1.一種用于檢測由于輻射暴露而引起的劣化的裝置，其特征在于，包括：
信號監(jiān)控器，其用于確定模擬電路中的半導(dǎo)體器件的電流；
電流和輻射相關(guān)器，其用于基于所述電流來確定所述半導(dǎo)體器件已被暴露于輻射的輻射量；
比較器，其用于將所述輻射量與輻射劑量閾值相比較；以及
報(bào)警管理器，其用于基于比較結(jié)果來指示所述半導(dǎo)體器件的劣化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述報(bào)警管理器還用于向操作者工作站發(fā)送指示所述劣化的警報(bào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述報(bào)警管理器還用于基于所述比較結(jié)果來向操作者發(fā)送警告：所述劣化是可能的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電流和輻射相關(guān)器使用與所述半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的輻射劣化曲線以確定所述輻射量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述輻射劣化曲線定義所述輻射劑量閾值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輻射劑量閾值與在其處所述模擬電路劣化的輻射量相對應(yīng)。
7.一種用于檢測由于輻射暴露而引起的劣化的裝置，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有響應(yīng)于輻射暴露的已知的劣化；以及
過程控制設(shè)備，所述過程控制設(shè)備用于：
監(jiān)控所述半導(dǎo)體器件的供應(yīng)電流；
將所述供應(yīng)電流與輻射暴露的累積量進(jìn)行關(guān)聯(lián)；
將所述輻射暴露的量與從所述已知的劣化推導(dǎo)出的輻射劑量閾值相比較；以及
基于比較結(jié)果來向操作者工作站發(fā)送警報(bào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括模擬電路，所述模擬電路包括所述半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有與所述半導(dǎo)體器件的所述輻射劑量閾值相等的劣化閾值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的所述已知的劣化遵循劣化曲線，其中，所述輻射劑量閾值由所述劣化曲線來定義。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述已知的劣化將所述半導(dǎo)體器件的所述供應(yīng)電流的減小與所述輻射暴露的累積量的增加進(jìn)行關(guān)聯(lián)。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述過程控制設(shè)備被配置為基于所述比較結(jié)果來檢測到所述半導(dǎo)體器件已劣化。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述過程控制設(shè)備還被配置為檢測所述輻射暴露的量接近所述輻射劑量閾值并且向所述操作者工作站發(fā)送警告。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件集成在所述過程控制設(shè)備中。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述過程控制設(shè)備用于遠(yuǎn)程地監(jiān)控所述半導(dǎo)體器件的所述電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是抗輻射微功率雙運(yùn)算放大器。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括另外的半導(dǎo)體器件，所述另外的半導(dǎo)體器件具有響應(yīng)于輻射暴露的已知的劣化。
17.一種用于檢測由于輻射暴露而引起的劣化的裝置，其特征在于，包括：
用于檢測輻射暴露的單元；以及
用于確定劣化的單元，其用于確定由于輻射暴露而引起的半導(dǎo)體器件的劣化，所述用于確定劣化的單元還包括：
用于監(jiān)控的單元，其用于監(jiān)控與所述用于檢測輻射暴露的單元相關(guān)聯(lián)的參數(shù)；
用于比較的單元，其用于將所述參數(shù)與已知的劣化相比較，以確定所述劣化何時(shí)已達(dá)到了閾值；以及
用于發(fā)送的單元，其用于在所述劣化已達(dá)到了所述閾值時(shí)向操作者工作站發(fā)送報(bào)警。