一種光伏光熱一體化組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于太陽能發(fā)電發(fā)熱技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光伏光熱一體化組件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，光伏發(fā)電已經(jīng)為人們提供了很多的便利，但是僅僅使用光伏組件將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，會導(dǎo)致光伏組件在使用的過程中浪費太陽光的部分余熱。因此，市場上出現(xiàn)了光伏光熱一體化的組件，多為晶體硅太陽能光伏光熱一體化組件，然而，其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本較高，安裝不便。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種光伏光熱一體化組件，其結(jié)構(gòu)簡單，且充分利用了太陽光的部分余熱。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是:提供一種光伏光熱一體化組件，包括邊框、封裝在所述邊框一側(cè)的蓋板、鍍制在所述蓋板內(nèi)側(cè)的鍍膜層、設(shè)置在所述鍍膜層表面的導(dǎo)熱件、焊接在所述導(dǎo)熱件遠離所述鍍膜層的一側(cè)的多個待加熱部件，以及填充在所述邊框、導(dǎo)熱件和待加熱部件之間的保溫層。
[0005]進一步地，所述鍍膜層包括第一透明導(dǎo)電氧化物層、形成在所述第一透明導(dǎo)電氧化物層上的非晶硅層、形成在所述非晶硅層上的第二透明導(dǎo)電氧化物層，以及形成在所述第二透明導(dǎo)電氧化物層上的絕緣層。
[0006]進一步地，所述非晶硅層包括依次通過射頻電場產(chǎn)生輝光放電分解氣體形成的P型非晶硅、I型非晶硅和N型非晶硅。
[0007]進一步地，所述第一透明導(dǎo)電氧化物層為IT0、FT0、Zn0及AZO中的一種;所述第二透明導(dǎo)電氧化物層為ITO、FTO、ZnO及AZO中的一種。
[0008]優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電氧化物層的厚度為500nm-1000nm。
[0009]進一步地，所述絕緣層為二氧化硅膜層，且所述絕緣層的膜層厚度為0-100nm。
[0010]進一步地，所述蓋板為鋼化玻璃，且所述蓋板的透過率大于91.6%。
[0011]進一步地，所述邊框的一側(cè)形成有限位部，所述蓋板遠離所述鍍膜層的一側(cè)抵接在所述限位部上。
[0012]實施本實用新型的一種光伏光熱一體化組件，具有以下有益效果:通過設(shè)置蓋板和鍍膜層用于將吸收的太陽光轉(zhuǎn)化為電能，而部分透過的太陽光轉(zhuǎn)化為熱量，由導(dǎo)熱件傳送給焊接在導(dǎo)熱件下方的多個待加熱部件，從而加熱待加熱部件中的物質(zhì)，同時在邊框、導(dǎo)熱件和待加熱部件之間填充保溫層，進一步防止熱量散失，使得太陽光的部分余熱得到充分利用。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是本實用新型實施例提供的光伏光熱一體化組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實用新型實施例提供的鍍膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3是本實用新型實施例提供的光伏光熱一體化組件的制備方法流程圖；
[0017]圖4是圖3中步驟SI的制備方法流程圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0019]需要說明的是，當元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者可能同時存在居中元件。當一個元件被稱為是“連接于”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。
[0020]還需要說明的是，本實用新型實施例中的左、右、上、下等方位用語，僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認為是具有限制性的。
[0021]如圖1所示，本實用新型實施例提供的光伏光熱一體化組件包括邊框1、蓋板2、鍍膜層3、導(dǎo)熱件4、待加熱部件5和保溫層6。其中，蓋板2封裝在邊框I的一側(cè)，具體地，蓋板2封裝在邊框I具有開口的一側(cè)。鍍膜層3鍍制在蓋板2的內(nèi)側(cè)，即鍍制在蓋板2朝向邊框I的一側(cè)。導(dǎo)熱件4設(shè)置在鍍膜層3的內(nèi)側(cè)，且導(dǎo)熱件4用于傳導(dǎo)熱量。優(yōu)選地，導(dǎo)熱件4為鋁板。在導(dǎo)熱件4遠離鍍膜層3的一側(cè)焊接有多個待加熱部件5，優(yōu)選地，該待加熱部件5是進出口水管，該待加熱部件5內(nèi)流通有水，且待加熱部件5的具體數(shù)量根據(jù)實際需要確定。進一步優(yōu)選地，該待加熱部件5由導(dǎo)熱材料制成，且通過激光焊將多個待加熱部件5焊接在導(dǎo)熱件4的一側(cè)。在邊框1、導(dǎo)熱件4和多個待加熱部件5之間填充有保溫層6，該保溫層6具有保溫功能，主要用于防止熱量散失。優(yōu)選地，該保溫層6由保溫材料制成。
[0022]本實用新型實施例的光伏光熱一體化組件，其通過設(shè)置蓋板2和鍍膜層3用于將吸收的太陽光轉(zhuǎn)化為電能，而部分透過的太陽光轉(zhuǎn)化為熱量，由導(dǎo)熱件4傳送給焊接在導(dǎo)熱件4下方的多個待加熱部件5，從而加熱待加熱部件5中的物質(zhì)，同時在邊框1、導(dǎo)熱件4和待加熱部件5之間填充保溫層6，進一步防止熱量散失，使得太陽光的部分余熱得到充分利用。
[0023]進一步地，如圖2所示，鍍膜層3包括第一透明導(dǎo)電氧化物層31、非晶硅層32、第二透明導(dǎo)電氧化物層33和絕緣層34。其中，第一透明導(dǎo)電氧化物層31通過磁控濺射濺射在蓋板2靠近導(dǎo)熱件4的一側(cè)上;非晶硅層32通過射頻電場產(chǎn)生輝光放電分解氣體形成在第一透明導(dǎo)電氧化物層31上;第二透明導(dǎo)電氧化物層33通過磁控濺射濺射在非晶硅層32上；絕緣層34通過磁控濺射濺射在第二透明導(dǎo)電氧化物層33上。
[0024]優(yōu)選地，在本實用新型的一個實施例中，上述第一透明導(dǎo)電氧化物層31為以蓋板2為襯底通過磁控派射派射一層膜厚為500nm?100nm的透明導(dǎo)電氧化物，該透明導(dǎo)電氧化物可選用IT0、FT0、Zn0及AZO中的一種?？梢岳斫獾氖牵诒緦嵱眯滦偷钠渌鼘嵤├?，該第一透明導(dǎo)電氧化物層31的厚度也可以是其它可實現(xiàn)的數(shù)值。
[0025]優(yōu)選地，在本實用新型的一個實施例中，上述第二透明導(dǎo)電氧化物層33是以鍍制有非晶娃層32的蓋板2為襯底通過磁控派射派射的一層膜厚為500nm?100nm的透明導(dǎo)電氧化物，該透明導(dǎo)電氧化物可選用ITO、FTO、ZnO及AZO中的一種?？梢岳斫獾氖?，在本實用新型的其它實施例中，該第二透明導(dǎo)電氧化物層31的厚度也可以是其它可實現(xiàn)的數(shù)值。
[0026]進一步地，上述絕緣層34為二氧化硅膜層，可起到絕緣的作用，該絕緣層34的膜層厚度為O?I OOnm ο
[0027]進一步地，非晶硅層32包括依次通過射頻電場產(chǎn)生輝光放電分解氣體形成的P型非晶硅321、I型非晶硅322和N型非晶硅323。具體地，把硅烷與硼烷(SiH4+B2H6)的混合氣體通入真空度保持在1Pa?100Pa的反應(yīng)室中，射頻電場產(chǎn)生輝光放電，硅烷與硼烷的混合氣體被分解，在蓋板2上形成P型非晶硅321;把硅烷(SiH4)氣體通入真空度保持在1Pa?100Pa的反應(yīng)室中，射頻電場產(chǎn)生輝光放電，硅烷氣體被分解，在層積有P