用于可編程邏輯裝置的熱插拔操作的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于可編程邏輯裝置的熱插拔操作。提供技術(shù)以控制采用可編程邏輯裝置(PLD)的熱插拔操作。特別地，提供MOSFET以限制當(dāng)插入通道電源時(shí)由電子組件的電容性部件從電源吸取的突入電流。提供具有算法的控制器以基于在MOSFET處檢測到的突入電流而控制MOSFET。如此，建立反饋控制回路以基于檢測到的突入電流而選擇性地偏置MOSFET的柵極。算法可以基于MOSFET的安全操作區(qū)域(SOA)而限制突入電流。熱插拔過程可以包括多個(gè)階段，每個(gè)具有對SOA的電壓和電流建模的電壓和/或電流限制。在熱插拔過程期間算法可以在具有各自的電流和/或電壓限制的階段之間轉(zhuǎn)換。
【專利說明】
用于可編程還輯裝置的熱插拔操作
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明總體上設(shè)及電子裝置，并且更特別地設(shè)及采用運(yùn)些裝置、諸如邏輯裝置、混 合信號裝置和/或可編程邏輯裝置執(zhí)行的熱插拔操作。
【背景技術(shù)】
[0002] 可編程邏輯裝置（PLD)(例如現(xiàn)場可編程口陣列（FPGA)，復(fù)雜可編程邏輯裝置 (CPLD)，片上現(xiàn)場可編程系統(tǒng)(FPSC)，或其他類型電子裝置)可W實(shí)施作為通過插入通電電 源、諸如背板中而"熱插拔"的電子組件的一部分。通常，電子組件具有各種電容性部件，諸 如濾波器的陣列、旁路、W及保持電容器。當(dāng)插入電子組件時(shí)電容性部件的組合電容負(fù)載可 W類似于瞬時(shí)短路。如果遺留未檢查，則來自通電電源的突入電流可W損壞電子組件的某 些部件或者引起對連接在背板或電源處的其他裝置的供電中斷。
[0003] 通常，熱插拔裝置利用晶體管、諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) W 限制突入電流。特別地，在熱插拔期間，功率MOSFET的柵極從電源緩慢地充電增壓。功率 MOSFET用作固態(tài)開關(guān)W限制突入電流。然而，需要對MOSFET選擇和/或規(guī)劃大小W使得跨越 漏極至源極的最大電流和最大電壓不超過MOSFET的安全操作區(qū)域(SOA)。運(yùn)可W導(dǎo)致占據(jù) 空間并且更昂貴的過大的功率MOSFET。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的一方面公開了一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括：電子組件，具有電容性負(fù)載；晶體 管，配置用于選擇性地允許和限制從電源至電子組件的突入電流；電流感測裝置，配置用于 檢測來自電源的突入電流；W及熱插拔控制器，配置用于控制晶體管W基于由電流感測裝 置檢測到的突入電流而限制突入電流，W使得電子組件的電容性負(fù)載被逐漸地充電。
[0005] 本發(fā)明的另一方面公開了一種方法。該方法包括:檢測負(fù)載已經(jīng)被連接至電源;通 過初始電壓偏置禪合在電源和負(fù)載之間的晶體管W限制從電源至負(fù)載的突入電流;監(jiān)測負(fù) 載的負(fù)載電壓;確定負(fù)載電壓是否達(dá)到第一電壓跳變點(diǎn)；W及當(dāng)負(fù)載電壓達(dá)到第一電壓跳 變點(diǎn)時(shí)增大在晶體管處的電流限制。
[0006] 本發(fā)明的又一方面提供了一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括:處理器；W及存儲(chǔ)器，適用于存 儲(chǔ)多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀指令，多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀指令當(dāng)由處理器執(zhí)行時(shí)適用于使得系統(tǒng)執(zhí)行方 法，方法包括:接收與用于具有電容性負(fù)載的電子組件的熱插拔操作相關(guān)聯(lián)的參數(shù);基于參 數(shù)確定通過配置用于限制由電容性負(fù)載從電源吸取的突入電流的晶體管、采用電源對電子 組件的電容性負(fù)載充電所需的一個(gè)或多個(gè)階段；W及設(shè)置配置用于實(shí)施用于在電源處熱插 拔電子組件的一個(gè)或多個(gè)階段的熱插拔電路。
【附圖說明】
[0007] 圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的配置用于執(zhí)行熱插拔操作的電子組件的方框 圖。
[0008] 圖2示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的具有熱插拔電路部件的電子組件的方框圖。
[0009] 圖3示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于電子組件的熱插拔過程。
[0010] 圖4示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于電子組件的熱插拔設(shè)置過程。
[0011] 圖5示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于電子組件的熱插拔設(shè)置的用戶接口。
[0012]圖6是指示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的MOSFET的安全操作區(qū)域(SOA)的圖。
[OOK]圖7是指示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的MOSFET的SOA的表格。
[0014] 通過參照W下詳細(xì)說明書最佳地理解本發(fā)明的實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)該知曉的是相 同的附圖標(biāo)記用于標(biāo)識在一個(gè)或多個(gè)附圖中所示的相同元件。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 根據(jù)在此闡述的各個(gè)實(shí)施例，提供技術(shù)W實(shí)施在電子裝置、例如可編程邏輯裝置 (化D)或一般的其他可編程電子裝置中的熱插拔操作。特別地，提供MOSFETW限制當(dāng)化D插 入電源中時(shí)由化D的電容性負(fù)載從通電電源吸取的突入電流。提供控制器W基于在MOSFET 附近檢測到的突入電流而控制MOSFET。如此，建立反饋控制回路W基于檢測到的突入電流 而選擇性地偏置MOS陽T的柵極。
[0016] 在實(shí)施例中，熱插拔操作可W基于MOSFET的安全操作區(qū)域(SOA)而限制突入電流。 特別地，熱插拔操作可W包括多個(gè)階段，每一個(gè)具有對SOA的電壓和電流建模的電壓和/或 電流限制。熱插拔過程可W轉(zhuǎn)換通過具有各自電流和/或電壓限制的階段。當(dāng)在當(dāng)前階段達(dá) 到電壓限制時(shí)，熱插拔過程可W轉(zhuǎn)換至下一個(gè)階段。
[0017] 在實(shí)施例中，提供用戶接口 W設(shè)置熱插拔操作。用戶接口可W允許用戶輸入熱插 拔參數(shù)，諸如電源的電源電壓、電子組件的電容性負(fù)載、MOSFET的類型等。響應(yīng)于運(yùn)些輸入， 處理器可W基于熱插拔參數(shù)確定用于熱插拔操作的階段數(shù)、W及對于每個(gè)階段的電壓和/ 或電流限制。在完成了設(shè)計(jì)之后，處理器可W基于設(shè)計(jì)而配置硬件電路部件W實(shí)施熱插拔 操作。
[0018] 現(xiàn)在參照附圖，圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的電子組件190的方框圖。電子組 件190可W包括PLD 100(例如現(xiàn)場可編程口陣列(FPGA)、復(fù)雜可編程邏輯裝置(C化D)、片上 現(xiàn)場可編程系統(tǒng)(FPSC)或其他類型可編程裝置），通常包括輸入/輸出（I/O)塊102和邏輯塊 1〇4(例如也稱作可編程邏輯塊(PLB)、可編程功能單元(P即)、或可編程邏輯單元(PLC))。電 子組件190也包括在化D 100和電源背板160之間的熱插拔接口，諸如模擬感測和控制裝置 170。
[0019] 電源背板160可W是通電電源。當(dāng)電子組件190連接至或者插入至電源背板160時(shí)， 由電子組件190的電容性負(fù)載吸取的瞬時(shí)突入電流可W流入電子組件190中。電子組件190 可W實(shí)施熱插拔操作W限制突入電流W例如保護(hù)電子組件190的連接器免受過量電流W及 防止對連接至電源背板160的其他裝置的供電中斷。
[0020] 在化D 100中，I/O塊102為化D 100提供I/O功能（例如用于支持一個(gè)或多個(gè)I/O或 存儲(chǔ)器接口標(biāo)準(zhǔn)），而可編程邏輯塊104為化D 100提供邏輯功能（例如基于LUT的邏輯或基 于邏輯口陣列的邏輯）?？蒞由串行化器/解串器（SERDES)塊150和物理編碼子層(PCS)塊 152提供額外的I/O功能。PLD 100也包括硬知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核（IP)塊160W提供額外的功能（例 如在可W采用比邏輯塊104較少的編程而配置的硬件中所提供的基本上預(yù)定的功能）。
[0021] 如合適的，PLD 100也可W包括存儲(chǔ)器106的塊(例如邸PROM的塊，塊SRAM,和/或快 閃存儲(chǔ)器）、時(shí)鐘相關(guān)電路1〇8(例如時(shí)鐘源、PLL電路和/或DlX電路）、和/或各種路由資源 180(例如互連和合適的開關(guān)邏輯W提供用于遍布化D 100而路由信號的路徑，信號諸如用 于時(shí)鐘信號、數(shù)據(jù)信號等）。通常，PLD 100的各個(gè)元件可W用于執(zhí)行對于所需應(yīng)用而有意設(shè) 計(jì)的功能，如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的。
[0022] 例如，I/O塊102可W用于編程諸如存儲(chǔ)器106的化D 100、或者通過各種外部端口 而向/從化D 100傳輸信息（例如各種類型數(shù)據(jù)和/或控制信號），如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理 解的。I/O塊102可W提供第一編程端口（可W代表中央處理單元(CPU)端口，外圍數(shù)據(jù)端口， SPI接口，和/或系統(tǒng)配置編程端口）和/或諸如聯(lián)合測試動(dòng)作組(JTAG)端口的第二編程端口 (例如通過采用諸如電氣和電子工程師協(xié)會(huì)（I邸EH149.1或1532標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)）。如合適的， 通常例如可W包括I/O塊102W接收配置數(shù)據(jù)和命令(例如在一個(gè)或多個(gè)連接140上）W為了 其有意設(shè)計(jì)的用途而配置化D 100并且支持采串行或并行裝置配置和與SERDES塊150、PCS 塊152、硬IP塊160和/或邏輯塊104的信息傳輸。
[0023] 應(yīng)該理解的是，各個(gè)元件的數(shù)目和布置不是限定性的，并且可W取決于所需的應(yīng) 用。例如，對于所希望的應(yīng)用或設(shè)計(jì)規(guī)格可W無需各個(gè)元件(例如對于所選擇的可編程裝置 類型）。
[0024] 此外，應(yīng)該理解的是元件為了明晰而W方框形式示出并且各個(gè)元件通常應(yīng)該分布 遍布化D 100,諸如在邏輯塊104、硬IP塊160和路由資源180中和之間W執(zhí)行它們的常規(guī)功 能(例如存儲(chǔ)配置了化D 100的配置數(shù)據(jù)或者提供在PLD 100內(nèi)的互連結(jié)構(gòu)）。也應(yīng)該理解的 是在此所公開的各個(gè)實(shí)施例不限于可編程邏輯裝置，諸如化D 100,并且可W適用于各種其 他類型可編程裝置，如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的。
[00巧]外部系統(tǒng)130可W用于產(chǎn)生所希望的化D 100的用戶配置或設(shè)計(jì)并且產(chǎn)生對應(yīng)的 配置數(shù)據(jù)W編程(例如配置)PLD 100。例如，外部系統(tǒng)130可W提供該配置數(shù)據(jù)至一個(gè)或多 個(gè)I/O塊102、SE畑ES塊150、和/或化D 100的其他部分。結(jié)果，可W配置可編程邏輯塊104、路 由資源180、W及PLD 100的任何其他合適的部件W根據(jù)用戶指定的應(yīng)用而操作。
[0026] 在所示實(shí)施例中，外部系統(tǒng)130實(shí)施作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。在運(yùn)點(diǎn)上，外部系統(tǒng)130包括 例如一個(gè)或多個(gè)處理器132,其配置用于執(zhí)行提供在一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器134中和/或W非瞬 態(tài)形式存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非瞬態(tài)機(jī)器可讀介質(zhì)136(例如可W在系統(tǒng)130的內(nèi)部或外部）中 的指令、諸如軟件指令。例如，在一些實(shí)施例中，外部系統(tǒng)130可W運(yùn)行化D配置軟件，諸如可 W從俄勒岡州希爾斯伯勒的萊迪思半導(dǎo)體公司(Xattice Semiconductor Coloration)獲 得的Lattice Diamond System Planner軟件W允許用戶創(chuàng)建所希望的配置并且產(chǎn)生對應(yīng) 的配置數(shù)據(jù)W編程PLD 100。
[0027] 外部系統(tǒng)130也包括例如用于向用戶顯示信息的用戶接口 135(例如屏幕或顯示 器），W及用于接收用戶命令或設(shè)計(jì)條目W準(zhǔn)備PLD 100的所希望配置的一個(gè)或多個(gè)用戶輸 入裝置137(例如鍵盤、鼠標(biāo)、軌跡球、觸摸屏、和/或其他裝置）。
[0028] 圖2示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的具有熱插拔電路部件的電子組件的方框圖。作 為示例，電源背板160被示出為+12V電源。電子組件190的總電容性負(fù)載表示為電容器Cl。提 供MOSFET晶體管化W選擇性地限制來自+12V電源160的突入電流。當(dāng)電子組件190連接至或 者插入電源160時(shí)，電子組件190的電容性負(fù)載Cl可W表現(xiàn)為從電源160吸取突入電流的短 路。MOSFET晶體管化可W限制流入電子組件190中的突入電流。例如，可W偏置MOSFET晶體 管W調(diào)節(jié)漏極至源極電阻（例如用于選擇性地?cái)嚅_/閉合、導(dǎo)通/關(guān)斷、和/或另外控制晶體 管)。
[0029] 提供感測電阻器Rs,其中可W檢測并檢測流過MOSFET晶體管化的電流。在一些實(shí) 施例中，具有成比例電流感測源極管腳的MOSFET(感測FET)可W用于檢測電流。模擬感測和 控制(ASC)裝置170可W包括配置用于檢測和/或監(jiān)測電流或電壓的各種電流和/或電壓傳 感器。例如，如圖2中所示，跨越感測電阻器Rs的電壓降由可編程增益放大器PGA放大并且由 電壓比較器IM0N2_A監(jiān)巧U?；谕ㄟ^感測電阻器Rs而檢測的電流，可W控制MOS陽T晶體管化 W限制突入電流。運(yùn)形成了滯后控制回路W連續(xù)地檢測突入電流并且控制MOSFET晶體管化 W限制突入電流。
[0030] 例如，如果在感測電阻器Rs處檢測到的突入電流小于電流跳變點(diǎn)IM0N2_A，則 MOSFET晶體管化由采用外部電荷累的HV0UT2偏置W導(dǎo)通。當(dāng)MOSFET晶體管化導(dǎo)通時(shí)，在感測 電阻器Rs處檢測到的電流可W增大并且可W超過在IM0N2_A處的電流跳變點(diǎn)。在MOSFET晶 體管化的柵極上的偏置隨后降低W減小電流。如此，滯后控制回路通過連續(xù)地監(jiān)測電流并 且連續(xù)地調(diào)整在MOSFET晶體管化的柵極上的偏置W維持電流而允許電流保持相對恒定。
[0031] 可W提供各種電流或電壓比較器，諸如VM0N_6A、VM0N_6B、HVM0N_A、HVM0N_B、 IM0N2_A、和IM0N2_F，W檢測不同的電壓或電流跳變點(diǎn)。運(yùn)可W允許熱插拔過程具有不同階 段。每個(gè)階段可W具有電壓和電流跳變點(diǎn)的獨(dú)特集合。例如，圖2中所示的電路部件可W允 許多達(dá)四個(gè)階段的熱插拔過程，例如電壓/電流跳變點(diǎn)的四個(gè)集合。因此，當(dāng)在熱插拔過程 期間電子組件190的電容性負(fù)載Cl充電時(shí)，滯后控制回路可W轉(zhuǎn)換階段。
[0032] 可W基于MOSFET晶體管化的安全操作區(qū)域（SOA)而選擇階段和它們各自的跳變 點(diǎn)。運(yùn)可W確保MOSFET晶體管化操作在SOA之下W防止由于過量電流或電壓引起對MOSFET 晶體管化的損傷。各個(gè)電流或電壓比較器可W提供在ASC 170內(nèi)，如圖2中所示。在一些實(shí)施 例中，外部電流或電壓比較器可W提供為與ASC 170分離。
[0033] PLD 100可W包括提供了熱插拔控制器的邏輯功能的可編程邏輯塊104和硬知識 產(chǎn)權(quán)內(nèi)核(IP)塊160。例如，PLD 100可W包括用作熱插拔控制器200的各自部件的用戶邏輯 230和熱插拔邏輯210dPLD 100也可W包括用作在化D 100和ASC 170之間的通信接口的ASC 通信接口邏輯220。
[0034] 由傳感器檢測到的各個(gè)電壓和/或電流條件通信發(fā)送至熱插拔控制器200,其隨后 可W基于由傳感器檢測到的電壓和/或電流條件而實(shí)施熱插拔過程。例如，如圖2中所示，電 壓和電流傳感器可W基于電壓和/或電流條件而產(chǎn)生傳感器信號。傳感器信號收集在寄存 器處，諸如S線接口（TWI)寄存器。感測信號隨后通信發(fā)送至ASC通信接口邏輯220并且隨后 轉(zhuǎn)發(fā)至PLD 100處的用戶邏輯230和熱插拔邏輯210。熱插拔邏輯210可W收集來自電壓或電 流傳感器的傳感器信號并且可W控制各個(gè)熱插拔操作。
[0035] 在實(shí)施例中，熱插拔邏輯210可W向用戶邏輯230報(bào)告狀態(tài)并且從用戶邏輯230接 收命令。熱插拔邏輯210可W在用戶邏輯通過確立(assert) "hs_enable"信號而使能熱插拔 過程之后開始操作。熱插拔邏輯210可W向用戶邏輯230報(bào)告熱插拔錯(cuò)誤、過電流錯(cuò)誤、W及 熱插拔完成狀態(tài)。一旦從熱插拔邏輯210接收到一個(gè)錯(cuò)誤狀態(tài)，則由用戶邏輯取消"hs_ enable"信號W停止熱插拔過程。熱插拔過程的完成，不論是否成功，可W由來自用戶邏輯 230的"hs_enabIe"信號的取消來指示。
[0036] 在熱插拔過程期間，當(dāng)電子組件190的負(fù)載電壓并未在規(guī)定時(shí)間量內(nèi)達(dá)到希望水 平時(shí)，熱插拔錯(cuò)誤As_error)可W發(fā)生，指示了熱插拔過程有問題。計(jì)時(shí)器可W用于熱插拔 過程中W監(jiān)測板行為。在熱插拔過程期間，在負(fù)載電容器Cl上的電壓通常逐漸增大至所希 望的水平。如果運(yùn)沒有在規(guī)定時(shí)間段中發(fā)生，則可能在電子組件190上存在短路。如果熱插 拔過程持續(xù)過量時(shí)間量，則MOSFET化可能由于從操作產(chǎn)生的熱量而損傷。因此，當(dāng)用戶邏 輯230接收"hs_enable"信號時(shí)，用戶邏輯230可W關(guān)斷HV0UT2并且可W啟動(dòng)計(jì)時(shí)器W允許 MOSFET化冷卻。一旦來自用戶邏輯230的"hs_enable"信號去確立（deassert)并且當(dāng)冷卻 時(shí)間過去時(shí)，清除"hs_error"信號。此外，當(dāng)電子組件190的負(fù)載電壓穩(wěn)定在希望水平時(shí)，熱 插拔邏輯210可W向用戶邏輯230發(fā)出"hs_done"信號W指示熱插拔過程的成功完成。
[0037] 一旦檢測到短路情況，熱插拔邏輯210可W通過向用戶邏輯230發(fā)出"oc_error"信 號而向用戶邏輯230報(bào)告過電流錯(cuò)誤。單比特過電流錯(cuò)誤信號"oc_error"指示了已經(jīng)超過 電流限制。該電流限制通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過在熱插拔過程中使用的電流限制。例如，在熱插拔過程 完成之后，當(dāng)在電子組件190的正常操作期間存在裝置故障時(shí)，可W發(fā)生短路情況。如圖2中 所示，當(dāng)在熱插拔過程期間或之后在短路情況下檢測到過電流時(shí)，熱插拔邏輯210提供快速 停機(jī)機(jī)制。在快速停機(jī)過程期間，由傳感器IM0N2_F檢測短路情況。響應(yīng)于此，熱插拔邏輯 210可W控制晶體管化從陜速關(guān)斷MOSFET晶體管化。
[003引熱插拔邏輯210可W提供IOms的基本計(jì)時(shí)器。該IOms計(jì)時(shí)器對應(yīng)于MOSFET IOms SOA曲線的單個(gè)脈沖寬度。取決于MOSFET晶體管化的特性，熱插拔控制器200可W具有長達(dá)2 秒的可變長度的計(jì)時(shí)器W用于MOS陽T DC SOA曲線。
[0039] 圖3示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于電子組件的熱插拔過程300。例如，當(dāng)電子 組件190連接至電源背板160W限制由電子組件190的電容性負(fù)載Cl吸取的突入電流時(shí)，可 W執(zhí)行圖3的過程。
[0040] 在操作302中，熱插拔控制器200可W檢測電子組件190連接至通電的功率源，諸如 電源背板160。例如，可W由電壓傳感器檢測至功率源的連接，諸如電壓比較器 VM0N9_B。響應(yīng)于此，熱插拔控制器200可W開始限制來自功率源的突入電流的熱插拔過程。 [0041 ]在操作304中，熱插拔控制器200可W控制MOSFET晶體管化W限制突入電流。例如， 熱插拔控制器200可W控制HV0UT2W調(diào)整在MOSFET晶體管化的柵極上的偏置W限制流入電 子組件190中的突入電流。在操作306中，熱插拔控制器200可W監(jiān)測負(fù)載電壓，諸如跨越電 容性負(fù)載Cl的電壓。例如，可W由電壓比較器HVM0N_A、HVM0N_B、VM0N6_A、和VM0N6_B監(jiān)測負(fù) 載電壓。每個(gè)電壓比較器具有電壓跳變點(diǎn)，在該處電壓比較器輸出指示了已經(jīng)到達(dá)電壓跳 變點(diǎn)的傳感器信號。如圖2中所示，實(shí)施四個(gè)電壓比較器W為多達(dá)四個(gè)階段的熱插拔過程提 供四個(gè)電壓跳變點(diǎn)。
[0042] 在其他實(shí)施例中，電壓比較器的數(shù)目和組成可W改變W基于電子組件和電源的設(shè) 計(jì)需求而提供具有不同電壓/電流跳變點(diǎn)的不同數(shù)目的階段。例如，對于電壓較低的電源， 可W實(shí)施具有一個(gè)或兩個(gè)階段的熱插拔過程。對于電壓較高的電源，可W實(shí)施具有四個(gè)至 六個(gè)階段的熱插拔過程。
[0043] 在操作308中，熱插拔控制器200可W確定負(fù)載電壓是否已經(jīng)達(dá)到電源電壓。例如， 在圖2中，熱插拔控制器200可W確定負(fù)載電壓是否已經(jīng)達(dá)到+12V的電源電壓。如果負(fù)載電 壓已經(jīng)達(dá)到電源電壓，指示了電子組件190的電容性負(fù)載Cl已經(jīng)被充電，則熱插拔控制器 200可W在操作316處確定已經(jīng)完成了熱插拔操作并且從功率源160向電子組件190提供穩(wěn) 定化的電壓和電流，移動(dòng)至操作316。
[0044] 如果在操作308中負(fù)載電壓沒有達(dá)到電源電壓，則過程可W繼續(xù)至操作310,其中 熱插拔控制器200可W確定時(shí)間限制是否已經(jīng)達(dá)到。例如，可W重復(fù)階段W允許大電容達(dá)到 用于下一階段所需的電壓。如果時(shí)間限制已經(jīng)達(dá)到，則熱插拔控制器200可W在操作318中 關(guān)斷電源并且向用戶展示錯(cuò)誤消息W防止對MOSFET晶體管化的過度加熱。在一些實(shí)施例 中，熱插拔控制器200可W暫時(shí)地中止熱插拔操作W冷卻MOSFET晶體管化。在設(shè)計(jì)階段期間 基于MOSFET特性而確定冷卻時(shí)段的長度。相同的冷卻時(shí)段可W用于在熱插拔過程內(nèi)的所有 階段。
[0045] 如果沒有達(dá)到時(shí)間限制，則熱插拔控制器200可W在操作314中確定負(fù)載電壓是否 已經(jīng)達(dá)到本階段的電壓跳變點(diǎn)。如上所述，每個(gè)階段具有由針對階段分配的電壓比較器所 限定的電壓跳變點(diǎn)。如果負(fù)載電壓沒有達(dá)到電壓跳變點(diǎn)，則熱插拔控制器200可W通過前進(jìn) 至操作304而重復(fù)本階段。每個(gè)階段具有電壓跳變點(diǎn)W及對應(yīng)于電壓跳變點(diǎn)的電流限制，如 基于MOSFET晶體管化的SOA所確定。如果本階段重復(fù)，則熱插拔過程繼續(xù)在如本階段中所限 定的相同電流限制之下對電容性負(fù)載Cl充電。
[0046] 對于使用DC SOA曲線的熱插拔過程，重復(fù)相同階段和冷卻時(shí)段的步驟可能不適 用。替代地，對于每個(gè)階段使用長于IOms的時(shí)間限制。如果當(dāng)計(jì)時(shí)器到期時(shí)負(fù)載電壓并未達(dá) 到所希望水平，熱插拔錯(cuò)誤發(fā)生并且熱插拔過程終止。
[0047] 如果負(fù)載電壓在操作314中已經(jīng)達(dá)到本階段的電壓跳變點(diǎn)，則熱插拔控制器200可 W在操作312中轉(zhuǎn)換至下一個(gè)階段。下一個(gè)階段可W具有新的電壓跳變點(diǎn)和新的電流限制， 由此MOSFET晶體管化限制了突入電流。
[0048] 熱插拔過程可W在多個(gè)階段之間轉(zhuǎn)換，其中重復(fù)一些或所有階段。通過監(jiān)測負(fù)載 的電流和電壓條件，熱插拔控制器200可W實(shí)施合適的階段W將MOSFET晶體管化控制在 MOSFET晶體管化的SOA內(nèi)。該滯后控制回路允許更小和/或更便宜的MOSFET用于熱插拔操 作。
[0049] 圖4示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于電子組件的熱插拔設(shè)置過程400。實(shí)際上， 在實(shí)施電子組件190的熱插拔操作之前，用戶可W設(shè)計(jì)并配置熱插拔操作，諸如基于各種熱 插拔參數(shù)、諸如電子組件的電容性負(fù)載、功率源的電源電壓、用于限制突入電流的MOSFET晶 體管類型等等而確定所需的階段數(shù)W及階段的相應(yīng)電壓跳變點(diǎn)和電流限制。
[0050] 在實(shí)施例中，可W由外部系統(tǒng)130提供用于設(shè)置熱插拔操作的用戶接口。外部系統(tǒng) 130可W編程并配置電子組件190的熱插拔操作。例如，外部系統(tǒng)130的用戶接口 135可W顯 示用于設(shè)置熱插拔操作的用戶接口500,如圖5中所示。在操作402中，外部系統(tǒng)130可W經(jīng)由 用戶接口 500從用戶接收熱插拔參數(shù)。
[0051] 用戶接口 500可W包括用于接收用戶的熱插拔參數(shù)的輸入的各個(gè)數(shù)據(jù)輸入欄。例 如，如圖5中所示，叮he_12V_HS"的熱插拔名稱用于該特定的熱插拔設(shè)計(jì)。外部系統(tǒng)130可W 存儲(chǔ)各種熱插拔設(shè)計(jì)，其可W被選擇W實(shí)施用于不同的電子組件。輸入欄502被提供用于接 收輸入電壓ViN。輸入電壓Vin表示來自背板功率源160的電源電壓，并且可W用于計(jì)算熱插 拔操作的階段數(shù)。
[0052] 輸入欄504被提供用于接收輸入源可W提供的最大電流Imax。輸入欄506被提供用 于接收MOSFET的名稱或類型。在如圖5中所示的示例中，MOSFET型號名稱或類型"i計(jì)7932" 被輸入在輸入欄506中。外部系統(tǒng)130可W具有存儲(chǔ)了MOSFET的各種類型和型號的信息的數(shù) 據(jù)庫。當(dāng)在輸入欄506中選擇或輸入MOSFET時(shí)，用戶接口 500可W顯示電流-電壓圖，其示出 了所選擇或輸入的MOSFET的安全操作區(qū)域。在一些實(shí)施例中，用戶可W輸入MOSFET的SOA的 一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且可W選擇DC或IOms曲線，如圖5中所示。
[0053] 輸入欄508被提供用于接收電流感測電阻器Rs的電阻值。輸入欄510被提供用于接 收電子組件的電容性負(fù)載Cload的數(shù)值。輸入欄514被提供用于接收電流限制，在其下觸發(fā)了 快速停機(jī)。
[0054] 在MOSFET框內(nèi)存在兩個(gè)上部單選按鈕5 16 W允許用戶在電源或負(fù)載處放置 M0SFET。接口基于所選擇的按鈕而動(dòng)態(tài)地改變。在MOSFET框內(nèi)存在兩個(gè)下部單選按鈕518W 用于選擇SOA數(shù)據(jù)是用于IOms還是DC曲線。
[0055] 快速停機(jī)限制514具有下拉式列表，其取決于電流感測放大器單選按鈕W及增益、 電流感測電阻器數(shù)值、和可應(yīng)用的電流和電壓傳感器(例如IMON和/或VMON)的跳變點(diǎn)而計(jì) 算。
[0056] 電阻器Rg和電容器Cg形成了低通濾波器W防止MOSFET過沖和振蕩。時(shí)間常數(shù)比"最 化'柵極電阻器將提供的顯著更長，W使得限制了MOSFET寄生振蕩。220US時(shí)間常數(shù)慢于電 流和/或電壓傳感器的采樣時(shí)間W防止任何MOSFET"過度校正"。在已經(jīng)輸入熱插拔參數(shù)之 后可W由用戶按壓"計(jì)算"按鈕512。
[0057] 在操作404中，在用戶按壓"計(jì)算"按鈕512之后，外部系統(tǒng)130可W首先確定所選擇 MOSFET的安全操作區(qū)域?；谒x擇MOSFET的型號和/或名稱，外部系統(tǒng)130可W檢索所選 擇MOSFET的規(guī)格，包括SOA限制曲線，如圖帥所示。圖帥所示的曲線表現(xiàn)為筆直線條巧有 負(fù)斜率），因?yàn)榇怪焙退捷S線是基于對數(shù)的。對于熱插拔算法的曲線的關(guān)鍵區(qū)段可W由W 下方程表示，其表示了電壓(V)與電流(A)之間的關(guān)系。
[0化引 A=mV-b
[0059] 常數(shù)m和b可W基于所選擇MOSFET而改變，并且可W W使用在極限曲線上兩個(gè)已知 數(shù)據(jù)點(diǎn)而求解，諸如(VI ,Al)和(V2，A2)，如圖5中所示。例如，
[0060]
[0061]
[0062] 在求解了b和m之后，對于irf7832 MOSFET的IOms SOA限制的方程為：
[0063] a = 70V_i'249
[0064] 在操作406中，對于MOSFET的SOA限制的方程隨后可W用于計(jì)算對于MOSFET的SOA 表格?；陔娏鞲袦y電阻器數(shù)值W及電子組件中可用電流傳感器W及它們各自的電流跳變 點(diǎn)，可W使用SOA限制方程建立SOA表格。在一些實(shí)施例中，MOS陽T可W具有SOA曲線，其包括 具有不同的斜率的多個(gè)區(qū)段。如此，可W計(jì)算區(qū)段的每個(gè)不同斜率W填充SOA表格。
[0065] 如圖7中所示，在SOA表格的左列中展示電流傳感器的電流跳變點(diǎn)的列表。特別地， 用戶提供的0.01歐姆的電流感測電阻器(Rs)的數(shù)值提供了 SOA表格第一列中所列出的電流 跳變點(diǎn)的基礎(chǔ)。使用W上IOms SOA限制方程對于各自電流跳變點(diǎn)計(jì)算漏極至源極電壓Vds。 基于電源電壓(+24V)與跨越MOSFET的電壓降Vds之間的差值而計(jì)算負(fù)載電壓化0AD。
[0066] 接著，外部系統(tǒng)130可W仿真在熱插拔過程期間電子組件190的電容性負(fù)載Cload的 充電。在初始狀態(tài)中，負(fù)載電壓化日AD為零，因?yàn)殡娮咏M件190尚未被供電并且電容性負(fù)載Cload 尚未被充電。如此，為了確定對于初始階段或階段1的電流限制，外部系統(tǒng)130可W參考SOA 表格中負(fù)載電壓列，如圖7中所示，并且找到最靠近零的負(fù)數(shù)值。對應(yīng)的跳變點(diǎn)數(shù)值是對于 階段1的電流限制。外部系統(tǒng)130可W指定該數(shù)值作為當(dāng)全部電源電壓跨越MOSFET時(shí)的開始 熱插拔電流限制。例如，如圖7中SOA表格中所示，電流限制是1安培；因此，該電流限制將用 于初始階段或階段1。
[0067] 在熱插拔過程的每個(gè)階段期間，假設(shè)沒有錯(cuò)誤，在負(fù)載電容器(Cload)上的負(fù)載電 壓化OAD將增大。在負(fù)載處的電壓的增大意味著跨越MOSFET降低更小的電壓并且更多電流可 W用于在下一個(gè)階段中對電容性負(fù)載充電（向SOA表格下方移動(dòng)）。在操作410中，使用W下 方程對于每個(gè)階段計(jì)算負(fù)載電壓增加，其中n是階段重復(fù)的次數(shù)，I是W安培計(jì)的電流跳變 點(diǎn)，W及*是W秒計(jì)的階段時(shí)間。
[006引
[00例采一 ZF 3果巧1義化I W上方程，其中n = l并且t = 0.01s，I來自SOA跳變點(diǎn)表格，W及 Cload由用戶輸入。如果計(jì)算得到的電壓增加小于來自表格的下一個(gè)負(fù)載電壓數(shù)值，則階段 必須重復(fù)。通常，運(yùn)是當(dāng)Cload非常大時(shí)的情形。W下是利用不同熱插拔參數(shù)計(jì)算電壓增加的 示例：
[0070] 示例l:CL。AD = 390uF，I = lA:AV=化.6V
[0071] 25.6V的電壓增加超過了+24V的電源電壓，因此僅使用階段1 一次就完成熱插拔過 程。對于階段1的目標(biāo)電壓限制簡單地是電源電壓的90%數(shù)值，其為21.6V。在一些實(shí)施例 中，可W基于所使用電源的精確度而調(diào)整90%闊值。
[0072] 示例2:Cload=1,OOOuF,I = IA: A V=IO-OV
[0073] IOV的電壓增加顯然足夠使得階段1無需重復(fù)。確定階段1結(jié)束的目標(biāo)電壓是計(jì)算 得到電壓增幅的80%，其是8V。減小的電壓考慮了負(fù)載電容器的容差W及電流跳變點(diǎn)的精 確度。使用8V的目標(biāo)電壓，向下查看SOA表格并且找到恰好低于其的負(fù)載電壓數(shù)值，其是 6.8V并且對應(yīng)于2安培。如此，對于下一個(gè)階段的電流跳變點(diǎn)是2安培。
[0074] 示例3:Cload = 20,OOOuF,I = IA: AV=O.50V
[0075] 0.50V的電壓增加小于SOA表格中緊接的下一個(gè)數(shù)值（1. IV)。因此需要重復(fù)階段1 W便于足夠地提升負(fù)載電壓W前進(jìn)至下一個(gè)階段。當(dāng)階段重復(fù)時(shí)，其可W重復(fù)高達(dá)八(8) 次。使用W上方程，在重復(fù)了八次之后，負(fù)載電壓應(yīng)該為4.0V。對于階段1的目標(biāo)電壓是4.OV 的80 %，其為3.2V。恰好在3.2V之下的負(fù)載電壓增加為2.3V，其對應(yīng)于1.5安培的電流跳變 點(diǎn)。如此，對于下一個(gè)階段的電流限制為1.5安培。
[0076] 示例4:Cload=100,OOOuF,I = IA: A V=O-IOV
[0077] 0.1 OV的電壓增加太小并且階段1將必須重復(fù)11次W便于將負(fù)載處的電壓提升至 1.1V(緊接下一個(gè)表格條目）。假設(shè)算法將每個(gè)階段限制為重復(fù)8次，外部系統(tǒng)130可W將該 標(biāo)記為錯(cuò)誤并且通知用戶W使用不同的MOSFET或者改變負(fù)載電容器的大小。
[0078] 因此，W上方程允許外部系統(tǒng)130仿真用于對電容性負(fù)載充電的熱插拔過程。如圖 4中所示，在操作410中，外部系統(tǒng)可W在階段結(jié)束處估算負(fù)載電壓。在操作414中，外部系統(tǒng) 130可W確定負(fù)載電壓是否已經(jīng)達(dá)到電源電壓的90%。如果負(fù)載電壓尚未達(dá)到電源電壓的 90%，則外部系統(tǒng)可W在操作416中確定負(fù)載電壓是否已經(jīng)達(dá)到當(dāng)前階段的電壓跳變點(diǎn)的 80%。如果是，則外部系統(tǒng)可W在操作418中通過參考SOA表格W找到下一個(gè)電壓和電流跳 變點(diǎn)而遞增至下一個(gè)階段。過程隨后可W返回至操作410W估算對于該下一個(gè)階段的負(fù)載 電壓。
[0079] 如果負(fù)載電壓在操作416中尚未達(dá)到當(dāng)前階段的電壓跳變點(diǎn)的80%，則外部系統(tǒng) 130可W在操作422中確定當(dāng)前階段是否已經(jīng)重復(fù)了多于7次。如果當(dāng)前階段尚未重復(fù)多于7 次，則外部系統(tǒng)130可W在操作424中向用戶發(fā)出錯(cuò)誤消息并且可W建議用戶選擇不同的 MOSFET或者選擇不同的熱插拔參數(shù)。如果在操作422中當(dāng)前階段尚未重復(fù)多于7次，則外部 系統(tǒng)130可W通過返回至操作410而重復(fù)當(dāng)前階段。
[0080] 因此，熱插拔過程可W在多個(gè)階段之間轉(zhuǎn)換，其中重復(fù)了某些階段。當(dāng)負(fù)載電壓在 操作414中達(dá)到電源電壓的90%時(shí)，外部系統(tǒng)130可W在操作428中確定完成了熱插拔。外部 系統(tǒng)130可W隨后確定在仿真期間已經(jīng)使用了多少階段W及它們各自的電壓和電流跳變 點(diǎn)。在最終完成設(shè)計(jì)之后，外部系統(tǒng)130可W使用設(shè)計(jì)信息W配置電子組件190用于熱插拔 操作。例如，外部系統(tǒng)130可W基于所使用的階段W及它們各自跳變點(diǎn)而選擇并且設(shè)置電流 和/或電壓傳感器。外部系統(tǒng)130也可W根據(jù)設(shè)計(jì)而路由并連接各個(gè)電路部件W實(shí)施熱插拔 操作。
[0081] W上過程400可W允許用戶設(shè)計(jì)并配置電子組件的熱插拔操作。特別地，用戶可W 選擇特定的MOSFET并輸入各個(gè)熱插拔操作。外部系統(tǒng)130可W隨后仿真并計(jì)算熱插拔操作 W基于用戶的設(shè)計(jì)輸入而確定所需的階段和它們各自電壓/電流跳變點(diǎn)。熱插拔過程可W 在多個(gè)階段之間轉(zhuǎn)換，每個(gè)具有其自己的電壓和電流限制，如基于所選擇MOSFET的SOA所確 定。運(yùn)可W允許電子組件使用更小和/或更廉價(jià)的MOSFETW實(shí)施熱插拔操作。
[0082] 當(dāng)合適時(shí)，可W使用硬件、軟件或者硬件與軟件的組合而實(shí)施由本公開所提供的 各個(gè)實(shí)施例。也當(dāng)合適時(shí)，在此闡述的各個(gè)硬件部件和/或軟件部件可W組合成為包括軟 件、硬件和/或兩者的復(fù)合部件而并未脫離本公開的精神。當(dāng)合適時(shí)，在此闡述的各個(gè)硬件 部件和/或軟件部件可W分割成包括軟件、硬件或兩者的子部件而并未脫離本公開的精神。 此外，當(dāng)合適時(shí)，所設(shè)想的是軟件部件可W實(shí)施作為硬件部件，并且反之亦然。
[0083] 根據(jù)本公開的軟件，諸如程序代碼和/或數(shù)據(jù)，可W存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非瞬態(tài)機(jī)器 可讀介質(zhì)上。還設(shè)想的是在此說明的軟件可W使用一個(gè)或多個(gè)聯(lián)網(wǎng)的和/或不聯(lián)網(wǎng)的通用 或?qū)Ｓ貌考?或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)而實(shí)施。當(dāng)合適時(shí)，在此所述的各個(gè)步驟的順序可W改變，組 成成為復(fù)合步驟，和/或分割為子步驟W提供在此所述的特征。
[0084] 如上所述的實(shí)施例示出但是并不限制本發(fā)明。也應(yīng)該理解的是，大量修改例和變 形例根據(jù)本發(fā)明的原理是可能的。因此，本發(fā)明的范圍僅由W下權(quán)利要求所限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種系統(tǒng)，包括： 電子組件，具有電容性負(fù)載； 晶體管，配置用于選擇性地允許和限制從電源至所述電子組件的突入電流； 電流感測裝置，配置用于檢測來自所述電源的所述突入電流；以及 熱插拔控制器，配置用于控制所述晶體管以基于由所述電流感測裝置檢測到的所述突 入電流而限制所述突入電流，以使得所述電子組件的所述電容性負(fù)載被逐漸地充電。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述晶體管是MOSFET，并且所述控制器被配置成基 于所述MOSFET的安全操作區(qū)域而調(diào)整在所述MOSFET上的偏置。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述控制器被配置成當(dāng)所述電容性負(fù)載被充電時(shí) 控制所述晶體管通過多個(gè)階段，所述多個(gè)階段中的每一個(gè)具有電壓限制和電流限制。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中階段的數(shù)目基于所述晶體管的類型、所述電源的輸 入電壓、所述電子組件的所述電容性負(fù)載、以及突入電流限制中的一個(gè)或多個(gè)而確定。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中當(dāng)在所述晶體管處檢測到的電壓或電流達(dá)到第一 階段的第一電壓限制或第一電流限制時(shí)，所述控制器被配置成從所述第一階段轉(zhuǎn)換至具有 第二電壓限制和第二電流限制的第二階段。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電流感測裝置包括電流感測電阻器以及配置 用于測量跨越所述電流感測電阻器的電壓的電壓比較器，以及其中所述突入電流基于跨越 所述電流感測電阻器的電壓以及所述電流感測電阻器的阻值而確定。7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括多個(gè)電壓感測裝置，每一個(gè)對應(yīng)于所述多個(gè) 階段中的一個(gè)并且配置用于檢測對應(yīng)階段的所述電壓限制。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述控制器被進(jìn)一步配置成當(dāng)達(dá)到時(shí)間限制或階 段限制并且所述電容性負(fù)載并未充電時(shí)關(guān)斷所述晶體管。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述控制器被進(jìn)一步配置成當(dāng)所述電容性負(fù)載被 完全充電時(shí)維持所述晶體管導(dǎo)通。10. -種方法，包括： 檢測負(fù)載已經(jīng)被連接至電源； 通過初始電壓偏置耦合在所述電源和所述負(fù)載之間的晶體管以限制從所述電源至所 述負(fù)載的突入電流； 監(jiān)測所述負(fù)載的負(fù)載電壓； 確定所述負(fù)載電壓是否達(dá)到第一電壓跳變點(diǎn)；以及 當(dāng)所述負(fù)載電壓達(dá)到所述第一電壓跳變點(diǎn)時(shí)增大在所述晶體管處的電流限制。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括： 確定所述負(fù)載電壓是否達(dá)到所述電源的電源電壓； 當(dāng)所述負(fù)載電壓沒有達(dá)到所述電源電壓時(shí)，確定所述負(fù)載電壓是否達(dá)到第二電壓跳變 點(diǎn)；以及 當(dāng)所述負(fù)載電壓達(dá)到所述第二電壓跳變點(diǎn)時(shí)進(jìn)一步增大在所述晶體管處的電流限制。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一電壓跳變點(diǎn)、所述第二電壓跳變點(diǎn)以及 所述電流限制基于所述晶體管的安全操作區(qū)域而設(shè)置。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括偏置所述晶體管通過多個(gè)階段，其中所述 多個(gè)階段中的每一個(gè)具有電壓跳變點(diǎn)和電流限制的對應(yīng)集合。14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括： 確定所述突入電流是否超過過電流限制；以及 當(dāng)所述突入電流超過所述過電流限制時(shí)偏置所述晶體管以將所述電源與所述負(fù)載斷 開連接。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)所述突入電流超過所述過電流限制時(shí) 通知用戶。16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括： 確定所述負(fù)載電壓是否在預(yù)定時(shí)間內(nèi)達(dá)到所述電源電壓；以及 當(dāng)所述負(fù)載電壓沒有在所述預(yù)定時(shí)間內(nèi)達(dá)到所述電源電壓時(shí)暫時(shí)地中止所述晶體管 的偏置以冷卻所述晶體管。17. -種系統(tǒng)，包括： 處理器；以及 存儲(chǔ)器，適用于存儲(chǔ)多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀指令，所述多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀指令當(dāng)由處理器執(zhí)行 時(shí)適用于使得所述系統(tǒng)執(zhí)行方法，所述方法包括： 接收與用于具有電容性負(fù)載的電子組件的熱插拔操作相關(guān)聯(lián)的參數(shù)； 基于所述參數(shù)確定通過配置用于限制由所述電容性負(fù)載從電源吸取的突入電流的晶 體管、采用所述電源對所述電子組件的所述電容性負(fù)載充電所需的一個(gè)或多個(gè)階段;以及 設(shè)置配置用于實(shí)施用于在所述電源處熱插拔所述電子組件的所述一個(gè)或多個(gè)階段的 熱插拔電路。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述方法進(jìn)一步包括： 確定所述晶體管的安全操作區(qū)域(SOA)，所述SOA指示了晶體管在其內(nèi)操作的安全電壓 和電流條件； 基于所述晶體管的所述SOA以及可應(yīng)用于所述電子組件的電流或電壓感測裝置的電流 或電壓感測范圍而確定SOA表格，所述SOA表格列出了對于熱插拔的可應(yīng)用階段與對于每個(gè) 可應(yīng)用階段的電壓或電流限制；以及 從所述可應(yīng)用階段選擇初始階段，所述初始階段具有接近零的電壓限制。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述方法進(jìn)一步包括： 確定在當(dāng)前階段的結(jié)束處的負(fù)載電壓； 確定所述負(fù)載電壓是否達(dá)到所述當(dāng)前階段的電壓限制；以及 當(dāng)所述負(fù)載電壓達(dá)到所述當(dāng)前階段的所述電壓限制時(shí)轉(zhuǎn)換至下一個(gè)階段。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述方法進(jìn)一步包括，當(dāng)所述負(fù)載電壓沒有達(dá)到 所述當(dāng)前階段的所述電壓限制時(shí)重復(fù)所述當(dāng)前階段。
【文檔編號】H02H9/00GK105846409SQ201610009612
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年1月6日
【發(fā)明人】C·W·迪克斯, C·梅, C·J·國, J·科普倫, S·錢德拉
【申請人】美國萊迪思半導(dǎo)體公司