過溫檢測電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種過溫檢測電路，所述過溫檢測電路包括閾值生成電路、過溫比較電路和過溫檢測信號輸出電路。閾值生成電路用于根據(jù)參考電壓生成過溫檢測閾值；過溫比較電路用于根據(jù)PN結導通電壓和過溫檢測閾值輸出過溫信號；過溫檢測信號輸出電路用于根據(jù)所述過溫信號按預設電平輸出過溫檢測信號；其中，過溫檢測信號輸出電路包括濾波電路，所述濾波電路用于對過溫信號濾波，過溫檢測信號輸出電路根據(jù)濾波后的信號輸出過溫檢測信號。本實用新型解決了現(xiàn)有技術中由于脈沖群干擾引起的異常停機的問題，提高了過溫檢測電路的脈沖群抗擾度。
【專利說明】過溫檢測電路

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及電路領域，具體涉及一種過溫檢測電路。

【背景技術】
[0002] 過溫檢測電路常用于對電路工作溫度進行檢測，在電路工作溫度達到預定值以后 輸出控制信號，完成關斷電路、關斷電源等功能，起到保護電路的作用。
[0003] 現(xiàn)有技術中，通過過溫檢測電路PN結導通電壓的變化檢測電路工作溫度，例如， 在PN結導通電壓為負溫度系數(shù)時，將過溫檢測閾值與PN結導通電壓進行比較，其中，過溫 檢測閾值對應預定溫度，當溫度低于預定溫度時，PN結導通電壓高于過溫檢測閾值，過溫檢 測電路保持正常輸出狀態(tài)；當溫度高于預定溫度時，由于PN結導通電壓隨溫度的升高而下 降到低于過溫檢測閾值，過溫檢測電路的輸出狀態(tài)跳變觸發(fā)過溫保護。
[0004] 當供電電壓存在脈沖群干擾時，過溫檢測閾值信號也會出現(xiàn)脈沖群干擾，脈沖群 干擾的峰值大約十幾伏到幾十伏，由于過溫檢測電路的過溫檢測閾值會隨著脈沖峰值顯著 升高，導致PN結導通電壓低于過溫檢測閾值，觸發(fā)過溫保護。同時，由于用于生成PN結導 通電壓的電子器件存在寄生電容，使得脈沖群結束后過溫檢測電路存在一段恢復時間，在 恢復時間內會引起后級鎖存電路輸出過溫保護信號，導致整機異常停機。 實用新型內容
[0005] 有鑒于此，本實用新型的目的在于提出一種過溫檢測電路，以提高過溫檢測電路 脈沖群抗擾度。
[0006] 根據(jù)本實用新型的一方面，提供一種過溫檢測電路，包括閾值生成電路、過溫比較 電路和過溫檢測信號輸出電路。所述閾值生成電路用于根據(jù)參考電壓生成過溫檢測閾值； 所述過溫比較電路用于根據(jù)PN結導通電壓和過溫檢測閾值輸出過溫信號，所述PN結導通 電壓與溫度成比例；所述過溫檢測信號輸出電路用于根據(jù)所述過溫信號按預設電平輸出過 溫檢測信號。其中，所述過溫檢測信號輸出電路包括濾波電路，所述濾波電路用于對所述過 溫信號濾波，所述過溫檢測信號輸出電路根據(jù)濾波后的信號輸出過溫檢測信號。
[0007] 優(yōu)選地，所述過溫檢測信號輸出電路包括第一輸出晶體管、第一電阻、濾波電路、 第二電阻和第二輸出晶體管。
[0008] 所述第一輸出晶體管連接在參考電壓輸入端和中間端之間，所述第一輸出晶體管 的控制端輸入所述過溫信號。所述第一電阻連接在所述中間端和接地端之間。所述濾波電 路包括濾波電阻和濾波電容，所述濾波電阻連接在所述中間端和所述第二輸出晶體管的控 制端之間，所述濾波電容連接在所述第二輸出晶體管的控制端和接地端之間。所述第二電 阻和所述第二輸出晶體管串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地端之間，從所述第二電阻和所 述第二輸出晶體管的連接節(jié)點輸出所述過溫檢測信號。
[0009] 優(yōu)選地，所述第一輸出晶體管為PNP型雙極性晶體管。
[0010] 優(yōu)選地，所述過溫檢測信號輸出電路包括第一輸出晶體管、濾波電路、第一電阻、 第二輸出晶體管和第二電阻。
[0011] 所述濾波電路包括濾波電阻和濾波電容，所述濾波電阻連接在參考電壓輸入端和 中間端之間，所述濾波電容連接在所述中間端和接地端之間。所述第一輸出晶體管連接在 所述中間端和接地端之間，所述第一輸出晶體管的控制端輸入所述過溫信號。所述第一電 阻連接在所述中間端和所述第二輸出晶體管的控制端之間。所述第二電阻和所述第二輸出 晶體管串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地端之間，從所述第二電阻和所述第二輸出晶體管 的連接節(jié)點輸出所述過溫檢測信號。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一輸出晶體管為NPN型雙極性晶體管。
[0013] 優(yōu)選地，所述過溫比較電路包括過溫比較晶體管；所述過溫比較晶體管的控制端 輸入所述過溫檢測閾值，所述過溫比較電路基于所述過溫比較晶體管的導通和關斷控制輸 出過溫信號。
[0014] 優(yōu)選地，所述過溫比較電路還包括第三電阻和第四電阻；所述過溫比較晶體管為 NPN型雙極性晶體管。
[0015] 所述過溫比較晶體管的發(fā)射極與接地端連接，所述第三電阻和第四電阻串聯(lián)連接 在參考電壓輸入端和所述過溫比較晶體管的集電極之間。從所述第三電阻和所述第四電阻 的連接節(jié)點輸出所述過溫信號。
[0016] 優(yōu)選地，所述過溫比較電路還包括第三電阻；所述過溫比較晶體管為NPN型雙極 性晶體管。
[0017] 所述過溫比較晶體管的發(fā)射極與接地端連接，所述第三電阻連接在參考電壓輸入 端和所述過溫比較晶體管的集電極之間。從所述過溫比較晶體管與所述第三電阻的連接節(jié) 點輸出所述過溫信號。
[0018] 優(yōu)選地，所述閾值生成電路包括第一分壓電阻、第二分壓電阻、第三分壓電阻和開 關電路。所述第一分壓電阻、第二分壓電阻和第三分壓電阻串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和 接地端之間，所述開關電路與所述第三分壓電阻并聯(lián)，在未過溫狀態(tài)導通，在過溫狀態(tài)關 斷。
[0019] 優(yōu)選地，所述濾波電路的時間常數(shù)大于過溫檢測恢復時間，所述過溫檢測恢復時 間是所述過溫比較電路在遇到干擾脈沖后恢復到正常狀態(tài)的時間。
[0020] 通過在過溫檢測電路的過溫檢測信號輸出電路中加入濾波電路，對由電子器件寄 生電容導致的延遲波形進行濾波，避免了延遲波形導致的恢復時間對過溫檢測電路的影 響，提高了過溫檢測電路的脈沖群抗擾度；同時，增加了系統(tǒng)在抗擾度上的設計余量，節(jié)省 了系統(tǒng)針對抗擾度的設計成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 通過以下參照附圖對本實用新型實施例的描述，本實用新型的上述以及其他目 的、特征和優(yōu)點將更為清楚，在附圖中：
[0022] 圖1為根據(jù)本實用新型第一實施例的過溫保護系統(tǒng)的系統(tǒng)示意圖；
[0023] 圖2為根據(jù)本實用新型第二實施例的過溫檢測電路的示意圖；
[0024] 圖3為根據(jù)對本實用新型實施例進行電快速瞬變脈沖群抗擾實驗所施加的電快 速瞬變脈沖群的波形示意圖；
[0025] 圖4為根據(jù)本實用新型第二實施例的過溫檢測電路的工作波形圖；
[0026] 圖5為根據(jù)本實用新型第三實施例的過溫檢測電路的示意圖。

【具體實施方式】
[0027] 以下將參照附圖更詳細地描述本實用新型的各種實施例。在各個附圖中，相同的 元件采用相同或類似的附圖標記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪 制。
[0028] 圖1為根據(jù)本實用新型第一實施例的過溫保護系統(tǒng)的系統(tǒng)示意圖。過溫保護系統(tǒng) 1包括參考電壓產(chǎn)生電路10、過溫檢測電路20和鎖存電路30。
[0029] 其中，參考電壓產(chǎn)生電路10在供電電壓Vcc驅動下生成不隨溫度變化的參考電壓 VMf。參考電壓產(chǎn)生電路10可以為帶隙基準電壓源。
[0030] 過溫檢測電路20用于進行過溫檢測輸出過溫檢測信號01\。
[0031] 鎖存電路30用于對過溫檢測信號0?\進行鎖存，向后級電路輸出過溫保護啟動信 號F0以在電路過溫時啟動過溫保護。
[0032] 過溫檢測電路20包括閾值生成電路21、過溫比較電路22和過溫檢測信號輸出電 路23。
[0033] 閾值生成電路21用于根據(jù)參考電壓VMf生成過溫檢測閾值VA。
[0034] 過溫比較電路22用于根據(jù)PN結導通電壓VB和過溫檢測閾值VA輸出過溫信號0T。
[0035] 過溫檢測信號輸出電路23用于根據(jù)所述過溫信號0T按預設電平輸出過溫檢測信 號 〇1\。
[0036] 其中，PN結導通電壓與溫度成反比例，也即，PN結導通電壓為負溫度系數(shù)參數(shù)。
[0037] 優(yōu)選地，預設電平為：當過溫檢測電路保持正常狀態(tài)時輸出高電平，當過溫檢測電 路處于過溫保護狀態(tài)時輸出低電平。當然，本領域技術人員容易理解預設電平可以根據(jù)實 際需要設置成其它狀態(tài)。
[0038] 閾值生成電路21根據(jù)參考電壓VMf生成過溫檢測閾值VA，過溫檢測閾值V A對應預 定溫度TH。
[0039] 優(yōu)選地，閾值生成電路21可以為電阻分壓網(wǎng)絡，通過對參考電壓VMf分壓獲得對 應的過溫檢測閾值V A。
[0040] 過溫比較電路22通過將過溫檢測閾值VA與PN結導通電壓VB進行比較檢測電路 是否過溫。在PN結導通電壓V B與溫度成反比例時，如果溫度低于預定溫度TH時，則PN結 導通電壓VB高于過溫檢測閾值V A，過溫比較電路22保持正常狀態(tài)，輸出的過溫信號0T為 高電平；當溫度高于預定溫度TH時，PN結導通電壓V B下降到低于過溫檢測閾值VA，過溫比 較電路22輸出過溫信號0T為低電平。
[0041] 過溫檢測信號輸出電路23根據(jù)過溫信號0T輸出過溫檢測信號01\。
[0042] 其中，過溫檢測信號輸出電路23包括濾波電路231。濾波電路231對所述過溫信 號0T進行濾波，濾除高頻脈沖干擾信號以及高頻脈沖干擾信號結束后由于寄生電容導致 的延遲信號。
[0043] 過溫檢測電路輸出的過溫檢測信號01\可以提供給后級鎖存電路30。優(yōu)選地，當 過溫檢測信號〇?\為低電平時，鎖存電路30輸出保護信號F0,正常情況下保護信號F0觸發(fā) 后，保護狀態(tài)將持續(xù)一定時間（典型20us以上），以使過溫保護系統(tǒng)控制的部分保護停機。
[0044] 由于過溫檢測電路20需要利用PN結導通電壓來檢測溫度，而PN結器件通常帶有 寄生電容，導致高頻脈沖干擾信號結束后電路不能立刻恢復正常，使得寄生電容的延遲效 應具有一個恢復時間。在該恢復時間內，過溫檢測電路20輸出過溫檢測信號01\仍不能恢 復正常。而同時，由于供電電壓V。。中的高頻脈沖干擾已經(jīng)結束，鎖存電路30恢復正常，鎖 存電路30會默認接收的過溫檢測信號0?\是在過溫檢測電路20正常工作狀態(tài)下輸出的， 由此會導致對于過溫狀態(tài)的錯誤檢測。
[0045] 在過溫檢測信號輸出電路23中加入濾波電路231后，不但由于高頻脈沖干擾信號 導致的過溫信號0Τ中的錯誤脈沖被濾除，由于寄生電容的延遲效應導致的延遲信號（對應 于上述的恢復時間）也被濾除。而由于溫度變化的低頻特性，也即，電路的工作溫度相對高 頻脈沖以及上述的恢復時間是緩慢變化的，濾波電路不會對于由于電路工作溫度上升導致 的過溫信號變化產(chǎn)生影響，所以，本實施例的過溫檢測電路可以較好解決由于脈沖群干擾 而引起的系統(tǒng)異常停機的問題，提高過溫檢測電路的脈沖群抗擾度；另一方面，還可以增加 了整機系統(tǒng)在抗擾度上的設計余量，節(jié)省了整機系統(tǒng)針對抗擾度的設計成本。
[0046] 圖2為根據(jù)本實用新型第二實施例的過溫檢測電路的示意圖。過溫檢測電路20' 包括閾值生成電路21'、過溫比較電路22'和過溫檢測信號輸出電路23'。
[0047] 閾值生成電路21'用于根據(jù)參考電壓VMf生成過溫檢測閾值VA。
[0048] 優(yōu)選地，閾值生成電路21'為電阻分壓網(wǎng)絡。
[0049] 優(yōu)選地，閾值生成電路21'用于在未過溫狀態(tài)根據(jù)參考電壓生成過溫檢測閾值VA， 在過溫狀態(tài)根據(jù)參考電壓生成過溫恢復閾值 '，過溫恢復閾值 '低于過溫檢測閾值VA。閾 值生成電路21'包括第一分壓電阻Rfl、第二分壓電阻R f2、第三分壓電阻Rf3和開關電路211。 其中第一分壓電阻Rfl、第二分壓電阻R f2和第三分壓電阻Rf3串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和 接地端之間，開關電路211與第三分壓電阻R f3并聯(lián)。
[0050] 在圖2中，開關電路211在未過溫狀態(tài)關斷，由此，使得閾值生成電路21'生成過 溫檢測閾值V A :
[0051] ^ ^ · Vr，r
[0052] 在過溫狀態(tài)導通，使得第三分壓電阻Rf3被短路，由此，閾值生成電路21'生成一個 較低的過溫恢復閾值' :
[0053] VL = Viet
[0054] 開關電路211可以包括開關晶體管Q2、反饋電阻Rf和反饋晶體管Q 3，反饋電阻Rf 和反饋晶體管仏連接在參考電壓輸入端和接地端之間，反饋晶體管Q3的控制端通過一電阻 R7輸入與過溫信號0T或與過溫信號0T相關的信號或過溫檢測信號0?\，從而根據(jù)檢測狀態(tài) 導通或關斷。通過反饋晶體管Q 3的通斷控制反饋電阻Rf和反饋晶體管Q3的連接節(jié)點的電 壓，進而控制開關晶體管Q 2的導通和關斷，實現(xiàn)在不同的狀態(tài)輸出不同的閾值。
[0055] 過溫比較電路22'用于根據(jù)PN結導通電壓VB和過溫檢測閾值VA輸出過溫信號 0Τ〇
[0056] 過溫比較電路22'包括過溫比較晶體管％。過溫比較晶體管％的控制端輸入過 溫檢測閾值VA，過溫比較電路22'基于過溫比較晶體管Qi的導通和關斷控制輸出過溫信號 0Τ〇
[0057] 在本實施例中，過溫比較晶體管為NPN型雙極性晶體管，其控制端為基極，其基 極-發(fā)射極導通電壓V BE作為PN結導通電壓。過溫比較電路22'還包括第三電阻R3和第 四電阻R4。過溫比較晶體管％的發(fā)射極與接地端連接，第三電阻R 3和第四電阻R4串聯(lián)連 接在參考電壓輸入端和過溫比較晶體管的集電極之間。
[0058] 從第三電阻R3和第四電阻R4的連接節(jié)點輸出過溫信號0T。
[0059] 過溫比較晶體管％的輸入特性曲線隨溫度升高向左移，溫度每升高1°C，過溫比較 晶體管％的正向導通電壓V BE減小2-2. 5mV。
[0060] 過溫檢測信號輸出電路23'用于根據(jù)所述過溫信號0T按預設電平輸出過溫檢測 信號。過溫檢測信號輸出電路包括第一輸出晶體管Q&、第一電阻&、濾波電路231、第二 電阻R 2和第二輸出晶體管Q&。
[0061] 其中，第一輸出晶體管連接在參考電壓輸入端和中間端V2之間，第一輸出晶體 管Q M的控制端輸入過溫信號0T ;第一電阻&連接在中間端V2和接地端之間。
[0062] 濾波電路231包括濾波電阻RF1和濾波電容CF1，濾波電阻R F1連接在中間端V2和 第二輸出晶體管〇。2的控制端之間，所述濾波電容c F1連接在第二輸出晶體管〇。2的控制端和 接地端之間。
[0063] 第二電阻R2和第二輸出晶體管0。2串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地端之間，從 第二電阻R 2和第二輸出晶體管0。2的連接節(jié)點輸出過溫檢測信號〇!\。
[0064] 優(yōu)選地，第一輸出晶體管Qd可以為PNP型雙極性晶體管。
[0065] 其中，第一輸出晶體管I的基極接收過溫信號0T。當0T為高電平時，第一輸出 晶體管t關斷，中間端v 2的電壓為低電平，使得第二輸出晶體管〇。2也關斷，過溫檢測信號 輸出電路23'輸出的過溫檢測信號0?\為高電平。
[0066] 當0Τ為低電平時，第一輸出晶體管1導通，濾波電容CF1開始通過濾波電阻RF1充 電，濾波電容CF1持續(xù)充電直到過溫檢測恢復（即第一輸出晶體管I關斷）。
[0067] 為了測試系統(tǒng)的抗擾性能，通常需要進行電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗，在進行 該實驗時，向交流電源施加如圖3所示的電快速瞬變脈沖群，電快速瞬變脈沖群的出現(xiàn)會 引起集成電路芯片供電電壓上同步的脈沖群干擾，該脈沖群干擾的脈寬同樣很?。◣资{ 秒），峰值幅度則因系統(tǒng)設計的差異而不同，從幾十伏到上百伏。
[0068] 圖4是本實施例的過溫檢測電路的工作波形圖。如圖4所示，交流電源上出現(xiàn)的 脈沖群導致供電電壓V。。出現(xiàn)脈沖群干擾。
[0069] 供電電壓輸入的脈沖群干擾會導致在參考電壓生成電路輸出的參考電壓VMf 上也出現(xiàn)脈沖群干擾，峰值大約十幾伏到幾十伏。過溫檢測閾值VA會隨著參考電壓VMf的 脈沖峰值一起顯著升高，從而使過溫比較晶體管Qi導通，觸發(fā)過溫信號。此時，后級鎖存電 路由于供電電壓也有脈沖群干擾，輸出會出現(xiàn)保護脈沖（與脈沖群同步），此保護脈沖 沒有恢復時間，待脈沖群結束后立即恢復正常工作。
[0070] 但是，由于過溫比較晶體管的集電極和發(fā)射極之間存在寄生電容Cp，在脈沖群干 擾結束后，過溫比較晶體管關斷，而其輸出的過溫信號0T不會立即變化為高電平，參考電 壓輸入端通過第三電阻r3和第四電阻r4對寄生電容cp充電，使得過溫信號0T緩慢上升， 進而使得第一輸出晶體管1保持導通，由此，會使得οτ具有一個恢復時間tr。
[0071] 與此同時，當?shù)谝惠敵鼍w管t因 VMf干擾脈沖打開時，濾波電容CF1開始通過濾 波電阻RF1充電，在濾波電容C F1充電過程中，一旦濾波電容CF1上的電壓達到第二輸出晶體 管9。2的導通閾值V Q (通常0. 7V)，過溫檢測信號0?\會跳變?yōu)榈碗娖秸`觸發(fā)保護。充電時 間如果大于恢復時間tr，則可以避免錯誤地觸發(fā)保護。
[0072] 由此，可以通過設置濾波電阻RF1和濾波電容CF1的值，來區(qū)分高頻脈沖干擾信號和 低頻過溫信號。
[0073] 脈沖干擾信號脈寬極小，引起濾波電容CF1電壓變化極小可忽略，所以CF1充電方程 如下 lc
[0074] VQ=Vref ( )
[0075] 使VQ = 0. 7V，考慮V,ef = 2. 5V，可計算濾波電路時間常數(shù)tc滿足：
[0076] tc = 0. 33RF1CF1
[0077] 因此，只要增大濾波電阻RF1和濾波電容CF1的值，使濾波時間常數(shù)tc大于過溫檢 測恢復時間tr并有足夠余量，那么第二輸出晶體管〇。 2在脈沖群干擾過程中以及其后的恢 復時間中就不會導通，則過溫檢測信號〇1\不會出現(xiàn)錯誤保護信號。
[0078] 通過在過溫檢測電路的過溫檢測信號輸出電路中加入濾波電路，對由電子器件寄 生電容導致的延遲波形進行濾波，避免了延遲波形導致的恢復時間對過溫檢測電路的影 響，提高了過溫檢測電路的脈沖群抗擾度；同時，增加了系統(tǒng)在抗擾度上的設計余量，節(jié)省 了系統(tǒng)針對抗擾度的設計成本。
[0079] 圖5為根據(jù)本實用新型第三實施例的過溫檢測電路的示意圖。本實施例中，過溫 檢測電路20"包括閾值產(chǎn)生電路21'、過溫比較電路22"和過溫檢測信號輸出電路23"。其 中，閾值產(chǎn)生電路21'與第二實施例的對應電路結構相同。
[0080] 過溫比較電路22"包括過溫比較晶體管Qi。過溫比較晶體管Qi的控制端輸入過 溫檢測閾值V A，過溫比較電路22"基于過溫比較晶體管％的導通和關斷控制輸出過溫信號 0Τ〇
[0081] 在本實施例中，過溫比較晶體管為NPN型雙極性晶體管，其控制端為基極，其基 極-發(fā)射極導通電壓V BE作為PN結導通電壓。過溫比較電路22"還包括第三電阻馬。過溫 比較晶體管％的發(fā)射極與接地端連接，第三電阻R 3連接在參考電壓輸入端和過溫比較晶體 管％的集電極之間。
[0082] 從過溫比較晶體管Qi與第三電阻R3的連接節(jié)點輸出所述過溫信號。
[0083] 過溫檢測信號輸出電路23"包括第一輸出晶體管Q。/、第一電阻&、濾波電路 231"、第二電阻馬、第二輸出晶體管〇。 2。
[0084] 其中，濾波電路23 Γ包括濾波電阻RF2和濾波電容CF2，濾波電阻RF2連接在參考電 壓輸入端和中間端v 2之間，濾波電容CF2連接在所述中間端和接地端之間。
[0085] 第一輸出晶體管Q。/連接在中間端V2和接地端之間，第一輸出晶體管Q。/的控制 端輸入過溫信號0T ;第一電阻Ri連接在中間端V2和第二輸出晶體管〇。2的控制端之間；第 二電阻R 2和第二輸出晶體管0。2串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地端之間，從第二電阻R2 和第二輸出晶體管9。 2的連接節(jié)點輸出所述過溫檢測信號〇1\。
[0086] 優(yōu)選地，第一輸出晶體管Q。/可以為NPN型雙極性晶體管。
[0087] 第一輸出晶體管Q。/接收過溫信號0T。當0T為高電平時，第一輸出晶體管Q。/導 通，中間端電壓為低電平，第二輸出晶體管9。2關斷，過溫檢測信號輸出電路輸出過溫檢測 信號0?\為高電平。
[0088] 當0Τ為低電平時，第一輸出晶體管Q。/關斷，濾波電容CF2開始通過濾波電阻RF2 充電，電容CF2持續(xù)充電直到過溫檢測恢復（即第一輸出晶體管Q2導通）。充電時間為tc。
[0089] 在濾波電容CF2充電過程中，一旦濾波電容CF2上的電壓達到第二輸出晶體管0。2導 通閾值VQ (通常0. 7V)，過溫檢測信號0?\跳變?yōu)榈碗娖秸`觸發(fā)保護。
[0090] 優(yōu)選地，通過設置濾波電阻RF2和濾波電容CF2的值，來區(qū)分高頻脈沖干擾信號和低 頻過溫信號。
[0091] 脈沖干擾信號脈寬極小，引起濾波電容CF1電壓變化極小可忽略，所以CF1充電方程 如下
[0092]

【權利要求】
1. 一種過溫檢測電路，包括閾值生成電路、過溫比較電路和過溫檢測信號輸出電路； 所述閾值生成電路用于根據(jù)參考電壓生成過溫檢測閾值； 所述過溫比較電路用于根據(jù)PN結導通電壓和過溫檢測閾值輸出過溫信號，所述PN結 導通電壓與溫度成比例； 所述過溫檢測信號輸出電路用于根據(jù)所述過溫信號按預設電平輸出過溫檢測信號； 其中，所述過溫檢測信號輸出電路包括濾波電路，所述濾波電路用于對所述過溫信號 濾波，所述過溫檢測信號輸出電路根據(jù)濾波后的信號輸出過溫檢測信號。
2. 根據(jù)權利要求1所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述過溫檢測信號輸出電路包 括第一輸出晶體管、第一電阻、濾波電路、第二電阻和第二輸出晶體管； 所述第一輸出晶體管連接在參考電壓輸入端和中間端之間，所述第一輸出晶體管的控 制端輸入所述過溫信號； 所述第一電阻連接在所述中間端和接地端之間； 所述濾波電路包括濾波電阻和濾波電容，所述濾波電阻連接在所述中間端和所述第二 輸出晶體管的控制端之間，所述濾波電容連接在所述第二輸出晶體管的控制端和接地端之 間； 所述第二電阻和所述第二輸出晶體管串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地端之間，從所 述第二電阻和所述第二輸出晶體管的連接節(jié)點輸出所述過溫檢測信號。
3. 根據(jù)權利要求2所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述第一輸出晶體管為PNP型雙 極性晶體管。
4. 根據(jù)權利要求1所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述過溫檢測信號輸出電路包 括第一輸出晶體管、濾波電路、第一電阻、第二輸出晶體管和第二電阻； 所述濾波電路包括濾波電阻和濾波電容，所述濾波電阻連接在參考電壓輸入端和中間 端之間，所述濾波電容連接在所述中間端和接地端之間； 所述第一輸出晶體管連接在所述中間端和接地端之間，所述第一輸出晶體管的控制端 輸入所述過溫信號； 所述第一電阻連接在所述中間端和所述第二輸出晶體管的控制端之間； 所述第二電阻和所述第二輸出晶體管串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地端之間，從所 述第二電阻和所述第二輸出晶體管的連接節(jié)點輸出所述過溫檢測信號。
5. 根據(jù)權利要求4所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述第一輸出晶體管為NPN型雙 極性晶體管。
6. 根據(jù)權利要求1所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述過溫比較電路包括過溫比 較晶體管；所述過溫比較晶體管的控制端輸入所述過溫檢測閾值，所述過溫比較電路基于 所述過溫比較晶體管的導通和關斷控制輸出過溫信號。
7. 根據(jù)權利要求6所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述過溫比較電路還包括第三 電阻和第四電阻；所述過溫比較晶體管為NPN型雙極性晶體管； 所述過溫比較晶體管的發(fā)射極與接地端連接，所述第三電阻和第四電阻串聯(lián)連接在參 考電壓輸入端和所述過溫比較晶體管的集電極之間； 從所述第三電阻和所述第四電阻的連接節(jié)點輸出所述過溫信號。
8. 根據(jù)權利要求6所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述過溫比較電路還包括第三 電阻；所述過溫比較晶體管為NPN型雙極性晶體管； 所述過溫比較晶體管的發(fā)射極與接地端連接，所述第三電阻連接在參考電壓輸入端和 所述過溫比較晶體管的集電極之間； 從所述過溫比較晶體管與所述第三電阻的連接節(jié)點輸出所述過溫信號。
9. 根據(jù)權利要求1所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述閾值生成電路包括第一分 壓電阻、第二分壓電阻、第三分壓電阻和開關電路； 所述第一分壓電阻、第二分壓電阻和第三分壓電阻串聯(lián)連接在參考電壓輸入端和接地 端之間，所述開關電路與所述第三分壓電阻并聯(lián)，在未過溫狀態(tài)導通，在過溫狀態(tài)關斷。
10. 根據(jù)權利要求1-9中任一項所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述濾波電路的時 間常數(shù)大于過溫檢測恢復時間，所述過溫檢測恢復時間是所述過溫比較電路在遇到干擾脈 沖后恢復到正常狀態(tài)的時間。
【文檔編號】H02H5/04GK203850820SQ201420289343
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權日:2014年5月29日
【發(fā)明者】程宇, 唐李明, 萬漢亮 申請人:杭州士蘭微電子股份有限公司