專利名稱：一種超級電容的放電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超級電容的放電裝置。
背景技術(shù)：
超級電容也叫做電化學(xué)電容器，具有性能穩(wěn)定、使用壽命長等特點(diǎn)，近年來在電動汽車、太陽能發(fā)電、重型機(jī)械等領(lǐng)域表現(xiàn)出前有未有的發(fā)展趨勢，很多發(fā)達(dá)國家都已把關(guān)于超級電容的項(xiàng)目作為國家重點(diǎn)科研方向，超級電容在國內(nèi)市場上也呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的景象。
發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供一種超級電容放電裝置。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:該超級電容放電裝置包括微處理器、IGBT、放電電阻和超級電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與超級電容及限流電阻相連接，超級電容和放電電阻相連接。裝置工作時，微處理器發(fā)出控制信號，IGBT導(dǎo)通，放電回路導(dǎo)通，超級電容開始放電。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):該超級電容放電裝置結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、裝置可靠性高。

圖1為本實(shí)用新型超級電容放電裝置結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的詳細(xì)結(jié)構(gòu)結(jié)合實(shí)施例加以說明。該超級電容放電裝置結(jié)構(gòu)如圖1所示，IGBT型號選取1MBI200L-120、微控制器選取型號為PIC16F877，放電電阻選擇RXG20-F型線繞電阻。該超級電容放電裝置由微處理器(PIC16F877)、IGBT (1MBI200L-120)、放電電阻(RXG20-F型線繞電阻)和超級電容組成，微處理器PIC16F877A與IGBT相連接，超級電容和IGBT1MBI200L-120及放電電阻相連接。裝置工作時，微處理器PIC16F877A發(fā)出控制信號，IGBT 1MBI200L-120導(dǎo)通，超級電容通過放電電阻進(jìn)行放電。
權(quán)利要求1.一種超級電容的放電裝置，其特征在于:該超級電容放電裝置包括微處理器、IGBT、放電電阻和超級電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與超級電容及限流電阻相連接，超級電容和放電電阻相連接。
專利摘要一種超級電容的放電裝置，屬于電器技術(shù)領(lǐng)域。該超級電容放電裝置包括微處理器、IGBT、放電電阻和超級電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與超級電容及限流電阻相連接，超級電容和放電電阻相連接。裝置工作時，微處理器發(fā)出控制信號，IGBT導(dǎo)通，放電回路導(dǎo)通，超級電容開始放電。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)該超級電容充電裝置結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、裝置可靠性高。
文檔編號H02J7/00GK203014401SQ20122058117
公開日2013年6月19日 申請日期2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月7日
發(fā)明者李翠, 王淳 申請人:沈陽創(chuàng)達(dá)技術(shù)交易市場有限公司