專利名稱：一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓控振蕩器電路設(shè)計領(lǐng)域，特別是涉及一種利用校準(zhǔn) 算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的電路設(shè)計方法及裝置。
背景技術(shù)：
振蕩器的頻率可以由電壓控制，這樣的電路稱作一個壓控振蕩器。壓控振蕩器一般采用兩種結(jié)構(gòu)LC諧振型壓控振蕩器和環(huán)形壓 控振蕩器。LC諧振型壓控振蕩器利用電感與電容的并聯(lián)諧振產(chǎn)生頻 率為f"/pWI。的正弦波，并通過控制電壓調(diào)節(jié)變?nèi)荻O管的電容值C，從而實(shí)現(xiàn)對頻率的調(diào)節(jié)。LC諧振型壓控振蕩器的優(yōu)點(diǎn)在于輸出 擺幅大，相位噪聲低；LC諧振型壓控振蕩器的缺點(diǎn)在于電流消耗大， 調(diào)諧范圍小，并由于用到了電感集成電感而面積較大。環(huán)形壓控振蕩 器實(shí)現(xiàn)方式有多種，但是其原理基本一致，一4殳由奇數(shù)個延時單元依 次首尾相連而成，若每級(每個延時單元)的傳輸延時為Td,則輸 出頻率f-1/(2+ISTTd)， N為級數(shù)。環(huán)形壓控振蕩器通過調(diào)節(jié)控制電壓 調(diào)節(jié)每級的傳輸延時Td來實(shí)現(xiàn)對頻率的調(diào)節(jié)。環(huán)形壓控振蕩器的優(yōu) 點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)簡單，頻率調(diào)諧范圍大，電流消庫C小，面積小；環(huán)形壓控 振蕩器的缺點(diǎn)在于選頻性能較差，頻率精度不高，相位噪聲高，從而 限制了其應(yīng)用范圍。
壓控振蕩器是鎖相環(huán)系統(tǒng)中的一個重要^t塊，能夠通過調(diào)整控制 電壓的大小來調(diào)整它的輸出頻率范圍。當(dāng)鎖相環(huán)系統(tǒng)鎖定在某一頻率 點(diǎn)時，要求壓控振蕩器的輸出頻率也應(yīng)在某一頻率點(diǎn)上。但是隨工藝 偏差和溫度變化壓控振蕩器電路參數(shù)的輸出頻率會產(chǎn)生很大變化。為 了保證鎖相環(huán)在各種工藝條件下都能鎖定在指定的頻帶或頻點(diǎn)，壓控 振蕩器需要覆蓋很大的輸出頻率范圍。在現(xiàn)有技術(shù)中，這就需要壓控振蕩器控制電壓到輸出頻率的增益Kvco的值較大(Kvco=A//Ar )， 然而大的Kvco值會影響鎖相環(huán)最終輸出的相位噪聲。而且，由于控制電壓調(diào)整范圍有限，若超出了電壓調(diào)整范圍，則無法將輸出頻率調(diào) 整到預(yù)期值上。以環(huán)行壓控振蕩器為例，環(huán)形壓控振蕩器每級的傳輸延時為TchF^C，輸出頻率為f=1/(2*N*Td)。延時單元可釆用單端結(jié)構(gòu)或者差分結(jié)構(gòu)。環(huán)形壓控振蕩器應(yīng)由級 數(shù)最少為3的延時單元組成的環(huán)路。圖1是典型環(huán)形壓控振蕩器的結(jié) 構(gòu)示意圖。如圖1所示，典型環(huán)形壓控振蕩器由3級差分結(jié)構(gòu)的延時 單元依次首尾相接而成。所述延時單元的輸入端為(Vinp，Vinn), 輸出端為(Voutn，Voutp)。圖2是典型環(huán)形壓控振蕩器等效電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示， R為每級延時單元的等效電阻，C為每級延時單元的等效電容。圖3是現(xiàn)有技術(shù)延時單元的電路圖。延時單元可以采用單端或者 差分結(jié)構(gòu)，如圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)延時單元電路圖為一常用的差分結(jié) 構(gòu)延時電路。Vinp與Vinn為差分輸入；Voutn與Voutp為差分輸 出；M1為第一MOS管，M2為第二MOS管，所述M1與M2為接
成二極管形式的負(fù)載電阻；M3為第三MOS管，M4為第四MOS管 理，所述M3與M4為提供負(fù)阻的交互式耦合對；M5為第五MOS 管，M6為第六MOS管，所述M5與M6為輸入放大管；Vdd為電 源；gnd為接地端；11為第一電流源，12為第二電流源。所述交M3， M4產(chǎn)生負(fù)阻-1/gm1，所述M1， M2作為負(fù)載，阻值為1/gm2。所述 M3， M4產(chǎn)生的負(fù)阻-1/gm1與所述M1， M2產(chǎn)生的負(fù)載1/gm2并聯(lián) 作為輸出端的負(fù)載電阻。由于gm(跨導(dǎo))的值與工藝、溫度等因素有 關(guān)，必須依靠控制電壓來調(diào)整gm。 由公式c:c。x.w.L (其中Cox 為單位面積柵氧化層電容，W為MOS管的寬，L為MOS管的長)， 因此對MOS管的gm進(jìn)行調(diào)整時，勢必影響該節(jié)點(diǎn)的電容值，從而foc丄.C導(dǎo)致了兩個參數(shù)的變化。由 狎 ，gm的變化量也將極大的影響 輸出頻率的變化，這將極大的影響電路性能。例如，如gm變化了 10%, f也將變化10。/。，對于射頻段，f變化10。/。則有幾百兆赫茲的變化量。綜上所述，由于現(xiàn)在技術(shù)中通常沒有校準(zhǔn)算法，而僅能靠控制電 壓來調(diào)整輸出頻率范圍，因此通常需要將控制電壓的調(diào)整范圍即壓控 振蕩器增益調(diào)整到極大的值，這將極大地影響相位噪聲。受相關(guān)工藝 限制，環(huán)形壓控振蕩器的電路參數(shù)R、 C不能做到又小又準(zhǔn)，限制了 環(huán)形壓控振蕩器的輸出頻率大小。因此，為了使鎖相環(huán)在各種條件下 均能鎖定在某一頻率，并且不影響相位噪聲，就必須保證環(huán)行壓控振 蕩器即使在工藝條件變化時仍能將壓控振蕩器電路的參數(shù)調(diào)整到合 適的值。 發(fā)明內(nèi)容為了在不影響相位噪聲的情況下實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器的輸出頻率的 控制，提出一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法及裝置，能有效地 利用校準(zhǔn)算法將壓控振蕩器的輸出頻率調(diào)整到控制電壓的調(diào)整范圍 內(nèi)。本發(fā)明包括如下步驟步驟1,利用校準(zhǔn)算法，通過將壓控振蕩 器的輸出頻率與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果對電阻進(jìn) 行選擇，使每級的傳輸延時盡量與期望值接近，從而使壓控振蕩器的 輸出頻率被粗調(diào)到控制電壓的調(diào)整范圍內(nèi)；步驟2，然后由控制電壓 對壓控振蕩器的輸出頻率進(jìn)行微調(diào)，從而使鎖相環(huán)能在各種條件下鎖 定在某一頻率點(diǎn)上。所述步驟1進(jìn)一步地包括步驟1.1，首先將壓控^振蕩器的輸出 頻率與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較；步驟1.2,根據(jù)所述比較結(jié)果對 R進(jìn)行選擇，即讓Td達(dá)到期望值，完成頻率的粗調(diào)。所述校準(zhǔn)算法的實(shí)現(xiàn)過程如下壓控振蕩器輸出頻率經(jīng)過分頻 后，與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較；若小于鎖相環(huán)的參考頻率，則減 小電阻陣列的阻值，增大壓控振蕩器輸出頻率，若大于鎖相環(huán)的參考 頻率，則增大電阻陣列的阻值，減小壓控振蕩器輸出頻率，若壓控振 蕩器輸出頻率與鎖相環(huán)的參考頻率的差距在算法精度之內(nèi)，則比4支結(jié) 束；否則再次執(zhí)行比較，直至比較步數(shù)全部完成本發(fā)明的結(jié)構(gòu)至少包括第三MOS管(M5),第四MOS管(M6 ),
第一電流源(11),第二電流源(12)，差分輸入端(Vinp，Vinn)， 差分輸出端(Voutn，Voutp),電源(Vdd)，接地端(gnd)，其特征在于還 包括第一電阻陣列(Rn1 )和第二電阻陣列(Rn2),所述第一電阻陣 列(Rn 1 )和第二電阻陣列(Rn2)串聯(lián)起來作為負(fù)載電阻與第三MOS 管(M3)和第四MOS管(M4)連接而成的負(fù)阻并聯(lián)，與輸出端 (Vinp，Vinn)連接。所述的電阻陣列包括調(diào)節(jié)電阻(R0),第一電阻(R1)，第二 電阻(R2),第三電阻(R3),第四電阻(R4),第五電阻(R5)， 第六電阻(R6)，第七電阻(R7),第八電阻(R8)，第九電阻(R9), 第十電阻(R10)，第十一電阻(R11 )，第十二電阻(R12)，第 十三電阻(R13),第十四電阻(R14)，第十五電阻(R15);選 通開關(guān)(S0)，第一選通開關(guān)(S1)，第二選通開關(guān)(S2),第三 選通開關(guān)(S3)，第四選通開關(guān)(S4)，第五選通開關(guān)(S5),第 六選通開關(guān)(S6),第七選通開關(guān)(S7),第八選通開關(guān)(S8), 第九選通開關(guān)(S9)，第十選通開關(guān)(S10)，第十一選通開關(guān)(S11 )， 第十二選通開關(guān)(S12)，第十三選通開關(guān)(S13),第十四選通開 關(guān)(S14)，第十五選通開關(guān)(S15);每個電阻對應(yīng)一個選通開關(guān)， 所述的選通開關(guān)控制該電阻的選通，所述的電阻陣列每次只能選通一 個開關(guān)。所述的電阻陣列選通開關(guān)的選通由控制位決定，所述控制位直接 由壓控振蕩器的輸出頻率與縮相環(huán)的參考頻率的比較結(jié)果決定。所述控制位個數(shù)的取值范圍為2~6位，所述控制位個數(shù)的最佳
取值為4位。所述控制位個數(shù)決定電阻陣列的電阻個數(shù)。當(dāng)控制位個數(shù)為2位時，電阻陣列的電阻個數(shù)為4個；當(dāng)控制位 個數(shù)為3位時，電阻陣列的電阻個數(shù)為8個；當(dāng)控制位個數(shù)為4位 時，電阻陣列的電阻個數(shù)為16個；當(dāng)控制位個數(shù)為5位時，電阻陣 列的電阻個數(shù)為32個；當(dāng)控制位個數(shù)為6位時，電阻陣列的電阻個 數(shù)為64個。本發(fā)明僅增加了，電阻陣列、控制位和選通開關(guān)的邏輯控制電路 都可集成于芯片內(nèi)部，無需任何外部器件，結(jié)構(gòu)簡單成本低； 本發(fā)明采用校準(zhǔn)算法，保證壓控振蕩器頻率調(diào)諧范圍，并且不影響相 位噪聲；本發(fā)明將現(xiàn)有技術(shù)的負(fù)載電阻的MOS管用電阻陣列代替， 可以按照所需精度要求控制電壓范圍和各種條件下電阻陣列阻值的 偏差范圍來制定步數(shù)和每一步電阻陣列阻值的變化量。


圖1是典型環(huán)形壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是典型環(huán)形壓控振蕩器等效電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)延時單元的電路圖；圖4是本發(fā)明的步驟流程圖；圖5是本發(fā)明電阻陣列的電路示意圖；圖6是本發(fā)明的校準(zhǔn)算法流程示意圖；圖7是本發(fā)明控制位與電阻選通開關(guān)的解碼對照表； 圖8是本發(fā)明延時單元的電路圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)說明。圖4是本發(fā)明的步驟流程圖。如圖4所示，本發(fā)明方法的步驟包括步驟1,利用校準(zhǔn)算法，通過將壓控振蕩器的輸出頻率與參考頻 率進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果對電阻進(jìn)行選擇，使每級的傳輸延時盡量 與期望值接近，從而使壓控振蕩器輸出頻率被粗調(diào)到控制電壓的調(diào)整 范圍內(nèi)；步驟2，然后由控制電壓對壓控振蕩器輸出頻率進(jìn)行孩B周，從而 使鎖相環(huán)能在各種條件下鎖定在某一頻率點(diǎn)上。 進(jìn)一步地，步驟1還包括如下步驟步驟1.1,首先將壓控振蕩器的輸出頻率與參考頻率進(jìn)行比較； 步驟1.2，才艮據(jù)所述比較結(jié)果對R進(jìn)行選"I奪，即讓Td達(dá)到期望 值，完成頻率的粗調(diào)。圖5是本發(fā)明的電阻陣列電i 各示意圖。如圖5所示，R1, R2…… R15為阻值相等的電阻，調(diào)節(jié)電阻R0值的大小可根據(jù)實(shí)際需要來設(shè) 置，各阻值大小由電路每一步變化所需精度確定；S0， S1......S15為各電阻對應(yīng)的選通開關(guān)。同一時刻只有一個開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)，不 同開關(guān)的選通決定了接入電路的電阻阻值大小。如果S0開通，本發(fā) 明電阻陣列的等效電阻為R0;如果S1開通，本發(fā)明電阻陣列的等
效電阻為R0+R1……如果S15開通，本發(fā)明電阻陣列的等效電阻為 R0+R1+R2+R3+R4+R5+R6+R7+R8+R9+R10+R11+R12+R13+R1 4+R15。圖6是本發(fā)明控制位與電阻選通開關(guān)的解碼對照表。如圖6所示， 左列為控制位，由鎖相環(huán)的參考頻率和鎖定頻率的比較結(jié)果決定，通 過4-16 i奪碼產(chǎn)生開關(guān)選通信號；右列為選通的開關(guān)，每次只能選通 一個開關(guān)，由控制位的數(shù)值決定。如圖6所示，當(dāng)控制位為0000時， 選通開關(guān)S0;當(dāng)控制位為0001時，選通開關(guān)S1......當(dāng)控制位為1111時，選通開關(guān)S15。圖7是本發(fā)明的校準(zhǔn)算法流程示意圖。本發(fā)明的校準(zhǔn)算法采用二 分法，初始值設(shè)為1000，則分頻數(shù)為1000。本發(fā)明的校準(zhǔn)算法開始 時的初始狀態(tài)默i人為控制電壓為1V，控制位為1000，即開關(guān)S8選 通。如圖7所示，校準(zhǔn)算法的工作過程為壓控振蕩器輸出頻率f經(jīng) 過1000分頻后為f 。將f'與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較，若f小于 鎖相環(huán)的參考頻率，則減小R(則控制位跳轉(zhuǎn)為0100,即S7選通)， 增大f;若f'大于鎖相環(huán)的參考頻率，則增大R(則控位跳轉(zhuǎn)為1100, 即S12選通)，減小f;若f與鎖相環(huán)的參考頻率的差距在算法精度 之內(nèi)，則比較結(jié)束(即校準(zhǔn)算法指向end)。否則再次執(zhí)行比較，再 次執(zhí)行比較仍按照壓控振蕩器輸出頻率經(jīng)分頻后的值與鎖相環(huán)的參 考頻率進(jìn)行比較。若壓控振蕩器輸出頻率經(jīng)分頻后的值大于鎖相環(huán)的 參考頻率，則向左跳轉(zhuǎn)到下一級；若壓控振蕩器輸出頻率經(jīng)分頻后的 值小于鎖相環(huán)的參考頻率，則向右跳轉(zhuǎn)到下一級；直至比較步數(shù)全部
完成?？梢园凑账杈纫罂刂齐妷悍秶透鞣N條件下電阻陣列阻 值的偏差范圍來制定步數(shù)和每一 步電阻陣列阻值的變化量。圖8是本發(fā)明延時單元的電路圖。如圖8所示，Vinp與Vinn 為差分輸入端；Voutn與Voutp為差分輸出端；Rn1為第一電阻陣 列，Rn2為第二電阻陣列，連接在一起等效為的負(fù)載電阻；M3為第 三MOS管，M4為第四MOS管，所述M3與M4為提供負(fù)阻的交互 式耦合對；M5為第五MOS管，M6為第六MOS管，所述M5與 M6為輸入放大管；Vdd為電源；gnd為接地端；11為第一電流源， I2為第二電流源。在電路實(shí)現(xiàn)上，本發(fā)明將作為負(fù)載管的M1， M2 直接用第一電阻陣列Rn1,第二Rn2替代。本發(fā)明采用電阻陣列， 可以將該節(jié)點(diǎn)的電象阮為定值，而單單對電阻值進(jìn)行調(diào)節(jié)。所述電阻 陣列由一系列電阻串聯(lián)而成，通過開關(guān)的選通來決定接入電路電阻的 阻值。所述開關(guān)的選通與否由控制位決定。所述控制位直接由壓控振 蕩器的輸出頻率與參考頻率的比較結(jié)果決定。綜合附4，圖5,圖6,圖7,圖8,本發(fā)明的原理如下環(huán) 形壓控振蕩器每級的傳輸延時可以用電阻和電容的值來表述，即 Td=R*C。由于輸出頻率f-1/(2NTd)，如果所述Td是常數(shù)，則f為定 值。在不同的工藝偏差和溫度下，R與C會發(fā)生變化，而Td也必然 隨著R與C的變化而變化，導(dǎo)致f也會發(fā)生變化。因此，本發(fā)明利 用校準(zhǔn)算法，通過將壓控振蕩器的輸出頻率與參考頻率進(jìn)行比較，然 后根據(jù)所述比較結(jié)果對R進(jìn)行選擇，可以使Td盡量與預(yù)期值靠近， 并且壓控振蕩器的輸出頻率也被粗調(diào)到控制電壓的調(diào)整范圍內(nèi)。然后
由控制電壓對頻率進(jìn)行微調(diào)，使鎖相環(huán)即使在外在條件下也能鎖定在 某一頻率點(diǎn)上。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)用校準(zhǔn)算法對壓控電壓的輸出頻率的 控制，從而使鎖相環(huán)在各種條件下鎖定在某一頻率點(diǎn)上。在本具體實(shí)施例中，延時單元的級數(shù)N為3，鎖相環(huán)的參考頻率 為1MHz,鎖相環(huán)的鎖定頻率為1GHz。本發(fā)明的構(gòu)造和作用4又僅作 為本實(shí)施例進(jìn)行說明，而本發(fā)明所述的技術(shù)思想和核心構(gòu)成及作用并 不局限于此。結(jié)合附4，圖5，圖6,圖7,圖8,本實(shí)施例中采用校準(zhǔn)算 法對壓控振蕩器的輸出頻率進(jìn)行粗調(diào)，過程如下本發(fā)明校準(zhǔn)算法開 始時的控制電壓設(shè)置為1V，控制位為1000，即S8選通，接入電路 的電阻R為(R0+R1+R2+…+R7+R8)。壓控振蕩器輸出頻率f經(jīng)過 1000分頻后為f1。將fl與鎖相環(huán)的參考頻率1MHz進(jìn)行比較，若 fK1MHz,則控制位轉(zhuǎn)為0100，即S4選通，接入電路的電阻R變 為(R0+R1十…R4)， R減小了， f增大了;若fWMHz,則控制位轉(zhuǎn) 為1100，即S12選通，接入電路的電阻R為(R0+R1+…R11+R12)， R增大了， f減小了；若f1與鎖相環(huán)的參考頻率1MHz的差距在算法 精度之內(nèi)，則比較結(jié)束，否則再以控制位0100或1100決定的R接 入電路后壓控振蕩器的頻率與參考頻率進(jìn)行比較，直至比較步數(shù)全部 完成。可以按照所需精度要求，控制電壓范圍，各種條件下R的偏 差范圍來制定步數(shù)和每一步R的變化量，從而完成對壓控振蕩器的 輸出頻率進(jìn)行粗調(diào)。校準(zhǔn)算法結(jié)束后，將控制電壓恢復(fù)為由鎖相環(huán)環(huán)路控制的電壓，
再對壓控振蕩器的頻率進(jìn)行纟鼓調(diào)，保證鎖相環(huán)的鎖定。以上所述僅為發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明。凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等， 均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法，其特征在于包括如下步驟步驟1，利用校準(zhǔn)算法，通過將壓控振蕩器的輸出頻率與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果對電阻進(jìn)行選擇，使每級的傳輸延時盡量與期望值接近，從而使壓控振蕩器的輸出頻率被粗調(diào)到控制電壓的調(diào)整范圍內(nèi)；步驟2，然后由控制電壓對壓控振蕩器的輸出頻率進(jìn)行微調(diào)，從而使鎖相環(huán)能在各種條件下鎖定在某一頻率點(diǎn)上。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于，所述步驟1進(jìn)一步地包括步驟1.1,首先將壓控振蕩器的輸出頻率與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn) 行比較；步驟1.2，根據(jù)所述比較結(jié)果對R進(jìn)行選擇，即讓Td達(dá)到期望 值，完成頻率的粗調(diào)。
3. 如權(quán)利要求1所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于，所述校準(zhǔn)算法的實(shí)現(xiàn)過程如下壓控振蕩器輸出頻率經(jīng) 過分頻后，與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較；若小于鎖相環(huán)的參考頻率， 則減小電阻陣列的阻值，增大壓控振蕩器輸出頻率，若大于鎖相環(huán)的 參考頻率，則增大電阻陣列的阻值，減小壓控振蕩器輸出頻率，若壓 控振蕩器輸出頻率與鎖相環(huán)的參考頻率的差距在算法精度之內(nèi)，則比較結(jié)束；否則再次執(zhí)行比較，直至比較步數(shù)全部完成
4. 一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的裝置，其結(jié)構(gòu)至少包括第 三MOS管(M5)，第四MOS管(M6)，第一電流源(11 ),第 二電流源U2)，差分輸入端(Vinp，Vinn)，差分輸出端(Voutn,Voutp), 電源(Vdd),接地端(gnd)，其特征在于還包括第一電阻陣列(Rn1) 和第二電阻陣列(Rn2),所述第一電阻陣列(Rn1)和第二電阻陣列 (Rn2)串聯(lián)起來作為負(fù)載電阻與第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)連接而成的負(fù)阻并聯(lián)，與輸出端(Vinp，Vinn)連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于所述的電阻陣列包括調(diào)節(jié)電阻(R0)，第一電阻(R1 )， 第二電阻(R2)，第三電阻(R3),第四電阻(R4)，第五電阻(R5), 第六電阻(R6)，第七電阻(R7)，第八電阻(R8)，第九電阻(R9)， 第十電阻(R10)，第十一電阻(R11 ),第十二電阻(R12)，第 十三電阻(R13)，第十四電阻(R14)，第十五電阻(R15);選 通開關(guān)(S0)，第一選通開關(guān)(S1)，第二選通開關(guān)(S2),第三 選通開關(guān)(S3),第四選通開關(guān)(S4)，第五選通開關(guān)(S5),第 六選通開關(guān)(S6)，第七選通開關(guān)(S7)，第八選通開關(guān)(S8), 第九選通開關(guān)(S9),第十選通開關(guān)(S10)，第十一選通開關(guān)(S11 )， 第十二選通開關(guān)(S12)，第十三選通開關(guān)(S13),第十四選通開 關(guān)(S14),第十五選通開關(guān)(S15);每個電阻對應(yīng)一個選通開關(guān)， 所述的選通開關(guān)控制該電阻的選通，所述的電阻陣列每次只能選通一 個開關(guān)。
6. 如權(quán)利要求5所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于所述的電阻陣列選通開關(guān)的選通由控制位決定，所述控 制位直接由壓控振蕩器的輸出頻率與縮相環(huán)的參考頻率的比較結(jié)果 決定。
7. 如權(quán)利要求6所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于所述控制位個數(shù)的取值范圍為2~6位，所述控制位個 數(shù)的最佳取值為4位。
8. 如權(quán)利要求7所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于所述控制位個數(shù)決定電阻陣列的電阻個數(shù)。
9. 如權(quán)利要求8所述的一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法， 其特征在于當(dāng)控制位個數(shù)為2位時，電阻陣列的電阻個數(shù)為4個； 當(dāng)控制位個數(shù)為3位時，電阻陣列的電阻個數(shù)為8個；當(dāng)控制位個數(shù) 為4位時，電阻陣列的電阻個數(shù)為16個；當(dāng)控制位個數(shù)為5位時， 電阻陣列的電阻個數(shù)為32個；當(dāng)控制位個數(shù)為6位時，電阻陣列的 電阻個數(shù)為64個。
全文摘要
一種利用校準(zhǔn)算法實(shí)現(xiàn)頻率控制的方法及裝置，涉及壓控振蕩器電路設(shè)計領(lǐng)域。本發(fā)明包括如下步驟步驟1，利用校準(zhǔn)算法，通過將壓控振蕩器的輸出頻率與鎖相環(huán)的參考頻率進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果對電阻進(jìn)行選擇；步驟2，然后由控制電壓對壓控振蕩器的輸出頻率進(jìn)行微調(diào)。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)至少包括第三MOS管，第四MOS管，第一電流源，第二電流源，差分輸入端，差分輸出端，電源，接地端，第一電阻陣列，第二電阻陣列。本發(fā)明能夠在工藝條件變化時仍將壓控振蕩器電路的參數(shù)調(diào)整到合適的值，并且不影響相位噪聲。
文檔編號H03L7/08GK101127507SQ20071004613
公開日2008年2月20日 申請日期2007年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日
發(fā)明者劉歡艷, 云 周 申請人:鼎芯通訊(上海)有限公司