一種防浪涌電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種防浪涌電路。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)常使用的NTC抑制浪涌電流電路由于其簡(jiǎn)單得到廣泛的應(yīng)用，其電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，可是由于其功耗以及熱機(jī)無(wú)抑制浪涌作用使得在很多應(yīng)用中效果不理想。隨著現(xiàn)在電子產(chǎn)品對(duì)浪涌電流要求越來(lái)越高，這種結(jié)構(gòu)的電路已不能滿足要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的是現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，旨在提供一種改進(jìn)型的防浪涌電路，既能夠更有效地降低浪涌電流，大大減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊，同時(shí)功耗低，且不會(huì)產(chǎn)生熱機(jī)無(wú)抑制浪涌作用。
[0004]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種防浪涌電路，包括大功率電阻RU MOS管QU電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZDU電容Cl、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BDl和保險(xiǎn)絲F1，其特征在于所述的電容Cl的一端接電解電容ECl的正極、電阻R4的一端和橋堆BDl的正極，電容Cl的另一端、電解電容ECl的負(fù)極、MOS管Ql的漏極和電阻Rl的一端接地，電阻Rl的另一端接橋堆BDl的負(fù)極、MOS管Ql源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZDl的陽(yáng)極、電容C3的一端和電阻R3的一端，電容C2的另一端接MOS管Ql的柵極、穩(wěn)壓管ZDl的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。
[0005]本發(fā)明的一種防浪涌電路，在啟動(dòng)的時(shí)候，由于電解電容ECl和電容Cl上電壓為O，MOS管Ql關(guān)斷，輸入電壓通過(guò)大功率電阻Rl給電解電容ECl和電容Cl充電，所以電流由電阻Rl決定，電阻Rl阻值越大，浪涌電流就越小，當(dāng)電解電容ECl上的電壓達(dá)到某一個(gè)值時(shí)，MOS管Ql柵極電壓達(dá)到MOS管的閾值電壓時(shí)，MOS管Ql開(kāi)啟，短路電阻R1，啟動(dòng)完成，由于MOS管Ql導(dǎo)通后，MOS管Ql的DS之間電壓非常小，損耗非常低。電容C2、電容C3可以用來(lái)調(diào)節(jié)MOS管Ql柵極電壓的上升時(shí)間，控制MOS管Ql的開(kāi)通時(shí)間，穩(wěn)壓管ZDl可以用來(lái)保護(hù)MOS管Ql柵極電壓不超過(guò)其限值。由于電阻Rl的存在，使得浪涌電流可以做的很小，而由于MOS管Ql的存在，使得整個(gè)電子產(chǎn)品在正常工作的時(shí)候，效率不受影響。
[0006]本發(fā)明還要提供另一種結(jié)構(gòu)的防浪涌電路，包括大功率電阻Rl、MOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容Cl、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1、保險(xiǎn)絲F1、二極管D1、三極管Q2及電阻R5，其特征在于所述的電容Cl的一端接電解電容ECl的正極、電阻R4的一端和橋堆BDl的正極，電容Cl的另一端、電解電容ECl的負(fù)極、MOS管Ql的漏極和電阻Rl的一端接地，電阻Rl的另一端接橋堆BDl的負(fù)極、MOS管Ql源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZDl的陽(yáng)極、電容C3的一端、電阻R3的一端和電阻R5的一端，電容C2的另一端接MOS管Ql的柵極、穩(wěn)壓管ZDl的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接二極管Dl的陰極和三極管Q2的源極，三極管Q2的基極接電阻R5的另一端，三極管Q2的集電極接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。
[0007]本技術(shù)方案是在前一技術(shù)方案基礎(chǔ)上作的改進(jìn)，增加了一個(gè)由二極管Dl、三極管Q2及電阻R5構(gòu)成的柵極泄放電路，其主要作用在于關(guān)斷的時(shí)候用來(lái)泄放MOS管Ql柵極的電壓，當(dāng)關(guān)斷輸入電壓，三極管Q2基極電壓先下降，導(dǎo)致三極管Q2導(dǎo)通，MOS管Ql柵極電壓通過(guò)三極管Q2快速放電，三極管Q2快速關(guān)斷，當(dāng)開(kāi)通輸入電壓的時(shí)候，輸入還是得通過(guò)電阻Rl給電解電容ECl和電容Cl充電，所以通過(guò)這個(gè)電路可以更好的實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)機(jī)，而由于MOS管Ql的存在，使得整個(gè)電子產(chǎn)品在正常工作的時(shí)候，效率不受影響，就是快速開(kāi)關(guān)機(jī)以及熱機(jī)開(kāi)關(guān)機(jī)，浪涌電流一樣都能得到抑制，從而大大減少電子產(chǎn)品對(duì)電網(wǎng)的沖擊。
【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0009]圖1是現(xiàn)有NTC抑制浪涌電流電路的電路圖。
[0010]圖2是本發(fā)明防浪涌電路的一種電路結(jié)構(gòu)圖。
[0011]圖3是本發(fā)明防浪涌電路的另一種電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]圖1為現(xiàn)有的NTC抑制浪涌電流電路，其缺陷前面已經(jīng)描述過(guò)了，在此不再贅述。
[0013]參照?qǐng)D2，本發(fā)明的一種防浪涌電路，包括大功率電阻RUMOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容Cl、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BDl和保險(xiǎn)絲F1，所述的電容Cl的一端接電解電容ECl的正極、電阻R4的一端和橋堆BDl的正極，電容Cl的另一端、電解電容ECl的負(fù)極、MOS管Ql的漏極和電阻Rl的一端接地，電阻Rl的另一端接橋堆BDl的負(fù)極、MOS管Ql源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZDl的陽(yáng)極、電容C3的一端和電阻R3的一端，電容C2的另一端接MOS管Ql的柵極、穩(wěn)壓管ZDl的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。
[0014]本發(fā)明的一種防浪涌電路，其工作原理如下:在啟動(dòng)的時(shí)候，由于電解電容ECl和電容Cl上電壓為O，MOS管Ql關(guān)斷，輸入電壓通過(guò)大功率電阻Rl給電解電容ECl和電容Cl充電，所以電流由電阻Rl決定，電阻Rl阻值越大，浪涌電流就越小，當(dāng)電解電容ECl上的電壓達(dá)到某一個(gè)值時(shí)，MOS管Ql柵極電壓達(dá)到MOS管的閾值電壓時(shí)，MOS管Ql開(kāi)啟，短路電阻R1，啟動(dòng)完成，由于MOS管Ql導(dǎo)通后，MOS管Ql的DS之間電壓非常小，損耗非常低。電容C2、電容C3可以用來(lái)調(diào)節(jié)MOS管Ql柵極電壓的上升時(shí)間，控制MOS管Ql的開(kāi)通時(shí)間，穩(wěn)壓管ZDl可以用來(lái)保護(hù)MOS管Ql柵極電壓不超過(guò)其限值。由于電阻Rl的存在，使得浪涌電流可以做的很小，而由于MOS管Ql的存在，使得整個(gè)電子產(chǎn)品在正常工作的時(shí)候，效率不受影響。
[0015]參照?qǐng)D3，本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)的防浪涌電路，包括大功率電阻RUMOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容Cl、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1、保險(xiǎn)絲F1、二極管D1、三極管Q2及電阻R5，所述的電容Cl的一端接電解電容ECl的正極、電阻R4的一端和橋堆BDl的正極，電容Cl的另一端、電解電容ECl的負(fù)極、MOS管Ql的漏極和電阻Rl的一端接地，電阻Rl的另一端接橋堆BDl的負(fù)極、MOS管Ql源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZDl的陽(yáng)極、電容C3的一端、電阻R3的一端和電阻R5的一端，電容C2的另一端接MOS管Ql的柵極、穩(wěn)壓管ZDl的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接二極管Dl的陰極和三極管Q2的源極，三極管Q2的基極接電阻R5的另一端，三極管Q2的集電極接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。
[0016]本實(shí)施方式是在圖2實(shí)施方式基礎(chǔ)上的改進(jìn)，增加了一個(gè)由二極管D1、三極管Q2及電阻R5構(gòu)成的柵極泄放電路，其主要作用在于關(guān)斷的時(shí)候用來(lái)泄放MOS管Ql柵極的電壓，當(dāng)關(guān)斷輸入電壓，三極管Q2基極電壓先下降，導(dǎo)致三極管Q2導(dǎo)通，MOS管Ql柵極電壓通過(guò)三極管Q2快速放電，三極管Q2快速關(guān)斷，當(dāng)開(kāi)通輸入電壓的時(shí)候，輸入還是得通過(guò)電阻Rl給電解電容ECl和電容Cl充電，所以通過(guò)這個(gè)電路可以更好的實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)機(jī)，而由于MOS管Ql的存在，使得整個(gè)電子產(chǎn)品在正常工作的時(shí)候，效率不受影響，就是快速開(kāi)關(guān)機(jī)以及熱機(jī)開(kāi)關(guān)機(jī)，浪涌電流一樣都能得到抑制，從而大大減少電子產(chǎn)品對(duì)電網(wǎng)的沖擊。
[0017]應(yīng)該理解到的是:上述實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制，任何不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種防浪涌電路，包括大功率電阻Rl、MOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容C1、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1和保險(xiǎn)絲F1，其特征在于所述的電容C1的一端接電解電容EC1的正極、電阻R4的一端和橋堆BD1的正極，電容C1的另一端、電解電容EC1的負(fù)極、MOS管Q1的漏極和電阻R1的一端接地，電阻R1的另一端接橋堆BD1的負(fù)極、MOS管Q1源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZD1的陽(yáng)極、電容C3的一端和電阻R3的一端，電容C2的另一端接MOS管Q1的柵極、穩(wěn)壓管ZD1的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。2.一種防浪涌電路，包括大功率電阻Rl、MOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容C1、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1、保險(xiǎn)絲F1、二極管D1、三極管Q2及電阻R5，其特征在于所述的電容C1的一端接電解電容EC1的正極、電阻R4的一端和橋堆BD1的正極，電容C1的另一端、電解電容EC1的負(fù)極、MOS管Q1的漏極和電阻R1的一端接地，電阻R1的另一端接橋堆BD1的負(fù)極、MOS管Q1源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZD1的陽(yáng)極、電容C3的一端、電阻R3的一端和電阻R5的一端，電容C2的另一端接MOS管Q1的柵極、穩(wěn)壓管ZD1的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接二極管D1的陰極和三極管Q2的源極，三極管Q2的基極接電阻R5的另一端，三極管Q2的集電極接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種防浪涌電路，包括大功率電阻R1、MOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容C1、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1和保險(xiǎn)絲F1，其特征在于所述的電容C1的一端接電解電容EC1的正極、電阻R4的一端和橋堆BD1的正極，電容C1的另一端、電解電容EC1的負(fù)極、MOS管Q1的漏極和電阻R1的一端接地，電阻R1的另一端接橋堆BD1的負(fù)極、MOS管Q1源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZD1的陽(yáng)極、電容C3的一端和電阻R3的一端，電容C2的另一端接MOS管Q1的柵極、穩(wěn)壓管ZD1的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。本發(fā)明在快速開(kāi)關(guān)機(jī)以及熱機(jī)開(kāi)關(guān)機(jī)，浪涌電流一樣都能得到抑制，從而大大減少電子產(chǎn)品對(duì)電網(wǎng)的沖擊。
【IPC分類】H02H9/04
【公開(kāi)號(hào)】CN105356437
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510737420
【發(fā)明人】熊洪亮, 吳海燕, 方潔苗
【申請(qǐng)人】浙江榆陽(yáng)電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月24日
【申請(qǐng)日】2015年11月4日