1.一種集成電路IC芯片，包括：
被配置為輸出用于驅(qū)動開關(guān)模式電源的控制晶體管的控制信號的門驅(qū)動輸出(GATE)引腳；
被配置為接收指示流過所述控制晶體管的電流的電流感測信號的電流感測引腳；
被配置為接收指示所述開關(guān)模式電源的輸出電壓的反饋信號，并被配置為連接到所述IC芯片外部的高壓HV啟動晶體管的控制端的反饋引腳；以及
被配置為基于所述反饋信號和所述電流感測信號通過脈沖寬度調(diào)制PWM生成在所述門驅(qū)動輸出引腳處輸出以調(diào)節(jié)所述輸出電壓的控制信號的脈沖寬度調(diào)制器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片，還包括：
被配置為接收供電電壓的供電電壓引腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC芯片，其中所述IC芯片被配置為在所述開關(guān)模式電源的啟動過程中將所述反饋引腳連接到供電電壓引腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片，還包括起動晶體管，被配置為在所述供電電壓達(dá)到操作水平時接通以在所述反饋引腳上生成偏置電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC芯片，還包括齊納二極管，所述齊納二極管被連接到所述起動晶體管的端子并且在所述起動晶體管接通時提供所述偏置電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC芯片，還包括啟動控制電路，所述啟動控制電路在所述供電電壓引腳上的電壓指示所述供電電壓達(dá)到操作水平時，接通所述起動晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片，其中所述HV啟動晶體管是耗盡型MOSFET。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC芯片，所述IC芯片被配置為在所述開關(guān)模式電源的啟動過程中將所述耗盡型MOSFET的柵極連接到所述耗盡型MOSFET的源極。
9.一種電源，包括：
包括第一繞組和第二繞組的變壓器；
控制晶體管，所述控制晶體管控制所述第一繞組以在所述第二繞組上感生電流從而產(chǎn)生所述電源的輸出電壓；
脈沖寬度調(diào)制PWM控制器集成電路IC芯片，其中所述PWM控制器IC芯片具有輸出控制所述控制晶體管的切換操作的驅(qū)動信號的第一引腳，所述PWM控制器IC芯片具有接收指示所述電源的所述輸出電壓的反饋信號的第二引腳；以及
連接到所述第二引腳的高壓HV啟動晶體管，其中所述啟動晶體管被配置為在所述電源的起動過程中接通以從輸入電壓生成供電電壓，所述起動晶體管被配置為在所述電源的啟動之后關(guān)斷。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源，其中所述啟動晶體管被配置為在所述供電電壓達(dá)到起動電壓水平時關(guān)斷。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源，其中所述控制晶體管包括耗盡型MOSFET。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源，其中所述PWM控制器IC還包括接收供電電壓的第三引腳。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電源，其中所述PWM控制器IC在所述電源的啟動期間將所述第二引腳連接至所述第三引腳。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電源，其中所述PWM控制器IC還包括第四引腳，所述第四引腳被配置為接收指示流過所述控制晶體管的電流的電流感測信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源，其中所述PWM控制器IC還包括起動晶體管，所述起動晶體管在所述供電電壓達(dá)到操作水平時，在所述第二引腳上產(chǎn)生偏置電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源，其中所述第二引腳連接到所述HV啟動晶體管的柵極。
17.一種控制器集成電路IC芯片的操作方法，所述方法包括：
在所述控制器IC芯片的反饋引腳上接收指示開關(guān)模式電源的輸出電壓的反饋信號；
在所述控制器IC芯片的電流感測引腳上接收指示流過控制晶體管的電流的電流感測信號，所述控制晶體管被切換以維持所述輸出電壓處于調(diào)節(jié)中；以及
在所述開關(guān)模式電源的啟動期間，控制連接到所述反饋引腳的高壓HV啟動晶體管的切換。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述HV啟動晶體管在所述開關(guān)模式電源的啟動期間接通，并且所述HV啟動晶體管在所述開關(guān)模式電源的啟動后關(guān)斷。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，所述方法還包括：
在所述開關(guān)模式電源的啟動期間，將所述反饋引腳連接到所述控制器IC芯片的另一引腳。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，所述方法還包括：
在所述開關(guān)模式電源的啟動之后，在所述反饋引腳上提供偏置電壓。