本實用新型涉及一種半導體發(fā)電輔助裝置，尤其涉及一種半導體發(fā)電裝置。

背景技術：

溫差半導體發(fā)電技術，它的工作原理是在兩塊不同性質的半導體兩端設置一個溫差，于是在半導體上就產生了直流電壓。溫差半導體發(fā)電有著無噪音、壽命長、性能穩(wěn)定等特點?？稍诹阆?0攝氏度的寒冷環(huán)境中迅速啟動，因此在實際中得到越來越廣泛的應用。但有些環(huán)境下，受到環(huán)境溫度的影響，會導致電流的輸出不穩(wěn)定，因此，存在改進空間。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種半導體發(fā)電裝置。

本實用新型通過以下技術方案來實現(xiàn)上述目的：

本實用新型由第一電阻至第四電阻、第一電容、第二電容、半導體發(fā)電芯片、電位器、穩(wěn)壓管、二極管、可控硅和整流器組成，第一電阻R1為100Ω、第二電阻R2為2kΩ、第三電阻R3為500Ω、第四電阻R4為400Ω、第一電容C1為300uf、第二電容C2為470uf、半導體發(fā)電芯片B型號為TEC1-06305、電位器RP為10kΩ、穩(wěn)壓管DW型號為2CW1、二極管D型號為IN4001、可控硅SCR型號為KP1-2、整流器DR為四個型號IN4001的二極管組成的橋式整流器。

具體地，所述半導體發(fā)電芯片的第一端與所述第一電阻的第一端連接，所述半導體發(fā)電芯片的第二端與所述整流器的第一輸入端連接，所述第一電阻的第二端與所述電位器的第一端連接，所述電位器的第二端與所述第二電阻的第一端連接，所述第二電阻的第二端與所述可控硅的負極連接，所述電位器的滑動端與所述穩(wěn)壓管的負極連接，所述穩(wěn)壓管的正極與所述二極管的正極連接，所述二極管的負極與所述可控硅的控制端連接，所述可控硅的正極與所述第四電阻的第一端連接，所述第四電阻的第二端同時與所述第一電容的第一端和所述第三電阻的第一端連接，所述第三電阻的第二端同時與所述第一電容的第二端和所述整流器的第二輸入端連接，所述整流器的正極與所述第二電容的第一端連接后作為正極輸出端，所述整流器的負極輸出端與所述第二電容的第二端連接后作為負極輸出端。

本實用新型的有益效果在于：

本實用新型是一種半導體發(fā)電裝置，與現(xiàn)有技術相比，本實用新型通過半導體發(fā)電芯片產生的電流經第一電阻限流，電位器調節(jié)輸出電流的大小，經穩(wěn)壓管穩(wěn)壓，二極管初步整流后輸出高于可控硅的導通點，可控硅導通，電流經第二電阻、可控硅、第四電阻通過，經第一電容初步濾波后輸出至整流器整流，整流器輸出的電流經第二電容二次濾波后輸出。如果半導體發(fā)電芯片輸出的電流低于可控硅的導通電流，不足以觸發(fā)可控硅導通時，則可控硅關閉，起到保護電路的作用，具有穩(wěn)壓、調節(jié)輸出、電路保護的特點，電路結構簡單、元器件少、成本低廉，具有推廣使用的價值。

附圖說明

圖1是本實用新型的電路結構原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

如圖1所示：本實用新型由第一電阻R1至第四電阻R4、第一電容C1、第二電容C2、半導體發(fā)電芯片B、電位器RP、穩(wěn)壓管DW、二極管D、可控硅SCR和整流器DR組成，第一電阻R1為100Ω、第二電阻R2為2kΩ、第三電阻R3為500Ω、第四電阻R4為400Ω、第一電容C1為300uf、第二電容C2為470uf、半導體發(fā)電芯片型號為TEC1-06305、電位器為10kΩ、穩(wěn)壓管型號為2CW1、二極管型號為IN4001、可控硅型號為KP1-2、整流器為四個型號IN4001的二極管組成的橋式整流器。

具體地，半導體發(fā)電芯片B的第一端與第一電阻R1的第一端連接，半導體發(fā)電芯片B的第二端與整流器DR的第一輸入端連接，第一電阻R1的第二端與電位器RP的第一端連接，電位器RP的第二端與第二電阻R2的第一端連接，所述第二電阻R2的第二端與所述可控硅SCR的負極連接，電位器RP的滑動端與穩(wěn)壓管DW的負極連接，穩(wěn)壓管DW的正極與二極管D的正極連接，二極管D的負極與可控硅SCR的控制端連接，可控硅SCR的正極與第四電阻R4的第一端連接，第四電阻R4的第二端同時與第一電容C1的第一端和第三電阻R3的第一端連接，第三電阻R3的第二端同時與第一電容C1的第二端和整流器DR的第二輸入端連接，整流器DR的正極與第二電容C2的第一端連接后作為正極輸出端，整流器DR的負極輸出端與第二電容C2的第二端連接后作為負極輸出端。

本實用新型的工作原理如下：

半導體發(fā)電芯片B產生的電流經第一電阻R1限流，電位器RP調節(jié)輸出電流的大小，經穩(wěn)壓管DW穩(wěn)壓，二極管D初步整流后輸出高于可控硅SCR的導通點，可控硅SCR導通，電流經第二電阻R2、可控硅SCR、第四電阻R4通過，經第一電容C1初步濾波后輸出至整流器DR整流，整流器DR輸出的電流經第二電容C2二次濾波后輸出。如果半導體發(fā)電芯片B輸出的電流低于可控硅SCR的導通電流，不足以觸發(fā)可控硅SCR導通時，則可控硅SCR關閉，起到保護電路的作用。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征及本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。