防反灌保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種防反灌保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]防反灌保護(hù)電路常被用于防止輸出端電流反灌損壞電源，現(xiàn)有技術(shù)中的直流輸出防反灌控制電路通過(guò)一只二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)防反灌，電路如圖1，交流電流源通過(guò)整流橋BR1將交流電整流為直流電，整流橋BR1的直流正極和C2正極相連，直流負(fù)極和C2負(fù)極相連，利用C2進(jìn)行儲(chǔ)能和濾波。直流正極和二極管D1的正極相連，二極管D1的負(fù)極和直流輸出正極相連。而直流輸出負(fù)極直接和C2的負(fù)極相連。由于二極管D1只能單向流過(guò)電流，即輸出電流只能從C2正極，流過(guò)D1正極，再流過(guò)D1負(fù)極，再流至直流輸出正極，經(jīng)過(guò)用電設(shè)備后，流至直流輸出負(fù)極，形成回路。即，輸出回路中串聯(lián)一只二極管，就可以防止電流反灌。
[0003]然而，在輸出電流較大時(shí)，二極管D1上的損耗功率較大，比如，輸出5A時(shí)，假設(shè)二極管D1壓降0.4V，那么二極管上D1的損失功率是5AX0.4V = 2W。導(dǎo)致的后果是二極管熱功耗大，散熱困難。如何提供一種低功耗的防反灌控制電路對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是急需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種防反灌保護(hù)電路，以改善現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管實(shí)現(xiàn)防反灌時(shí)功耗大及散熱困難的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種防反灌保護(hù)電路，其電性連接于一輸入電路和一輸出電路之間。該防反灌保護(hù)電路包括:參考電壓提供電路、電壓比較電路及防反灌控制電路。所述電壓比較電路包括電流檢測(cè)電阻。所述參考電壓提供電路的輸出端與所述電壓比較電路的第一輸入端連接。所述輸入電路的負(fù)極經(jīng)由所述電流檢測(cè)電阻與所述輸出電路負(fù)極連接，所述電流檢測(cè)電阻上形成回饋電壓作用于所述電壓比較電路的第二輸入端。所述防反灌控制電路包括一 P溝道M0SFET、第一電阻、第一穩(wěn)壓管及三極管。所述P溝道M0SFET的漏極與所述輸入電路正極連接，所述P溝道M0SFET的源極與所述輸出電路的正極連接。所述第一穩(wěn)壓管連接于所述P溝道M0SFET的源極與所述P溝道M0SFET的柵極之間，所述第一穩(wěn)壓管的正極與所述P溝道M0SFET的柵極連接，所述第一電阻與所述第一穩(wěn)壓管并聯(lián)。所述P溝道M0SFET的柵極經(jīng)由所述三極管接地，所述電壓比較電路的輸出端與所述三極管的基極連接。所述電壓比較電路對(duì)所述參考電壓及所述回饋電壓進(jìn)行比較，通過(guò)所述電壓比較電路的輸出端控制所述P溝道M0SFET工作狀態(tài)，防止反灌電流從所述輸出電路進(jìn)入所述輸入電路。
[0006]進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中所述參考電壓提供電路包括一穩(wěn)壓元件、第七電阻及第八電阻。所述穩(wěn)壓元件的經(jīng)由串聯(lián)連接的第七電阻及第八電阻接地，所述電壓比較電路的第一輸入端電性連接于第七電阻及第八電阻之間，所述穩(wěn)壓元件為所述電壓比較電路提供所述參考電壓。
[0007]進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中所述穩(wěn)壓元件為一可控精密穩(wěn)壓源，所述參考電壓提供電路還包括第五電阻。所述可控精密穩(wěn)壓源的陽(yáng)極接地，所述可控精密穩(wěn)壓源的參考極與所述可控精密穩(wěn)壓源的陰極連接，所述可控精密穩(wěn)壓源的陰極經(jīng)由所述第五電阻與所述輸入電路連接。所述可控精密穩(wěn)壓源的參考極經(jīng)由串聯(lián)連接的第七電阻及第八電阻接地，所述電壓比較電路的第一輸入端電性連接于第七電阻及第八電阻之間。
[0008]進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中所述電壓比較電路還包括一電壓比較器、第三電阻、第六電阻及第四電容。所述電壓比較器的第一輸入引腳構(gòu)成所述電壓比較器的第一輸入端。所述電壓比較器的第二輸入引腳與所述第六電阻連接構(gòu)成所述電壓比較電路的第二輸入端。所述電壓比較器的輸出引腳構(gòu)成所述電壓比較電路的輸出端。所述電壓比較器的輸出引腳與所述第二輸入引腳之間連接所述第三電阻，所述電壓比較器的第二輸入引腳還經(jīng)由所述第六電阻和所述電流檢測(cè)電阻接地，所述電壓比較器的輸出引腳經(jīng)由所述第三電阻與所述第四電容接地。
[0009]進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中所述防反灌控制電路還包括第二電阻、第四電阻及第三電容。所述P溝道M0SFET的柵極經(jīng)由所述第二電阻與所述三極管接地，所述第四電阻一端經(jīng)由所述第三電容接地，所述第四電阻的另一端與所述電壓比較電路的輸出端連接。所述三極管的基極連接于所述第四電阻與所述第三電容之間。
[0010]進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中，所述三極管為NPN三極管，所述電壓比較電路的第一輸入端為異相輸入端，所述電壓比較電路第二輸入端為同相輸入端。
[0011]進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中，所述三極管為PNP三極管，所述電壓比較電路的第一輸入端為同相輸入端，所述電壓比較電路第二輸入端為異相輸入端。進(jìn)一步地，上述防反灌保護(hù)電路中所述輸入電路包括交流電流源、整流電路及濾波電路，所述輸出電路包括外接設(shè)備。所述交流電流源與所述整流電路連接，所述整流電路與所述濾波電路連接，所述輸入電路的正極為所述整流電路的直流正極，所述輸入電路的負(fù)極為所述整流電路的直流負(fù)極，所述輸出電路的正極為所述外接設(shè)備的正極，所述輸出電路的負(fù)極為所述外接設(shè)備的負(fù)極。
[0012]相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，一種防反灌保護(hù)電路，其電性連接于一輸入電路和一輸出電路之間。該防反灌保護(hù)電路包括:參考電壓提供電路、電壓比較電路及防反灌控制電路。所述電壓比較電路包括電流檢測(cè)電阻。所述參考電壓提供電路的輸出端與所述電壓比較電路的第一輸入端連接。所述輸入電路的負(fù)極經(jīng)由所述電流檢測(cè)電阻與所述輸出電路負(fù)極連接，所述電流檢測(cè)電阻上形成回饋電壓作用于所述電壓比較電路的第二輸入端。所述防反灌控制電路包括一 P溝道M0SFET、第一電阻、第一穩(wěn)壓管及三極管。所述P溝道M0SFET的漏極與所述輸入電路正極連接，所述P溝道M0SFET的源極與所述輸出電路的正極連接。所述第一穩(wěn)壓管連接于所述P溝道M0SFET的源極與所述P溝道M0SFET的柵極之間，所述第一穩(wěn)壓管的正極與所述P溝道M0SFET的柵極連接，所述第一電阻與所述第一穩(wěn)壓管并聯(lián)。所述P溝道M0SFET的柵極經(jīng)由所述三極管接地，所述電壓比較電路的輸出端與所述三極管的基極連接。所述電壓比較電路對(duì)所述參考電壓及所述回饋電壓進(jìn)行比較，通過(guò)所述電壓比較電路的輸出端控制所述P溝道M0SFET工作狀態(tài)，防止反灌電流從所述輸出電路進(jìn)入所述輸入電路。上述防反灌保護(hù)電路的能耗主要由所述P溝道M0SFET和所述電流檢測(cè)電阻產(chǎn)生，由于所述P溝道M0SFET的寄生電阻及所述電流檢測(cè)電阻阻值很小，故，在所述P溝道M0SFET的寄生電阻及所述電流檢測(cè)電阻上產(chǎn)生的熱功耗很小，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)采用二極管實(shí)現(xiàn)反防罐大大降低了熱功耗。有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管實(shí)現(xiàn)反防罐時(shí)功耗大及散熱困難的技術(shù)問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是現(xiàn)有