技術(shù)特征：

1.一種用于中斷傳輸線上流動(dòng)的電流的斷路器裝置，所述裝置包括并聯(lián)連接的三個(gè)電氣支路，所述三個(gè)電氣支路包括：主支路(B₁)，待中斷的電流在所述主支路中流動(dòng)；輔支路(B₂)；以及電壓限制器支路(B₃)，所述主支路包括與至少一個(gè)機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)串聯(lián)連接的至少一個(gè)半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁，CEL_G1)，所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁，CEL_G1)包括適用于被命令斷開(kāi)或閉合并且與電壓限制器(3，5)并聯(lián)連接的至少一個(gè)半導(dǎo)體元件(1，4)，所述輔支路(B₂)包括至少一個(gè)組件，所述至少一個(gè)組件由與至少一個(gè)電阻器(Ra)并聯(lián)連接的至少一個(gè)電容器(Ca)組成，所述組件與至少一個(gè)晶閘管串聯(lián)連接，所述裝置還包括控制模塊，所述控制模塊適用于命令所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁，CEL_G1)的半導(dǎo)體元件斷開(kāi)以及命令所述機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)斷開(kāi)，所述裝置的特征在于，所述控制模塊還包括適用于起如下作用的模塊：一旦電流在所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件中被中斷，該模塊就在所述電壓限制器中流動(dòng)的電流達(dá)到所述傳輸線上流動(dòng)的電流(I₁)的值的時(shí)刻或之后命令所述輔支路(B₂)的晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于中斷傳輸線上的電流的斷路器裝置，其中，所述控制模塊包括：

適用于在t₀時(shí)刻將斷開(kāi)命令(K₁)應(yīng)用于所述機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)的模塊；

適用于在所述t₀時(shí)刻之后的t₁時(shí)刻將斷開(kāi)命令(K₂)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的模塊，所述將斷開(kāi)命令(K₂)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件使得：通過(guò)所述半導(dǎo)體元件的電流減小，直到該電流為零為止，以及使得通過(guò)所述電壓限制器的電流增大，直到該電流達(dá)到所述傳輸線中流動(dòng)的電流的值為止；以及

適用于在t₂時(shí)刻應(yīng)用用于使得所述輔支路的晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的命令的模塊，所述t₂時(shí)刻是所述電壓限制器中流動(dòng)的電流達(dá)到所述傳輸線中流動(dòng)的所述電流(I₁)的值的時(shí)刻或之后的時(shí)刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，當(dāng)所述主支路(B₁)包括并聯(lián)的至少兩個(gè)子支路時(shí)，每個(gè)所述子支路包括至少一個(gè)電流平衡單元，所述電流平衡單元適用于使所述至少兩個(gè)并聯(lián)子支路之間的電流平衡。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述電流平衡單元由適用于傳導(dǎo)電流并且與電壓限制電路并聯(lián)連接的半導(dǎo)體元件組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為IGBT。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，每個(gè)所述半導(dǎo)體斷路器單元與至少兩個(gè)子支路串聯(lián)連接，每個(gè)所述子支路包括至少一個(gè)機(jī)械斷續(xù)器/切斷器和/或至少一個(gè)電流平衡單元，所述電流平衡單元適用于使所述子支路之間的電流平衡。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述裝置還包括：

控制模塊，所述控制模塊適用于在早于所述t₀時(shí)刻的時(shí)刻將預(yù)備斷開(kāi)命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件；

測(cè)量模塊，所述測(cè)量模塊適用于當(dāng)所述預(yù)備斷開(kāi)命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件時(shí)對(duì)與所述輔支路的晶閘管并聯(lián)連接的存儲(chǔ)電容器中的電荷進(jìn)行測(cè)量；以及

適用于當(dāng)所述存儲(chǔ)電容器的電荷的測(cè)量值與預(yù)定電荷值相匹配時(shí)使得所述斷開(kāi)命令能夠在t₀時(shí)刻應(yīng)用于所述機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)的模塊。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為IGBT。

9.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為GTO晶閘管。

10.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為硅晶閘管或碳化硅晶閘管或氮化鎵晶閘管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述主支路(B₁)包括至少一個(gè)附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)被設(shè)置成與所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁)并聯(lián)，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)的斷開(kāi)能力大于所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁)的斷開(kāi)能力。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)包括與所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁)的電壓限制器并聯(lián)連接的至少一個(gè)電壓限制器(5)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的裝置，其中，所述控制模塊包括：

適用于在t_a時(shí)刻將斷開(kāi)命令(K_a)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的模塊；

適用于在所述t_a時(shí)刻之后的t_b時(shí)刻將斷開(kāi)命令(K_b)應(yīng)用于所述機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)并且將閉合命令(K_c)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)的半導(dǎo)體元件的模塊，所述將斷開(kāi)命令(K_b)應(yīng)用于所述機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)并且所述將閉合命令(K_c)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)的半導(dǎo)體元件使得：所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件變得導(dǎo)通。

適用于在所述t_b時(shí)刻之后的t_c時(shí)刻將斷開(kāi)命令(K_d)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的模塊，所述將斷開(kāi)命令(K_d)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件使得：通過(guò)所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的電流減小，直到該電流為零為止，以及使得通過(guò)所述電壓限制器的電流增大，直到該電流達(dá)到所述傳輸線上流動(dòng)的電流的值為止；以及

適用于在t_d時(shí)刻應(yīng)用用于使得所述輔支路的所述晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的命令(K_e)的模塊，所述t_d時(shí)刻是所述電壓限制器中流動(dòng)的電流達(dá)到所述傳輸線中流動(dòng)的所述電流(I₁)的值的時(shí)刻或之后的時(shí)刻。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述控制模塊包括適用于在t_a時(shí)刻將預(yù)備斷開(kāi)命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件的控制模塊，以及，其中，所述裝置還包括：

用于當(dāng)所述預(yù)備斷開(kāi)命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件時(shí)起作用以對(duì)與所述輔支路的晶閘管并聯(lián)連接的存儲(chǔ)電容器中的電荷進(jìn)行測(cè)量的模塊；以及

適用于當(dāng)所述存儲(chǔ)電容器的電荷的測(cè)量值與預(yù)定電荷值相匹配時(shí)，使得所述斷開(kāi)命令應(yīng)用于所述機(jī)械斷續(xù)器/切斷器(S_m)的模塊。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件為GTO晶閘管。

16.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的裝置，其中，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件為硅晶閘管或碳化硅晶閘管或氮化鎵晶閘管。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件為IGBT。

18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述輔支路的晶閘管為硅晶閘管或碳化硅晶閘管或氮化鎵晶閘管。