本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種同步整流電路、充電器及充電器的保護(hù)方法。

背景技術(shù)：

隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端越來越普及，移動(dòng)終端已成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢扇鄙俚囊徊糠?。人們?duì)于移動(dòng)終端的要求越來越高，除了要求移動(dòng)終端具備豐富的使用功能外，還要求移動(dòng)終端能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電和具備足夠的續(xù)航能力。

目前，通過對(duì)充電器的次級(jí)整流采用同步整流，可以提高充電器的充電效率，提升移動(dòng)終端充電的速度，縮短用戶充電等待時(shí)間。但是，當(dāng)同步整流出現(xiàn)故障時(shí)，次級(jí)整流就會(huì)回到普通的整流模式，電流會(huì)從同步整流電路的整流MOS管中的寄生二極管流過，整流MOS管的損耗會(huì)大幅度上升，可能導(dǎo)致整流MOS管損壞，影響充電器的正常使用?？梢?，目前的充電器存在同步整流出現(xiàn)故障引起整流MOS管損壞的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種同步整流電路、充電器及充電器的保護(hù)方法，以解決目前的充電器存在同步整流出現(xiàn)故障引起整流MOS管損壞的問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種同步整流電路，應(yīng)用于充電器，所述同步整流電路包括變壓器、與所述變壓器的輸出端連接的整流MOS管、檢測(cè)電路以及控制模塊，所述檢測(cè)電路用于檢測(cè)所述整流MOS管是否異常；所述控制模塊與所述檢測(cè)電路連接，用于若所述檢測(cè)電路檢測(cè)到所述整流MOS管異常，調(diào)低所述變壓器的輸出功率，進(jìn)而降低所述充電器的輸出電流。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種充電器，包括上述的同步整流電路。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種充電器的保護(hù)方法，應(yīng)用于設(shè)置有同步整流電路的充電器，所述同步整流電路包括變壓器、與所述變壓器的輸出端連接的整流MOS管、檢測(cè)電路以及控制模塊，所述方法包括：

所述檢測(cè)電路檢測(cè)所述整流MOS管是否異常；

若所述檢測(cè)電路檢測(cè)到所述整流MOS管異常，所述控制模塊調(diào)低所述變壓器的輸出功率，進(jìn)而降低所述充電器的輸出電流。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例中，所述同步整流電路包括變壓器、與所述變壓器的輸出端連接的整流MOS管、檢測(cè)電路以及控制模塊，所述檢測(cè)電路用于檢測(cè)所述整流MOS管是否異常；所述控制模塊與所述檢測(cè)電路連接，用于若所述檢測(cè)電路檢測(cè)到所述整流MOS管異常，調(diào)低所述變壓器的輸出功率，進(jìn)而降低充電器的輸出電流。這樣，若同步整流出現(xiàn)故障引起整流MOS管異常，同步整流電路可以調(diào)低變壓器的輸出功率，以降低充電器的輸出電流，從而使整流MOS管的電流降低，防止整流MOS管受損。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種同步整流電路原理圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種同步整流電路原理圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種充電器的保護(hù)方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參見圖1，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種同步整流電路原理圖，如圖1所示，該同步整流電路應(yīng)用于充電器，包括變壓器10及與所述變壓器10的輸出端連接的整流MOS管20、檢測(cè)電路30以及控制模塊40，所述檢測(cè)電路30用于檢測(cè)所述整流MOS管20是否異常；所述控制模塊40與所述檢測(cè)電路30連接，用于若所述檢測(cè)電路30檢測(cè)到所述整流MOS管20異常，調(diào)低所述變壓器10的輸出功率，進(jìn)而降低充電器的輸出電流。

本發(fā)明實(shí)施例中，若同步整流出現(xiàn)故障時(shí)，可以引起整流MOS管的異常，檢測(cè)電路30可以檢測(cè)到整流MOS管20的異常，并發(fā)送異常信號(hào)至控制模塊40，控制模塊40可以根據(jù)接收的異常信號(hào)，調(diào)節(jié)變壓器10的導(dǎo)通時(shí)間的占空比，降低變壓器10的輸出功率，以降低充電器的輸出電流，從而可以在同步整流出現(xiàn)故障時(shí)，使整流MOS管20的電流降低，保護(hù)整流MOS管20，避免整流MOS管20發(fā)生損壞。

需要說明的是，上述同步整流電路還包括整流控制芯片50以及電容60等，其中，整流控制芯片50與整流MOS管20的柵極連接，可以控制整流MOS管20的導(dǎo)通與截止；電容60并聯(lián)于變壓器10的副邊繞組和負(fù)載之間，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)變壓器10的輸出電壓的穩(wěn)壓。當(dāng)然，上述同步整流電路還可以包括其他元器件，在此并不進(jìn)行一一列舉。另外上述控制模塊40可以是任意可以實(shí)現(xiàn)調(diào)低變壓器10的輸出功率的控制器。

可選的，如圖2所示，檢測(cè)電路30可以包括控制器31，控制器31的一端子與控制模塊40連接，整流MOS管20的漏極與變壓器10的副邊繞組的一端連接，源極與負(fù)載(圖未示)連接，柵極與控制器31的另一端子連接，控制器31用于檢測(cè)整流MOS管20的柵極輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)施例中，由于若上述同步整流電路處于工作狀態(tài)，當(dāng)整流MOS管20正常時(shí)，該整流MOS管20的柵極會(huì)持續(xù)存在驅(qū)動(dòng)信號(hào)；當(dāng)整流MOS管20異常時(shí)，該整流MOS管20的柵極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)存在間斷。因此，控制器31可以檢測(cè)該整流MOS管20的柵極在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)是否未有驅(qū)動(dòng)信號(hào)，或者檢測(cè)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)存在間斷，若是，則確定該整流MOS管20異常，控制器31可以向控制模塊40發(fā)送異常信號(hào)，以調(diào)低變壓器10的輸出功率，從而降低充電器的輸出電流。

當(dāng)然，可選的，檢測(cè)電路可以包括熱敏電阻(圖未示)，熱敏電阻靠近整流MOS管20設(shè)置，且熱敏電阻與控制模塊40連接，熱敏電阻用于檢測(cè)整流MOS管20的溫度。

其中，在同步整流電路處于工作狀態(tài)下，當(dāng)整流MOS管20出現(xiàn)異常時(shí)，整流MOS管20因損耗大幅度上升，會(huì)引起其溫度上升，靠近其設(shè)置的熱敏電阻可以檢測(cè)到該整流MOS管20的溫度變化，當(dāng)整流MOS管20的溫度超出預(yù)設(shè)溫度值時(shí)，熱敏電阻可以向控制模塊40發(fā)送異常信號(hào)，其中，該異常信號(hào)可以是特定電流或電壓信號(hào)，例如：異常信號(hào)為超過某一閾值的電流。

可選的，同步整流電路還可以包括取樣電阻70，取樣電阻70串聯(lián)于變壓器10和負(fù)載之間，且與控制模塊40連接。這樣，取樣電阻70可以實(shí)時(shí)向控制模塊40反饋充電器的輸出電流，使控制模塊40準(zhǔn)確的調(diào)節(jié)變壓器10的輸出功率，以將充電器的輸出電流調(diào)節(jié)至預(yù)設(shè)電流值，從而提高該同步整流電路的可靠性。

其中，控制模塊40可以通過取樣電阻70的獲取充電器的實(shí)時(shí)輸出電流，例如：可以通過與取樣電阻70并聯(lián)的電壓計(jì)(未示出)獲取取樣電阻70兩端的電壓，且控制模塊40獲取該電壓計(jì)的測(cè)量值，控制模塊40可以根據(jù)該測(cè)量值以及取樣電阻70的電阻值計(jì)算得到經(jīng)過取樣電阻70的實(shí)時(shí)輸出電流。

可選的，同步整流電路還包括控制開關(guān)80，控制開關(guān)80位于變壓器10的副邊繞組與負(fù)載之間且與取樣電阻70串聯(lián)，控制開關(guān)80與控制模塊40連接。其中，當(dāng)同步整流出現(xiàn)故障時(shí)，整流MOS管20可能由于流過的電流過大引起損壞，控制模塊40可以控制控制開關(guān)80及時(shí)切斷變壓器10的副邊繞組的回路，調(diào)節(jié)充電器的輸出電流為零電流，進(jìn)一步避免整流MOS管20損壞。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例中，同步整流電路包括變壓器、與變壓器的輸出端連接的整流MOS管、檢測(cè)電路以及控制模塊，檢測(cè)電路用于檢測(cè)整流MOS管是否異常；控制模塊與所述檢測(cè)電路連接，用于若檢測(cè)電路檢測(cè)到整流MOS管異常，調(diào)低變壓器的輸出功率，進(jìn)而降低充電器的輸出電流。這樣，若同步整流出現(xiàn)故障引起整流MOS管異常，同步整流電路可以調(diào)低變壓器的輸出功率，以降低充電器的輸出電流，從而使整流MOS管的電流降低，防止整流MOS管受損。

基于上述同步整流電路，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種包括上述同步整流電路的充電器。

由于充電器本體的結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有技術(shù)，同步整流電路在上述實(shí)施例中已進(jìn)行詳細(xì)說明，因此，本實(shí)施例中對(duì)于具體的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)不再贅述。

參見圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種充電器的保護(hù)方法的流程示意圖，應(yīng)用于包括設(shè)置有上述同步整流電路的充電器，所述同步整流電路包括變壓器10、與變壓器10的輸出端連接的整流MOS管20、檢測(cè)電路30以及控制模塊40，檢測(cè)電路30與控制模塊40連接，如圖3所示，該方法包括以下步驟：

步驟301、檢測(cè)電路30檢測(cè)整流MOS管20是否異常。

本發(fā)明實(shí)施例中，在同步整流電路處于工作狀態(tài)下，若同步整流出現(xiàn)故障時(shí)，可以引起整流MOS管20的損耗大幅度上升，使整流MOS管20異常，檢測(cè)電路30可以檢測(cè)到整流MOS管20的異常，并發(fā)送異常信號(hào)至控制模塊40。

可選的，檢測(cè)電路30檢測(cè)整流MOS管20是否異常的步驟，可以包括：

檢測(cè)電路30檢測(cè)整流MOS管20的柵極是否有驅(qū)動(dòng)信號(hào)，若整流MOS管20的柵極沒有驅(qū)動(dòng)信號(hào)，確定整流MOS管20異常。

其中，由于當(dāng)整流MOS管20正常時(shí)，該整流MOS管20的柵極會(huì)持續(xù)存在驅(qū)動(dòng)信號(hào)；當(dāng)整流MOS管20異常時(shí)，該整流MOS管20的柵極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)存在間斷，檢測(cè)電路30可以檢測(cè)整流MOS管20的柵極是否有驅(qū)動(dòng)信號(hào)，若沒有驅(qū)動(dòng)信號(hào)，則可以確定整流MOS管20異常。例如：可以在整流MOS管20的柵極連接控制器31，由控制器31檢測(cè)整流MOS管20是否有驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并向控制模塊40發(fā)送異常信號(hào)。

可選的，檢測(cè)電路30檢測(cè)整流MOS管20是否處于異常的步驟，可以包括：

檢測(cè)電路30檢測(cè)整流MOS管20的溫度是否超出預(yù)設(shè)溫度值，若整流MOS管的溫度超出所述預(yù)設(shè)溫度值，確定所述整流MOS管異常。

其中，在同步整流電路處于工作狀態(tài)下，當(dāng)整流MOS管20出現(xiàn)異常時(shí)，整流MOS管20因損耗大幅度上升，會(huì)引起其溫度上升，檢測(cè)電路30可以檢測(cè)整流MOS管20的溫度是否超出預(yù)設(shè)溫度值，若超出預(yù)設(shè)溫度值，則可以確定整流MOS管20異常。例如：可以在靠近整流MOS管20設(shè)置一熱敏電阻，通過熱敏電阻檢測(cè)整流MOS管20的溫度，且當(dāng)整流MOS管20的溫度超出預(yù)設(shè)溫度值時(shí)，向控制模塊40發(fā)送異常信號(hào)。

步驟302、若檢測(cè)電路30檢測(cè)到整流MOS管20異常，控制模塊40調(diào)低變壓器10的輸出功率，進(jìn)而降低充電器的輸出電流。

本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)控制模塊40接收到異常信號(hào)時(shí)，控制模塊40可以調(diào)節(jié)變壓器10導(dǎo)通時(shí)間的占空比，使變壓器10的輸出電壓降低，從而降低變壓器10的輸出功率，進(jìn)而降低充電器的輸出電流，從而使整流MOS管20的電流降低。

例如：同步整流電路的正常最大輸出5V/4A，整流MOS管20的導(dǎo)通電阻為10mΩ，寄生二極管的導(dǎo)通電壓為0.7V。正常滿載情況下，整流MOS管20的損耗為Pmos＝4A×4A×10mΩ＝0.16W；同步整流出現(xiàn)異常時(shí)，Pmos＝4A×0.7V＝2.8W。因此，整流MOS管20出現(xiàn)異常時(shí)的損耗是正常時(shí)的17.5倍。若同步整流出現(xiàn)故障時(shí)，可以調(diào)節(jié)變壓器10輸出功率使充電器的輸出電流降低到0.5A，整流的MOS管20的損耗Pmos＝0.5A*0.7V＝0.35W，從而此時(shí)僅為正常的2倍，從而可以避免整流MOS管20損壞。

可選的，調(diào)低充電器的輸出電流的步驟，可以包括：

將充電器的輸出電流調(diào)低至預(yù)設(shè)電流值或零電流，其中，所述預(yù)設(shè)電流值大于零。其中，預(yù)設(shè)電流值可以是預(yù)先設(shè)定的固定值，也可以是根據(jù)充電器的輸出電流值，按預(yù)設(shè)規(guī)則確定的電流值，在此不作限定。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例中，所述檢測(cè)電路檢測(cè)所述整流MOS管是否異常；若所述檢測(cè)電路檢測(cè)到所述整流MOS管異常，所述控制模塊調(diào)低所述變壓器的輸出功率，進(jìn)而降低充電器的輸出電流。這樣，若所述同步整流出現(xiàn)故障引起整流MOS管異常，同步整流電路可以調(diào)低變壓器的輸出功率，以降低充電器的輸出電流，從而使整流MOS管的電流降低，防止整流MOS管受損。以上，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。