本發(fā)明用于直流電器設(shè)備的短路、過電流保護(hù),具體涉一種高速直流電子保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

目前,以前市電開關(guān)常見的是配有熔斷器,其實(shí)熔斷器的熔斷過程就是一個(gè)熱量積累的過程。當(dāng)電路電流達(dá)到熔斷器的熔斷電流或者超過熔斷電流,熔斷器就迅速熔斷從而保護(hù)設(shè)備不會出現(xiàn)更大問題，如果過電流的時(shí)間足夠短,達(dá)不到熔斷絲的熔斷溫度，熔斷器是不會熔斷的,因?yàn)槿蹟嗥鞯姆稚⑿暂^大不能快速熔斷常常對電器設(shè)備造成更大面積的損壞,因此可靠性就略顯不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供一種高速直流電子保險(xiǎn)電路，以解決上述背景技術(shù)缺點(diǎn)。

本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):該直流高速電子保險(xiǎn)電路,包括啟動電路(1)、過流保護(hù)電路(2)構(gòu)成,所述啟動電路(1)與過流保護(hù)電路(2)電氣連接。

所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于：所述的啟動電路(1)由R1、R2、R3、C1、IC1組成。

所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于：所述的過流保護(hù)電路(2)由BT1、BG1,R4組成。

所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于：所述的電源正極VCC與R1、C1、R3、單向可控硅

BT1的陽極A、IGBT模塊BG1的集電極相連,所述并連電路R、1C1的下端與光電耦合器IC1的輸入端陽極相連,光電耦合器IC1的輸入端陰極與R2的上端相連,所述電源負(fù)極VSS與R2的下端相連,所電阻R3的下端與光電耦合器C1的集電極相連,光電耦合器IC1的發(fā)射極與單向可控硅BT1的觸發(fā)極G相連,所述串連電路BT1、R4的中間端與IGBT模塊BG1的基極相連,所述IGBT模塊BG1的發(fā)射極與R4的另一端相連。

所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于所述的光電耦合器IC1的型號采用PC817。

所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于所述的單向可控硅BT1的型號采用50RIA120。

所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于所述的IGBT模塊BG1的型號采用G40N150D。

有益效果是,本發(fā)明通過改變?nèi)与娮鑂4的阻值可實(shí)現(xiàn)對不同功率的負(fù)載設(shè)備使用,同時(shí),本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,功率大,響應(yīng)速度快和實(shí)用方便。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的原理框圖。

圖2為本發(fā)明的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目地與功能易于明白了解,下面結(jié)合具體圖示,進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

參見圖1,該直流高速電子保險(xiǎn)電路,包括啟動電路(1)、過流保護(hù)電路(2)構(gòu)成,所述啟動電路(1)與過流保護(hù)電路(2)電氣連接。

所述的啟動電路(1)由R1、R2、R3、C1、IC1組成。

所述的過流保護(hù)電路(2)由BT1、BG1,R4組成。

參見圖2,所述的一種直流高速電子保險(xiǎn)電路,其特征在于：所述的電源正極VCC與R1、C1、R3、單向可控硅BT1的陽極A、IGBT模塊BG1的集電極相連,所述并連電路R、1C1的下端與光電耦合器IC1的輸入端陽極相連,光電耦合器IC1的輸入端陰極與R2的上端相連,所述電源負(fù)極VSS與R2的下端相連,所電阻R3的下端與光電耦合器C1的集電極相連,光電耦合器IC1的發(fā)射極與單向可控硅BT1的觸發(fā)極G相連,所述串連電路BT1、R4的中間端與IGBT模塊BG1的基極相連,所述IGBT模塊BG1的發(fā)射極與R4的另一端相連。

上電時(shí),電流通過C1經(jīng)光電耦合器IC1輸入端發(fā)光二極管的陽極經(jīng)電阻R2接地形成電流回路對電容C1進(jìn)行充電,光電耦合器IC1輸出端集電極與發(fā)射極導(dǎo)通,所述電源正極VCC經(jīng)電阻R3、光電耦合器對單向可控硅模BT1的觸發(fā)極G提供觸發(fā)電流使單向可控硅模BT1經(jīng)取樣電阻向負(fù)載提供工作電源。當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)短路或過電流時(shí)取樣電阻兩端迅速產(chǎn)生電壓差導(dǎo)至IGBT模塊BG1導(dǎo)通,此時(shí)過載電流經(jīng)過IGBT模塊BG1向負(fù)載提供電源,此時(shí)單向可控硅模BT1因失去觸發(fā)電壓而截止同時(shí)IGBT模塊BG1的基極失壓而截止關(guān)斷輸出電壓完成整過電流保護(hù)過程,達(dá)到保護(hù)設(shè)備的安全。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的發(fā)明范圍內(nèi)，本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。