專利名稱：壓電振動器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電振動器件。
背景技術(shù)：
目前正在使用的壓電振動器件的例子包括晶體振蕩器和晶體諧
振器，
在振蕩器的情況下，用作振蕩器外殼的封裝由基體和蓋組成，以
及封裝的內(nèi)部是密封的。在這個外殼內(nèi)，晶體諧振器和振蕩用IC(集
成電路)通過引線接合和金屬凸起等與在基體的底面或?qū)盈B中間層上
形成的電極焊盤接合。IC處在封裝內(nèi)部的下部，以及晶體諧振器被支
承在上部(參見，例如，下面的專利文件l)。
在晶體諧振器的情況下，用作諧振器外殼的封裝由基體和蓋組 成，以及外殼的內(nèi)部是密封的。在這個外殼內(nèi)，晶體振動片通過導(dǎo)電 接合材料、引線接合和金屬凸起等與在基體的底面上、層疊中間層內(nèi)
等形成的電極焊盤接合(參見，例如，下面的專利文件2)。 專利文件1: JP 2002-158558A 專利文件2: JP 2004-356687A

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
目前，電子器件仍然是越來越小，這伴隨著上述晶體振蕩器、晶 體諧振器等的尺寸的減小。于是，對于公開在例如上述專利文件1中 的晶體諧振器，在外殼內(nèi)必須縮短在基體上形成電極焊盤以便將晶體
諧振片與基體接合的位置的間距。
如果灰塵、溶劑、氧化物薄膜等粘附在基體上的電極焊盤的表面上，則將降低引線接合或金屬凸起與電極焊盤的接合強度.因此，當 前人們采用在接合電極焊盤和晶體諧振片之前清潔電極焊盤表面的 方法.近年來，清潔這些電極焊盤的標準方式是進行等離子蝕刻，或 沒有清潔(堿清除)之后的后續(xù)步猓所引起的二次污染的另一種干蝕 刻.通過這里提到的等離子蝕刻方法(等離子濺射)，使加速的氣離 子、氧離子等與電極焊盤的表面物理碰撞，刮掉電極焊盤的金屬表面， 暴露出沒有灰塵、溶劑、氧化物薄膜等粘附在上面的電極焊盤的金屬 表面，從而清潔電極焊盤的表面。但是，當通過等離子濺射來清潔上述基體上的電極焊盤時，電極 灰擴散并重新粘附(濺射)到像基體壁那樣與基體底面成一定角度的 表面上，這種電極灰不會重新粘附到氬離子或氧離子發(fā)射源的正對面 (諸如基體的底面)，而是粘附在例如與發(fā)射源的正對面成一定角度 的表面(諸如與發(fā)射源垂直的基體壁)上，從發(fā)射源發(fā)出的離子根本 不會碰撞到所述表面或碰撞非常少，以及擴散和重新粘附(賊射)的 電子灰保持在所述表面上。因此，隨著晶體諧振器越來越小，如果縮短在基體上形成接合晶 體諧振片的電極焊盤的位置之間的間距，則存在用作相鄰形成的異電 極的電極焊盤將通過粘附在與基體底面成一定角度的表面上的電極 灰連接在一起，并將導(dǎo)致相鄰電極焊盤之間短路的可能性，為了避免相鄰電極焊盤之間的這種短路，通過例如上述專利文件 1中的發(fā)明(晶體振蕩器)，用屏蔽件來覆蓋發(fā)生重新粘附的基體區(qū) 域，使得電極灰不會重新粘附在上面，但晶體振蕩器尺寸的減小導(dǎo)致 發(fā)生重新粘附的基體區(qū)域較小，這使得難以用屏蔽件來剛好覆蓋發(fā)生 重新粘附的基體區(qū)域。這個問題往往對上述專利文件1中的發(fā)明產(chǎn)生負面影響，因為IC處在封裝內(nèi)的下部，以及晶體諧振器被支承在接 近這個IC的上部。有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是，提供一種壓電 諧振器件，避免了用作異電極并在基體的底面上相鄰形成的電極焊盤 在與基體的底面成一定角度的內(nèi)表面上被連接的狀況。解決本發(fā)明的手段為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的壓電諧振器件是這樣一種壓電 諧振器件，其中，封裝由基體和蓋構(gòu)成，并在基體上形成多個電極焊 盤，用于支承在其上形成電極端子的壓電諧振片，并使得壓電諧振片 的電極端子處在與外部電極導(dǎo)通的狀態(tài)下，其中，基體的封裝的內(nèi)周 面由具有不同平面方向的多個內(nèi)表面組成，以及用作異電極的電極焊 盤相鄰地形成在多個內(nèi)表面當中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有另一個平面方向的另一個內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方 向的內(nèi)表面上，以及相鄰電極焊盤之間沿著這條交線的距離長于所迷 相鄰電極焊盤之間在具有相同平面方向的內(nèi)表面上的最短距離。通過本發(fā)明，由于基體的封裝內(nèi)周面由具有不同平面方向的多個 內(nèi)表面組成，以及用作異電極的電極焊盤相鄰地形成在多個內(nèi)表面當 中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有另一個平面方向的另一個 內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上，以及相鄰電極焊 盤之間沿著這條交線的距離長于所述相鄰電極焊盤之間在具有相同 平面方向的內(nèi)表面上的最短距離，可以避免在具有相同平面方向的內(nèi) 表面上相鄰形成的用作異電極的電極焊盤在具有另一個平面方向的 其它內(nèi)表面上被連接的狀況，并可以防止由用作異電極的電極焊盤的 連接引起的短路。當通過等離子濺射來清潔基體上的電極焊盤時，本 發(fā)明是特別優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。具體地說，當使用等離子濺射時，電極灰擴 散，以及這種擴散的電極灰重新粘附(濺射)在像基體壁那樣與基體 的底面成一定角度的表面上，但是，通過本發(fā)明，由于相鄰電極焊盤 之間沿著上述交線的距離長于所述相鄰電極焊盤之間在具有相同平 面方向的內(nèi)表面上的最短距離，可以避免電極焊盤在具有另一個平面 方向的另一個內(nèi)表面上被連接的狀況。本發(fā)明優(yōu)選用于解決一般在千 蝕刻方法中遇到的相同問題，而不僅僅是上述等離子濺射。而且，本 發(fā)明優(yōu)選用于尺寸減小的晶體振動器件，因為其不牽涉到通過使用像 上述專利文件1中那樣的屏蔽件來避免相鄰電極焊盤之間的短路。此外，為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的壓電諧振器件是一種壓電諧振器件，其中封裝由基體和蓋構(gòu)成，以及在基體上形成多個電極 焊盤，用于支承在其上形成電極端子的壓電振動片和集成電路板，并 使壓電諧振片和集成電路板的電極端子處在與外部電極和內(nèi)部端子 導(dǎo)通的狀態(tài)下，其中，基體的封裝的內(nèi)周面由具有不同平面方向的多 個內(nèi)表面組成，以及用作異電極的電極焊盤相鄰地形成在多個內(nèi)表面 當中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有另一個平面方向的另一 個內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上，以及相鄰電極 焊盤之間沿著這條交線的距離長于所述相鄰電極焊盤之間在具有相 同平面方向的內(nèi)表面上的最短距離.通過本發(fā)明，由于基體的封裝內(nèi)周面由具有不同平面方向的多個 內(nèi)表面組成，以及用作異電極的電極焊盤相鄰地形成在多個內(nèi)表面當 中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有另一個平面方向的其它內(nèi) 表面相交的交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上，以及相鄰電極焊盤 之間沿著這條交線的距離長于所述相鄰電極焊盤之間在具有相同平 面方向的內(nèi)表面上的最短距離，可以避免在具有相同平面方向的內(nèi)表 面上相鄰形成的用作異電極的電極焊盤在具有另一個平面方向的其 它內(nèi)表面上被連接的狀況，并可以防止由用作異電極的電極焊盤的連 接引起的短路。當通過等離子濺射來清潔基體上的電極焊盤時，本發(fā) 明是特別優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。具體地說，當使用等離子濺射時，電極灰擴散， 以及這種擴散的電極灰重新粘附(濺射)在像基體壁那樣與基體的底 面成一定角度的表面上，但是，通過本發(fā)明，由于相鄰電極焊盤之間 沿著上述交線的距離長于相鄰電極焊盤之間在具有相同平面方向的 內(nèi)表面上的最短距離，可以避免電極焊盤在具有另一個平面方向的另 一個內(nèi)表面上被連接的狀況。而且，本發(fā)明優(yōu)選用于解決一般在千蝕 刻方法中遇到的相同問題，而不僅僅是上述等離子濺射。此外，本發(fā) 明優(yōu)選用于尺寸減小的晶體振蕩器件，因為其不牽涉到通過使用像上 述專利文件1中那樣的屏蔽件來避免相鄰電極焊盤之間的短路。通過這種結(jié)構(gòu)，可以在多個內(nèi)表面當中包括具有相同平面方向的 內(nèi)表面與具有另一個平面方向的其它內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上相鄰地形成用作異電極的電極焊盤，以及相鄰電極焊盤之間沿著這條交線的距離可以設(shè)置成至少100nm，以及所i^ 鄰電極焊盤之間在具有相同平面方向的內(nèi)表面上的最短距離可以設(shè) 置成小于lOOnm.在這種情況下，由于相鄰電極焊盤之間沿著這條交線的距離被設(shè) 置成至少100|Lim，以及所述相鄰電極焊盤之間在具有相同平面方向的 內(nèi)表面上的最短距離被設(shè)置成小于100pm，在具有相同平面方向的內(nèi) 表面上的電極焊盤的設(shè)計中存在較大的自由度。其結(jié)果是，可以適應(yīng) 由安裝這種壓電諧振器件的設(shè)備的較多功能(附加功能)引起的這種 壓電諧振器件中的電極烀盤等的配線的增加.通過這種構(gòu)成，具有另一個平面方向的其它內(nèi)表面可以由多個表 面組成，以及所述交線可以由具有相同平面方向的內(nèi)表面與多個其它 內(nèi)表面相交的線構(gòu)成，在這種情況下，由于具有另一個平面方向的其它內(nèi)表面可以由多 個表面組成，以及所迷交線可以由具有相同平面方向的內(nèi)表面與多個 其它內(nèi)表面相交的線構(gòu)成，可以延長所述交線。具體地說，由于交線 的距離在基體的具有相同平面方向的內(nèi)表面上是彎曲的，所以交線比 原來長了等于這個彎曲的量，以及可以延長所述交線。于是，可以防 止由用作異電極的電極焊盤的連接引起的短路。此外，相反地，由于 這種構(gòu)成使相鄰電極焊盤之間的距離縮短，所以在封裝尺寸減小的情 況下，這是優(yōu)選的。通過這種構(gòu)成，可以在具有相同平面方向的內(nèi)表面上離開所述交 線形成浮動電極焊盤。在這種情況下，由于在具有相同平面方向的內(nèi)表面上離開所述交 線形成浮動電極焊盤，基本上可以防止這些浮動電極焊盤和相鄰形成 的用作異電極的電極焊盤被連接在具有另一個平面方向的其它內(nèi)表 面上的狀況。于是，當在電極焊盤的數(shù)量保持相同的同時減小壓電諧 振器件的尺寸時，這種構(gòu)成是優(yōu)選的。通過這種構(gòu)成，如果在包括交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上形成的電極焊盤的數(shù)量大于浮動電極焊盤的數(shù)量，這是優(yōu)選的。在這種情況下，由于在包括交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上 形成的電極焊盤的數(shù)量大于浮動電極焊盤的數(shù)量，不僅可以利用浮動 電極焊盤將在具有相同平面方向的內(nèi)表面上形成電極焊盤的位置設(shè) 置成所希望的位置，而且由于在包括交線的具有相同平面方向的內(nèi)表 面上形成的電極焊盤的數(shù)量大于浮動電極焊盤的數(shù)量，可以抑制在具 有相同平面方向的內(nèi)表面上離開交線形成電極焊盤所引起的基體強 度的減小。通過這種構(gòu)成，基體可以具有在底部形成的層疊部分，可以在底 部形成層疊部分的位置上或附近配有通孔，以及封裝內(nèi)的電極焊盤可 以經(jīng)由所述通孔與封裝的外部電連接。在這種情況下，由于基體具有在底部形成的層疊部分，在底部形 成層疊部分的位置上或附近配有通孔，以及封裝內(nèi)的電極焊盤經(jīng)由所 述通孔與封裝的外部電連接，所述層疊部分可以抑制形成通孔所引起 的基體強度的減小。通過這種構(gòu)成，可以在通孔的內(nèi)周面上形成電極，并可以用樹脂 來填充通孔的中心部分。在這種情況下，由于在通孔的內(nèi)周面上形成電極，并用樹脂填充 通孔的中心部分，就降低制造成本而言這是優(yōu)選的，因為金屬的電極 焊盤不完全填充通孔。此外，沿著通孔的內(nèi)周面形成的電極防止了與 電極焊盤的不連續(xù)性。此外，可以便于用樹脂填充通孔。通過這種構(gòu)成，電極焊盤可以由多層組成，以及最上層的厚度可以不超過l.Onm。在這種情況下，由于電極焊盤的最上層的厚度不超過1.0iLun，可 以避免要不然由在形成電極焊盤期間擴散的來自電極焊盤的電極灰 所引起的相鄰電極焊盤之間的短路。當通過等離子濺射來清潔基體上 的電極焊盤時，這種構(gòu)成是特別優(yōu)選的，而且，優(yōu)選用于解決一般在 干蝕刻方法中遇到的相同問題，而不僅僅是上述等離子濺射。其結(jié)果 是，在具有相同平面方向的內(nèi)表面上的電極焊盤的設(shè)計中存在較大的自由度。本發(fā)明的效果通過根據(jù)本發(fā)明的壓電諧振器件，可以避免在基體的具有相同平 面方向的內(nèi)表面上相鄰形成的用作異電極的電極焊盤在具有另一個 平面方向的另一個內(nèi)表面上被連接的狀況。例如，可以避免在基體的 底面上相鄰形成的用作異電極的電極焊盤在與基體的底面成一定角 度的內(nèi)表面(側(cè)壁)上被連接的狀況.


圖l是根據(jù)實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的簡化分解透視圖； 圖2是如圖l所示的根據(jù)實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的制造狀態(tài)的沿 著圖1中的A-A直線的簡化斷面圖；圖3是根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的基體的簡化平面圖； 圖4是如圖2所示的通孔的簡化放大圖；圖5是示出制造根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的步驟當中的清 潔步驟的簡化步驟圖；圖6是示出制造根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的步驟當中的接 合集成電路板的步驟的簡化步驟圖；圖7是示出制造根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的步驟當中的接 合晶體諧振片的步驟的簡化步驟圖；圖8是示出制造根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的步驟當中的接 合蓋的步驟的簡化步驟圖；圖9是根據(jù)本實現(xiàn)例子的另一個方面的晶體振蕩器的基體的簡 化平面圖；圖10是根據(jù)本實現(xiàn)例子的另一個方面的晶體振蕩器的基體的簡 化平面圖；圖11是在制造根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器的步驟當中的清潔 步驟中的清潔條件的修改所引起的晶體振蕩器中的電極焊盤的電阻 與厚度之間的關(guān)系的曲線圖；以及圖12是在根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器中形成絕緣膜的基體的 簡化平面圖. 標號說明1晶體振蕩器(壓電諧振器件) 11封裝14垂直面(具有相同平面方向的內(nèi)表面)15水平面(具有另一個平面方向的另一個內(nèi)表面)17交線18 通孔181 樹脂182 電極2 晶體諧振片(壓電諧振片)3 集成電路板4 基體41 底面42 層疊部分 5蓋7 ( 71 - 79 ) 電極焊盤 76， 79浮動電極焊盤具體實施方式
現(xiàn)在參照附圖描述本發(fā)明的實施例。如下給出的實現(xiàn)例子例示了 將本發(fā)明應(yīng)用于作為壓電諧振器件的晶體振蕩器的情況。如圖1和2所示，根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器1包含如下討論 的AT切割晶體諧振片(下文稱為晶體諧振片)2、用于振蕩電路的集 成電路板3、支承晶體諧振片2和集成電路板3的基體4、以及密封 支承在基體4上的晶體諧振片2和集成電路板3的蓋5。通過這種晶體振蕩器1，如圖1和2所示，基體4和蓋5構(gòu)成封 裝ll，以及基體4和蓋5接合在一起，以形成密封在封裝ll內(nèi)的內(nèi)部空間.在這個內(nèi)部空間12中，通過FCB使集成電路板3經(jīng)由金屬 凸起6與內(nèi)部的下部中基體4的底面43(參見下面)接合在一起，并 通過FCB使晶體諧振片2在支承在基體4上的集成電路板3上方經(jīng) 由金屬凸起6與基體4接合在一起。現(xiàn)在描迷晶體振蕩器1的各種配置.如圖1到3所示，基體4由底部41和疊在底部41上的層疊部分 42 (如下討論的第一和第二層疊部分42a和42b )組成*如圖1到3 所示，層疊部分42是疊在底部41的外緣上的壁部，并且這個層疊部 分42從內(nèi)部空間12的四個角延伸以形成階躍部分44。底部41和層 疊部分42形成頂端開口的盒狀基體4，層疊部分42的上表面是接合 蓋的區(qū)域，以及這個接合區(qū)域配有用于接合蓋5的金屬化層(未示出). 這個基體4是通過在平面圖中是長方形的氧化鋁或另 一種這樣的陶先 材料的單板上層疊由陶瓷材料制成的平行六面體，并且將它們燒制或 合并成凹形來制作的。此外，如圖3所示，這個基體4被形成，使得 其外部形狀的平面圖基本上是由長邊和短邊組成的長方形.此外，如圖1到3所示，在基體4的內(nèi)部空間12中基體4的開 口表面上，即，在基體4的底面43和階躍部分44的表面上形成電極 焊盤7(71到78)(如下討論)。在階躍部分44的表面上形成的電 極焊盤71和72是與晶體諧振片2的電極端子(未示出)接合在一起 的電極焊盤，以及這些電極焊盤71和72是異電極。在基體4的底面 43上形成的電極焊盤73到78是與集成電路板3的電極端子(未示出) 接合在一起的電極焊盤，以及電極焊盤73、 75和77是電極焊盤74、 76和78的異電極。這些電極焊盤7經(jīng)由通孔18 (如下討論)的電極 182 (參見圖4)與在基體4的背面形成的外部端子45電連接。這些 外部端子45與外部部件或外部器件連接，并用作由晶體諧振片2和 集成電路板3所組成的晶體振蕩器1的輸出端子、電源端子、和接地 端子。電極焊盤7、通孔18的電極182、和外部端子45是通過用鵠、 鉬或另 一種這樣的金屬材料印刷，然后燒制以與基體4合并在一起來 制作的。在電極焊盤7、通孔18的電極182、和外部端子45當中，一部分(諸如電極烊盤7)具有在金屬層頂部形成的鍍鎳層、和在這 個鍍鎳層頂部的鍍金層，更具體地說，電極焊盤7由多層(在本實現(xiàn) 例子中是三層金屬層、鍍鎳層、和鍍金層)組成，以及在電極焊盤 7的頂部(最上層)形成鍍金層?；w4的封裝內(nèi)周面13由具有不同平面方向的多個內(nèi)表面組成， 更具體地說，如困2和3所示，基體4的封裝內(nèi)周面13由與基體4 的底面43和階躍部分44的表面在相同方向上取向的表面(下文稱這 個表面為水平面14)、和與這個水平面垂直取向的表面(下文稱這些 表面為垂直面15 )組成。如圖2和3所示，垂直面15由長度方向垂 直面151和寬度方向垂直面152組成。具體地說，在本實現(xiàn)例子中， 基體4的封裝內(nèi)周面13由在三個方向上取向的內(nèi)表面組成。這里提 到的水平面14和垂直面15分別是基本上在水平方向和垂直方向上取 向的表面，但不局限于嚴格在水平方向和垂直方向上取向的表面.蓋5由柯伐合金或另一種這樣的金屬材料組成，以及如圖1和2 所示，它形成為在平面圖中是長方形的單板。這個蓋5具有在其下側(cè) 形成的烊料16，并通過縫烊與基體4接合在一起，使得蓋5和基體4 構(gòu)成晶體振蕩器1的封裝11。本實現(xiàn)例子中的"內(nèi)部空間12"指的是 由蓋5和基體4密封的區(qū)域。蓋5可以由陶乾材料制成，以及可以通 過插入玻璃材料來獲得氣密。在處在內(nèi)部空間12中的集成電路板3的底面上形成多個電極端 子(未示出)。通過FCB使這些電極端子經(jīng)由由金組成的金屬凸起6 與基體4的底面43上的電極焊盤73到78電連接，并且支承在基體4 的底面43上。處在內(nèi)部空間12中的晶體諧振片2由長方形AT切割晶體片組 成，并在由在平面圖中具有長方形形狀的單板制成的平行六面體上形 成。在這個晶體諧振片2的兩個主面21和22上，形成由一對激發(fā)電 極(未示出)和引出電極(未示出)組成的電極端子(未示出)，所現(xiàn)例子中，如下討論的基體4的電極^盤71和;)i連接。這種晶體諧振片2的電極端子是通過濺射或另一種這樣的薄膜形成方法形成 的。例如，它們可以通過在晶體振動片側(cè)面上首先層疊鉻，然后層疊 金，或者首先層疊鉻，然后層疊金，再層疊鉻，或者首先層疊鉻，然 后層疊銀，再層疊鉻來形成。通過FCB使這些電極端子經(jīng)由由金組 成的金屬凸起6與基體4的階躍部分44的表面上的電極焊盤71和72 電連接，并且支承在基體4的階躍部分44的表面上。如困2和3所示，在包括水平面14和垂直面15相交的交線17 的基體4的水平面14上，形成電極焊盤71到78。此外，相鄰地形成 用作異電極的電極焊盤(編號為74和75的電極焊盤用作這里的例子 這同樣適用于下面)，相鄰電極焊盤74和75之間沿著基體4的水平 面14的這條交線17的距離長于相鄰電極焊盤74和75之間在基體4 的水平面14(底面43和階躍部分44的表面)上的最短距離，更具體 地說，相鄰電極焊盤74和75之間沿著基體4的水平面14的交線17 的距離被設(shè)置成至少100nm，以及相鄰電極焊盤74和75之間在基體 4的水平面14 (底面43和階躍部分44的表面)上的最短距離被設(shè)置 成小于100nm。在本實現(xiàn)例子中，將電極焊盤74和75取作例子，相 鄰電極焊盤74和75之間沿著基體4的水平面14的交線17的距離被 i殳置成120nm，以及相鄰電極焊盤74和75之間在基體4的水平面14 上的最短距離被設(shè)置成30nm。但是，用作異電極(諸如電極焊盤74 和75)的電極焊盤7不局限于此。于是，例如，電極焊盤74和75之 間沿著基體4的水平面14的交線17的距離可以被設(shè)置成lOOnm,以 及電極焊盤74和75之間在基體4的水平面14上的最短距離可以凈皮 設(shè)置成45jim。此外，如圖2和3所示，交線17是水平面14和垂直面15相交 的線。于是，因為形成階躍部分44,所以根據(jù)本實現(xiàn)例子的交線17 是遵循階躍部分44的形狀的線，以及如圖2和3所示，電極焊盤74 和75之間的交線17近似于在兩個平面方向上的縱向垂直面151和寬 度方向垂直面152 (大致三個表面)與底面43相交的線。此外，如圖2和3所示，在底部41上方形成層疊部分42的位置上或附近配有通孔18。這些通孔18與電極焊盤71到78相對應(yīng)，以 及封裝11內(nèi)的電極焊盤71到78經(jīng)由這些通孔18與封裝11外部的 外部端子45電連接.通孔18用樹脂181填充.更具體地說，如圖4 所示，在通孔18的內(nèi)周面上形成電極182，并將樹脂181填入通孔 18的中心部分.現(xiàn)在參照附圖描述制造上述晶體振蕩器1的步驟。 在基體4的底部41上層疊用于形成階躍部分44的第一層疊部分 42a,在笫一層疊部分42a上層疊包括用于接合蓋5的區(qū)域的第二層 疊部分42b,并且將基體部分41以及第一和第二層疊部分42a和42b 燒制并合并成凹形，從而形成如圖l到3所示上面開口的盒狀基體4， 通過等離子蝕刻(通過等離子賊射)來清潔如上討論的以盒狀形 成的基體4，以除去粘附在電極焊盤7上的任何灰塵、溶劑、氧化物 薄膜等(清潔步驟)。更具體地說，在這個清潔步驟中，如圖5所示， 從基體4中的開口發(fā)送加速的氬離子，并且使它與電極焊盤7的表面 物理碰撞，刮掉電極焊盤7的表面，暴露出沒有污染的電極焊盤的金 屬表面，從而清潔電極焊盤7的表面。這種清潔刮掉了金屬的電極焊 盤7的金屬表面并活化了電極焊盤7的表面，而由分子量大于氬離子 的陶瓷組成的基體4本身幾乎一點也沒刮掉。像本實現(xiàn)例子那樣通過 等離子濺射等進行干蝕刻是優(yōu)選的，因為它提高了基體4的電極焊盤 7與晶體諧振片2或集成電路板3的電極端子之間的接合強度.在這 個清潔步驟中在電極焊盤7的最上層上形成的鍍金層的厚度被設(shè)置成 l.(Him或更小，以及在本實現(xiàn)例子中是0.8nm。下面將詳細討論(參 見圖11)在這個過程中將電極焊盤7上的鍍金層的厚度設(shè)置成1.0|im 或更小。在如上討論的清潔步驟中清潔了電極焊盤7的表面之后，將集成 電路板3與基體接合在一起(集成電路板3接合步驟)。在這個集成 電路板3接合步驟之前，將金屬凸起6與集成電路板3背面上的電極 端子接合在一起。與集成電路板3接合在一起的金屬凸起6被布置成 與在基體4的底面43上形成的電極焊盤73到78相對應(yīng)，以及如圖6所示，通過FCB將金屬凸起6與電極焊盤73到78接合在一起，從 而將集成電路板3與基體4接合在一起。通過這里提到的FCB或另 一種這樣的方法，借助于接合工具81使集成電路板3在負栽下壓向 基體4側(cè)，同時用超聲波來沖擊基體4的金屬凸起6和電極焊盤73 到78的表面，從而將集成電路板3與基體4接合在一起?；w4本 身在一些情況下可能要稍微加熱一下.在集成電路板3接合步驟之后，將晶體諧振片2與基體4的階躍 部分44的表面接合在一起(晶體諧振片2接合步驟).這個晶體諧 振片2接合步驟基本上與上面討論的集成電路板3接合步稞相同，具 體地說，在這個晶體諧振片2接合步驟之前，將金屬凸起6與晶體諧 振片2背面上的電極端子接合在一起，與晶體諧振片2接合在一起的 金屬凸起6被布置成與在基體4的階躍部分44的表面上形成的電極 焊盤71和72相對應(yīng)，以及如圖7所示，通過FCB或另一種這樣的 方法將金屬凸起6與電極焊盤71和72接合在一起，從而將晶體諧振 片2與基體4接合在一起?？商娲兀瑢⒔饘偻蛊?與基體4的階躍 部分44的表面接合在一起，以及通過FCB或另一種這樣的方法來接 合晶體諧振片2。在如上所討論已經(jīng)將集成電路板3和晶體諧振片2與基體4接合 在一起之后，將蓋5放置在基體4的第二層疊部分42b上，以便擋住 基體4中的開口。然后，如圖8所示，通過將電流供應(yīng)給金屬輥82 來縫封蓋5的側(cè)面，從而密封封裝ll的內(nèi)部空間12(蓋5接合步驟) 并制造晶體振蕩器l。如上討論，通過根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器l，基體4的封裝 內(nèi)周面13由具有不同平面方向的水平面14和垂直面15組成，在包 括水平面14和垂直面15相交的交線17的水平面14上，相鄰地形成 例如電極焊盤74和75作為異電極，以及電極焊盤74和75之間沿著 交線17的距離長于電極焊盤74和75之間在水平面14上的最短距離， 因此，可以避免在水平面14上相鄰形成的用作異電極的電極焊盤74 和75在垂直面15上被連接的狀況，并可以防止由用作異電極的電極焊盤74和75的連接引起的短路.當要通過等離子栽射來清潔基體4 上的電極烊盤7時，根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器1是特別優(yōu)選的配 置.具體地說，當使用等離子濺射時，電極灰擴散，以及這種擴散的 灰重新粘附(濺射)到基體4的垂直面15 (151， 152)上，但是，通 過根據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器1，由于電極焊盤74和75之間沿著 交線17的距離長于電極焊盤74和75之間在水平面14上的最短距離 (更具體地說，相鄰電極焊盤74和75之間沿著交線17的距離被設(shè) 置成至少10(Him，而相鄰電極焊盤74和75之間在水平面14上的最 短距離被設(shè)置成小于100nm)，可以避免在基體4的水平面14上形 成的電極焊盤7在垂直面15 (151， 152)上被連接的狀況，而且，根 據(jù)本實現(xiàn)例子的晶體振蕩器l優(yōu)選用于解決一般在干蝕刻方法中遇到 的相同問題，而不僅僅是上述等離子濺射。此外，根據(jù)本實現(xiàn)例子的 晶體振蕩器1優(yōu)選用于減小封裝11的尺寸，因為不牽涉到使用像上 述專利文件1中那樣的屏蔽件來避免相鄰電極焊盤之間的短路。由于相鄰電極焊盤7 (諸如電極焊盤74和75)之間沿著交線17 的距離被設(shè)置成至少100nm，而相鄰電極焊盤7 (諸如電極焊盤74 和75)之間在水平面14上的最短距離被設(shè)置成小于10(Him，在水平 面14上的電極焊盤7的設(shè)計中存在較大的自由度。其結(jié)果是，可以 適應(yīng)由安裝這種晶體振蕩器l的設(shè)備的較多功能(附加功能)引起的 這種晶體振蕩器l中的電極焊盤7等的配線的增加。此外，由于基體4的封裝內(nèi)周面13由多個水平面14和多個垂直 面15組成，以及交線17由基體4的水平面14和垂直面15相交的線 構(gòu)成，可以延長交線17。具體地說，由于如圖l到4所示，交線17 的距離在基體4的水平面14 (底面43)上是彎曲的，所以交線17比 原來長了等于這個彎曲的量，以及可以延長交線17。于是，可以防止 例如由用作異電極的電極焊盤74和75的連接引起的短路。此外，由 于這種結(jié)構(gòu)允許諸如電極焊盤74和75的相鄰電極焊盤7之間的距離 被縮短，所以在封裝11尺寸減小的情況下，這是優(yōu)選的。尤其是， 由于這是通過在電極焊盤7 (諸如電極焊盤74和75、電極焊盤75和76等)之間插入通過使交線17彎曲而產(chǎn)生的彎曲點，在電極焊盤7 之間插入凸出或凹進的垂直面15的配置，所以可以增大電極焊盤7 之間沿著交線17的距離。其結(jié)果是，在可以縮短電極伴盤7之間在 水平面14上的距離的同時，可以防止垂直面15上的短路，因此，這 是減小封裝11的尺寸的優(yōu)選模式.此外，由于在基體4的底部41上形成層疊部分42,如困3所示 在底部41上形成層疊部分42的位置上或附近配有通孔18,以及封裝 11內(nèi)的電極焊盤71到78經(jīng)由通孔18與封裝11外部的外部端子45 電連接，層疊部分42抑制了由形成通孔18所引起的基體4的強度的 減小.此外，如圖4所示，由于圍繞通孔18的內(nèi)周面形成電極182, 并用樹脂181填充通孔18的中心部分，就降低制造成本而言，這是 優(yōu)選的，因為金屬的電極焊盤不完全填充通孔18。此外，沿著通孔 18的內(nèi)周面形成的電極防止了與電極焊盤71到78的不連續(xù)性，此外， 可以便于用樹脂181填充通孔18。而且，通過如上所述的本實現(xiàn)例子，AT切割晶體諧振片被用作 壓電振動片，但本發(fā)明不局限于此，而是也可以使用聲類型的晶體諧 振片。此外，晶體被用作壓電振動片的材料，但材料不局限于晶體， 而是也可以使用壓電陶瓷、LiNb03或另一種這樣的壓電單晶材料。 換句話說，可以按需要應(yīng)用任何壓電振動片。此外，在本實現(xiàn)例子中使用了晶體諧振片2和集成電路板3，但 本發(fā)明不局限于此，可以按需要設(shè)置晶體諧振片2的數(shù)量。也可以按 需要確定使用還是根本不使用集成電路板3。也就是說，可以按應(yīng)用 的要求來確定或修改安裝在基體上的構(gòu)件，并可以僅僅單獨使用晶體 諧振片2。此外，在本實現(xiàn)例子中，在密封步驟中使用了上述縫封，但本發(fā) 明不局限于此，可以通過插入柯伐環(huán)來進行縫封，或可以^使用除了縫 封之外的某些，以及取而代之，可以使用束封(使用例如激光束或電 子束)、玻璃密封等。此外，在本實現(xiàn)例子中，在清潔步驟中進行了利用氬離子的等離 子蝕刻，但這僅僅是優(yōu)選例子，本發(fā)明不局限于此，也可以使用利用 氣離子的等離子蝕刻.此外，在本實現(xiàn)例子中，在清潔步驟中使用了 等離子蝕刻，但這僅僅是優(yōu)選例子，取而代之，也可以使用一些其它 干蝕刻步驟.也就是說，可以使用離子碾磨、或利用活性氣體離子的 干蝕刻等。層疊部分42的形狀不局限于如圖1到3所示的那樣，只要允許 密封封裝ll的內(nèi)部空間12，可以使用任何形狀。此外，在本實現(xiàn)例子中，晶體諧振片2和集成電路板3經(jīng)由金屬 凸起6與基體4接合在一起，但本發(fā)明不局限于此.也就是說，例如， 可以使用除了金屬凸起6之外的某些，以及晶體諧振片2或集成電路 板3可以經(jīng)由導(dǎo)電接合材料或引線接合與基體4接合在一起.而且， 當例如在集成電路板3被管芯接合到底面43上之后，應(yīng)用引線接合 將集成電路板3與基體4在一起時，通過利用金等的金屬線的接合， 使基體4的電極焊盤73到78與集成電路板3的表面上的電極端子電 連接。當應(yīng)用導(dǎo)電接合材料將晶體諧振片2與基體4接合在一起時， 使導(dǎo)電接合材料熱硫化，以便將晶體諧振片2的電極端子與基體4的 階躍部分44的表面上的電極焊盤71和72接合在一起，并使晶體諧 振片2支承在基體4的階躍部分44的表面上。這里提到的導(dǎo)電接合 材料包括包含多種銀填充劑的硅。此外，在本實現(xiàn)例子中，基體4的封裝內(nèi)周面13由沿著三個方 向取向的內(nèi)表面構(gòu)成，但本發(fā)明不局限于此，可以是沿著其它多個方 向取向的內(nèi)周面，以及內(nèi)周面由沿著四個或更多方向取向的內(nèi)表面構(gòu) 成是特別優(yōu)選的，因為交線17將覆蓋更長的距離。此外，可以與水 平面14和垂直面15成一定角度地形成傾斜表面。此外，在本實現(xiàn)例子中，相鄰電極焊盤74和75之間沿著基體4 的底面43上的交線17的距離被設(shè)置成長于電極焊盤74和75之間的 最短距離，但電極焊盤7之間的這種定義不局限于電極焊盤74和75。 也就是說，兩個相鄰電極焊盤7可以是例如基體4的底面43上的電極焊盤77和78，或基體4的階躍部分44的表面上的電極烊盤71和 72。而且，它們可以是基體4的底面43上的電極焊盤75和基體4的 階躍部分44的表面上的電極焊盤72,換句話說，對電極焊盤7相鄰 的方向沒有限制，更具體地說，在本實現(xiàn)例子中，將電極焊盤74和 75用作一個例子對本發(fā)明作了描述，但本發(fā)明不局限于此，如果在本 發(fā)明中提到的"相鄰電極焊盤，，是電極烊盤71和72，那么，修改封裝 內(nèi)周面13上的電極焊盤71和72的布局設(shè)計，使得電極焊盤71和72 之間沿著交線17的距離將長于電極焊盤71和72之間的最短距離， 在這種情況下，電極焊盤71和72對應(yīng)于在本發(fā)明中提到的相鄰電極 焊盤.此外，上述電極焊盤7都在包括交線17的基體4的水平面14 上形成，但形成電極焊盤7的位置不局限此，電極焊盤7可以在例如 基體4上如圖9所示的位置上形成。通過如圖9所示的電極焊盤7， 在包括交線17的基體4的水平面14上形成電極焊盤73到78，以及 在基體4的底面43上離開交線17形成浮動電極焊盤79。更具體地說， 在用作異電極并在包括交線17的基體4的底面43上相鄰形成的每一 對電極焊盤73和78、 73和74、 75和76、以及76和77之間，形成 浮動電極焊盤79。而且，在本實現(xiàn)例子中，在包括交線17的基體4 的底面43上形成的電極焊盤73到78的數(shù)量(六個)大于這些浮動 電極焊盤79的數(shù)量(四個)。而且，在本例中，電極焊盤73和浮動 電極焊盤79被用作其中浮動電極焊盤79與電極焊盤73之間在基體4 的水平面14上的最短距離被設(shè)置成55nm的例子。如上討論，通過在底面43上離開交線17形成浮動電極焊盤79, 可以基本上避免這些浮動電極焊盤79在垂直面15上與相鄰形成的用 作異電極的電極焊盤73到78連接的狀況。于是，當在電極焊盤的數(shù) 量保持相同的同時，減小晶體振蕩器1的尺寸時，這種配置是優(yōu)選的。此外，使用浮動電極焊盤79不僅允許按需要設(shè)置在基體4的水 平面14 (底面43)上形成電極焊盤73到78的位置，而且可以抑制 要不然由在基體4的水平面14 (底面43)上形成浮動電極焊盤79所引起的基體4的強度的減小，因為在包括交線17的基體4的水平面 14 (底面43)上形成的電極焊盤73到78的數(shù)量大于浮動電極焊盤 79的數(shù)量。形成電極焊盤7的位置不局限于如困9所示的那些，可以隨晶體 諧振片2和集成電路板3處在基體4上的布局、取向等而變化.更具 體地說，電極焊盤7可以在如圖IO所示的位置上形成.在圖10中，電極焊盤7 (71到76)被形成，使得晶體諧振片2 的縱向與集成電路板3的縱向垂直。更具體地說，電極焊盤71和72 是用于晶體諧振片2的電極焊盤，電極焊盤73到76是用于集成電路 板3的電極焊盤，以及彼此相鄰的電極烀盤7是異電極，通過與電極 焊盤73到76電連接并由電極焊盤73到76支承的集成電路板3，集 成電路板3的中心被布置成離開基體3的中心.于是，如圖10所示， 晶體諧振片2和集成電路板3重心偏移地支承在基體4上。在圖10 中，在電極焊盤71和72的一部分中配有切掉部分71a和72a。當將 晶體諧振片2與電極焊盤71和72接合在一起時，例如通過插入諸如 硅樹脂(導(dǎo)電接合材料)的導(dǎo)電樹脂粘合劑而將晶體諧振片2與基體 4的棵板同樣接合在一起，這提高了接合強度。而且，通過在電極焊 盤71和72的一部分中配備切掉部分71a和72a，可以防止與附近電 極焊盤7 (諸如電極焊盤75 )短路。如上面制造晶體振蕩器1的步驟所示，在清潔過程中在如圖9 和10所示的電極焊盤7的最上層形成的鍍金層的厚度被設(shè)置于每個 l.Oiam或更小，更具體地i兌，0.8nm。這里將參照圖11詳細描述將電 極焊盤7的鍍金層的厚度設(shè)置成1.0nm或更小。如上討論，這個清潔 步驟是通過牽涉到等離子濺射的等離子蝕刻清潔以盒形形成的基體 4，以便除去附在電極焊盤7上的灰塵、溶劑、氧化物薄膜等的步驟， 此外，圖11是電極焊盤7的電阻與厚度之間的關(guān)系的曲線圖。這個 曲線圖是在兩組條件下像預(yù)先設(shè)定那樣測量電極焊盤的電阻與厚度 的關(guān)系而產(chǎn)生的。更具體地說，這里提到的電極焊盤7的電阻與厚度 之間的關(guān)系是兩個預(yù)定電極焊盤7 (具體地說，在圖9的情況中，電極焊盤76和77，以及在圖10的情況中，電極焊盤71和74)之間的 電阻與這些電極焊盤7的厚度之間的關(guān)系.上述兩組條件之一(第一 條件)是清潔步驟中的清潔通過等離子濺射被進行三次，以及每個 清潔步驟中的清潔在400W (瓦)下進行120秒的等離子持續(xù)時間， 另一組條件(笫二條件)是清潔步驟中的清潔通過等離子濺射被進 行五次，以及每個清潔步驟中的清潔在600W下進行180秒的等離子 持續(xù)時間。第一和第二條件的差異在于清潔強度、清潔時間和清潔次 數(shù)。如圖11所示，如果電極焊盤7的鍍金層的厚度超過大約l.Ofim, 則電阻值急劇減小，這與在兩組條件下，不僅除去了附在電極焊盤7 的鍍金層上的任何灰塵、溶劑、氣化物薄膜，而且多于所需地刮掉了 電極焊盤7的鍍金層的表面的亊實有關(guān)。因此，存在多于所需地除去 來自電極焊盤7的電極灰將由于用作異電極的電極焊盤7之間的連接 而引起短路的可能性。如上討論，在本實現(xiàn)例子和它的變體中，由于電極焊盤7的鍍金 層的厚度是l.Opm或更小，可以避免在形成電極焊盤7時擴散的來自 電極焊盤7的灰塵所引起的相鄰電極焊盤7之間的短路。當通過等離 子濺射來清潔基體4上的電極焊盤7時，這種結(jié)構(gòu)是特別優(yōu)選的，而 且，優(yōu)選用于解決一般在干蝕刻方法中遇到的相同問題，而不僅僅是 上述等離子濺射。其結(jié)果是，在具有相同平面方向的內(nèi)表面(水平面 4)上的電極焊盤7的設(shè)計中存在較大的自由度。并且，在本實現(xiàn)例子和它的變體中，給出電極焊盤的鍍金層作為 在清潔步驟中清潔的例子，但本發(fā)明不局限于此，在清潔步驟中清潔 的是在電極焊盤7的頂部(最上層)形成的材料，以及這可以是另一 種材料。在電極焊盤7的最上層形成的材料也是與安裝在基體4上的 電子部件(晶體諧振片2和集成電路板3)接合的材料。本實現(xiàn)例子不局限于上面討論的配置，除了如圖3所示的上述配 置之外，如果如圖12所示，從電極焊盤7的交線17開始在水平面14 的一部分上形成氧化鋁等的絕緣膜H，則將提高防止水平面14上的 短路的效果。本發(fā)明可以不偏離其概念或主要特征地以各種其它方式實現(xiàn).因 此，上面給出的實現(xiàn)例子無論從那一點上來講都只不過是例子，而不 應(yīng)該理解為限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書給出，而一點 也不受這個說明書限制。而且，基于與權(quán)利要求書等效的范圍的所有 改變和修改都在本發(fā)明的范圍內(nèi).本申請要求基于2005年9月30日在日本提出的日本專利申請笫 2005- 286563號的優(yōu)先權(quán)，特此全文引用以供參考， 工業(yè)可應(yīng)用性本發(fā)明可以應(yīng)用于壓電振蕩器、壓電諧振器、和其它這樣的壓電 諧振器件。
權(quán)利要求
1.一種壓電諧振器件，其中，封裝由基體和蓋構(gòu)成，以及在基體上形成多個電極焊盤，用于支承在其上形成有電極端子的壓電諧振片，并用于使壓電諧振片的電極端子處在與外部電極導(dǎo)通的狀態(tài)下，其中，基體的封裝的內(nèi)周面由具有不同平面方向的多個內(nèi)表面組成，以及在多個內(nèi)表面當中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有另一個平面方向的另一個內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上，相鄰地形成用作異電極的電極焊盤，以及所述相鄰電極焊盤之間沿著這條交線的距離長于所述相鄰電極焊盤之間在具有相同平面方向的內(nèi)表面上的最短距離。
2. —種壓電諧振器件，其中，封裝由基體和蓋構(gòu)成，以及在基體上形成多個電極焊盤， 用于支承在其上形成有電極端子的壓電諧振片和集成電路板，并用于 使壓電諧振片和集成電路板的電極端子處在與外部電極和內(nèi)部端子 導(dǎo)通的狀態(tài)下，其中，基體的封裝的內(nèi)周面由具有不同平面方向的多個內(nèi)表面組 成，以及在多個內(nèi)表面當中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有另一 個平面方向的另一個內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上，相鄰地形成用作異電極的電極焊盤，以及所述相鄰電極焊盤之 間沿著這條交線的距離長于所述相鄰電極焊盤之間在具有相同平面 方向的內(nèi)表面上的最短距離。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電諧振器件，其中，在多個內(nèi)表面當中包括具有相同平面方向的內(nèi)表面與具有 另一個平面方向的另一個內(nèi)表面相交的交線的具有相同平面方向的 內(nèi)表面上，相鄰地形成用作異電極的電極焊盤，所述相鄰電極焊盤之間沿著這條交線的距離被設(shè)置成至少100nm，以及所述相鄰電極焊盤 之間在具有相同平面方向的內(nèi)表面上的最短距離被設(shè)置成小于 100,
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3的任何一項所述的壓電諧振器件， 其中，具有另一個平面方向的另一個內(nèi)表面由多個表面構(gòu)成，以及所述交線由具有相同平面方向的內(nèi)表面與所述多個其它內(nèi)表面 相交的線構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1到4的任何一項所述的壓電諧振器件， 其中，在具有相同平面方向的內(nèi)表面上離開所述交線形成浮動電極焊盤。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電諧振器件，其中，在包括交線的具有相同平面方向的內(nèi)表面上形成的電極焊 盤的數(shù)量大于浮動電極焊盤的數(shù)量。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1到6的任何一項所述的壓電諧振器件， 其中，所述基體具有在底部上形成的層疊部分，在底部上形成層疊部分的位置上或附近配有通孔，以及封裝內(nèi)的電極焊盤經(jīng)由所述通 孔與封裝的外部電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電諧振器件，其中，在所述通孔的內(nèi)周面上形成電極，并用樹脂填充通孔的中 心部分。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1到8的任何一項所述的壓電諧振器件， 其中，所述電極焊盤由多層組成，以及最上層的厚度不超過l.O)xm。
全文摘要
基體(4)的封裝內(nèi)周面(13)由垂直面(14)和水平面(15)組成，以及在基體4的垂直面(14)上形成電極焊盤(7(71-78))。電極焊盤(71-78)是在包括垂直面(14)和水平面(15)相交的交線(17)的表面的基體(4)的垂直面(14)上形成的；例如，相鄰地形成用作異電極的電極焊盤(74，75)。相鄰電極焊盤(74，75)之間沿著基體(4)的垂直面(14)上的交線(17)的距離大于相鄰電極焊盤(74，75)之間在基體(4)的垂直面(14)上的最短距離。
文檔編號H03B5/32GK101278478SQ200680036089
公開日2008年10月1日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者松本敏也 申請人:株式會社大真空