本實(shí)用新型涉及高壓靜電噴涂，尤其是一種用于高壓靜電噴涂產(chǎn)品的粉末靜電噴槍驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

靜電噴涂是利用高壓靜電電場(chǎng)使帶負(fù)電的涂料微粒沿著電場(chǎng)相反的方向定向運(yùn)動(dòng)，并將涂料微粒吸附在工件表面的一種噴涂方法。靜電噴涂設(shè)備由噴槍、噴杯以及靜電噴涂高壓電源等組成，其中靜電噴涂高壓電源是由市電經(jīng)過高壓電容串的多次倍壓達(dá)到上萬(wàn)伏高壓的，這里的高壓電容串加上外殼和灌封膠組成俗稱的高壓包，是由變壓器T1、多組高壓電容、高壓二極管按照?qǐng)D1所示的原理圖連接而成， 12級(jí)總共24倍壓，其中，如何設(shè)計(jì)高壓包的驅(qū)動(dòng)電路是產(chǎn)品品質(zhì)好壞的關(guān)鍵。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種提升效率和消除尖峰電壓的粉末靜電噴槍驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為：

一種粉末靜電噴槍驅(qū)動(dòng)電路，包括移相諧振全橋控制器、全橋MOSFET輸出級(jí)、高壓包電路，該全橋MOSFET輸出級(jí)由控制極均與移相諧振全橋控制器連接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET組成，其中，第一MOSFET與第三MOSFET的漏級(jí)皆與電源+VOUT連接，第一MOSFET的源級(jí)與第二MOSFET的漏級(jí)連接且二者連接點(diǎn)與高壓包電路其中一輸入端GUN-OUTA連接，第三MOSFET的源級(jí)與第四MOSFET的漏級(jí)連接且二者連接點(diǎn)與高壓包電路另一輸入端GUN-OUTB連接，第二MOSFET與第四MOSFET的源級(jí)分別接地GND，所述高壓包的輸入端GUN-OUTA和輸入端GUN-OUTB還與移相諧振全橋控制器連接。

進(jìn)一步，所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的控制極與移相諧振全橋控制器之間皆設(shè)置有一限流電阻。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型具有以下有益效果：因選用高度集成移相諧振全橋IC，具有體積小，功率大，效率高，運(yùn)行可靠；同常規(guī)自激振蕩電路比較，尖峰電壓基本完全消除且功率增大1倍，輸出級(jí)的開關(guān)管是在零電壓環(huán)境下開關(guān)；使用適當(dāng)?shù)墓ぷ黝l率后，可使輸出級(jí)工作在諧振狀態(tài)下，從而使逆變輸出高頻高壓正弦波電壓供后級(jí)的倍壓電路；同常規(guī)自激振蕩電路比較，尖峰電壓基本完全消除且功率增大1倍，輸出級(jí)的開關(guān)管是在零電壓環(huán)境下開關(guān)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做進(jìn)一步的說明。

圖1為高壓包電路的線路圖；

圖2為全橋MOSFET輸出級(jí)的電路圖；

圖3為移相諧振全橋控制器的電路圖；

圖4為移相諧振全橋控制器的輸出時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

參閱圖1-圖3所示，為本實(shí)用新型的一種粉末靜電噴槍驅(qū)動(dòng)電路，包括移相諧振全橋控制器、全橋MOSFET輸出級(jí)、高壓包電路，該全橋MOSFET輸出級(jí)由控制極均與移相諧振全橋控制器連接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET組成，分別為Q311~Q314，其中，第一MOSFET與第三MOSFET的漏級(jí)皆與電源+VOUT連接，第一MOSFET的源級(jí)與第二MOSFET的漏級(jí)連接且二者連接點(diǎn)與高壓包電路其中一輸入端GUN-OUTA連接，第三MOSFET的源級(jí)與第四MOSFET的漏級(jí)連接且二者連接點(diǎn)與高壓包電路另一輸入端GUN-OUTB連接，第二MOSFET與第四MOSFET的源級(jí)分別接地GND，所述高壓包的輸入端GUN-OUTA和輸入端GUN-OUTB還與移相諧振全橋控制器連接。

進(jìn)一步，所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的控制極與移相諧振全橋控制器之間皆設(shè)置有一限流電阻，分別為R311~R314。

如圖3所示，移相諧振全橋控制器U601提供了四個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器：兩個(gè)浮點(diǎn)高邊柵極驅(qū)動(dòng)器HO1 和 HO2，以及兩個(gè)接地基準(zhǔn)低邊柵極驅(qū)動(dòng)器LO1 和 LO2。每個(gè)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器都具有 1.5A 峰值灌電流和 2A 峰值抽電流能力。低邊柵極驅(qū)動(dòng)器通過 VCC 穩(wěn)壓器直接供電。HO1 和 HO2 柵極驅(qū)動(dòng)器分別由連接在 BST1/BST2 和 HS1/HS2 之間的自舉電容供電。

當(dāng)相應(yīng)的開關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS1/HS2 引腳) 為低電平時(shí)，連接在VCC

(陽(yáng)極引腳) 和 BST (陰極引腳) 之間的外部二極管通過從 VCC 充電的自舉電容為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器供電。當(dāng)高邊 MOSFET 開 啟時(shí)，BST1 上升到一個(gè)等于 VCC + VHS1 的峰值電壓，式中 VHS1 是開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓。BST 和 VCC 電容應(yīng)放在靠近 LM5046 引腳的位置，以盡量減少由于寄生電感導(dǎo)致的電壓瞬變，因?yàn)榇藭r(shí)到 MOSFET柵極的峰值灌電流可能超過 1.5A。BST 電容的推薦值是 0.1 μF或更大。應(yīng)采用低 ESR/ESL 電容，如表面貼裝陶瓷電容，以防止 HO 狀態(tài)變換過程中出現(xiàn)的電壓降。

如圖4所示，移相諧振全橋控制器U601的柵極驅(qū)動(dòng)輸出的順序?yàn)椋鹤畛酰诠β蕚鬏斨芷?，?duì)角線上的 HO1 和 LO2 一起開啟，緊跟著是一個(gè)續(xù)流(free-wheel) 周期，此時(shí) HO1 和 HO2 保持開啟。在后續(xù)的相位，對(duì)角線上的 HO2 和 LO1 開啟，跟著是一個(gè)續(xù)流周期，此時(shí) LO1 和 LO2 保持開啟。電源傳輸模式通常被稱為主動(dòng)模式，而續(xù)流模式往往被稱為被動(dòng)模式。被動(dòng)模式和主動(dòng)模式之間的死區(qū)時(shí)間 TPA 是由 RD1 電阻設(shè)置的；主動(dòng)模式和被動(dòng)模式之間的死區(qū)時(shí)間 TAP 則是由 RD2 電阻設(shè)置的。

如果 COMP 引腳開路，輸出將以最大占空比運(yùn)行。每相位的最大占空比是由 RD1 電阻設(shè)置的死區(qū)時(shí)間來限制的。如果RD1 電阻設(shè)置為零，那么由于內(nèi)部設(shè)定的死區(qū)時(shí)間，最大占空比略低于 50％。內(nèi)部固定死區(qū)時(shí)間為 30 ns，它不會(huì)隨工作頻率而變化。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)先實(shí)施方式，本實(shí)用新型并不限定于上述實(shí)施方式，只要以基本相同手段實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。