一種浪涌電流抑制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種抑制電路，特別是涉及一種浪涌電流抑制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]浪涌電流指電源接通瞬間，流入電源設(shè)備的峰值電流。由于輸入濾波電容迅速充電，所以該峰值電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。電源應(yīng)該限制AC開(kāi)關(guān)、整流橋、保險(xiǎn)絲、EMI濾波器件能承受的浪涌水平。反復(fù)開(kāi)關(guān)環(huán)路，AC輸入電壓不應(yīng)損壞電源或者導(dǎo)致保險(xiǎn)絲燒斷。浪涌電流也指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過(guò)載電流，因此浪涌電流需要進(jìn)行抑制才能確保電路的精準(zhǔn)性，目前常用的浪涌電流抑制電路大多使用電阻抑制或繼電器結(jié)構(gòu)，這些方式會(huì)產(chǎn)生較大的損耗或較大的體積，且電路復(fù)雜，因此有待于改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種浪涌電流抑制電路，已解決上述背景中提到的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種浪涌電流抑制電路，包括整流橋BD、電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，所述整流橋BD的端口 2連接電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，電阻R2的另一端連接電阻R3、電容C4、二極管ZD1的陰極、M0S管Q1的柵極好二極管ZD1的陰極，電阻R3的另一端連接電阻R1、電容C4的另一端、二極管ZD1的陽(yáng)極、M0S管Q1的源極和整流橋BD的端口 4，M0S管Q1的漏極連接電容C1的另一端、電阻R1的另一端和DC/DC轉(zhuǎn)換器，DC/DC轉(zhuǎn)換器還連接PWM芯片，PWM芯片還連接二極管D2的陽(yáng)極，二極管D2的陰極連接二極管ZD1的陽(yáng)極和電容C5，電容C5的另一端接地。
[0005]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案:所述整流BD的端口 1通過(guò)變壓器NF和保險(xiǎn)絲FUSE連接220V交流電。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):1，電路簡(jiǎn)單，2，拓寬M0SFET的應(yīng)用范圍(隨著M0SFET的技術(shù)發(fā)展，M0SFET的體積越來(lái)越小，為M0SFET)，3，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品體積小型化。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本發(fā)明的的電路圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)電阻型浪涌電流抑制電路的電路圖；
圖3為現(xiàn)有技術(shù)繼電器型浪涌電流抑制電路的電路圖；
圖4為本發(fā)明的工作時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0009]請(qǐng)參閱圖1~4，一種浪涌電流抑制電路，包括整流橋BD、電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，所述整流橋BD的端口 2連接電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，電阻R2的另一端連接電阻R3、電容C4、二極管ZD1的陰極、M0S管Q1的柵極好二極管ZD1的陰極，電阻R3的另一端連接電阻R1、電容C4的另一端、二極管ZD1的陽(yáng)極、M0S管Q1的源極和整流橋BD的端口 4，M0S管Q1的漏極連接電容C1的另一端、電阻R1的另一端和DC/DC轉(zhuǎn)換器，DC/DC轉(zhuǎn)換器還連接PWM芯片，PWM芯片還連接二極管D2的陽(yáng)極，二極管D2的陰極連接二極管ZD1的陽(yáng)極和電容C5，電容C5的另一端接地。
[0010]整流BD的端口 1通過(guò)變壓器NF和保險(xiǎn)絲FUSE連接220V交流電。
[0011]本發(fā)明的工作原理是:現(xiàn)有技術(shù)的原理及缺點(diǎn)如下:圖2是在電路中將橋堆BD的正極和電容C1正極之間串聯(lián)一個(gè)電阻R4，在上電的瞬間，橋堆整流后的高壓通過(guò)電阻R4給C1充電，這樣整個(gè)電路的電流值為:I=Vin/R4，從公式中可以看中，R4的阻值越大，瞬間產(chǎn)生的電流值就越小，這樣就抑制了浪涌電流的作用，此電路的缺點(diǎn)是電路正工作時(shí)，R4上有電流流過(guò)，所以產(chǎn)生較大的損耗。
[0012]圖3中是在圖2的原理改良而來(lái)，是在R4的2端并聯(lián)一個(gè)繼電器，當(dāng)電容C1上的電壓由0V通過(guò)R4充電至300V時(shí)，由檢測(cè)電路發(fā)出指令，驅(qū)動(dòng)繼電器的線圈開(kāi)始工作，將并聯(lián)在R4兩端的開(kāi)關(guān)閉合，這樣正常工作時(shí)在R4上就沒(méi)有損耗產(chǎn)生，但是此電路的缺點(diǎn)是:1，在產(chǎn)品工作時(shí)，需要持續(xù)地給繼電器供電，消耗能量。2，繼電器體積較大，占用產(chǎn)品較大的體積。3，外圍電路較為復(fù)雜。
[0013]本發(fā)明電路中的抑制浪涌電流的元器件是R1和圖2，圖3中的R4相同，不同是橋堆的正極和C1的正極相連結(jié)，負(fù)極是通過(guò)電阻R1連結(jié)到C1的負(fù)極，在R1的兩端并聯(lián)一個(gè)MOSFET，M0SFET的G極和電阻R2，R3串聯(lián)分壓相連結(jié)。在G極、S極并聯(lián)一個(gè)電容C4和一個(gè)穩(wěn)壓二極管(DZ1=12V)，在G極又連結(jié)一個(gè)穩(wěn)壓二極管DZ2至B點(diǎn)。PWM芯片的控制腳和B點(diǎn)之間串聯(lián)一個(gè)二極管，此控制方式為高電平PMW芯片工作，低電平PWM芯片不工作。電容C5起到軟啟動(dòng)的作用。
[0014]t0時(shí)刻，產(chǎn)品接通220VAC交流電，通過(guò)橋堆BD整流后成300VDC直流后，通過(guò)R1給C1充電，同時(shí)R2和R3分壓得到一個(gè)電壓給C4充電，到tl時(shí)刻，A點(diǎn)的電壓達(dá)到DZ2值時(shí)，此時(shí)MOSFET的G極電壓達(dá)到開(kāi)通MOSFET的要求，MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通，將R1兩端短路，這樣就避開(kāi)了瞬間浪涌電流的產(chǎn)生，此時(shí)后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器還未達(dá)到工作的條件，通過(guò)DZ2的漏電流給C5充電，t2時(shí)刻，C5的電壓充至高電平=VD5+Vcotrol時(shí)，PWM芯片開(kāi)始工作，驅(qū)動(dòng)DC/DC轉(zhuǎn)換器開(kāi)始工作。具體時(shí)序詳細(xì)見(jiàn)下圖4。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種浪涌電流抑制電路，包括整流橋BD、電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述整流橋BD的端口 2連接電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，電阻R2的另一端連接電阻R3、電容C4、二極管ZD1的陰極、MOS管Q1的柵極好二極管ZD1的陰極，電阻R3的另一端連接電阻R1、電容C4的另一端、二極管ZD1的陽(yáng)極、MOS管Q1的源極和整流橋BD的端口 4，MOS管Q1的漏極連接電容C1的另一端、電阻R1的另一端和DC/DC轉(zhuǎn)換器，DC/DC轉(zhuǎn)換器還連接PWM芯片，PWM芯片還連接二極管D2的陽(yáng)極，二極管D2的陰極連接二極管ZD1的陽(yáng)極和電容C5，電容C5的另一端接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浪涌電流抑制電路，其特征在于，所述整流BD的端口1通過(guò)共模電感NF和保險(xiǎn)絲FUSE連接220V交流電。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種浪涌電流抑制電路，包括整流橋BD、電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，所述整流橋BD的端口2連接電阻R2、電容C1和DC/DC轉(zhuǎn)換器，電阻R2的另一端連接電阻R3、電容C4、二極管ZD1的陰極、MOS管Q1的柵極好二極管ZD1的陰極，電阻R3的另一端連接電阻R1、電容C4的另一端、二極管ZD1的陽(yáng)極、MOS管Q1的源極和整流橋BD的端口4。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：1，電路簡(jiǎn)單，2，拓寬MOSFET的應(yīng)用范圍（隨著MOSFET的技術(shù)發(fā)展，MOSFET的體積越來(lái)越小，為MOSFET的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大），3，實(shí)現(xiàn)整體產(chǎn)品體積的小型化。
【IPC分類(lèi)】H02H9/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105429120
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510811650
【發(fā)明人】王中于
【申請(qǐng)人】廣州中逸光電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年11月19日