專利名稱：邊沿反射型表面聲波器件的頻率特性調(diào)節(jié)方法與制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造應(yīng)用于帶通濾波器，隔波器或其它合適器件的邊沿反射型表面聲波器件的方法和調(diào)節(jié)交指換能器諧振頻率的方法。
背景技術(shù)：
如在日本待審專利申請(qǐng)公報(bào)No.5-183376和No.5-145370中揭示的那樣，以前曾提出過(guò)應(yīng)用BGS波導(dǎo)剪切水平(SH)型表面波的各種邊沿反射型表面聲波器件。
在邊沿反射型表面聲波器件中，在具有兩相對(duì)邊沿的壓電基片上設(shè)置了一種交指換能器，交指換能器中的多個(gè)電極指沿平行于邊沿的方向延伸，受激表面聲波在兩相對(duì)邊沿之間反射而產(chǎn)生駐波，可利用基于該波的諧振特性。
由于邊沿反射型表面聲波器件不需要反射器，故表面波器件可實(shí)現(xiàn)超小型化。
對(duì)制造上述的邊沿反射型表面聲波器件，要用壓電材料制備一塊晶片，然后在上面形成多個(gè)交指換能器，再切割該晶片而形成其兩個(gè)相對(duì)的邊沿，并由單塊晶片切出多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件。
在邊沿反射型表面聲波器件中，除非正確地形成兩個(gè)相對(duì)的邊沿，否則無(wú)法獲得期望的諧振特性與濾波特性。因此在用單塊板型邊沿反射型表面聲波器件形成邊沿時(shí)，各邊沿先前切割的位置從各最外面電極指附近的電極指中心沿表面聲波傳播方向隔開(kāi)λ/2么竹/2整數(shù)倍的距離。另一方面，當(dāng)用包括一對(duì)電極指部分的雙電極型交指換能器形成邊沿時(shí)，各邊沿的切開(kāi)位置從沿表面聲波傳播方向設(shè)置在該交指換能器最外側(cè)的各電極指附近的電極指的成對(duì)電極指部分之間的中心朝外沿表面聲波傳播方向隔開(kāi)λ/2整數(shù)倍的距離。
在實(shí)際制造過(guò)程中，多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件從一塊晶片切開(kāi)，而且在大量制造邊沿反射型表面聲波器件時(shí)，在每塊晶片上以同樣方法形成交指換能器，由此切割多塊晶片。
然而，即使制備了多塊晶片且以同一方法形成的多個(gè)交指換能器，而且以高粘度切割形成了邊沿，仍然有這樣一個(gè)問(wèn)題，即在得到的眾多邊沿反射型表面聲波器件當(dāng)中，頻率特性是不同的，原因在于各晶片的壓電特性有異。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的諸較佳實(shí)施例提出一種制造邊沿反射型表面聲波器件的方法，由此可消除制造的邊沿反射型表面聲波器件之間頻率特性的變化，實(shí)現(xiàn)期望的頻率特性。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種制造邊沿反射型表面聲波器件的方法，所述邊沿反射型表面聲波器件利用其兩個(gè)相對(duì)邊沿上的剪切水平型表面聲波反射，所述方法包括步驟在壓電基片上制成多個(gè)交指換能器，以配置多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的每一個(gè)都包括含有多個(gè)電極指的至少一個(gè)叉指換能器；通過(guò)在形成于所述壓電襯底上的至少一個(gè)叉指換能器的相對(duì)兩側(cè)上制成一對(duì)邊沿，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)的邊沿，并已經(jīng)制成了所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的頻率特性；在不與所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的制成位置相對(duì)應(yīng)的位置處，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的所述另一個(gè)被配置在所述壓電襯底的剩余部分處；其中所述至少一個(gè)叉指換能器是具有15到80對(duì)電極的單電極型叉指換能器，且為了制成被配置在所述壓電襯底的剩余部分處的所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，將在表面聲波的傳播方向的外側(cè)與同所述叉指換能器的每個(gè)最外側(cè)電極指相鄰的電極指中心相隔開(kāi)λ/2的位置設(shè)置為基準(zhǔn)位置；依據(jù)電極的對(duì)數(shù)，根據(jù)圖2來(lái)調(diào)整頻率。
根據(jù)本發(fā)明的第2方面，提供了一種制造邊沿反射型表面聲波器件的方法，所述邊沿反射型表面聲波器件利用其兩個(gè)相對(duì)邊沿上的剪切水平型表面聲波反射，所述方法包括步驟在壓電基片上制成多個(gè)交指換能器，以配置多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的每一個(gè)都包括含有多個(gè)電極指的至少一個(gè)叉指換能器；通過(guò)在形成于所述壓電襯底上的至少一個(gè)叉指換能器的相對(duì)兩側(cè)上制成一對(duì)邊沿，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)的邊沿，并已經(jīng)制成了所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的頻率特性；在不與所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的制成位置相對(duì)應(yīng)的位置處，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的所述另一個(gè)被配置在所述壓電襯底的剩余部分處；其中所述至少一個(gè)叉指換能器是具有15到80對(duì)電極的雙電極型叉指換能器，且為了制成被配置在所述壓電襯底的剩余部分處的所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，將在表面聲波的傳播方向的外側(cè)與同所述叉指換能器的每個(gè)最外側(cè)電極指相鄰的電極指中心相隔開(kāi)λ/2的位置設(shè)置為基準(zhǔn)位置；依據(jù)電極的對(duì)數(shù)，根據(jù)圖6來(lái)調(diào)整頻率。
通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明諸較佳實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述與其它要素、特征、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將更清楚了。


圖1是系出本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的邊沿反射型表面聲波器件的透視圖。
圖2是第一實(shí)施例的曲線圖，表示切割形成的邊沿與設(shè)計(jì)位置的偏移量同測(cè)得諧振頻率與目標(biāo)諧振頻率f的偏移量邊沿反射型表面聲波器件f與目標(biāo)諧振頻率f之比的關(guān)系。
圖3是第一實(shí)施例的曲線圖，表示邊沿位置是設(shè)計(jì)位置-λ/4、-λ/8和-λ/16時(shí)的頻率特征；圖4是示出本發(fā)明第二實(shí)施例中邊沿反射型表面聲波器件電極配置的示意平面圖。
圖5是圖4所示第二實(shí)施例中邊沿反射型表面聲波器件的局部放大平面圖，說(shuō)明形成邊沿的切割位置。
圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的曲線圖，表示切割形成的邊沿位置測(cè)得的中心頻率與目標(biāo)中心頻率f0的偏移量邊沿反射型表面聲波器件f和目標(biāo)中心頻率f0之比的關(guān)系。
圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例的曲線圖，表示當(dāng)邊沿位置是設(shè)計(jì)位置-λ/4、-λ/8和-λ/16時(shí)的頻率特性。
圖8是表示包括單電極型交指換能器的橫向耦合型表面波濾波器的透視圖，作為一例本發(fā)明諸較佳實(shí)施例都適用的表面聲波器件；圖9是表示包括雙電板型交指換能器的橫向耦合型表面波濾濾器的示意平面圖，作為一例本發(fā)明諸較佳實(shí)施例都適用的表面波器件。
圖10是一曲線圖，表示當(dāng)邊沿位置變化時(shí)，包括單電極型交指換能器的橫向耦合型諧振濾波器中頻率特性的變化。
圖11是包括單電極型交指換能器的縱向耦合型表面聲波濾波器的透視圖，作為另一例本發(fā)明諸實(shí)施例都適用的表面波器件。
圖12是包括雙電極型交指換能器的縱向耦合型表面聲波濾波器電極配置的示意平面圖，作為又一例本發(fā)明諸實(shí)施例都適用的表面波器件。
圖13是包括單電極型交指換能器的梯型濾波器的平面圖，作為另一例本發(fā)明諸實(shí)施例都適用的端面反射型表面波器件；和圖14是包括雙電板型交指換能器的梯型濾波器的平面圖，作為又一例本發(fā)明諸實(shí)施例都適用的端面反射型表面波器件。
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例中一例邊沿反射型表面聲波器件的透視圖。本例的邊沿反射型表面聲波器件1最好是一種將BGS波用作SH型表面波的邊沿反射型表面聲波器件。
邊沿反射型表面聲波器件1的壓電基片上為矩形板狀，最好由LiNbO3、LiTaO3等壓電單晶或鈦酸鋯酸鉛基陶瓷(PET)等壓電陶瓷制作。當(dāng)壓電基片2為壓電陶瓷時(shí)，它要沿圖1箭頭P的方向作極化處理。壓電基片2的端面2a與2b基本上相互平行。
交指換能器3置于壓電基片2的頂面上，它有一對(duì)最好的Al等合適的金屬材料制成的梳狀電極4與5，而梳狀電極4與5分別有多根電極板指4a與4b和5a-5c。在交指換能器3中，在最外側(cè)沿表面波傳播方向定位的電極指5a與5c，最好寬度各為約λ/8，這里λ指受激表面波的波長(zhǎng)。
各剩余電極指4a、4b和5b的寬度最好約為λ/4，電極指的間隙最好約為λ/4。
端面2a與2b之間的距離最好的約為λ2×N，其中λ是準(zhǔn)備由交指換能器3激勵(lì)的表面聲波的波長(zhǎng)，N是大于1的整數(shù)，因而受激波在端面2a與2b之間變成了駐波。
在制造本例的邊沿反射型表面聲波器件1的方法中，首先制備用于形成壓電基片的晶片。具體地說(shuō)，制備一塊由上述壓電單晶或壓電陶瓷構(gòu)成的大尺寸晶片，并在其上設(shè)置多個(gè)交指換能器3以例構(gòu)制多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件1。
接著，按厚度方向切割晶片而形成端面2a與2b，于是切開(kāi)邊沿反射型表面聲波器件1。此時(shí)將端面2a與2b間的距離設(shè)置成設(shè)計(jì)值，使邊沿反射型表面聲波器件1具有包括諧振頻率的設(shè)計(jì)的特性。
然而，如上所述，各塊晶片的壓電特性不同，因此當(dāng)由多塊晶片制得眾多的邊沿反射型表面聲波器件1時(shí)，這些邊沿反射型表面聲波器件的諧振特性各不相同。
因此，在本例中，首先在設(shè)計(jì)的位置上從晶片切開(kāi)一對(duì)邊沿2a與2b，形成單個(gè)邊沿反射型表面聲波器件兩相對(duì)的邊沿，并且測(cè)量頻率特性，尤其是形成這些邊沿的邊沿反射型表面聲波器件1的諧振頻率。這樣，推定要從晶片剩余部分的切開(kāi)的其它邊沿反射型表面聲波器件都具有在設(shè)計(jì)位置上從晶片切開(kāi)而測(cè)得的同樣的頻率特性。當(dāng)如此測(cè)得的頻率特性偏離期望特性時(shí)，通過(guò)改變兩相對(duì)邊沿的切割位置而校正該偏差，于是可通過(guò)切割形成在晶片剩余部分構(gòu)成的各邊沿反射型表面聲波器件的兩相對(duì)邊沿。
具體而言，調(diào)整邊沿的形成位置(即邊沿的距離)可調(diào)節(jié)頻率。一般情況下，把邊沿2a與2b的實(shí)際位置確定成與邊沿2a與2b的設(shè)計(jì)位置相同，距離的λ/2×N。相反地，在本發(fā)明諸實(shí)施例中，邊沿2a與2b的實(shí)際位置沿表面聲波的傳播方向設(shè)置在設(shè)計(jì)位置之內(nèi)或之外，使邊沿2a與2b的實(shí)際距離與距離約為λ/2×N的邊沿2a與2b的設(shè)計(jì)位置相比可能變得更長(zhǎng)或更短，由此調(diào)節(jié)了諧振頻率。
這可以參照與最外面電極指附近下一內(nèi)部電極指位置的相對(duì)位置來(lái)解釋。具體而言，通常將2a與2b的每個(gè)位置設(shè)置于從最外面電極指5a與5c附近各電極指4a與4b的中心沿表面聲波傳播方向向外隔開(kāi)λ/2的位置。相反地，在本例中，通過(guò)在設(shè)計(jì)位置之內(nèi)或之外的位置上進(jìn)行切割，形成兩相對(duì)邊沿的每個(gè)邊沿，而該設(shè)計(jì)位置是從各電極指4a與4b的中心沿表面聲波傳播方向朝外隔開(kāi)約λ/2的位置。
圖2表示在分別具有15對(duì)與80對(duì)電極的邊沿反射型表面聲波器件1中，當(dāng)邊沿2b在從設(shè)計(jì)位置向外偏移的位置上形成時(shí)(該位置與電極指4b的中心隔開(kāi)□竹/2)，邊沿反射型表面聲波器件1的諧振頻率。圖2的結(jié)果從實(shí)施獲得，其中在邊沿反射型表面聲波器件1中，在PZT制作的壓電基片上設(shè)置了15對(duì)和80勤萇憤硌ㄛ竹□58μm。應(yīng)指出，本語(yǔ)“對(duì)”指屬于梳狀電極4的一根電極指和屬于梳狀電極5的一根電極指，它們互相接近。
圖2的垂直軸代表測(cè)得的諧振頻率f1與目標(biāo)諧振頻率f的偏差量Δf＝f1-f同目標(biāo)諧振頻率f的比值Δf/f。水平軸上“0”代表設(shè)計(jì)的位置，它沿表面聲波傳播方向朝外與電極指4b腔□□路羲竹/2。水平軸上的“邊沿位置”指設(shè)計(jì)的位置置于原點(diǎn)(即0)時(shí)的邊沿形成位置。這里從設(shè)計(jì)位置0起的“+”向表示在設(shè)計(jì)位置之外沿表面聲波傳播方向形成的邊沿。
要指出，圖2表示當(dāng)邊沿2a與2b都以同一偏移量沿同一方向形成時(shí)所得到的結(jié)果。邊沿2a與2b最好以同一偏移量沿同一方向形成，從而邊沿反射型表面聲波器件相對(duì)于基本上平行于交指線電極指的中心線呈對(duì)稱。然而，只要將邊沿2a或2b偏離各自的設(shè)計(jì)位置，就可偏移諧振頻率。
從圖2可見(jiàn)，將各邊沿2a與2b偏離設(shè)計(jì)位置，諧振頻率就偏移。具體而言，已經(jīng)知道，當(dāng)通過(guò)在設(shè)計(jì)位置之外切割壓電基片使邊沿2a與2b腔擒燭湮衾□竹/2％N設(shè)計(jì)值而形成各邊沿時(shí)，調(diào)節(jié)頻率使諧振頻率變得更低，而當(dāng)各邊沿沿表面波傳播方向定位在設(shè)計(jì)位置之內(nèi)使邊沿2a與2b的距離變成小于約λ/2×N的設(shè)計(jì)值時(shí)，調(diào)節(jié)頻率可使諧振頻率變得更高。
這樣，通過(guò)在沿表面波傳播方向朝外或朝里偏離設(shè)計(jì)位置的位置上進(jìn)行切割，就能調(diào)節(jié)諧振頻率。
因此，根據(jù)本發(fā)明的諸較佳實(shí)施例，首先要通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得某個(gè)校正量，該校正量表示相對(duì)于圖2那樣與邊沿設(shè)計(jì)位置的定位偏離的頻移。于是，基準(zhǔn)邊沿反射型表面聲波器件具有一對(duì)在設(shè)計(jì)位置上切開(kāi)晶片的形成的邊沿2a與2b，并測(cè)量該基準(zhǔn)邊沿反射型表面聲波器件的諧振頻率。
之后，計(jì)算測(cè)得的諧振頻率與設(shè)計(jì)的諧振頻率的偏差，根據(jù)該差值通過(guò)校正可得出定位偏差量與偏差方向，從而消除差值。這樣，能夠可靠地得到具有預(yù)定諧振頻率的邊沿反射型表面聲波器件。
應(yīng)該指出，當(dāng)各邊沿2a與2b的形成位置朝外或朝里偏離設(shè)計(jì)位置過(guò)大時(shí)，不僅會(huì)降低諧振特性的阻抗比，還會(huì)在頻率特性中出現(xiàn)不需要的亂真響應(yīng)。圖3中箭頭P1表示的特性，表示在各邊沿2a與2b沿表面聲波傳播方向朝里偏離設(shè)計(jì)位置約λ/4的位置上形成時(shí)的頻特性。當(dāng)各邊沿在朝里偏離設(shè)計(jì)位置超過(guò)的±竹/8的設(shè)計(jì)位置范圍內(nèi)，如在約-λ/8設(shè)計(jì)位置上時(shí)的頻率特性?？梢钥闯?，在圖3的P1內(nèi)標(biāo)以“X”的亂真響應(yīng)被明顯減小了。
因此可以明白，在約±竹/8設(shè)計(jì)在位置范圍內(nèi)的某一位置形成各邊沿，可有鏟地抑制亂真響應(yīng)，而且由圖2可見(jiàn)，能方便可靠地調(diào)節(jié)諧振頻率。
更佳地，各邊沿2a與2b在約±竹/16設(shè)計(jì)位置范圍內(nèi)形成。圖3箭頭P3表示當(dāng)各邊沿2a與2b在約-竹/16設(shè)計(jì)位置的位置上形成時(shí)的頻率特性。通過(guò)與圖3箭頭P2指出的特性相比較可以看出，在箭頭P3指示的特性中，更有效地抑制了上述的亂真響應(yīng)。
圖1所示的邊沿反射型表面聲波器件1是包括單電極型交指換能器3的表面波諧振器的一應(yīng)用例。然而，本發(fā)明還適用于一種制造表面波器件的方法，所述表面波器件包括具有一對(duì)電極指部分的雙電板型交指換能器。
圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例中邊沿反射型表面聲波器件11電極配置的示意平面圖，該器件有一雙電極型交指換能器12。
交指換能器12有多根電極指，各電段指有一種雙電板(或分裂電極)結(jié)構(gòu)，其中設(shè)置3一對(duì)電極指部分。例如，圖4中交指換能器12的電極指13和14被配置成分別由電極指部分13a與13b及14a與14b限定這些對(duì)。
在本例中，把沿表面聲波傳播方向朝外隔開(kāi)電板13中心(即沿表面聲波傳播方向最外面電極指14附近的電極指部分13a與13b的中心)約λ/2的位置設(shè)置為設(shè)計(jì)位置，通過(guò)在設(shè)計(jì)位置約±竹/8范圍的某一位置切割而形成邊沿。
圖5是局部放大的切割平面圖，表示在圖4所示交指換能器12的電極指13與14外部沿表面聲波傳播方向準(zhǔn)備形成邊沿的部分。
具體而言，交指換能器12經(jīng)配置，使其電極指13具有一對(duì)電極指部分13a與13b，并使其最外面的電極指14具有一對(duì)電極指部分14a與14b。當(dāng)試圖切割晶片而形成邊沿反射型表面聲波器件11時(shí)，把沿表面聲波傳播方向朝外隔開(kāi)電板13中心(即電極指部分13a與13b沿表面聲波傳播方向的中心)的λ/2的位置(位置C)設(shè)置為設(shè)計(jì)位置，并通過(guò)在設(shè)計(jì)位置之內(nèi)或之外的某一位置上切割而形成邊沿。這里，當(dāng)在A-F指示的位置之一處切割時(shí)，就可能切掉最外面電極指14中的電極指部分14b。
圖6示出當(dāng)以上述方法形成各邊沿，并且其位置在邊沿反射型表面聲波器件1中偏離設(shè)計(jì)位置而產(chǎn)生約λ/2×N距離時(shí)，諧振頻率發(fā)生的變化。圖6的結(jié)果由實(shí)驗(yàn)得到，其中交指換能器12的15對(duì)，34對(duì)和80對(duì)電極指分別設(shè)置在電PZT組成的壓電基片上，λ約為36μm。
圖6的垂直軸代表測(cè)得的諧振頻率f2與目標(biāo)諧振頻率f0的偏移量邊沿反射型表面聲波器件f＝f2-f0同目標(biāo)諧振頻率f0之比，水平軸代表端面的位置。水平軸上的“0”表示該邊沿位于設(shè)計(jì)位置(位置C)，該位置沿表面聲波傳播方向朝外隔開(kāi)電極指部分13a與13b的中心約λ/2。
由圖6可見(jiàn)，在包括雙電板型交指換能器12的邊沿反射型反射器中，通過(guò)偏移各邊沿的位置，使諧使振頻率以第一實(shí)施例同樣的方法變化。
同樣地，在第二實(shí)施例中，當(dāng)各邊沿在朝外或朝里偏離設(shè)計(jì)位置過(guò)多的位置上形成時(shí)，頻率特性中會(huì)出現(xiàn)明顯的亂真響應(yīng)。
圖7箭頭Q1指示的特性，表示當(dāng)各邊沿在沿表面波傳播方向偏離設(shè)計(jì)位置約-竹/4的位置上形成時(shí)的頻率特性。如圖中箭頭Y所指，可看到明顯的亂真響應(yīng)。
圖7箭頭Q2指示的特性，表示當(dāng)各邊沿在位于偏離設(shè)計(jì)位置約-竹/8的位置時(shí)的頻率特性。可以看出，上述亂真響應(yīng)受到很大的抑制。
同樣地，圖7箭頭Q3指示的特性，表示當(dāng)各邊沿位于偏離設(shè)計(jì)位置的-竹/16的位置的頻率特性?？梢钥闯?，當(dāng)各邊沿的位置在設(shè)計(jì)位置+竹/16的范圍內(nèi)時(shí)，可更有效地抑制上述的亂真響應(yīng)。
因此，在第二實(shí)施例中也可肯定，通過(guò)將各邊沿形成在設(shè)計(jì)約+竹/8ㄛ載槽華在+竹/16范圍的位置上，可得到亂真響應(yīng)低的優(yōu)良頻率特性。
在第一與第二實(shí)施例中，分別描述了應(yīng)用單電板型和雙電板型交指換能器的表面波諧振器的例子，但本發(fā)明適用于制造包括單、雙電板型換能器的各種表面波器件的方法。圖8-14示出的其它一些表面波器件的例子可應(yīng)用本發(fā)明的諸較佳實(shí)施例。
圖8和9的邊沿反射型表面聲波器件21與31確立是橫向耦合型邊沿反射型表面波濾波器，分別具有兩個(gè)單電板型交指換能器22與23和兩個(gè)雙電板型交指換能器32與33。
圖10示出圖9中應(yīng)用最好由PET組成的壓電基片的橫向耦合型諧振濾波器的特性例子。圖10中，C表示各邊沿形成在設(shè)計(jì)位置上時(shí)的特性，D-G表示各邊沿形成在分別偏出設(shè)計(jì)位置約λ/32}竹/16}竹/8睿竹/4位置時(shí)的特性，可以看出，改變邊沿形成位置可以調(diào)節(jié)中心頻率。要注意，相對(duì)于濾波器特性，當(dāng)各邊沿形成在偏出設(shè)計(jì)位置約λ/4時(shí)，扦入損失板差，且亂真響應(yīng)板大。當(dāng)邊沿形成位置偏出設(shè)計(jì)位置約λ/8時(shí)，這些濾波器特性得出適中的結(jié)果，而當(dāng)形成位置偏出設(shè)計(jì)位置約λ/16時(shí)，濾波器特性呈現(xiàn)優(yōu)良的結(jié)果。雖然圖10示出了邊沿形成位置偏出設(shè)計(jì)位置時(shí)的結(jié)果，但是邊沿形成位置偏入設(shè)計(jì)位置以內(nèi)可使中心頻率調(diào)成偏向更高的頻率。在此情況，扦入損失與亂真響應(yīng)呈現(xiàn)出與邊沿形成位置偏出設(shè)計(jì)位置的情況同樣的值。下面要描述的縱向耦合型諧振濾波器也有同樣的結(jié)果。
圖11的表面波器件41是縱向耦合型表面聲波濾波器，其中單電極型交指換能器43沿表面波傳播方向置于壓電基片42上。
圖12的邊沿反射型表面聲波器件51是具有雙電極型交指換能器52與53的縱向耦合型表面聲波濾波器。
圖13和14的邊沿反射型表面聲波器件61與71均為梯型濾波器，分別具有單與雙電極型交指換能器。
除了上述圖8~14的不同邊沿反射型表面聲波器件以外，根據(jù)本發(fā)明諸實(shí)施例制造邊沿反射型表面聲波器件的方法一般適于制造各種交指換能器。
由以上描述可見(jiàn)，在根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例制造邊沿反射型表面聲波器件的方法中，即使因晶片的原因使頻率特性出現(xiàn)偏差時(shí)，通過(guò)測(cè)量在同樣晶片上最先形成的邊沿反射型表面聲波器件的特性，通過(guò)測(cè)量在同樣晶片上最先形成的邊沿反射型表面聲波器件的特性，并根據(jù)得到的特性與目標(biāo)特性的偏差調(diào)節(jié)同一晶片上剩余邊沿反射型表面聲波器件的邊沿形成位置，仍可容易地獲得具有期望頻率特性的邊沿反射型表面聲波器件。
在本發(fā)明諸實(shí)施例的一個(gè)方面中，在離設(shè)計(jì)位置約+竹/8范圍內(nèi)的某一位置切割壓電基片而形成兩相對(duì)邊沿的每個(gè)邊沿，由此將頻率調(diào)得更低。另一方面，在本發(fā)明諸實(shí)施例的第二方面中，在設(shè)計(jì)位置以內(nèi)如離設(shè)計(jì)位置約-竹/8范圍內(nèi)的某一位置切割壓電基片而形成兩相對(duì)邊沿的每個(gè)邊沿，由此將頻率調(diào)得更高。
在本發(fā)明諸實(shí)施例的第一或第二方面中，尤其在設(shè)計(jì)位置的+竹/16么-竹/16范圍內(nèi)的某一位置通過(guò)切割而成各邊沿時(shí)，甚至更加抑制了不需要的亂真響應(yīng)，由此獲得優(yōu)良的諧振特性或?yàn)V波特性。
在本發(fā)明諸實(shí)施例的第三與第四方面中，在壓電基片上形成交指換能器后，將沿表面聲波傳播方向朝外隔開(kāi)各最外面電極指附近電極指中心的λ/2的位置設(shè)置為設(shè)計(jì)位置，并在設(shè)計(jì)位置約+竹/8范圍內(nèi)的某一位置通過(guò)切割而形成兩相對(duì)邊沿的每個(gè)邊沿，可有效地抑制不需要的亂真響應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的諧振或?yàn)V波特性。另外，當(dāng)在設(shè)計(jì)位置±λ/8范圍內(nèi)的某一位置通過(guò)切割而形成各邊沿時(shí)，調(diào)節(jié)各邊沿的位置就能方便地將諧振頻率或中心頻率調(diào)成更低或更高。
在本發(fā)明諸實(shí)施例的第三或第四方面中，當(dāng)在設(shè)計(jì)位置±λ/16范圍內(nèi)通過(guò)切割而較佳地形成各邊沿時(shí)，能更有效地抑制不需要的亂真響應(yīng)。
雖然已參照目前被認(rèn)為較佳的諸實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，可對(duì)本發(fā)明作出各種改變和更改而不偏離本發(fā)明的各個(gè)方面，因此，所附權(quán)項(xiàng)試圖覆蓋落在本發(fā)明的實(shí)際精神與范圍內(nèi)的所有此類改變和更改。
權(quán)利要求
1.一種制造邊沿反射型表面聲波器件的方法，所述邊沿反射型表面聲波器件利用其兩個(gè)相對(duì)邊沿上的剪切水平型表面聲波反射，所述方法包括步驟在壓電基片上制成多個(gè)交指換能器，以配置多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的每一個(gè)都包括含有多個(gè)電極指的至少一個(gè)叉指換能器；通過(guò)在形成于所述壓電襯底上的至少一個(gè)叉指換能器的相對(duì)兩側(cè)上制成一對(duì)邊沿，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)的邊沿，并已經(jīng)制成了所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的頻率特性；在不與所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的制成位置相對(duì)應(yīng)的位置處，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的所述另一個(gè)被配置在所述壓電襯底的剩余部分處；其中所述至少一個(gè)叉指換能器是具有15到80對(duì)電極的單電極型叉指換能器，且為了制成被配置在所述壓電襯底的剩余部分處的所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，將在表面聲波的傳播方向的外側(cè)與同所述叉指換能器的每個(gè)最外側(cè)電極指相鄰的電極指中心相隔開(kāi)λ/2的位置設(shè)置為基準(zhǔn)位置；依據(jù)電極的對(duì)數(shù)，根據(jù)圖2來(lái)調(diào)整頻率。
2.一種制造邊沿反射型表面聲波器件的方法，所述邊沿反射型表面聲波器件利用其兩個(gè)相對(duì)邊沿上的剪切水平型表面聲波反射，所述方法包括步驟在壓電基片上制成多個(gè)交指換能器，以配置多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的每一個(gè)都包括含有多個(gè)電極指的至少一個(gè)叉指換能器；通過(guò)在形成于所述壓電襯底上的至少一個(gè)叉指換能器的相對(duì)兩側(cè)上制成一對(duì)邊沿，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)的邊沿，并已經(jīng)制成了所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的頻率特性；在不與所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中至少一個(gè)的所述兩個(gè)相對(duì)的邊沿的制成位置相對(duì)應(yīng)的位置處，制成所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中的所述另一個(gè)被配置在所述壓電襯底的剩余部分處；其中所述至少一個(gè)叉指換能器是具有15到80對(duì)電極的雙電極型叉指換能器，且為了制成被配置在所述壓電襯底的剩余部分處的所述多個(gè)邊沿反射型表面聲波器件中另一個(gè)的兩個(gè)相對(duì)邊沿，從而修正所述頻率特性與希望的特性間的偏差，將在表面聲波的傳播方向的外側(cè)與同所述叉指換能器的每個(gè)最外側(cè)電極指相鄰的電極指中心相隔開(kāi)λ/2的位置設(shè)置為基準(zhǔn)位置；依據(jù)電極的對(duì)數(shù)，根據(jù)圖6來(lái)調(diào)整頻率。
全文摘要
一種調(diào)節(jié)邊沿反射型表面聲波器件頻率特性的方法，包括獲得具有壓電基片的邊沿反射型表面聲波器件的頻率特性的步驟。邊沿反射型表面聲波器件的一對(duì)壓電基片邊沿限定了其間的預(yù)定距離。接著，在一對(duì)位置的至少一個(gè)位置上切割壓電基片，當(dāng)邊沿反射型表面聲波器件的最終頻率特性要高于得到的頻率特性時(shí)，該位置限定的距離便短于預(yù)定距離；而當(dāng)邊沿反射型表面聲波器件的最終頻率特性要低于得到的頻率特性時(shí)，該位置限定的距離則長(zhǎng)于預(yù)定距離。
文檔編號(hào)H03H9/64GK1545205SQ20041004747
公開(kāi)日2004年11月10日 申請(qǐng)日期2001年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月6日
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