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      一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置的制造方法

      文檔序號(hào):9329911閱讀:523來源:國知局
      一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及用于一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置,屬于半橋驅(qū)動(dòng)和智能功率模塊技術(shù)領(lǐng)域。
      【背景技術(shù)】
      [0002]驅(qū)動(dòng)電路在馬達(dá)、照明、電源等多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮著非常重要的作用,尤其是近年來由于節(jié)能意識(shí)和環(huán)保意識(shí)的增加,對(duì)于體積更小、可靠性更高、效率更優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電路需求也在不斷增加。
      [0003]傳統(tǒng)意義上,驅(qū)動(dòng)電路用來驅(qū)動(dòng)MOSFET與IGBT有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),這其中以半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)最為簡(jiǎn)單,應(yīng)用也更廣泛。半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要包括了所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路,在功率電源和功率地之間串聯(lián)連接的高側(cè)功率器件和低側(cè)功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)電路控制高低側(cè)功率器件的開關(guān)狀態(tài)以及開關(guān)速度。為了追求更高的效率,更低的功耗,高低側(cè)功率器件被配置成以更快的DV/DT和DI/DT導(dǎo)通和關(guān)斷,進(jìn)而降低功率器件的開關(guān)損耗,尤其是對(duì)于工作頻率較高的應(yīng)用場(chǎng)景。但是更快的開關(guān)速度會(huì)帶來負(fù)面的影響,一方面是系統(tǒng)的電磁干擾噪聲會(huì)增加;另一方面由開關(guān)過程中對(duì)地或者信號(hào)的干擾會(huì)大大影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。如何更安全,更有效地在EMI和效率之間取得平衡變得越來越重要。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]
      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置,分別針對(duì)高側(cè)功率器件和低側(cè)功率器件,能夠通過實(shí)時(shí)檢測(cè),適時(shí)改變功率器件的工作模式,動(dòng)態(tài)實(shí)現(xiàn)功率器件電磁干擾與效率的平衡。
      [0005]本發(fā)明為了解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案:本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置,包括高側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置和低側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置,高側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置用于平衡高側(cè)功率器件的電磁干擾與效率,低側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置用于平衡低側(cè)功率器件的電磁干擾與效率;其中,高側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置包括高側(cè)采樣電路、高側(cè)模式設(shè)定電路和高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;高側(cè)采樣電路的輸入端與高側(cè)功率器件相連接,采集獲得高側(cè)功率器件的平均功率,并通過其輸出端輸送至高側(cè)模式設(shè)定電路;高側(cè)模式設(shè)定電路由其輸入端接收高側(cè)功率器件的平均功率,與預(yù)設(shè)比較閾值進(jìn)行比較,根據(jù)預(yù)設(shè)高側(cè)功率器件各個(gè)工作模式,定義高側(cè)功率器件的工作模式,并通過其輸出端發(fā)送至高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與高側(cè)功率器件相連接,高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路通過其輸入端接收所定義高側(cè)功率器件的工作模式,并結(jié)合所接收的高側(cè)輸入信號(hào),通過其輸出端向高側(cè)功率器件發(fā)送控制命令,控制高側(cè)功率器件切換至所定義的工作模式;低側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置包括低側(cè)采樣電路、低側(cè)模式設(shè)定電路和低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;低側(cè)采樣電路的輸入端與低側(cè)功率器件相連接,采集獲得低側(cè)功率器件的平均功率,并通過其輸出端輸送至低側(cè)模式設(shè)定電路;低側(cè)模式設(shè)定電路由其輸入端接收低側(cè)功率器件的平均功率,與預(yù)設(shè)比較閾值進(jìn)行比較,根據(jù)預(yù)設(shè)低側(cè)功率器件各個(gè)工作模式,定義低側(cè)功率器件的工作模式,并通過其輸出端發(fā)送至低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與低側(cè)功率器件相連接,低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路通過其輸入端接收所定義低側(cè)功率器件的工作模式,并結(jié)合所接收的低側(cè)輸入信號(hào),通過其輸出端向低側(cè)功率器件發(fā)送控制命令,控制低側(cè)功率器件切換至所定義的工作模式;高側(cè)功率器件與半橋驅(qū)動(dòng)電路功率電源的正極相連接,同時(shí),高側(cè)采樣電路的采樣基準(zhǔn)參考點(diǎn)與低側(cè)功率器件相連接作為半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端;低側(cè)采樣電路的采樣基準(zhǔn)參考點(diǎn)與半橋驅(qū)動(dòng)電路功率電源的負(fù)極相連接。
      [0006]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案:所述高側(cè)功率器件為高側(cè)MOS管功率器件,所述低側(cè)功率器件為低側(cè)MOS管功率器件;其中,高側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置中:高側(cè)采樣電路的輸入端與高側(cè)MOS管功率器件的源極相連接,采集獲得高側(cè)MOS管功率器件的平均功率,并通過其輸出端輸送至高側(cè)模式設(shè)定電路;高側(cè)模式設(shè)定電路由其輸入端接收高側(cè)MOS管功率器件的平均功率,與預(yù)設(shè)比較閾值進(jìn)行比較,根據(jù)預(yù)設(shè)高側(cè)MOS管功率器件各個(gè)工作模式,定義高側(cè)MOS管功率器件的工作模式,并通過其輸出端發(fā)送至高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與高側(cè)MOS管功率器件的柵極相連接,高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路通過其輸入端接收所定義高側(cè)MOS管功率器件的工作模式,并結(jié)合所接收的高側(cè)輸入信號(hào),通過其輸出端向高側(cè)MOS管功率器件發(fā)送控制命令,控制高側(cè)MOS管功率器件切換至所定義的工作模式;低側(cè)電磁干擾與效率平衡裝置中:低側(cè)采樣電路的輸入端與低側(cè)MOS管功率器件的源極相連接,采集獲得低側(cè)MOS管功率器件的平均功率,并通過其輸出端輸送至低側(cè)模式設(shè)定電路;低側(cè)模式設(shè)定電路由其輸入端接收低側(cè)MOS管功率器件的平均功率,與預(yù)設(shè)比較閾值進(jìn)行比較,根據(jù)預(yù)設(shè)低側(cè)MOS管功率器件各個(gè)工作模式,定義低側(cè)MOS管功率器件的工作模式,并通過其輸出端發(fā)送至低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與低側(cè)MOS管功率器件的柵極相連接,低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路通過其輸入端接收所定義低側(cè)MOS管功率器件的工作模式,并結(jié)合所接收的低側(cè)輸入信號(hào),通過其輸出端向低側(cè)MOS管功率器件發(fā)送控制命令,控制低側(cè)MOS管功率器件切換至所定義的工作模式;高側(cè)MOS管功率器件的漏極與半橋驅(qū)動(dòng)電路功率電源的正極相連接,同時(shí),高側(cè)采樣電路的采樣基準(zhǔn)參考點(diǎn)與低側(cè)MOS管功率器件的漏極相連接作為半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端;低側(cè)采樣電路的采樣基準(zhǔn)參考點(diǎn)與半橋驅(qū)動(dòng)電路功率電源的負(fù)極相連接。
      [0007]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案:所述高側(cè)采樣電路結(jié)構(gòu)與所述低側(cè)采樣電路結(jié)構(gòu)相同,所述低側(cè)采樣電路包括電流采樣電阻RU電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電容Cl,其中,電流采樣電阻Rl的一端作為低側(cè)采樣電路的輸入端,與所述低側(cè)MOS管功率器件的源極相連接;且電流采樣電阻Rl的該端與電阻R2的一端相連接,電阻R2的另一端分別與電阻R4的一端、電阻R3的一端、電阻R5的一端相連接;電阻R4的另一端連接電源;電阻R5的另一端作為低側(cè)采樣電路的輸出端,且電阻R5的該端與電容Cl的一端相連接,電容Cl的另一端、電阻R3的另一端、電流采樣電阻Rl的另一端三者相連,并接地。
      [0008]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案:所述采集獲得高側(cè)MOS管功率器件的平均功率和所述采集獲得低側(cè)MOS管功率器件的平均功率中,所述預(yù)設(shè)參數(shù)為電流量或者電壓量。
      [0009]本發(fā)明如上所述一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置,采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下技術(shù)效果:本發(fā)明設(shè)計(jì)一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置,基于全新的電路設(shè)計(jì)架構(gòu),分別針對(duì)高側(cè)MOS管功率器件和低側(cè)MOS管功率器件,通過針對(duì)功率器件預(yù)設(shè)參數(shù)的檢測(cè),獲得功率器件的平均功率,并根據(jù)該平均功率與預(yù)設(shè)比較閾值之間的比較,定義功率器件的工作模式,最后,通過驅(qū)動(dòng)電路針對(duì)功率器件的工作模式進(jìn)行切換,用以動(dòng)態(tài)實(shí)現(xiàn)功率器件電磁干擾與效率的平衡。
      【附圖說明】
      [0010]圖1為本發(fā)明設(shè)計(jì)半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置的上位功能模塊圖;
      圖2是本發(fā)明設(shè)計(jì)半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置的功能模塊圖;
      圖3是本發(fā)明設(shè)計(jì)中低側(cè)采樣電路的實(shí)施例及工作波形圖;
      圖4是本發(fā)明設(shè)計(jì)中低側(cè)模式設(shè)定電路的示意圖;
      圖5是本發(fā)明設(shè)計(jì)中低側(cè)模式設(shè)定電路的工作示意圖;
      圖6是本發(fā)明設(shè)計(jì)中低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0011]
      下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
      [0012]如圖1和圖2所示,本發(fā)明所設(shè)計(jì)一種半橋驅(qū)動(dòng)電路的電磁干擾(EMI)與效率動(dòng)態(tài)平衡裝置,在實(shí)際應(yīng)用過程當(dāng)中,包括高側(cè)電磁干擾(EMI)與效率平衡裝置和低側(cè)電磁干擾(EMI)與效率平衡裝置,高側(cè)電磁干擾(EMI)與效率平衡裝置用于平衡高側(cè)MOS管功率器件Ml的電磁干擾(EMI)與效率,低側(cè)電磁干擾(EMI)與效率平衡裝置用于平衡低側(cè)MOS管功率器件M2的電磁干擾(EMI)與效率;其中,高側(cè)電磁干擾(EMI)與效率平衡裝置包括高側(cè)采樣電路、高側(cè)模式設(shè)定電路和高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;高側(cè)采樣電路的輸入端與高側(cè)MOS管功率器件Ml的源極相連接,采集獲得高側(cè)MOS管功率器件Ml的平均功率,并通過其輸出端輸送至高側(cè)模式設(shè)定電路;高側(cè)模式設(shè)定電路由其輸入端接收高側(cè)MOS管功率器件Ml的平均功率,與預(yù)設(shè)比較閾值進(jìn)行比較,根據(jù)預(yù)設(shè)高側(cè)MOS管功率器件Ml各個(gè)工作模式,定義高側(cè)MOS管功率器件Ml的工作模式,并通過其輸出端發(fā)送至高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與高側(cè)MOS管功率器件Ml的柵極相連接,高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路通過其輸入端接收所定義高側(cè)MOS管功率器件Ml的工作模式,并結(jié)合所接收的高側(cè)輸入信號(hào)HIN,通過其輸出端向高側(cè)MOS管功率器件Ml發(fā)送控制命令,控制高側(cè)MOS管功率器件Ml切換至所定義的工作模式;低側(cè)電磁干擾(EMI)與效率平衡裝置包括低側(cè)采樣電路、低側(cè)模式設(shè)定電路和低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;低側(cè)采樣電路的輸入端與低側(cè)MOS管功率器件M2的源極相連接,采集獲得低側(cè)MOS管功率器件M2的平均功率,并通過其輸出端輸送至低側(cè)模式設(shè)定電路;低側(cè)模式設(shè)定電路由其輸入端接收低側(cè)MOS管功率器件M2的平均功率,與預(yù)設(shè)比較閾值進(jìn)行比較,根據(jù)預(yù)設(shè)低側(cè)MOS管功率器件M2各個(gè)工作模式,定義低側(cè)MOS管功率器件M2的工作模式,并通過其輸出端發(fā)送至低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路;低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與低側(cè)MOS管功率器件M2的柵極相連接,低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路通過其輸入端接收所定義低側(cè)MOS管功率器件M2的工作模式,并結(jié)合所接收的低側(cè)輸入信號(hào)LIN,通過其輸出端向低側(cè)MOS管功率器件M2發(fā)送控制命令,控制低側(cè)MOS管功率器件M2切換至所定義的工作模式;高側(cè)MOS管功率器件Ml的漏極
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