專利名稱：毫米波段開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及在毫米波段工作的開關(guān)。
背景技術(shù)：
圖29、圖30是現(xiàn)有毫米波段開關(guān)的一般的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖中，T 表示作為開關(guān)元件使用的FET (場效應(yīng)晶體管)，Pl、 P2表示輸入輸出 端子、Ll表示傳輸線路、VI表示控制電壓施加端子，D表示二極管。
通常，為了開關(guān)接通(switch on)時的低損耗化，在毫米波段工作 的開關(guān)采用將FET或二極管相對于信號通過的傳輸線路(相當(dāng)于圖中的 Ll )并聯(lián)地配置的結(jié)構(gòu)。
在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，例如在圖29所示的結(jié)構(gòu)的情況下，開關(guān)切斷時 的隔離(isolation )特性依賴于并聯(lián)配置的開關(guān)元件的接通電阻值(Ron)。 圖31、圖32是謀求高隔離化的現(xiàn)有毫米波段開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)圖。如該 圖31、圖32所示，為了謀求高隔離化，需要并聯(lián)地使用兩個或更多的 開關(guān)元件。
此外，作為為了在開關(guān)切斷時取得高隔離的開關(guān)結(jié)構(gòu)，有將與切斷 時的切斷電容(off capacitance)在希望的頻率共振的電感串聯(lián)配置的結(jié) 構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。圖33是為了謀求高隔離化而將電感串聯(lián) 地配置的現(xiàn)有毫米波段開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)圖。
專利文獻(xiàn)l:日本專利申請公開平11-284203號公報
但是，現(xiàn)有技術(shù)中存在下述問題。
在這樣的現(xiàn)有電路結(jié)構(gòu)的開關(guān)中，提高了隔離特性。但是，存在當(dāng) 接通時開關(guān)元件的接通電阻導(dǎo)致的通過損耗(passing loss )增加的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問題而完成的，其目的在于獲得一種不使 通過損耗增加而能高隔離化的毫米波段開關(guān)。
涉及本發(fā)明的毫米波段開關(guān)，具備在信號通過的輸入輸出端子之 間串聯(lián)連接的第一開關(guān)元件；以及與笫一開關(guān)元件并聯(lián)連接的具有1/2波長的電長度(electric length)的第一傳輸線路。
此外，本發(fā)明的毫米波段開關(guān)，具備 一端并聯(lián)連接在信號通過的 輸入輸出端子之間的第一開關(guān)元件；與第一開關(guān)元件并聯(lián)連接的具有 1/2波長的電長度的第一傳輸線路；以及在第一開關(guān)元件和第一傳輸線 路的并聯(lián)電路的另一端、與接地之間連接的具有1/4波長的電長度的第 二傳輸線路。
根據(jù)本發(fā)明，通過將具有1/2波長的電長度的傳輸線路和開關(guān)元件 的并聯(lián)電路，在信號通過的輸入輸出端子之間并聯(lián)或者串聯(lián)連接，能夠 得到不使通過損耗增加而能高隔離化的毫米波段開關(guān)。


圖l是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第一電路結(jié)構(gòu)圖。 圖2是本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在開關(guān)接通時的等 價電路。
圖3是本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在開關(guān)切斷時的等 價電路。
圖4是對本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔離 的計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的 一個例子。
圖5是對本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)的接通時的通過 損耗計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。
圖6是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第二電路結(jié)構(gòu)圖。
圖7是本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在開關(guān)切斷時的等 價電路。
圖8是本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在開關(guān)接通時的等 價電路。
圖9是對本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔離
計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。
圖IO是對本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)的接通時的通
過損耗計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的 一 個例子。
圖U是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第三電路結(jié)構(gòu)圖。 圖12是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第四電路結(jié)構(gòu)圖。 圖13是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第五電路結(jié)構(gòu)圖。
4圖14是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第六電路結(jié)構(gòu)圖。 圖15是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第七電路結(jié)構(gòu)圖。 圖16是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第八電路結(jié)構(gòu)圖。 圖17是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第九電路結(jié)構(gòu)圖。 圖18是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十電路結(jié)構(gòu)圖。 圖19是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十一電路結(jié)構(gòu)圖。 圖20是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十二電路結(jié)構(gòu)圖。 圖21是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十三電路結(jié)構(gòu)圖。 圖22是對本發(fā)明實施方式1的圖21的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔
離計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。
圖23是對本發(fā)明實施方式1的圖21的毫米波段開關(guān)的接通時的通
過損耗計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的 一 個例子。
圖24是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十四電路結(jié)構(gòu)圖。
圖25是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十五電路結(jié)構(gòu)圖。
圖26是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十六電路結(jié)構(gòu)圖。
圖27是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十七電路結(jié)構(gòu)圖。
圖28是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十八電路結(jié)構(gòu)圖。
圖29是現(xiàn)有的毫米波段開關(guān)的一般的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖30是現(xiàn)有的毫米波段開關(guān)的一般的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖31是謀求高隔離化的現(xiàn)有的毫米波段開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖32是謀求高隔離化的現(xiàn)有的毫米波段開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖33是為了謀求高隔離化，串聯(lián)配置電感的現(xiàn)有的毫米波段開關(guān)
的電路結(jié)構(gòu)圖。 附圖標(biāo)記說明
L:傳輸線路，T: FET (開關(guān)元件)，D: 二極管(開關(guān)元件)， Pl、 P2:輸入輸出端子。
具體實施例方式
下面，使用附圖對本發(fā)明的毫米波段開關(guān)的適合的實施方式進(jìn)行說明。
實施方式l
圖1是本發(fā)明的實施方式1的毫米波段開關(guān)的第一電路結(jié)構(gòu)圖。具有在輸入輸出端子(圖中Pl、 P2)之間串聯(lián)配置的開關(guān)元件的兩端上， 配置了具有通過的毫米波段信號的1/2波長長度的電長度的傳輸線路的 結(jié)構(gòu)。圖1中，L是長度為1/2波長的傳輸線路，T表示作為開關(guān)元件 工作的FET, VI表示控制電壓施加端子，R表示電壓施加用電阻。
下面，對該圖1所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)的工作進(jìn)行說 明。圖2是本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在開關(guān)接通時的等 價電路。此外，圖3是本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在開關(guān) 切斷時的等價電路。
當(dāng)對控制電壓施加端子施加Vc<Vp ( FET的夾斷(pinch off)電壓) 的電壓時，如圖2所示，F(xiàn)ET成為以Coff表示的電容(Coff) ， FET的 阻抗Zt能夠以下式表示。
Zt=l / -jcoCoff (1)
在選擇了切斷電容小的柵極寬度(gate width)的FET的情況下， 在頻率高的毫米波段中FET的阻抗(圖2中Zt)變大，毫米波段的信號 通過1/2波長線路。
另一方面，在開關(guān)切斷時，對FET的控制電壓施加端子施加了 Vc-OV的電壓的情況下，F(xiàn)ET能夠被大約看作為電阻(圖3中Ron)， FET的阻抗(圖3中Zt)為下式所示。
Zt=Ron ( 2 )
在這種情況下，從P1輸入的毫米波段信號分為通過Ron的電阻而 一部分衰減的信號，和通過1/2波長線路相位延遲180度的信號，在圖 3中的A點合成。因此，由于在A點中兩信號以相互抵消的方式工作， 所以能夠高隔離化。
圖4是對本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔離 計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。在圖4中，Sl-off表示圖1 所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)在切斷時(圖3)的隔離的計算結(jié) 果。此外，S2-off表示圖29所示的現(xiàn)有毫米波段開關(guān)在切斷時(圖3) 的隔離的計算結(jié)果。通過使用本實施方式1的電路結(jié)構(gòu)，在77GHz波段 中，能夠得到提高隔離的效果。
圖5是對本發(fā)明實施方式1的圖1的毫米波段開關(guān)在接通時的通過 損耗的計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。在圖5中，SI—on 表示圖1所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)在接通時(圖2)的通過損耗的計算結(jié)果。此外，S2 —on表示圖29所示的現(xiàn)有毫米波段開關(guān)在 接通時(圖3)的通過損耗的計算結(jié)果。通過使用本實施方式1的電路 結(jié)構(gòu)，在77GHz波段中，能夠得到不使損耗增加的效果。
實際上在毫米波段需要考慮FET的寄生成分。因此，在希望的頻帶 中1/2波長線路的長度需要進(jìn)行少許的增減等調(diào)整，但在這種情況下， 也能得到同樣的效果。此外，作為上述FET使用GaAs - FET、GaN - FET、 或HBT等也可。
圖6是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第二電路結(jié)構(gòu)圖。是在 前面的圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)圖的1/2波長線路中，在1/4波長的點 上使用FET(圖6中T2)作為第二開關(guān)元件的結(jié)構(gòu)。圖7是本發(fā)明實施 方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在開關(guān)切斷時的等價電路。此外，圖8是 本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在開關(guān)接通時的等價電路。
在切斷(圖7)時，通過利用第二FET (T2)使相位延遲了 180度 的信號的振幅衰減并合成，比起前面的圖1的電路結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步使 隔離提高。第二 FET的柵極寬度選擇為與第一 FET導(dǎo)致的衰減量大致 相同程度。
圖9是對本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔離 計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。在圖9中，Sl—off表示前 面的圖1所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)在切斷時(圖3)的隔離 的計算結(jié)果。此外，S3-off表示圖6所示的本實施方式1的毫米波段 開關(guān)在切斷時(圖7)的隔離的計算結(jié)果。
此外，圖IO是對本發(fā)明實施方式1的圖6的毫米波段開關(guān)在接通 時的通過損耗的計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。在圖10中， Sl-on表示前面的圖1所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)在接通時 (圖2)的通過損耗的計算結(jié)果。此外，S3 —on表示圖6所示的本實施 方式1的毫米波段開關(guān)在接通時(圖8)的通過損耗的計算結(jié)果。
如該圖9、 IO所示，可知具有第二電路結(jié)構(gòu)的毫米波段開關(guān)在切斷 時的隔離特性(圖9中的S3 —off)比起具有第一電路結(jié)構(gòu)的毫米波段 開關(guān)在切斷時的隔離特性(圖9中的Sl-off),隔離增加。進(jìn)而，可 知接通時的通過特性幾乎沒有變動。
圖11是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第三電路結(jié)構(gòu)圖。是 使用了前面圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)的2分路開關(guān)(two branch switch)
7的結(jié)構(gòu)例。在圖11中，L3表示連接在分路點上的長度為1/4波長的傳 輸線路。通過使用前面的圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)，即使在2分路開關(guān) 中，也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖12是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第四電路結(jié)構(gòu)圖。是 使用了前面圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)的n分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。即使在n 分路開關(guān)中，同樣地也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得 到高隔離。
圖13是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第五電路結(jié)構(gòu)圖。是 在前面的圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)中使用二極管作為開關(guān)元件的結(jié)構(gòu) 例。通過使用二極管，比起使用FET的第一電路結(jié)構(gòu)能夠使切斷時的切 斷電容(Coff)以及接通時的接通電阻(Ron) —起變小。結(jié)果是能夠 得到更加低損耗、高隔離的開關(guān)特性。
圖14是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第六電路結(jié)構(gòu)圖。是 使用了前面的圖13所示的第五電路結(jié)構(gòu)的2分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。通過 使用前面的圖13所示的第五電路結(jié)構(gòu)，即使在2分路開關(guān)中，也不會 使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖15是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第七電路結(jié)構(gòu)圖。是 使用了前面的圖13所示的第五電路結(jié)構(gòu)的n分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。通過 使用前面的圖13所示的第五電路結(jié)構(gòu)，即使在n分路開關(guān)中，同樣地 也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖16是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第八電路結(jié)構(gòu)圖。是 使用了前面的圖6所示的第二電路結(jié)構(gòu)的2分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。圖16 中L3表示連接在分路點上的傳輸線路。通過使用前面的圖6所示的第 二電路結(jié)構(gòu)，即使在2分路開關(guān)中，也不會使接通時的通過損耗增加， 能夠在切斷時得到高隔離。
圖17是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第九電路結(jié)構(gòu)圖。是 使用了前面的圖6所示的.第二電路結(jié)構(gòu)的n分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。圖17 中L3表示連接在分路點上的傳輸線路。通過使用前面的圖6所示的第 二電路結(jié)構(gòu)，即使在n分路開關(guān)中，也不會使接通時的通過損耗增加， 能夠在切斷時得到高隔離。
圖18是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十電路結(jié)構(gòu)圖。是 在前面的圖6所示的第二電路結(jié)構(gòu)中使用二極管作為開關(guān)元件的結(jié)構(gòu)例。通過使用二極管，比起使用FET的第二電路結(jié)構(gòu)能夠使切斷時的切 斷電容(Coff)以及接通時的接通電阻(Ron) —起變小。結(jié)果是能夠 得到更加低損耗、高隔離的開關(guān)特性。
圖19是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十一電路結(jié)構(gòu)圖。 是使用了前面的圖18所示的第十電路結(jié)構(gòu)的2分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。通 過使用前面的圖18所示的第十電路結(jié)構(gòu)，即使在2分路開關(guān)中，也不 會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖20是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十二電路結(jié)構(gòu)圖。 是使用了前面的圖18所示的第十電路結(jié)構(gòu)的n分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。通 過使用前面的圖18所示的第十電路結(jié)構(gòu)，即使在n分路開關(guān)中，也不 會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖21是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十三電路結(jié)構(gòu)圖。 是前面的圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)的變形例。在圖21中，L是長度為 1/2波長的傳輸線路，L2是長度為1/4波長的傳輸線路。以下，對具有 該第十三電路結(jié)構(gòu)的毫米波段開關(guān)的工作進(jìn)行說明。
當(dāng)對控制電壓施加端子VI施加Vc=0V時，F(xiàn)ET與具有前面的圖1 所示的第一電路結(jié)構(gòu)的毫米波段開關(guān)同樣，成為接通電阻(Ron)。結(jié) 果是，圖21中的點S的阻抗變小，輸入到輸入端子P1的信號被斷路。
此外，當(dāng)對控制電壓施加端子Vl施加Vc〈Vp的電壓時，F(xiàn)ET與具 有前面的圖1所示的第一電路結(jié)構(gòu)的毫米波段開關(guān)同樣，成為切斷電容 (Coff) 結(jié)果是圖21中的點S的阻抗變大，輸入到輸入端子P1的信 號向輸出端子P2通過。
圖22是對本發(fā)明實施方式1的圖21的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔 離計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。在圖22中，S4 —off表示 圖21所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)在切斷時的隔離的計算結(jié)果。 此外，S2 —off表示圖29所示的現(xiàn)有毫米波段開關(guān)在切斷時的隔離的計 算結(jié)果。
此外，圖23對本發(fā)明實施方式1的圖21的毫米波段開關(guān)在接通時 的通過損耗計算結(jié)果進(jìn)行表示的頻率特性的一個例子。在圖23中，S4 -on表示圖21所示的本實施方式1的毫米波段開關(guān)在接通時的通過損 耗的計算結(jié)果。此外，S2-on表示圖29所示的現(xiàn)有毫米波段開關(guān)在接 通時的通過損耗的計算結(jié)果。即使使用圖21所示的第十三電路結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有例相比，切斷時的 隔離(圖22中的S4 —off)增加，可知能夠得到接通時的通過損耗(圖 23中的S4 — on)與現(xiàn)有例大致相同程度的性能。
圖24是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十四電路結(jié)構(gòu)圖。 是使用了前面的圖21所示的第十三電路結(jié)構(gòu)的2分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。 通過使用前面的圖21所示的第十三電路結(jié)構(gòu)，即使在2分路開關(guān)中， 也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖25是本發(fā)明實施方式1的亳米波段開關(guān)的第十五電路結(jié)構(gòu)圖。 是使用了前面的圖21所示的第十三電路結(jié)構(gòu)的n分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。 即使在n分路開關(guān)中，同樣地也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在 切斷時得到高隔離。
圖26是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十六電路結(jié)構(gòu)圖。 是在前面的圖21所示的第十三電路結(jié)構(gòu)中使用二極管作為開關(guān)元件的 結(jié)構(gòu)例。通過使用二極管作為開關(guān)元件，同樣地能夠得到低損耗、高隔 離的開關(guān)特性。
圖27是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十七電路結(jié)構(gòu)圖。 是使用了前面的圖26所示的第十六電路結(jié)構(gòu)的2分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。 通過使用前面的圖26所示的第十六電路結(jié)構(gòu)，即使在2分路開關(guān)中， 也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
圖28是本發(fā)明實施方式1的毫米波段開關(guān)的第十八電路結(jié)構(gòu)圖。 是使用了前面的圖26所示的第十六電路結(jié)構(gòu)的n分路開關(guān)的結(jié)構(gòu)例。 通過使用前面的圖26所示的第十六電路結(jié)構(gòu)，即使在n分路開關(guān)中， 同樣地也不會使接通時的通過損耗增加，能夠在切斷時得到高隔離。
如上所述，根據(jù)實施方式1,通過將具有1/2波長的電長度的傳輸 線路和開關(guān)元件的并聯(lián)電路，在信號通過的輸入輸出端子之間并聯(lián)或者 串聯(lián)連接，能夠得到不使通過損耗增加、能夠高隔離化的毫米波段開關(guān)。
權(quán)利要求
1.一種毫米波段開關(guān)，其特征在于，具備第一開關(guān)元件，在信號通過的輸入輸出端子之間串聯(lián)連接；以及第一傳輸線路，與第一開關(guān)元件并聯(lián)連接并具有1/2波長的電長度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波段開關(guān)，其特征在于，還具備 第二開關(guān)元件，連接在上述第一傳輸線路的上述1/2波長的電長度的1/4波長的電長度的點與接地之間。
3. —種毫米波段開關(guān)，其特征在于，具備 第一開關(guān)元件， 一端并聯(lián)連接在信號通過的輸入輸出端子之間； 第一傳輸線路，與上述第一開關(guān)元件并聯(lián)連接并具有1/2波長的電長度；以及第二傳輸線路，連接在上述第一開關(guān)元件和上述笫一傳輸線路的并 聯(lián)電路的另一端與接地之間，具有l(wèi)/4波長的電長度。
4. 一種毫米波段開關(guān)，其特征在于，使用n個根據(jù)權(quán)利要求1至 權(quán)利要求3的任何一項所述的毫米波段開關(guān)來構(gòu)成n分路切換開關(guān)，其 中n是2以上的整數(shù)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3的任何一項所述的毫米波段開關(guān)， 其特征在于，作為開關(guān)元件使用場效應(yīng)晶體管或二極管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種毫米波段開關(guān)。通過本發(fā)明能夠得到不使通過損耗增加、能夠高隔離化的毫米波段開關(guān)。具備在信號通過的輸入輸出端子之間串聯(lián)連接的第一開關(guān)元件；以及與第一開關(guān)元件并聯(lián)連接的具有1/2波長的電長度的第一傳輸線路。此外也能構(gòu)成為具備一端在信號通過的輸入輸出端子之間并聯(lián)連接的第一開關(guān)元件；與第一開關(guān)元件并聯(lián)連接的具有1/2波長的電長度的第一傳輸線路；以及在第一開關(guān)元件和第一傳輸線路的并聯(lián)電路的另一端、與接地之間連接的具有1/4波長的電長度的第二傳輸線路。
文檔編號H03K17/51GK101557219SQ20081013096
公開日2009年10月14日 申請日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月9日
發(fā)明者塚原良洋 申請人:三菱電機(jī)株式會社