與開關(guān)管S 4的漏極相連，
[0075]二極管02的負(fù)極與二極管D 3的正極相連，
[0076]二極管隊(duì)的正極與開關(guān)管S 5的漏極相連，
[0077]二極管06的負(fù)極與二極管D 3的正極相連。
[0078]本發(fā)明所述電路中，電容C3、C2、C1,串聯(lián)構(gòu)成電路拓?fù)涞目v軸，并與輸入電源V并聯(lián)，電路中包括開關(guān)管Sp S2, S3, S4, S5, S6,電路中還設(shè)有Csl、Cs2、Cs3作為吸收電路。
[0079]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，Csl, Cs2, Cs3為無極性的薄膜電容。
[0080]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，電容C3、C2、C1為電解電容。
[0081 ] 在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，Csl、Cs2, Cs3的電容容值很小，遠(yuǎn)小于輸出電容C:、C2、C3。
[0082]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，開關(guān)管S1' S2, S3, S4, S5, S6均為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
[0083]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，當(dāng)頻率要求不高，電流要求較大時(shí)，開關(guān)管S:、S2, S3,S4、S5、S6均為 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣棚.雙極型晶體管)。
[0084]如圖2?10所示，電路工作原理如下:
[0085]1、開關(guān)管S4，S5，56保持開通，其余關(guān)斷。輸入電源V給電容C C3充電。電容C1通過二極管D 2、D3，MOSFET開關(guān)管S4，S5, S6和電感La給負(fù)載R l供電。C sl通過二極管D ^D2、D3，MOSFET開關(guān)管S4，S5, S6和電感La給將能量反饋給負(fù)載RL供電。如圖2所示。
[0086]2、開關(guān)管S4關(guān)斷。輸入電源V給電容C C3充電。電容C1通過二極管D2、D3、D4, MOSFET開關(guān)管S5，S6和電感La給負(fù)載Rl供電，并向Csl充電，通過Csl來吸收S4關(guān)斷所產(chǎn)生的尖峰電壓。由于Csl容值很小，很快充完電，然后從電路中斷開。如圖3所示。
[0087]3、輸入電源V給電容C3充電。電感La通過開關(guān)管S 6、二極管D3、D6給負(fù)載Rl供電。如圖4所示。
[0088]4、開關(guān)管S3開通。輸入電源V給電容C pCpQ充電。電容C2通過二極管D3、D5，MOSFET開關(guān)管S3，S5, S6和電感La給負(fù)載R L供電。C s2通過二極管D 3、D5、D7，MOSFET開關(guān)管S3, S5, S6和電感La將部分能量反饋給電感La和負(fù)載Rl供電。如圖5所示。
[0089]5、開關(guān)管S3關(guān)斷。輸入電源V給電容C pCpQ充電。電容C2通過二極管D3、D5、D8, MOSFET開關(guān)管S5，S6和電感La給負(fù)載Rl供電，并向Cs2充電，通過Cs2來吸收S3關(guān)斷所產(chǎn)生的尖峰電壓。由于Cs2容值很小，很快充完電，然后從電路中斷開。如圖6所示。
[0090]6、開關(guān)管S5關(guān)斷，輸入電源V給電容C PQC3充電。電感La通過開關(guān)管S6、二極管D3、D6給負(fù)載R L供電。如圖7所示。
[0091]7、開關(guān)管Sp S2開通。輸入電源V給電容C pCpQ充電。電容C3通過二極管D6,MOSFET開關(guān)管S1, S2, S3, SjP電感L A給負(fù)載R l供電。C s3通過二極管D 6、D9, MOSFET開關(guān)管S1, S2, S3、S6和電感La將部分能量反饋給電感La和負(fù)載Rj共電。如圖8所示。
[0092]8、開關(guān)管Sp S2關(guān)斷。輸入電源V給電容C pCpQ充電。電容C3通過二極管D 6、D10, MOSFET開關(guān)管S3，S6和電感La給負(fù)載R L供電，并向C s3充電，通過C s3來吸收開關(guān)管S ^S2關(guān)斷所產(chǎn)生的尖峰電壓。由于Cs3容值很小，很快充完電，然后從電路中斷開。如圖9所不O
[0093]9、開關(guān)管S3關(guān)斷，輸入電源V給電容C PQC3充電。電感La通過開關(guān)管S6、二極管隊(duì)、D6給負(fù)載R J共電。如圖10所示。之后繼續(xù)步驟1-9的循環(huán)。
[0094]本說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改進(jìn)型L-Buck四電平電路，其特征在于，包括: 電容C3、C2、C1,串聯(lián)構(gòu)成電路拓?fù)涞目v軸，并與輸入電源V并聯(lián)， 開關(guān)管S1的漏極與輸入電源V的正極相連， 開關(guān)管源極與開關(guān)管S 2的漏極相連， 開關(guān)管S2的源極與電感La的一端相連，電感L八的另一端與負(fù)載R 的一端相連， 負(fù)載&的另一端與開關(guān)管S 6的漏極相連， 開關(guān)管S6的源極與開關(guān)管S 5的漏極相連， 開關(guān)管S5的源極與開關(guān)管S 4的漏極相連， 開關(guān)管S4的源極與輸入電源V的負(fù)極相連， 開關(guān)管&的漏極與電容C 3、(:2的公共端相連， 開關(guān)管&的源極與二極管D 3的正極相連， 二極管03的負(fù)極與電感L A的一端相連， 電容Cs3的一端與輸入電源V的正極相連，另一端分別與二極管D 9的負(fù)極、二極管D 10的正極相連， 二極管D1。的負(fù)極與二極管D 3的負(fù)極相連， 二極管D9的正極與電容C 3、(:2的公共端相連， 電容Cs2的一端與電容C 3、(:2的公共端相連，另一端分別與二極管D 7的負(fù)極、二極管D 8的正極相連， 二極管07的正極與電容C 2、C1的公共端相連， 二極管08的負(fù)極與二極管D 3的正極相連， 電容Csl的一端與輸入電源V的正極相連，另一端分別與二極管D 4的負(fù)極、二極管D:的正極相連， 二極管04的正極與開關(guān)管S 4的漏極相連， 二極管D1的負(fù)極分別與二極管D 5的負(fù)極、二極管D 2的正極相連， 二極管05的正極與開關(guān)管S 4的漏極相連， 二極管02的負(fù)極與二極管D 3的正極相連， 二極管06的正極與開關(guān)管S 5的漏極相連， 二極管06的負(fù)極與二極管D 3的正極相連。2.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型L-Buck四電平電路，其特征在于:Csl、Cs2、Cs3為無極性的薄膜電容。3.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型L-Buck四電平電路，其特征在于:電容CJ2X1為電解電容。4.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型L-Buck四電平電路，其特征在于:Csl、Cs2、Cs3的電容容值很小，遠(yuǎn)小于輸出電容Q、C2、C3。5.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型L-Buck四電平電路，其特征在于:開關(guān)管S1、S2, S3, S4,S5、S6均為 MOSFET。6.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型L-Buck四電平電路，其特征在于:當(dāng)頻率要求不高，電流要求較大時(shí)，開關(guān)管Sp S2, S3, S4, S5, S6均為IGBT。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種改進(jìn)型L-Buck四電平電路，電容C3、C2、C1，串聯(lián)構(gòu)成電路拓?fù)涞目v軸，并與輸入電源V并聯(lián)，電路中包括開關(guān)管S1、S2、S3、S4、S5、S6，電路中還設(shè)有Cs1、Cs2、Cs3作為吸收電路。本發(fā)明所述的改進(jìn)型L-Buck四電平電路，對(duì)原有的帶吸收的L型四電平Buck電路進(jìn)行了改進(jìn)，使部分器件相結(jié)合起來形成全新電路，省卻了部分材料，降低了成本，但不影響實(shí)際的吸收效果和工作性能。
【IPC分類】H02M3/155
【公開號(hào)】CN105226942
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510690787
【發(fā)明人】賀明智, 何 雄, 趙與輝, 董寧, 李志君, 李金芝, 鄭瓊林, 王藝新, 李連印, 楊曉峰
【申請(qǐng)人】北京京儀椿樹整流器有限責(zé)任公司, 北京交通大學(xué)
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月22日