本發(fā)明涉及柵極保護電路技術領域，具體而言，涉及一種柵極保護電路和一種電力電子設備。

背景技術：

智能功率模塊，即IPM(Intelligent Power Module)，是一種將電力電子和集成電路技術結合的功率驅(qū)動器件(Deriver Integrated Circuit，即Driver IC)。由于具有高集成度、高可靠性等優(yōu)勢，智能功率模塊贏得越來越大的市場，尤其適合于驅(qū)動電機的變頻器及各種逆變電源，是變頻調(diào)速、冶金機械、電力牽引、伺服驅(qū)動和變頻家電常用的電力電子器件。

以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶材料應用到半導體器件中，尤其是電力電子設備的驅(qū)動芯片(Deriver Integrated Circuit，即Driver IC)中，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于硅材料半導體器件。

相關技術中，驅(qū)動芯片Driver IC的主流驅(qū)動保護電路包括以下兩種，如圖1A，在驅(qū)動芯片Driver IC的外側設置保護電阻R1，對柵極(圖1A中所示的Gate端)的驅(qū)動信號進行限流處理，或如圖1B所示，在驅(qū)動芯片Driver IC的內(nèi)側設置保護電阻R2，對柵極(圖1B中所示的Gate端)的驅(qū)動信號進行限流處理。

但是，在相同的耐壓負載下，寬禁帶材料MOSFET的寄生電容遠小于硅材料半導體器件，其對驅(qū)動電路的寄生參數(shù)更加敏感，更適于在-2～+20V的驅(qū)動電壓下工作，而硅材料半導體器件適于在0-15V的驅(qū)動電壓下工作，電壓U_GS(柵極和源極之間的電壓)變?yōu)樨撝禃r，柵源兩端的氧化層電容會增大，這會增加MOSFET開通及關斷時所需的電荷量，從而影響開關速度。故完全套用硅材料半導體器件的驅(qū)動方式，來驅(qū)動寬禁帶材料MOSFET是不合理的。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術或相關技術中存在的技術問題之一。

為此，本發(fā)明的一個目的在于提出了一種柵極保護電路。

本發(fā)明的另一個目的在于提出了一種電力電子設備。

為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的實施例，提出了一種柵極保護電路，包括：主傳輸線路，連接于柵極驅(qū)動模塊和MOS管的柵極之間；參考信號模塊，用于生成參考信號；比較模塊，比較模塊的兩個輸入端分別連接至柵極驅(qū)動模塊和參考信號模塊，用于對柵極驅(qū)動信號與參考信號進行比較；壓控模塊，連接于主傳輸線路的輸出端與地線之間，壓控模塊的驅(qū)動端連接于比較模塊的輸出端，其中，在柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，比較模塊向壓控模塊輸出導通信號，以控制壓控模塊導通，壓控模塊的分壓信號作為保護信號輸出至MOS管的柵極，分壓信號小于柵極驅(qū)動信號。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過在柵極保護電路中設置參考信號模塊、比較模塊和壓控模塊，并且在柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，比較模塊向壓控模塊輸出導通信號，以控制壓控模塊導通，壓控模塊的分壓信號作為保護信號輸出至MOS管的柵極，分壓信號小于柵極驅(qū)動信號，通過參考模塊輸出可調(diào)的參考信號，適用于各種驅(qū)動電路的柵極驅(qū)動保護，將驅(qū)動IC內(nèi)部過壓保護與外部電路過壓保護結合，也即通過采用主動壓控驅(qū)動的模式，最大程度降低柵極保護電路因柵極過壓失效，提高智能功率模塊的可靠性；與此同時，整個驅(qū)動電路附加的具備了優(yōu)化MOSFET參數(shù)的功能，尤其對發(fā)揮寬禁帶器件的優(yōu)勢提供了強有力的支撐。

值得特別指出的是，上述柵極保護電路并不限于寬禁帶MOSFET，通過調(diào)節(jié)參考模塊輸出的參考信號，同樣適用于硅基半導體器件的柵極驅(qū)動保護方案中。

根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的柵極保護電路，還可以具有以下技術特征：

優(yōu)選地，還包括：主傳輸線路中設有第一保護電阻；壓控模塊包括：串聯(lián)連接的壓控開關和第二保護電阻，壓控開關的驅(qū)動端連接至比較模塊的輸出端，在壓控開關的驅(qū)動端接收到導通信號時，壓控開關導通，第一保護電阻、壓控開關和第二保護電阻對柵極驅(qū)動信號進行分壓處理，壓控模塊輸出壓控開關和第二保護電阻的分壓值作為保護信號。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過在壓控開關的驅(qū)動端接收到導通信號時，壓控開關導通，第一保護電阻、壓控開關和第二保護電阻對柵極驅(qū)動信號進行分壓處理，壓控模塊輸出壓控開關和第二保護電阻的分壓值作為保護信號。

具體地，在比較模塊判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，MOS管的柵極存在過壓失效的危險，因此，通過比較模塊輸出導通信號控制壓控開關導通，壓控開關的導通電壓一般為固定值，因此，第一保護電阻和第二保護電阻對柵極驅(qū)動信號進行分壓，輸出的保護信號小于柵極驅(qū)動信號，降低了MOS管因柵極的電壓值過高而被擊穿的可能性。

優(yōu)選地，壓控開關為三極管時，驅(qū)動端為三極管的基極。

優(yōu)選地，壓控開關為MOS管時，驅(qū)動端為MOS管的柵極。

優(yōu)選地，比較模塊包括：比較器，比較器的正輸入端連接至柵極驅(qū)動模塊，以獲取柵極驅(qū)動信號，比較器的負輸入端連接至參考信號模塊，以獲取參考信號；三極管為NPN型三極管，比較器的輸出端連接至NPN型三極管的基極，其中，在比較器判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制NPN型三極管導通。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過在比較模塊中設置比較器和NPN型三極管，并且在比較器判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制NPN型三極管導通，通過第一保護電阻和第二保護電阻的分壓輸出來減小柵極的電壓值，提高了MOS管的可靠性。

優(yōu)選地，比較模塊包括：比較器，比較器的正輸入端連接至柵極驅(qū)動模塊，以獲取柵極驅(qū)動信號，比較器的負輸入端連接至參考信號模塊，以獲取參考信號；MOS管為P溝道MOS管，比較器的輸出端連接至P溝道MOS管的柵極，其中，在比較器判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制P溝道MOS管導通。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過在比較模塊中設置比較器和P溝道MOS管，并且在比較器判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制P溝道MOS管導通，通過第一保護電阻和第二保護電阻的分壓輸出來減小柵極的電壓值，提高了MOS管的可靠性。

優(yōu)選地，在比較模塊判定柵極驅(qū)動信號小于參考信號時，比較模塊向壓控模塊輸出關斷信號，以控制壓控模塊關斷，柵極驅(qū)動信號通過主傳輸線路傳輸至MOS管的柵極。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過在比較模塊判定柵極驅(qū)動信號小于參考信號時，比較模塊向壓控模塊輸出關斷信號，以控制壓控模塊關斷，柵極驅(qū)動信號通過主傳輸線路傳輸至MOS管的柵極，也即在柵極驅(qū)動信號屬于工作范圍時，壓控模塊不工作，直接將柵極驅(qū)動信號輸出至MOS管的柵極，以保證MOS管正常導通或關斷。

優(yōu)選地，柵極驅(qū)動模塊還包括：驅(qū)動信號發(fā)生器，用于生成柵極驅(qū)動信號；內(nèi)置保護電阻，連接至驅(qū)動信號發(fā)生器和柵極驅(qū)動模塊的輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過將內(nèi)置保護電阻設于驅(qū)動信號發(fā)生器和柵極驅(qū)動模塊的輸出端之間，對MOS管的柵極電流進行限流處理，降低MOS管被熱擊穿的可能性。

優(yōu)選地，MOS管為氮化鎵MOSFET器件或碳化硅MOSFET器件。

優(yōu)選地，參考模塊包括：串聯(lián)連接的電阻元件和穩(wěn)壓二極管，串聯(lián)連接于直流源和地線之間，電阻元件和穩(wěn)壓二極管的公共端作為參考模塊的輸出端，連接至壓控模塊的驅(qū)動端。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面的實施例，提出了一種電力電子設備，包括如上述第一方面中的任一項的柵極保護電路。

優(yōu)選地，電力電子設備為空調(diào)器。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1A示出了現(xiàn)有技術中的驅(qū)動保護電路的一個實施例的示意圖；

圖1B示出了現(xiàn)有技術中的驅(qū)動保護電路的另一個實施例的示意圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路的示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的電力電子設備的示意圖。

具體實施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路的示意圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，包括：主傳輸線路，連接于柵極驅(qū)動模塊IC和MOS管的柵極Gate之間；參考信號模塊，用于生成參考信號；比較模塊，比較模塊的兩個輸入端分別連接至柵極驅(qū)動模塊IC和參考信號模塊，用于對柵極驅(qū)動信號與參考信號進行比較；壓控模塊206，連接于主傳輸線路的輸出端與地線之間，壓控模塊206的驅(qū)動端連接于比較模塊的輸出端，其中，在柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，比較模塊向壓控模塊206輸出導通信號，以控制壓控模塊206導通，壓控模塊206的分壓信號作為保護信號輸出至MOS管的柵極Gate，分壓信號小于柵極驅(qū)動信號。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，通過在柵極保護電路200中設置參考信號模塊、比較模塊和壓控模塊206，并且在柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，比較模塊向壓控模塊206輸出導通信號，以控制壓控模塊206導通，壓控模塊206的分壓信號作為保護信號輸出至MOS管的柵極Gate，分壓信號小于柵極驅(qū)動信號，通過參考模塊202輸出可調(diào)的參考信號，適用于各種驅(qū)動電路的柵極驅(qū)動保護，將驅(qū)動IC內(nèi)部過壓保護與外部電路過壓保護結合，也即通過采用主動壓控驅(qū)動的模式，最大程度降低柵極保護電路因柵極過壓失效，提高智能功率模塊的可靠性；與此同時，整個驅(qū)動電路附加的具備了優(yōu)化MOSFET參數(shù)的功能，尤其對發(fā)揮寬禁帶器件的優(yōu)勢提供了強有力的支撐。

值得特別指出的是，上述柵極保護電路200并不限于寬禁帶MOSFET，通過調(diào)節(jié)參考模塊202輸出的參考信號，同樣適用于硅基半導體器件的柵極驅(qū)動保護方案中。

根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的柵極保護電路200，還可以具有以下技術特征：

優(yōu)選地，還包括：主傳輸線路中設有第一保護電阻R1；壓控模塊206包括：串聯(lián)連接的壓控開關S和第二保護電阻R2，壓控開關S的驅(qū)動端連接至比較模塊的輸出端，在壓控開關S的驅(qū)動端接收到導通信號時，壓控開關S導通，第一保護電阻R1、壓控開關S和第二保護電阻R2對柵極驅(qū)動信號進行分壓處理，壓控模塊206輸出壓控開關S和第二保護電阻R2的分壓值作為保護信號。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，通過在壓控開關S的驅(qū)動端接收到導通信號時，壓控開關S導通，第一保護電阻R1、壓控開關S和第二保護電阻R2對柵極驅(qū)動信號進行分壓處理，壓控模塊206輸出壓控開關S和第二保護電阻R2的分壓值作為保護信號。

具體地，在比較模塊判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，MOS管的柵極Gate存在過壓失效的危險，因此，通過比較模塊輸出導通信號控制壓控開關S導通，壓控開關S的導通電壓一般為固定值，因此，第一保護電阻R1和第二保護電阻R2對柵極驅(qū)動信號進行分壓，輸出的保護信號小于柵極驅(qū)動信號，降低了MOS管因柵極的電壓值過高而被擊穿的可能性。

優(yōu)選地，壓控開關S為三極管時，驅(qū)動端為三極管的基極。

優(yōu)選地，壓控開關S為MOS管時，驅(qū)動端為MOS管的柵極Gate。

優(yōu)選地，比較模塊包括：比較器204，比較器204的正輸入端連接至柵極驅(qū)動模塊IC，以獲取柵極驅(qū)動信號，比較器204的負輸入端連接至參考信號模塊，以獲取參考信號；三極管為NPN型三極管，比較器204的輸出端連接至NPN型三極管的基極，其中，在比較器204判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器204的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制NPN型三極管導通。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，通過在比較模塊中設置比較器204和NPN型三極管，并且在比較器204判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器204的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制NPN型三極管導通，通過第一保護電阻R1和第二保護電阻R2的分壓輸出來減小柵極的電壓值，提高了MOS管的可靠性。

優(yōu)選地，比較模塊包括：比較器204，比較器204的正輸入端連接至柵極驅(qū)動模塊IC，以獲取柵極驅(qū)動信號，比較器204的負輸入端連接至參考信號模塊，以獲取參考信號；MOS管為P溝道MOS管，比較器204的輸出端連接至P溝道MOS管的柵極Gate，其中，在比較器204判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器204的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制P溝道MOS管導通。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，通過在比較模塊中設置比較器204和P溝道MOS管，并且在比較器204判定柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號模塊時，比較器204的輸出端輸出高電平信號，即作為導通信號以控制P溝道MOS管導通，通過第一保護電阻R1和第二保護電阻R2的分壓輸出來減小柵極的電壓值，提高了MOS管的可靠性。

優(yōu)選地，在比較模塊判定柵極驅(qū)動信號小于參考信號時，比較模塊向壓控模塊206輸出關斷信號，以控制壓控模塊206關斷，柵極驅(qū)動信號通過主傳輸線路傳輸至MOS管的柵極Gate。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，通過在比較模塊判定柵極驅(qū)動信號小于參考信號時，比較模塊向壓控模塊206輸出關斷信號，以控制壓控模塊206關斷，柵極驅(qū)動信號通過主傳輸線路傳輸至MOS管的柵極Gate，也即在柵極驅(qū)動信號屬于工作范圍時，壓控模塊206不工作，直接將柵極驅(qū)動信號輸出至MOS管的柵極Gate，以保證MOS管正常導通或關斷。

優(yōu)選地，柵極驅(qū)動模塊IC還包括：驅(qū)動信號發(fā)生器，用于生成柵極驅(qū)動信號；內(nèi)置保護電阻，連接至驅(qū)動信號發(fā)生器和柵極驅(qū)動模塊IC的輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路200，通過將內(nèi)置保護電阻設于驅(qū)動信號發(fā)生器和柵極驅(qū)動模塊IC的輸出端之間，對MOS管的柵極Gate電流進行限流處理，降低MOS管被熱擊穿的可能性。

優(yōu)選地，MOS管為氮化鎵MOSFET器件或碳化硅MOSFET器件。

優(yōu)選地，參考模塊202包括：串聯(lián)連接的電阻元件和穩(wěn)壓二極管，串聯(lián)連接于直流源和地線之間，電阻元件和穩(wěn)壓二極管的公共端作為參考模塊202的輸出端，連接至壓控模塊206的驅(qū)動端。

優(yōu)選地，柵極驅(qū)動模塊IC中設有內(nèi)置的限流保護電阻R0，以降低MOS管被熱擊穿的可能性。

根據(jù)本發(fā)明的電力電子設備的實施例：

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的電力電子設備的示意圖。

如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的電力電子設備包括一個柵極保護電路(下文簡稱Driver IC)，柵極驅(qū)動接口為Drive IC的HO1接口、HO2接口、HO3接口、LO1接口、LO2接口和LO3接口。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，三個上橋臂功率器件包括第一功率器件MOSFET1、第二功率器件MOSFET2和第三功率器件MOSFET3，三個下橋臂功率器件包括第四功率器件MOSFET4、第五功率器件MOSFET5和第六功率器件MOSFET6，第一類氮化鎵二極管包括第一氮化鎵二極管D1、第二氮化鎵二極管D2和第三氮化鎵二極管D3，第二類氮化鎵二極管包括第四氮化鎵二極管D4、第五氮化鎵二極管D5和第六氮化鎵二極管D6，其中，任一上橋臂功率器件的漏極連接至對應序號的第一類氮化鎵二極管的陰極，任一上橋臂功率器件的源極連接至對應序號的第一類氮化鎵二極管的陽極，任一下橋臂功率器件的漏極連接至對應序號的第二類氮化鎵二極管的陰極，任一下橋臂功率器件的源極連接至對應序號的第二類氮化鎵二極管的陽極。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，還包括：第七功率器件MOSFET7，第七功率器件MOSFET7的柵極連接至驅(qū)動集成單元(如圖3所示的Driver IC)的PFCOUT接口；第七氮化鎵二極管D7，第七氮化鎵二極管D7的陰極連接至第七功率器件MOSFET7的漏極，第七氮化鎵二極管D7的陽極連接至第七功率器件MOSFET7的源極；第八氮化鎵二極管D8，第八氮化鎵二極管D8的陰極連接至外設的給逆變開關單元供電的高壓源的正極(如圖3所示的VCC1將通過外部電路連接到VCC2)，第八氮化鎵二極管D8的陽極連接至第七功率器件MOSFET7的漏極，其中，第七功率器件MOSFET7的漏極連接至外設的直流電源正極，第七功率器件MOSFET7的源極連接至外設的直流電源負極和給逆變開關單元供電的高壓源的負極(如圖3所示的-VCC將通過外部電路連接到U-、V-、W-)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過設置第七功率器件MOSFET7的柵極連接至驅(qū)動集成單元(如圖3所示的Driver IC)的對應的柵極驅(qū)動接口(如圖3所示的Driver IC的PFCOUT接口)，第七氮化鎵二極管D7的陰極連接至第七功率器件MOSFET7的漏極，第七氮化鎵二極管D7的陽極連接至第七功率器件MOSFET7的源極，第八氮化鎵二極管D8的陰極連接至外設的給逆變開關單元供電的高壓源的正極(如圖3所示的VCC1將通過外部電路連接到VCC2)，第八氮化鎵二極管D8的陽極連接至第七功率器件MOSFET7的漏極，作為功率因素校準單元PFC(Power Factor Correction，PFC)，在保證低功耗、低開通時間和低電流噪聲的電機驅(qū)動的同時，提升了功率的穩(wěn)定性和可靠性。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一功率器件MOSFET1、第二功率器件MOSFET2和第三功率器件MOSFET3的漏極均連接至外設的高壓源正極，第四功率器件MOSFET4、第五功率器件MOSFET5和第六功率器件MOSFET6的源極均連接至外設的高壓源負極，第一功率器件MOSFET1的源極連接至第四功率器件MOSFET4的漏極，第二功率器件MOSFET2的源極連接至第五功率器件MOSFET5的漏極，第三功率器件MOSFET3的源極連接至第六功率器件MOSFET6的漏極，其中，第一功率器件MOSFET1的源極(如圖3所示的U/VS1)連接至外設的電機U相接口，第二功率器件MOSFET2的源極(如圖3所示的V/VS2)連接至外設的電機V相接口，第三功率器件MOSFET3的源極(如圖3所示的W/VS3)連接至外設的電機W相接口。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，柵極驅(qū)動接口(如圖3所示的Drive IC的HO1接口、HO2接口、HO3接口、LO1接口、LO2接口、LO3接口和PFCOUT接口)包括第一驅(qū)動接口、第二驅(qū)動接口、第三驅(qū)動接口、第四驅(qū)動接口、第五驅(qū)動接口、第六驅(qū)動接口和第七驅(qū)動接口，柵極保護電路包括：第一柵極保護電路200，連接于第一功率器件MOSFET1的柵極與第一驅(qū)動接口HO1之間，第二柵極保護電路200，連接于第二功率器件MOSFET2的柵極與第二驅(qū)動接口HO2之間，第三柵極保護電路200，連接于第三功率器件MOSFET3的柵極與第三驅(qū)動接口HO3之間，第四柵極保護電路200，連接于第四功率器件MOSFET4的柵極與第四驅(qū)動接口LO1之間，第五柵極保護電路200，連接于第五功率器件MOSFET5的柵極與第五驅(qū)動接口LO2之間，第六柵極保護電路200，連接于第六功率器件MOSFET6的柵極與第六驅(qū)動接口LO3之間，第七柵極保護電路200，連接于第七功率器件MOSFET7的柵極與第七驅(qū)動接口PFCOUT之間。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的柵極保護電路，通過在柵極保護電路中設置參考信號模塊、比較模塊和壓控模塊，并且在柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，比較模塊向壓控模塊輸出導通信號，以控制壓控模塊導通，壓控模塊的分壓信號作為保護信號輸出至MOS管的柵極，分壓信號小于柵極驅(qū)動信號，通過參考模塊輸出可調(diào)的參考信號，適用于各種驅(qū)動電路的柵極驅(qū)動保護，將驅(qū)動IC內(nèi)部過壓保護與外部電路過壓保護結合，也即通過采用主動壓控驅(qū)動的模式，最大程度降低柵極保護電路因柵極過壓失效，提高智能功率模塊的可靠性；與此同時，整個驅(qū)動電路附加的具備了優(yōu)化MOSFET參數(shù)的功能，尤其對發(fā)揮寬禁帶器件的優(yōu)勢提供了強有力的支撐。

以上結合附圖詳細說明了本發(fā)明的技術方案，考慮到相關技術中提出的如何降低驅(qū)動芯片中柵極被擊穿的可能性，本發(fā)明提出了一種適用于不同種類MOSFET的柵極保護電路，通過在柵極保護電路中設置參考信號模塊、比較模塊和壓控模塊，并且在柵極驅(qū)動信號大于或等于參考信號時，比較模塊向壓控模塊輸出導通信號，以控制壓控模塊導通，壓控模塊的分壓信號作為保護信號輸出至MOS管的柵極，分壓信號小于柵極驅(qū)動信號，通過參考模塊輸出可調(diào)的參考信號，適用于各種驅(qū)動電路的柵極驅(qū)動保護，將驅(qū)動IC內(nèi)部過壓保護與外部電路過壓保護結合，也即通過采用主動壓控驅(qū)動的模式，最大程度降低柵極保護電路因柵極過壓失效，提高智能功率模塊的可靠性；與此同時，整個驅(qū)動電路附加的具備了優(yōu)化MOSFET參數(shù)的功能，尤其對發(fā)揮寬禁帶器件的優(yōu)勢提供了強有力的支撐。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。