本發(fā)明涉及一種開(kāi)關(guān)柜絕緣修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展，用電負(fù)荷的日益增加，我國(guó)從90年代初開(kāi)始從國(guó)外引進(jìn)半絕緣環(huán)網(wǎng)開(kāi)關(guān)柜，而且數(shù)量較大。由于半絕緣環(huán)網(wǎng)柜母線及出線端裸露在空氣中，因此其運(yùn)行狀況受環(huán)境的影響較大。在潮濕的華南地區(qū)，半絕緣開(kāi)關(guān)柜在潮濕和污穢較重的環(huán)境中，部分絕緣件表面出現(xiàn)了局部放電，其中一部分最終發(fā)展成閃絡(luò)擊穿事故，嚴(yán)重影響了人身、電網(wǎng)和設(shè)備的安全，降低了供電連續(xù)可靠性。
為了解決潮濕環(huán)境中開(kāi)關(guān)柜的運(yùn)行安全問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)為整個(gè)柜體全部涂覆rtv涂料，但這種rtv涂料一般運(yùn)行不到一年時(shí)間就會(huì)發(fā)生各種問(wèn)題，如rtv脫落、絕緣失效。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供了一種開(kāi)關(guān)柜絕緣修復(fù)方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中半絕緣開(kāi)關(guān)柜在潮濕和污穢較重的環(huán)境中，部分絕緣件表面出現(xiàn)了局部放電的問(wèn)題。
為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
一種開(kāi)關(guān)柜絕緣修復(fù)方法，依次包括以下步驟：
1)電場(chǎng)仿真計(jì)算：利用有限元軟件計(jì)算開(kāi)關(guān)柜中環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)分布，找到單位步長(zhǎng)內(nèi)電場(chǎng)變化最大的部位；
2)氣箱環(huán)氧表面清理：用無(wú)水乙醇溶劑擦洗環(huán)氧表面的附著物，在環(huán)氧表面的無(wú)水乙醇溶劑完全干燥后，用砂紙打磨開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面，打磨完后，加熱并烘干環(huán)氧表面；
3)氣箱環(huán)氧表面修復(fù)：采用pc塑料薄膜包裹環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大的部位；將imc外絕緣修復(fù)材料噴涂于開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面未被塑料薄膜包裹的部分；將phm表面改性粉均勻噴灑在imc外絕緣修復(fù)材料的表面；
4)半導(dǎo)電涂料噴涂：將步驟3)中包裹的塑料薄膜拆除；在環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大部位噴涂smc半導(dǎo)電涂料；
5)對(duì)imc絕緣修復(fù)材料表面加熱并使表面固化，對(duì)smc半導(dǎo)電涂料表面加熱并使表面固化。
進(jìn)一步，在步驟1)中，根據(jù)10kv開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面、母線和均壓罩的模型，利用有限元軟件的繪圖功能建立開(kāi)關(guān)柜對(duì)稱面的仿真模型，計(jì)算開(kāi)關(guān)柜中環(huán)氧表面、母線、均壓罩的直接接觸部分電場(chǎng)分布，找到單位步長(zhǎng)內(nèi)電場(chǎng)變化最大的部位。
進(jìn)一步，在步驟2)中，利用無(wú)紡布蘸取無(wú)水乙醇溶劑擦洗環(huán)氧表面的附著物，并在表面無(wú)水乙醇溶劑完全干燥后，用100目-400目的砂紙從正面、側(cè)面和背面打磨其表面，增加表面的粗糙度，清理完成后，采用1000w-2000w的熱風(fēng)槍加熱環(huán)氧表面持續(xù)2-4min，以烘干表面。
進(jìn)一步，在步驟3)中，將imc外絕緣修復(fù)材料裝入噴槍的罐內(nèi)，用空氣壓縮機(jī)為噴槍加壓，將壓力調(diào)節(jié)為0.4-0.6mpa，再用噴槍將imc外絕緣修復(fù)材料噴涂于開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面未被塑料薄膜包裹的部分，涂層厚度為0.3-0.5mm。
進(jìn)一步，將phm表面改性粉裝入喉頭噴粉器中，30-35min后采用擠壓喉頭的方法將phm表面改性粉均勻噴灑在imc外絕緣修復(fù)材料的表面。
進(jìn)一步，在步驟4)中，在噴槍罐內(nèi)裝入smc半導(dǎo)電涂料，將噴槍的內(nèi)壓調(diào)節(jié)為0.4-0.6mpa；用噴槍在環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分電場(chǎng)變化的最大部位噴涂smc半導(dǎo)電涂料，噴涂厚度與imc絕緣修復(fù)材料相同。
進(jìn)一步，在步驟5)中用熱風(fēng)槍在距離imc絕緣修復(fù)材料表面8-12cm的位置對(duì)imc絕緣修復(fù)材料表面持續(xù)加熱8-12min，使其表面固化。
進(jìn)一步，在步驟5)中用熱風(fēng)槍在距離smc半導(dǎo)電涂料表面3-8cm的位置對(duì)smc半導(dǎo)電涂料表面持續(xù)加熱12-18min，使其表面固化。
進(jìn)一步，步驟1)計(jì)算得到單位步長(zhǎng)內(nèi)電場(chǎng)變化最大的部位為：從導(dǎo)體和絕緣體交界面向絕緣體側(cè)延伸5-10mm寬度的絕緣表面。
與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：
本發(fā)明根據(jù)電場(chǎng)計(jì)算的結(jié)果選擇半導(dǎo)電涂料的配置方式；并通過(guò)涂覆防護(hù)涂料，在防護(hù)涂料表面噴灑改性粉體，提高了半絕緣開(kāi)關(guān)柜防污閃能力，提高供電的可靠性，減少運(yùn)維及更換設(shè)備的投資，延長(zhǎng)半絕緣環(huán)網(wǎng)柜的使用壽命，本發(fā)明技術(shù)方法能更針對(duì)潮濕環(huán)境中開(kāi)關(guān)柜的絕緣修復(fù)。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一：
一種開(kāi)關(guān)柜絕緣修復(fù)方法，依次包括以下步驟：
1)電場(chǎng)仿真計(jì)算：利用有限元軟件計(jì)算開(kāi)關(guān)柜中環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)分布，找到單位步長(zhǎng)內(nèi)電場(chǎng)變化最大的部位。
2)氣箱環(huán)氧表面清理：用無(wú)水乙醇溶劑擦洗環(huán)氧表面的附著物，在環(huán)氧表面的無(wú)水乙醇溶劑完全干燥后，用砂紙打磨開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面，打磨完后，加熱并烘干環(huán)氧表面。
3)氣箱環(huán)氧表面修復(fù)：采用pc塑料薄膜包裹環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大的部位；將imc外絕緣修復(fù)材料噴涂于開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面未被塑料薄膜包裹的部分；將phm表面改性粉均勻噴灑在imc外絕緣修復(fù)材料的表面。
4)半導(dǎo)電涂料噴涂：將步驟3)中包裹的塑料薄膜拆除；在環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大部位噴涂smc半導(dǎo)電涂料。
5)對(duì)imc絕緣修復(fù)材料表面加熱并使表面固化，對(duì)smc半導(dǎo)電涂料表面加熱并使表面固化。
實(shí)施例二：
一種開(kāi)關(guān)柜絕緣修復(fù)方法，依次包括以下步驟：
1)電場(chǎng)仿真計(jì)算：根據(jù)10kv開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧、母線、均壓罩部分的模型，利用有限元軟件的繪圖功能建立開(kāi)關(guān)柜對(duì)稱面的簡(jiǎn)化仿真模型，計(jì)算開(kāi)關(guān)柜中環(huán)氧、母線、均壓罩的直接接觸部分電場(chǎng)分布，找到單位步長(zhǎng)內(nèi)電場(chǎng)變化最大的部位，即電場(chǎng)畸變最嚴(yán)重的部位。
2)氣箱環(huán)氧表面清理：利用邊長(zhǎng)約20cm的正方形無(wú)紡布蘸取5ml無(wú)水乙醇溶劑擦洗環(huán)氧表面的附著物，并在環(huán)氧表面的無(wú)水乙醇溶劑完全干燥后，用100目～400目的砂紙從正面、側(cè)面和背面打磨其表面，增加表面的粗糙度，使表面光澤度約為100，清理完成后，采用1000w～2000w的熱風(fēng)槍持續(xù)加熱環(huán)氧表面約3min，以烘干表面。
3)氣箱環(huán)氧表面修復(fù)：采用pc塑料薄膜包裹環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大的部位；將imc外絕緣修復(fù)材料噴涂于開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面未被塑料薄膜包裹的部分；將phm表面改性粉均勻噴灑在imc外絕緣修復(fù)材料的表面。
采用0.05mm的pc塑料薄膜包裹環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大的部位，(步驟1)計(jì)算得到環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大的部位為：從導(dǎo)體和絕緣體交界面向絕緣體側(cè)延伸5-10mm的寬度內(nèi)的絕緣表面)；將imc外絕緣修復(fù)材料裝入噴槍的罐內(nèi)，用空氣壓縮機(jī)為噴槍加壓，調(diào)節(jié)內(nèi)壓為0.4～0.6mpa，再用噴槍將imc外絕緣修復(fù)材料噴涂于開(kāi)關(guān)柜環(huán)氧表面未被塑料薄膜包裹的部分，涂層厚度保持在0.3-0.5mm；將phm表面改性粉裝入40ml喉頭噴粉器中，30-35min后采用擠壓喉頭的方法將phm表面改性粉均勻噴灑在外絕緣修復(fù)材料的表面。
4)半導(dǎo)電涂料噴涂：將步驟3)中包裹的塑料薄膜拆除；在環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大部位噴涂smc半導(dǎo)電涂料；
將步驟3)中包裹的塑料薄膜拆除；在另一噴槍罐內(nèi)裝入smc半導(dǎo)電涂料，采用與步驟3)相同的空氣壓縮機(jī)為噴槍加壓，調(diào)節(jié)內(nèi)壓為0.4～0.6mpa，用噴槍向環(huán)氧表面、母線和均壓罩直接接觸部分的電場(chǎng)變化最大的部位，即步驟3)采用包裹薄膜方法預(yù)留的部位，噴涂smc半導(dǎo)電涂料，根據(jù)步驟3)中包裹塑料薄膜預(yù)留部分的寬度，可得到噴涂尺寸為5-10mm的smc半導(dǎo)電涂料，噴涂厚度與imc絕緣修復(fù)材料相同。
5)用步驟2)所述的熱風(fēng)槍距離imc絕緣修復(fù)材料表面約10cm的位置對(duì)其持續(xù)加熱10min，使其表面固化；再用上述熱風(fēng)槍，在距離smc半導(dǎo)電涂料表面約5cm的位置對(duì)其持續(xù)加熱15min，使其表面固化；待以上兩種涂料表面固化后即可恢復(fù)供電。
以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，但本發(fā)明的技術(shù)特征并不局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本發(fā)明的專利范圍之中。