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      一種補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置的制造方法

      文檔序號(hào):10284904閱讀:680來源:國知局
      一種補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種電容器自動(dòng)投切及過熱保護(hù)裝置,為消除涌流、防止電容器過熱保護(hù)電容器具有非常重要的意義。
      【背景技術(shù)】
      [0002]我國在無功補(bǔ)償領(lǐng)域所使用的電容投切方式,經(jīng)歷了三個(gè)革命性的階段,以原始的手動(dòng)投切到交流接觸器投切;從交流接觸器投到無觸點(diǎn)開關(guān)投切,從無觸點(diǎn)開關(guān)投切到復(fù)合開關(guān)投切,產(chǎn)品性能不斷提高,但是也存在當(dāng)電網(wǎng)諧波含量較高時(shí)無法正常工作的問題。本實(shí)用新型提出的一種補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置與交流接觸器、可控硅、復(fù)合開關(guān)三種產(chǎn)品相比有很大創(chuàng)新改進(jìn),解決了目前復(fù)合開關(guān)性能很不完善的問題,即可控硅與磁保持繼電器直接并聯(lián),存在在電壓過零點(diǎn)無法切除可控硅問題,補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置具有實(shí)時(shí)采集電容器表面溫度,溫升超限自動(dòng)分?jǐn)嚯娙萜?,從而避免電容器溫升超限產(chǎn)生鼓肚、擊穿、短路甚至引起爆炸、火災(zāi)等惡性事故的發(fā)生,使電網(wǎng)運(yùn)行更安全可靠,補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置的投切和切除均是在電壓過零點(diǎn)完成,無涌流,因此,不會(huì)給電網(wǎng)帶來新的諧波污染并具有良好的長期節(jié)能效果,所以本實(shí)用新型將對(duì)保障電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行和節(jié)能具有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是,如何利用溫度傳感器,在磁保持繼電器接點(diǎn)回路串入功率電阻,結(jié)合過零點(diǎn)檢測電路,實(shí)現(xiàn)可控硅控制電容器真正在電壓過零點(diǎn)投入和切除。
      [0004]為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供一種補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置,包括A相光電隔離電路、B相光電隔離電路、C相光電隔離電路、溫度傳感器、電源電路、通信接口電路、狀態(tài)指示電路、撥碼開關(guān)電路、過零點(diǎn)檢測電路、微處理器電路、A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、A相可控硅、B相可控硅、C相可控硅、A相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、A相磁保持繼電器、B相磁保持繼電器、C相磁保持繼電器、A相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、A相繼電器、B相繼電器、C相繼電器;A相光電隔離電路、B相光電隔離電路、C相光電隔離電路的輸出端分別與微處理器電路的I/O 口連接;溫度傳感器的輸出端與微處理器電路的A/D端口連接;電源電路的輸出端與微處理器電路的電源端連接;通信接口電路的輸入輸出端與微處理器電路的通信接口連接;狀態(tài)指示電路的輸入端與微處理器電路的I/O 口連接;撥碼開關(guān)電路和過零點(diǎn)檢測電路的輸出端分別與微處理器電路的I/O口連接;A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路的輸入端分別與微處理器電路的I /0 口連接;A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)A相可控硅、B相可控硅、C相可控硅的控制端連接;A相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)A相磁保持繼電器、B相磁保持繼電器、C相磁保持繼電器的控制端連接;A相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相繼電器驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)A相繼電器、B相繼電器、C相繼電器的控制端連接。
      [0005]磁保持繼電器接點(diǎn)與功率電阻串聯(lián)連接后,再與過零點(diǎn)檢測電路和可控硅并聯(lián)在一起組成一個(gè)投切控制電路;其中將繼電器接點(diǎn)并聯(lián)在功率電阻兩端,便于隨時(shí)切除功率電阻;投切控制電路與電容器串聯(lián)在一起后接入補(bǔ)償電路中;投入電容器時(shí)先將繼電器接點(diǎn)閉合,切除功率電阻,根據(jù)過零點(diǎn)檢測電路檢測電壓過零點(diǎn),在電壓過零點(diǎn)處投入可控硅,然后閉合磁保持繼電器常開接點(diǎn),可控硅兩端電壓此時(shí)為零,可控硅自動(dòng)退出;切除電容器時(shí),先將繼電器接點(diǎn)斷開,功率電阻接入,在可控硅兩端有壓降,可控硅恢復(fù)投入,根據(jù)過零點(diǎn)檢測電路檢測電壓過零點(diǎn),在電壓過零點(diǎn)處切除可控硅,并同時(shí)斷開磁保持繼電器常開接點(diǎn),真正實(shí)現(xiàn)電壓過零點(diǎn)投入和切除可控硅。
      [0006]溫度傳感器檢測電容器表面溫度,當(dāng)電容器表面溫度達(dá)到50°時(shí)自動(dòng)切除電容器,防止電容器由于發(fā)熱出現(xiàn)損壞。
      [0007 ]磁保持繼電器接點(diǎn)額定電流為30-80A。
      [0008]可控硅為雙向可控硅。
      [0009]繼電器也可以采用磁保持繼電器,接點(diǎn)額定電流為30-80A。
      [0010]本實(shí)用新型的積極效果是:(I)利用過零點(diǎn)檢測電路,結(jié)合在磁保持繼電器回路串接功率電阻,實(shí)現(xiàn)可控硅控制電容器在電壓過零點(diǎn)投入和切除;(2)具有實(shí)時(shí)采集電容器表面溫度,溫升超限自動(dòng)分?jǐn)嚯娙萜?,從而避免電容器溫升超限產(chǎn)生鼓肚、擊穿、短路甚至引起爆炸、火災(zāi)等惡性事故的發(fā)生,使電網(wǎng)運(yùn)行更安全可靠。
      【附圖說明】
      [0011]圖1為一種補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置原理結(jié)構(gòu)圖。
      [0012]圖2為可控硅、磁保持繼電器、功率電阻、繼電器及過零點(diǎn)檢測電路連接結(jié)構(gòu)圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0013]如附圖1所示,一種補(bǔ)償電容器過零點(diǎn)投切控制及過熱保護(hù)裝置,包括A相光電隔離電路、B相光電隔離電路、C相光電隔離電路、溫度傳感器、電源電路、通信接口電路、狀態(tài)指示電路、撥碼開關(guān)電路、過零點(diǎn)檢測電路、微處理器電路、A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、A相可控硅、B相可控硅、C相可控硅、A相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、A相磁保持繼電器、B相磁保持繼電器、C相磁保持繼電器、A相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、A相繼電器、B相繼電器、C相繼電器;A相光電隔離電路、B相光電隔離電路、C相光電隔離電路的輸出端分別與微處理器電路的I/O 口連接;溫度傳感器的輸出端與微處理器電路的A/D端口連接;電源電路的輸出端與微處理器電路的電源端連接;通信接口電路的輸入輸出端與微處理器電路的通信接口連接;狀態(tài)指示電路的輸入端與微處理器電路的I/O 口連接;撥碼開關(guān)電路和過零點(diǎn)檢測電路的輸出端分別與微處理器電路的I/O 口連接;A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路
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