發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可控硅整流勵磁系統(tǒng)的過電壓保護(hù)裝置。
[0002]
【背景技術(shù)】
[0003]發(fā)電機(jī)組的內(nèi)部或發(fā)電機(jī)出口端發(fā)生故障以及正常停機(jī)時都要快速切斷勵磁電源，由于轉(zhuǎn)子繞組是個儲能的大電感，因此勵磁電流突變勢必在轉(zhuǎn)子繞組兩端引起相當(dāng)大的暫態(tài)過電壓，造成轉(zhuǎn)子絕緣擊穿，所以必須盡快對轉(zhuǎn)子電感進(jìn)行滅磁，對于可控硅整流勵磁系統(tǒng)，因發(fā)電機(jī)斷路的非全相或非同期合閘等原因會使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行，在這兩種運(yùn)行狀況下，轉(zhuǎn)子繞組中將產(chǎn)生劇烈的過電壓，由于此時電網(wǎng)和勵磁電源的能量均能傳到轉(zhuǎn)子繞組中，能量運(yùn)超過滅磁裝置的滅磁能量，當(dāng)滅磁裝置中的熔斷器全部熔斷時，轉(zhuǎn)子繞組開路，此時轉(zhuǎn)子繞組相當(dāng)于恒流源，產(chǎn)生的過電壓將會擊穿轉(zhuǎn)子繞組的絕緣，造成機(jī)組設(shè)備的損壞。
[0004]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)裝置，它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電業(yè)保護(hù)動作快，可避免轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的放置繞組絕緣擊穿事故飛發(fā)生。
[0006]為了解決【背景技術(shù)】中所存在的問題，本發(fā)明是采用以下技術(shù)方案:它包括滅磁開關(guān)FMK、尖峰過電壓吸收器SPA、非線性電阻FR、可控制硅觸發(fā)器CF、可控硅KPT、二極管D、電流互感器CT、線性電阻Rl和R2，所述的滅磁開關(guān)FMK —端與尖峰過電壓吸收器SPA —端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻Rl —端、線性電阻R2 —端和非線性電阻FR —端線性電阻Rl另一端與非線性電阻FR另一端并聯(lián)后接二極管D —端和可控硅KPT —端，線性電阻R2另一端接可控硅觸發(fā)器CF，可控硅觸發(fā)器CF在分別接客控硅KPT另一端。二極管D另一端及電流互感器CT 一端，電流互感器CT另一端與尖峰過電壓吸收器SPA另一端連接后接轉(zhuǎn)子繞組。
[0007]當(dāng)發(fā)電機(jī)斷路器因非全相或非同期合閘等原因會使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異步運(yùn)行時，會產(chǎn)生劇烈的正向過電壓，線性電阻R2和可控硅觸發(fā)器CF組成的過電壓測量回路將運(yùn)作，發(fā)出觸發(fā)脈沖，可控硅KPT導(dǎo)通，非線性電阻FR進(jìn)入工作狀態(tài)，限制發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的過電壓，保護(hù)轉(zhuǎn)子繞組不受損害，當(dāng)產(chǎn)生方向過電壓時，二極管D支路進(jìn)入工作狀態(tài)，與此同時，線性電阻R也參與工作，使轉(zhuǎn)子過壓被限制在允許范圍內(nèi)，保障轉(zhuǎn)子不受損害，從而確保了發(fā)電機(jī)組的安全。
[0008]本發(fā)明它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電業(yè)保護(hù)動作快，對于發(fā)電機(jī)組全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行時產(chǎn)生正反向過電壓，均可有效的控制，使過壓值在允許范圍內(nèi)，從而避免了轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的防止了轉(zhuǎn)子繞組絕緣擊穿事故的發(fā)生，保護(hù)了轉(zhuǎn)子繞組的運(yùn)行安全。
[0009]
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的電氣原理圖。
[0011]
【具體實施方式】
[0012]參見圖1，一種發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過壓保護(hù)裝置，它包括滅磁開關(guān)FMK、尖峰過電壓吸收器SPA、非線性電阻FR、可控制硅觸發(fā)器CF、可控硅KPT、二極管D、電流互感器CT、線性電阻Rl和R2，所述的滅磁開關(guān)FMK —端與尖峰過電壓吸收器SPA —端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻Rl —端、線性電阻R2 —端和非線性電阻FR —端線性電阻Rl另一端與非線性電阻FR另一端并聯(lián)后接二極管D —端和可控硅KPT —端，線性電阻R2另一端接可控硅觸發(fā)器CF，可控硅觸發(fā)器CF在分別接客控硅KPT另一端。二極管D另一端及電流互感器CT 一端，電流互感器CT另一端與尖峰過電壓吸收器SPA另一端連接后接轉(zhuǎn)子繞組LQ。
[0013]當(dāng)發(fā)電機(jī)斷路器因非全相或非同期合閘等原因會使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異步運(yùn)行時，會產(chǎn)生劇烈的正向過電壓，線性電阻R2和可控硅觸發(fā)器CF組成的過電壓測量回路將運(yùn)作，發(fā)出觸發(fā)脈沖，可控硅KPT導(dǎo)通，非線性電阻FR進(jìn)入工作狀態(tài)，限制發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的過電壓，保護(hù)轉(zhuǎn)子繞組不受損害，當(dāng)產(chǎn)生方向過電壓時，二極管D支路進(jìn)入工作狀態(tài)，與此同時，線性電阻R也參與工作，使轉(zhuǎn)子過壓被限制在允許范圍內(nèi)，保障轉(zhuǎn)子不受損害，從而確保了發(fā)電機(jī)組的安全。
[0014]本發(fā)明它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電業(yè)保護(hù)動作快，對于發(fā)電機(jī)組全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行時產(chǎn)生正反向過電壓，均可有效的控制，使過壓值在允許范圍內(nèi)，從而避免了轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的防止了轉(zhuǎn)子繞組絕緣擊穿事故的發(fā)生，保護(hù)了轉(zhuǎn)子繞組的運(yùn)行安全。
【主權(quán)項】
1.發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)裝置，其特征在于:它包括它包括滅磁開關(guān)(FMK)、尖峰過電壓吸收器(SPA)、非線性電阻(FR)、可控制硅觸發(fā)器(CF)、可控硅KPT、二極管(D)、電流互感器(CO、線性電阻(Rl)和(R2)，所述的滅磁開關(guān)(FMK)—端與尖峰過電壓吸收器(SPA) 一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻(Rl) —端、線性電阻(R2) —端和非線性電阻(FR)—端線性電阻(Rl)另一端與非線性電阻(FR)另一端并聯(lián)后接二極管(D) —端和可控硅(KPT) —端，線性電阻(R2)另一端接可控硅觸發(fā)器(CF)，可控硅觸發(fā)器(CF)在分別接客控硅(KPT)另一端；二極管(D)另一端及電流互感器(CT) 一端，電流互感器(CT)另一端與尖峰過電壓吸收器(SPA)另一端連接后接轉(zhuǎn)子繞組(LQ)。
【專利摘要】發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)裝置，它涉及一種可控硅整流勵磁系統(tǒng)的過電壓保護(hù)裝置。它包括滅磁開關(guān)、尖峰過電壓吸收器、非線性電阻、可控硅觸發(fā)器、可控硅、二極管、電流互感器、線性電阻和，所述的滅磁開關(guān)一端與尖峰過電壓吸收器一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻一端、線性電阻一端和非線性電阻一端，線性電阻另一端與非線性電阻另一端并聯(lián)后接二極管一端和可控硅一端，線性電阻另一端接可控硅觸發(fā)器，可控硅觸發(fā)器再分別接可控硅另一端、二極管另一端及電流互感器一端，電流互感器另一端與尖峰過電壓吸收器另一端連接后接轉(zhuǎn)子繞組。本發(fā)明不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電壓保護(hù)動作快，可避免轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的防止轉(zhuǎn)子繞組絕緣擊穿事故的發(fā)生。
【IPC分類】H02H7/06, H02H9/04
【公開號】CN105098715
【申請?zhí)枴緾N201410656328
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】蕪湖藍(lán)宙電子科技有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2014年11月18日