄放電路，減少開關(guān)電源產(chǎn)品在雷擊季節(jié)中因雷擊問題而產(chǎn)生的驅(qū)動芯片不良和MOS開關(guān)管不良。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種開關(guān)電源主開關(guān)MOS管柵極泄放電路，包括有泄放電阻Rg、M0S管柵極和源極，其特征在于泄放電阻Rg接在MOS管柵極與源極之間。本實(shí)用新型的有益效果在于將泄放電阻Rg接在MOS管柵極與源極之間，讓雷擊時能量不要經(jīng)過泄放電阻Rg，從而避開了雷擊時的主要通道路徑，這會使雷擊季節(jié)因雷擊造成驅(qū)動芯片及MOS開關(guān)管的市場不良比率大大的降低，最終降低了市場不良的維修費(fèi)用。

圖I為為現(xiàn)有液晶顯示產(chǎn)品中交流-直流轉(zhuǎn)換器一通用實(shí)例圖；圖2所示為現(xiàn)有反源式電源變壓器初級側(cè)各個參考地的連接關(guān)系一通用實(shí)例圖；圖3為現(xiàn)有一 G對L雷擊主要路徑圖；圖4為新型液晶顯示產(chǎn)品中交流-直流轉(zhuǎn)換器一較佳實(shí)例圖；圖5為新型液晶顯示產(chǎn)品交流-直流轉(zhuǎn)換器G對L雷擊等效電路圖一較佳實(shí)例圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。圖4為新型液晶顯示產(chǎn)品中交流-直流轉(zhuǎn)換器一較佳實(shí)例，該電路為反激式架構(gòu)，該轉(zhuǎn)換器通常采用一 PWM驅(qū)動芯片，該驅(qū)動芯片輸出端通過一電阻R3與一 N溝道的MOS管Ql的柵極(Gate)相連接，該N溝道的MOS管Ql的漏極(Drain)端與一反激式變壓器Tl初級側(cè)主繞組的Pl端相連接，該P(yáng)WN驅(qū)動芯片通過輸出端輸出一 PWM訊號到該N溝道MOS管Ql的柵極來控制該MOS Ql開與關(guān)，從而控制變壓器Tl能量的輸出；在該N溝道MOS管Ql的柵極與源極之間接一泄放電阻Rg，確保當(dāng)R3電阻或是驅(qū)動芯片輸出端引腳虛焊或開路時Ql MOS管不被燒毀問題。圖5為新型液晶顯示產(chǎn)品交流-直流轉(zhuǎn)換器G對L雷擊等效電路圖一較佳實(shí)例，當(dāng)某一雷電擊中該交流-直流轉(zhuǎn)換器時，假設(shè)雷擊為大地G對L火線打一脈沖高壓時，因安規(guī)Y電容Cy為高壓脈沖主要通道路徑，故雷擊電流Isurgel主要路徑為G~>G10 今 Cy 今 Gl 今66 今 D4-^L1 今腿 I ;F1 今 L從圖5的雷擊等效電路圖可以看出，Rg泄放電阻放置在MOS管Ql的柵極與源極之間，避開了雷擊主要路徑通道。
權(quán)利要求1.一種開關(guān)電源主開關(guān)MOS管柵極泄放電路，包括有泄放電阻Rg、M0S管柵極和源極，其特征在于泄放電阻Rg接在MOS管柵極與源極之間。
專利摘要本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源產(chǎn)品領(lǐng)域，具體的是涉及一種開關(guān)電源主開關(guān)MOS管柵極泄放電路，包括有泄放電阻Rg、MOS管柵極和源極，其特征在于泄放電阻Rg接在MOS管柵極與源極之間。本實(shí)用新型的有益效果在于將泄放電阻Rg接在MOS管柵極與源極之間，讓雷擊時能量不要經(jīng)過泄放電阻Rg，從而避開了雷擊時的主要通道路徑，這會使雷擊季節(jié)因雷擊造成驅(qū)動芯片及MOS開關(guān)管的市場不良比率大大的降低，最終降低了市場不良的維修費(fèi)用。
文檔編號H02H9/04GK202535063SQ20122012112
公開日2012年11月14日 申請日期2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月28日
發(fā)明者余祚尚, 鄭琴 申請人:冠捷顯示科技(武漢)有限公司