專利名稱：聲表面波器件及多頻移動電話的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種聲表面波器件，尤其是關于一種可產(chǎn)生高頻的聲表面波器件及使用該聲表面波器件的多頻移動電話。
背景技術：
隨著移動通訊技術的發(fā)展，移動電話越來越為廣大消費者青睞。由于不同國家采用不同的移動通訊頻率，故現(xiàn)有的移動電話具有單頻、雙頻或三頻功能。單頻移動電話一般為舊機型，如諾基亞于1998年上市的5110即具有900MHz的單頻功能。雙頻及三頻移動電話是出現(xiàn)于近幾年內(nèi)，如諾基亞于1999后上市的移動電話，一般均具有900MHz及1800MHz的雙頻功能，此外諾基亞還有部分三頻移動電話，如7210等型號具有900MHz、1800MHz及1900MHz的三頻功能。
移動電話是通過聲表面波器件(SAW device)將聲音信號轉化為電信號，或將電信號轉化為聲音信號。聲表面波(surface acoustic wave，SAW)是傳播于壓晶體管表面的機械波，其聲速僅為電磁波速的十萬分之一，傳播衰耗很小。聲表面波器件是在壓電基片上采用微電子工藝技術制作叉指形電聲換能器和反射器耦合器等，利用基片材料的壓電效應，通過輸入叉指換能器(InterDigital Transducer，IDT)將電信號轉換成聲信號，并局限在基片表面?zhèn)鞑ィ敵霾嬷笓Q能器將聲信號恢復成電信號，實現(xiàn)電-聲-電的變換過程，完成電信號處理過程，獲得各種用途的電子器件。采用了先進微電子加工技術制造的聲表面波器件，具有體積小、重量輕、可靠性高、一致性好、多功能以及設計靈活等優(yōu)點，在通訊、電視、遙控和報警是統(tǒng)中已得到廣泛應用，數(shù)以億計的移動電話和電視機中都應用了多個聲表面波濾波器。隨著加工工藝的飛速發(fā)展，聲表面波器件已成為現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)不可或缺的關鍵元器件。
然，現(xiàn)有的移動電話用聲表面波器件的頻率一般在2GHz以下，不能滿足部分國家所要求的較高移動通訊頻率。
針對于此，有必要提供一種可產(chǎn)生高頻的聲表面波器件及使用該聲表面波器件的多頻移動電話。

發(fā)明內(nèi)容鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種可產(chǎn)生高頻的聲表面波器件。
另，鑒于以上內(nèi)容有必要提供一種使用上述聲表面波器件的多頻移動電話。
為了實現(xiàn)上述目的，提供一種聲表面波器件，包括基片、壓電薄膜及叉指電極，該壓電薄膜形成于該基片表面，且該壓電薄膜的厚度為0.02-5μm，該叉指電極形成于壓電薄膜表面，且該叉指電極具有叉指狀結構。
另提供一種多頻移動電話，該多頻移動電話內(nèi)至少包括一個聲表面波器件，所述聲表面波器件包括基片、壓電薄膜及叉指電極，該壓電薄膜形成于該基片表面，且該壓電薄膜的厚度為0.02-5μm，該叉指電極形成于壓電薄膜表面，且該叉指電極具有叉指狀結構。
相較現(xiàn)有技術，所述聲表面波器件可對高頻信號進行處理，其工作頻率最高可達18GHz，而采用本發(fā)明的聲表面波器件的多頻移動電話亦可對多種頻濾進行處理，可滿足不同國家的移動通訊頻率要求。

圖1是本發(fā)明較佳實施例的立體結構示意圖；圖2是本發(fā)明較佳實施例的剖面結構示意圖；圖3是本發(fā)明較佳實施例的制作流程示意圖。
具體實施方式請參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明較佳實施例的聲表面波器件1包括基片10、壓電薄膜層20及叉指電極30?；?0是由硅材料制成，壓電薄膜層20形成于該基片10的上表面，該壓電薄膜層20是由氧化鋅(ZnOx)、鈮酸鋰(LiNbOx)、鈦酸鋰(LiTiOx)或鉭酸鋰(LiTaOx)等材料制成，其厚度為0.02-5μm，該叉指電極30形成于壓電薄膜20的表面，且該叉指電極30具有叉指狀結構。
壓電薄膜厚度越小則聲表面波器件1可處理的聲表面波頻率越高，為得到最佳的處理效果，聲表面波器件1的壓電薄膜層20的厚度最佳應為0.05-2μm。以氧化鋅(ZnOx)作為壓電材料為例，欲得到900Mhz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的厚度應為1.5-2μm；欲得到1.8GHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的厚度應為0.7-1μm；欲得到2.4Ghz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的厚度應為0.4-0.6μm；欲得到5Ghz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的厚度應為0.2-0.3μm；欲得到9Ghz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的厚度應為0.1-0.2μm；欲得到18Ghz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的厚度應為0.05-0.08μm。
請參閱圖3，該聲表面波器件1的制作方法包括以下步驟首先提供一硅基片10；然后將該硅基片10置于真空腔內(nèi)，以氧化鋅(ZnOx)、鈮酸鋰(LiNbOx)、鈦酸鋰(LiTiOx)或鉭酸鋰(LiTaOx)為濺鍍靶材，以氬氣(Ar)與氧氣為濺鍍氣體，于該硅基片10的表面濺鍍一壓電薄膜層20，濺鍍方法可為反應性直流濺鍍(DC reactive sputtering)或反應性射頻濺鍍(RFreactive sputtering)，控制反應參數(shù)使得該壓電薄膜層20的厚度為0.02-5μm；于壓電薄膜層20表面涂敷一層光阻層40；然后將一叉指狀光罩(圖未示)罩于該光阻層40表面；用雷射光或紫外光照射該光罩，于光阻表面形成一叉指狀曝光區(qū)；取下光罩后，將曝光的光阻層40置于顯影液內(nèi)，去除叉指狀曝光區(qū)的曝光光阻401，露出部分壓電薄膜層201；接著利用濺鍍法于剩余光阻402及露出的部分壓電薄膜層201表面鍍一層導電金屬膜60，該金屬可為金、銀、銅或鋁；洗去剩余光阻402及附著于其上的金屬膜層601，則剩余的叉指狀金屬膜層即為叉指電極30，此時便已制得本發(fā)明的聲表面波器件1。
為得到最佳的處理效果，濺鍍壓電薄膜20時，應控制濺鍍參數(shù)，使得構成壓電薄膜層20的晶粒大小處于一定范圍。仍以氧化鋅(ZnOx)作為壓電材料為例，欲得到900MHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的晶粒大小應為20-50nm；欲得到1.8GHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的晶粒大小應為10-20nm；欲得到2.4GHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的晶粒大小應為5-10nm；欲得到5GHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的晶粒大小應為3-5nm；欲得到9GHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的晶粒大小應為2-3nm；欲得到18GHz的聲表面波器件時，壓電薄膜層20的晶粒大小應為1-2nm。
當采用通過上述方法制得的聲表面波器件1時，即可得到最高頻率可達18GHz的多頻移動電話，該移動電話可滿足不同國家的移動通訊頻率要求。
權利要求
1.一種聲表面波器件，其特征在于其包括基片、壓電薄膜及叉指電極，該壓電薄膜形成于該基片表面，且該壓電薄膜的厚度為0.02-5微米，該叉指電極形成于壓電薄膜表面，且該叉指電極具有叉指狀結構。
2.如權利要求1所述的聲表面波器件，其中所述基片是由硅材料制得。
3.如權利要求1所述的聲表面波器件，其中所述壓電薄膜是由氧化鋅材料的晶粒構成。
4.如權利要求3所述的聲表面波器件，其特征在于所述壓電薄膜的厚度為1.5-2微米，晶粒大小為20-50納米。
5.如權利要求3所述的聲表面波器件，其特征在于所述壓電薄膜的厚度為0.7-1微米，晶粒大小為10-20納米。
6.如權利要求3所述的聲表面波器件，其特征在于所述壓電薄膜的厚度為0.4-0.6微米，晶粒大小為5-10納米。
7.如權利要求3所述的聲表面波器件，其特征在于所述壓電薄膜的厚度為0.2-0.3微米，晶粒大小為3-5納米。
8.如權利要求3所述的聲表面波器件，其特征在于所述壓電薄膜的厚度為0.1-0.2微米，晶粒大小為2-3納米。
9.如權利要求3所述的聲表面波器件，其特征在于所述壓電薄膜的厚度為0.05-0.08微米，晶粒大小為1-2納米。
10.一種多頻移動電話，其特征在于其包括至少一聲表面波器件，該聲表面波器件包括一基片、壓電薄膜及叉指電極，該壓電薄膜形成于該基片表面，且該壓電薄膜的厚度為0.02-5μm，該叉指電極形成于壓電薄膜表面，且該叉指電極具有叉指狀結構。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種聲表面波器件，包括基片、壓電薄膜及叉指電極，該壓電薄膜形成于該基片表面，且該壓電薄膜的厚度為0.02－5μm，該叉指電極形成于壓電薄膜表面，且該叉指電極具有叉指狀結構。一種多頻移動電話，包括至少一個上述聲表面波器件。
文檔編號H03H9/00GK1829082SQ20051003349
公開日2006年9月6日 申請日期2005年3月4日 優(yōu)先權日2005年3月4日
發(fā)明者陳杰良 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司