專(zhuān)利名稱(chēng)：一種phs手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種PHS手機(jī)中使用晶體如何充分利用晶體的可控范圍 的方法，尤其涉及手機(jī)領(lǐng)域的生產(chǎn)校準(zhǔn)測(cè)試，以及實(shí)際使用中充分利用晶 體的可控范圍來(lái)保證更寬的工作溫度下手機(jī)正常工作并解決電路控制中 晶體非線性的問(wèn)題。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的晶體校準(zhǔn)方案中，先在中間的控制電壓下粗調(diào)內(nèi)部電容，使晶 體工作在0左右的頻偏狀態(tài)，然后使用細(xì)調(diào)電壓，最低要求的上頻偏下得 到對(duì)應(yīng)的微調(diào)電壓，同樣的方法得到得到最低要求的下頻偏對(duì)應(yīng)的微調(diào)電 壓。該方案在以往手機(jī)中比較通用，主要是晶體的可控范圍較寬。因此， 在傳統(tǒng)的校準(zhǔn)方案中手機(jī)的晶體的實(shí)際可控范圍必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于實(shí)際的最 〗^"求才能保證生產(chǎn)的良好。但是，在有的PHS手機(jī)方案中,該可控范圍比較臨界，有較多的晶 體接近最低范圍，在這種情況下，會(huì)有較多的生產(chǎn)不良。傳統(tǒng)的測(cè)試方法 是先將微調(diào)電壓控制在中間電壓值，然后粗調(diào)內(nèi)部電容，使其調(diào)整在中心 頻率、附近。然后調(diào)整微調(diào)電壓值找到頻率偏移下P艮對(duì)應(yīng)的電壓值，同樣的 找到上限值。這種情況就沒(méi)有充分用到整個(gè)細(xì)調(diào)電壓的全部可控范圍。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種Phs手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，主要解決上述現(xiàn)有方法所存在的技術(shù)問(wèn)題，既能最大限度的利用晶體的可控范 圍，而且細(xì)調(diào)電壓即使不是線性的，又能夠得到比較好的線性結(jié)果，在實(shí)際使用中快速的調(diào)整，使phs手機(jī)能夠進(jìn)行正常的工作，并4交大地降 低了生產(chǎn)成本。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種phs手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，其特征在于首先使用粗調(diào)電壓調(diào) 整，對(duì)應(yīng)的微調(diào)電壓取范圍的上P艮值，找到使手機(jī)晶振工作在要求的上限 的粗調(diào)電壓值；然后將微調(diào)電壓調(diào)整到下限值，找到使手機(jī)晶振工作在要 求的下限的粗調(diào)電壓值;當(dāng)?shù)诙蔚拇终{(diào)電壓值低于第一次的粗調(diào)電壓值 時(shí)，將兩個(gè)電壓值取平均就能夠得到使微調(diào)電壓比較對(duì)稱(chēng)的平均電壓值， 然后，在平均電壓值處調(diào)整微調(diào)電壓使手機(jī)晶體工作在0ppm,得到的整 個(gè)晶體的控制范圍上下對(duì)稱(chēng)，而且整個(gè)可控范圍大于手機(jī)的最低要求。該方法進(jìn)一步包括如下步驟 (1 )設(shè)置Vafc值為可控電壓范圍上限30000; (2 )設(shè)置Xcapsel,范圍是0~63;(3) 測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Error;(4) 如果Error不在13~15ppm的范圍之內(nèi)，重復(fù)步驟(2)和(3); 如果Error滿足要求，把當(dāng)前的Xcapsel記為X,;(5) "沒(méi)置Vafc值為可控電壓范圍下限-30000;圍是0~63;(7 )測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Error;(8) 如果Error不在-13 -15ppm的范圍之內(nèi)，重復(fù)步驟(6)和(7)， 如果Error滿足要求，把當(dāng)前的Xcapsel記為X2;(9) 如果X,-X20，校準(zhǔn)失??；否則，繼續(xù)執(zhí)行步驟(10);(10) 計(jì)算2,并把Xn寫(xiě)入flash; (11 )設(shè)置Xcapsel值為Xn;(12)為了得到關(guān)于頻偏的斜率，測(cè)試兩個(gè)點(diǎn)的頻偏，首先選拷4殳 置Vafc為3000，選擇該點(diǎn)是因?yàn)樵诰€段的中間位置； (13 )測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏F1;(14 )設(shè)置Vafc為-3000，選擇原因與上面3000的選擇一樣； (15 )測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏F2;S =，(16) 計(jì)算 F' -^ ,并把S寫(xiě)入flash, S表示對(duì)應(yīng)晶體的電壓 變化的線性度；/ = 6000x(~^~~ + 0.5)(17) 計(jì)算 《-《 ；(18) Vafc設(shè)置為上一步計(jì)算得到的I;(19) 測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Fx;(20) 如果Fx在范圍在-0.5 ~ 0.5 ppm之間，寫(xiě)入flash結(jié)束；如 果不在范圍內(nèi)，計(jì)算7〃-10xSxA ，并重復(fù)執(zhí)行步驟(17 )、 ( 18 )和(19 );上述步驟中Xcapsel為粗調(diào)電壓，范圍是0-63，對(duì)應(yīng)的是芯片內(nèi) 部電容的最小到最大值，決定了粗調(diào)的頻偏范圍；Vafc為微調(diào)電壓，對(duì)應(yīng)的電壓從0 - 2.8V，使用數(shù)字來(lái)限定范圍是-30000 - + 30000。 藉由上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是使用本發(fā)明的校準(zhǔn)方法，克服了傳統(tǒng)測(cè)試方法的兩個(gè)明顯不足，既 能最大限度的利用晶體的可控范圍，而且細(xì)調(diào)電壓即使不是線性的，又 能夠得到比較好的線性結(jié)果，在實(shí)際使用中快速的調(diào)整，使PHS手機(jī)通 能夠進(jìn)行正常的工作，并降低PHS手機(jī)的生產(chǎn)成本。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種PHS手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，以下通過(guò)一具體實(shí) 施例來(lái)進(jìn)一步介紹本發(fā)明方法。實(shí)施例 一種PHS手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，本方法中所使用的測(cè)試 工具與現(xiàn)有方法的測(cè)試工具基本一致，包括PHS綜測(cè)儀8801,數(shù)字電 源，萬(wàn)用表等。其中Xcapsel為粗調(diào)電壓，范圍是0-63，對(duì)應(yīng)的是芯片內(nèi)部電容 的最小到最大值，決定了粗調(diào)的頻偏范圍；Vafc為微調(diào)電壓，對(duì)應(yīng)的電 壓從0-2.8V,使用數(shù)字來(lái)限定范圍是-30000- +30000 (。它包括如 下步驟(1)設(shè)置Vafc值為可控電壓范圍上限30000; (2 )設(shè)置Xcapsel ，范圍是0~63;(3 )用PHS綜測(cè)儀8801測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Error; (4)如果Error不在13 15ppm的范圍之內(nèi)，重復(fù)步驟(2)和(3); 如果Error滿足要求，把當(dāng)前的Xcapsel記為X,;(5) 設(shè)置Vafc值為可控電壓范圍下限-30000;(6) 設(shè)置Xcapsel,范圍是0~63;(7 )用PHS綜測(cè)儀8801測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Error; (8 )如果Error不在-13 -15ppm的范圍之內(nèi)，重復(fù)步驟(6 )和(7 )， 如果Error滿足要求，把當(dāng)前的Xcapsel記為X2;(9) 如果X,-X2〈0，校準(zhǔn)失敗；否則，繼續(xù)執(zhí)行步驟(10);(10) 計(jì)算"—2，并把Xn寫(xiě)入flash; (11 )設(shè)置Xcapsel值為Xn;(12)為了得到關(guān)于頻偏的斜率，測(cè)試兩個(gè)點(diǎn)的頻偏，首先選#^臾 置Vafc為3000,選擇該點(diǎn)是因?yàn)樵诰€^殳的中間位置；(13 )用PHS綜測(cè)儀8801測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏F，； (14)設(shè)置Vafc為-3000，選擇原因與上面3000的選擇一樣； (15 )用PHS綜測(cè)儀8801測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏F2;S =，(16) 計(jì)算 F' _《，并把S寫(xiě)入flash, S表示對(duì)應(yīng)晶體的電壓 變化的線性度；/ = 6000x(~5_ + 05)(17) 計(jì)算 《 ；(18) Vafc設(shè)置為上一步計(jì)算得到的I;(19 )用PHS綜測(cè)儀8801測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Fx; (20)如果Fx在范圍在-0.5 0.5 ppm之間，寫(xiě)入flash結(jié)束；如 果不在范圍內(nèi)，計(jì)算""10x"《，并重復(fù)執(zhí)行步驟(17 )、 ( 18 )和(19 )。 4吏用本發(fā)明方法后，生產(chǎn)效果良好，不良很少，最大程度的P務(wù)低了不良比率提高手機(jī)性能。使用該方法生產(chǎn)線原有約2-5%的控制范圍在 30ppm-36ppm的晶體，屬于能夠滿足要求，但校準(zhǔn)有時(shí)無(wú)法通過(guò)的晶體使 用新的方案基本全部正常，提高了生產(chǎn)率和成品率。綜上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施 范圍。即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與^^飾，都應(yīng)為 本發(fā)明的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求
1、一種PHS手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，其特征在于首先使用粗調(diào)電壓調(diào)整，對(duì)應(yīng)的微調(diào)電壓取范圍的上限值，找到使手機(jī)晶振工作在要求的上限的粗調(diào)電壓值；然后將微調(diào)電壓調(diào)整到下限值，找到使手機(jī)晶振工作在要求的下限的粗調(diào)電壓值；當(dāng)?shù)诙蔚拇终{(diào)電壓值低于第一次的粗調(diào)電壓值時(shí)，將兩個(gè)電壓值取平均就能夠得到使微調(diào)電壓比較對(duì)稱(chēng)的平均電壓值，然后，在平均電壓值處調(diào)整微調(diào)電壓使手機(jī)晶體工作在0ppm，得到的整個(gè)晶體的控制范圍上下對(duì)稱(chēng)，而且整個(gè)可控范圍大于手機(jī)的最低要求。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PHS手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，其特征在于 該方法進(jìn)一步包括如下步驟(1)設(shè)置Vafc值為可控電壓范圍上限30000; (2 )設(shè)置Xcapsel ，范圍是0~63;(3) 測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Error;(4) 如果Error不在13 15ppm的范圍之內(nèi)，重復(fù)步驟(2)和(3); 如果Error滿足要求，把當(dāng)前的Xcapsel記為X,;(5) 設(shè)置Vafc值為可控電壓范圍下限-30000;(6) 設(shè)置Xcapsel ，范圍是0~63;(7) 測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Error;(8 )如果Error不在-13 ~ -15ppm的范圍之內(nèi)，重復(fù)步驟(6 )和(7 )， 如果Error滿足要求，把當(dāng)前的Xcapsel記為X2;(9)如果X廣X2〈0,校準(zhǔn)失敗；否則，繼續(xù)執(zhí)行步驟(10);(IO)計(jì)算" 2，并把Xn寫(xiě)入flash; (11 )設(shè)置Xcapsel值為Xn;(12) 為了得到關(guān)于頻偏的斜率，測(cè)試兩個(gè)點(diǎn)的頻偏，首先選捐4殳 置Vafc為3000,選擇該點(diǎn)是因?yàn)樵诰€段的中間位置；(13) 測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏F,;(14) 設(shè)置Vafc為-3000，選擇原因與上面3000的選擇一樣； (15 )測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏F2;(16) 計(jì)算《-《，并把S寫(xiě)入flash, S表示對(duì)應(yīng)晶體的電壓 變化的線性度；/ = 6000x(~5_ + o.5)(17) 計(jì)算 《-F' ;(18) Vafc設(shè)置為上一步計(jì)算得到的I;(19) 測(cè)量待校準(zhǔn)晶體的發(fā)射頻偏Fx;(20 )如果Fx在范圍在-0.5 ~ 0.5 ppm之間，寫(xiě)入flash結(jié)束；如 果不在范圍內(nèi)，計(jì)算/"-10xSx《，并重復(fù)執(zhí)行步驟(17 )、 ( 18 )和(19 );上述步驟中Xcapsel為粗調(diào)電壓，范圍是0-63，對(duì)應(yīng)的是芯片內(nèi) 部電容的最小到最大值，決定了粗調(diào)的頻偏范圍；Vafc為微調(diào)電壓 Xcapsel,對(duì)應(yīng)的電壓從0-2.8V,使用數(shù)字來(lái)限定范圍是-30000 - + 30000。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種PHS手機(jī)中的晶體校準(zhǔn)方法，它首先使用粗調(diào)電壓調(diào)整，對(duì)應(yīng)的微調(diào)電壓取范圍的上限值，找到使手機(jī)晶振工作在要求的上限的粗調(diào)電壓值；然后將微調(diào)電壓調(diào)整到下限值，找到使手機(jī)晶振工作在要求的下限的粗調(diào)電壓值；當(dāng)?shù)诙蔚拇终{(diào)電壓值低于第一次的粗調(diào)電壓值時(shí)，將兩個(gè)電壓值取平均就能夠得到使微調(diào)電壓比較對(duì)稱(chēng)的平均電壓值，然后，在平均電壓值處調(diào)整微調(diào)電壓使手機(jī)晶體工作在0ppm，得到的整個(gè)晶體的控制范圍上下對(duì)稱(chēng)，而且整個(gè)可控范圍大于手機(jī)的最低要求。本發(fā)明方法既能最大限度的利用晶體的可控范圍，又能夠得到比較好的線性結(jié)果，在實(shí)際使用中快速的調(diào)整，使PHS手機(jī)能夠進(jìn)行正常的工作，并較大地降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H03B5/32GK101282105SQ20071004476
公開(kāi)日2008年10月8日 申請(qǐng)日期2007年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
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