專利名稱：低相位噪聲放大裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電信號的放大裝置，具體涉及電信號的低相位噪聲放大裝置。
背景技術(shù)：
在理想情況下，以1MHz為固定的脈沖信號的持續(xù)時間應(yīng)該恰好是1微秒， 每500ns有一個跳變沿。但是這種信號并不存在，信號周期的長度總會有一定 變化，從而致下一個沿的到來時間不確定。這種不確定就是相位噪聲。
無線通信中，尤其是在3G通信網(wǎng)TD-SCDMA中，需要低相位噪聲放大裝置。 現(xiàn)有的低相位噪聲放大裝置存在著其輸入端的相位噪聲被放大了送到輸出端， 諧波干擾嚴(yán)重，多個輸出端時互相干擾，無法滿足同步時鐘設(shè)備中低相位噪聲 輸出的射頻同步頻率基準(zhǔn)接口的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供多路輸出的低相位噪聲放大裝置。
為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種低相位噪聲放大裝置，輸入信號經(jīng)過電容C1接入第一低相位噪聲系數(shù)
晶體管BG1的基極，第一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1的集電極接入?yún)⒖茧妷?，?一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1的基極經(jīng)過電阻R2接入?yún)⒖茧妷海谝坏拖辔辉肼?系數(shù)晶體管BG1的發(fā)射極經(jīng)過電阻R5、電容C3進(jìn)入第二低相位噪聲系數(shù)晶體管 BG2的基極；第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的發(fā)射極接地的同時經(jīng)過電阻R12、 并聯(lián)的電阻R13和電容C9后， 一路經(jīng)過電阻R4接入第一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1的發(fā)射極，另外一路經(jīng)過電阻R6接入第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的基極， 、第二低相^g噪聲系數(shù)晶體管BG2的基極還經(jīng)i電阻R7接A第三低相位噪聲系數(shù) 晶體管BG3的基極；第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的集電極經(jīng)過電容C8接地， 第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的集電極同時經(jīng)過電阻R11接地并接入第三低相 位噪聲系數(shù)晶體管BG3的發(fā)射極；第三低相位噪聲系數(shù)晶體管BG3的集電極經(jīng)過 電阻R10接入第四低相位噪聲系數(shù)晶體管BG4的發(fā)射極，第三低相位噪聲系數(shù)晶 體管BG3的基極經(jīng)過電阻R8接入第四低相位噪聲系數(shù)晶體管BG4的基極；第四低 相位噪聲系數(shù)晶體管BG4的基極經(jīng)過電阻R9接入?yún)⒖茧妷?；第四低相位噪聲系?shù) 晶體管BG4的集電極連接了調(diào)諧選頻變壓器B1和振蕩電容C7;調(diào)諧選頻變壓器B1 經(jīng)過電阻R13、電容C10組成的緩沖衰減器后接入第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5 的基極；第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5的集電極與參考電壓連接，第五低相位 噪聲系數(shù)晶體管BG5的發(fā)射極串聯(lián)電阻R16后接地，再通過電阻R15和第五低相位 噪聲系數(shù)晶體管BG5的基極連接，第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5的發(fā)射極同時 經(jīng)過電阻R17連接到交流阻抗橋型混合線圈B2后輸出兩路信號。
更進(jìn)一步的技術(shù)方案第一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1、第二低相位噪聲系數(shù) 晶體管BG2、第三低相位噪聲系數(shù)晶體管BG3、第四低相位噪聲系數(shù)晶體管GB4、 第五低相位噪聲系數(shù)晶體管GB5均是PNP型低相位噪聲系數(shù)晶體管。
更進(jìn)一步的技術(shù)方案是輸入信號是壓控晶體振蕩器輸出的低相位噪聲振蕩 信號。
更進(jìn)一步的技術(shù)方案是交流阻抗橋型混合線圈B2的型號是武成電子公司生 產(chǎn)的TXBY-01。
更進(jìn)一步的技術(shù)方案是調(diào)諧選頻變壓器B1的頻率在9MHz至20MHz之間。更進(jìn)一步的技術(shù)方案是調(diào)諧選頻變壓器B1的型號是康樂電子公司生產(chǎn)的^
腿Q-01 。 、
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是其具有相位噪聲放大低，諧波干擾 小，能同時輸出多路相互不干擾的信號。


圖l為本發(fā)明的示意圖。
圖2為本發(fā)明應(yīng)用在1路輸入2路輸出時的連接圖。 圖3為本發(fā)明應(yīng)用在1路輸入4路輸出時的連接圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖:對本發(fā)明作進(jìn)一歩的闡述。
如圖i所示， 一種低相位噪聲放大裝置，壓控晶體振蕩器輸出的信號經(jīng)過電
容C1接入第一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1的基極，第一低相位噪聲系數(shù)晶體管 BG1的集電極接入?yún)⒖茧妷?，第一低相位噪聲系?shù)晶體管BG1的基極經(jīng)過電阻R2 接入?yún)⒖茧妷?，第一低相位噪聲系?shù)晶體管BG1的發(fā)射極經(jīng)過電阻R5、電容C3進(jìn) 入第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的基極；第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的發(fā) 射極接地的同時經(jīng)過電阻R12、并聯(lián)的電阻R13和電容C9后， 一路經(jīng)過電阻R4接 入第一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1的發(fā)射極，另外一路經(jīng)過電阻R6接入第二低相 位噪聲系數(shù)晶體管BG2的基極，第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的基極還經(jīng)過電 阻R7接入第三低相位噪聲系數(shù)晶體管BG3的基極；第二低相位噪聲系數(shù)晶體管 BG2的集電極經(jīng)過電容C8接地，第二低相位噪聲系數(shù)晶體管BG2的集電極同時經(jīng) 過電阻R11接地并接入第三低相位噪聲系數(shù)晶體管BG3的發(fā)射極；第三低相位噪聲系數(shù)晶體管BG3的集電極經(jīng)過電阻R10接入第四低相位噪聲系數(shù)晶體管BG4的 發(fā)射極，第三低相位噪聲系數(shù)晶體智BG3的基極經(jīng)過電阻R8接入第四低相位噪, 系數(shù)晶體管BG4的基極；第四低相位噪聲系數(shù)晶體管BG4的基極經(jīng)過電阻R9接入 參考電壓；第四低相位噪聲系數(shù)晶體管BG4的集電極連接了HHXQ-01調(diào)諧選頻變 壓器B1和振蕩電容C7;調(diào)諧選頻變壓器B1經(jīng)過電阻R13、電容C10組成的緩沖衰 減器后接入第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5的基極；第五低相位噪聲系數(shù)晶體管 BG5的集電極與參考電壓連接，第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5的發(fā)射極串聯(lián)電 阻R16后接地，再通過電阻R15和第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5的基極連接，第 五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5的發(fā)射極同時經(jīng)過電阻R17連接到TXBY-01交流阻 抗橋型混合線圈B2后輸出兩路信號。第一低相位噪聲系數(shù)晶體管BG1、第二低相 位噪聲系數(shù)晶體管BG2、第三低相位噪聲系數(shù)晶體管BG3、第四低相位噪聲系數(shù) 晶體管BG4、第五低相位噪聲系數(shù)晶體管BG5均是PNP型低相位噪聲系數(shù)晶體管。
如圖2所示，利用3臺本裝置實現(xiàn)1路輸入4路輸出，將輸入信號接入第 一本裝置的輸入端，第一本裝置的輸出端分別接入第二本裝置的輸入端、第三 本裝置的輸入端相連；第二本裝置的兩個輸出端、第三本裝置的兩個輸出端完 成四路互相不干擾的信號輸出。
權(quán)利要求
1、一種低相位噪聲放大裝置，輸入信號經(jīng)過電容(C1)接入第一低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG1)的基極，第一低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG1)的集電極接入?yún)⒖茧妷?，第一低相位噪聲系?shù)晶體管(BG1)的基極經(jīng)過電阻(R2)接入?yún)⒖茧妷?，第一低相位噪聲系?shù)晶體管(BG1)的發(fā)射極經(jīng)過電阻(R5)、電容(C3)進(jìn)入第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)的基極；第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)的發(fā)射極接地的同時經(jīng)過電阻(R12)、并聯(lián)的電阻(R13)和電容(C9)后，一路經(jīng)過電阻(R4)接入第一低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG1)的發(fā)射極，另外一路經(jīng)過電阻(R6)接入第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)的基極，第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)的基極還經(jīng)過電阻(R7)接入第三低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG3)的基極；第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)的集電極經(jīng)過電容(C8)接地，第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)的集電極同時經(jīng)過電阻(R11)接地并接入第三低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG3)的發(fā)射極；第三低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG3)的集電極經(jīng)過電阻(R10)接入第四低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG4)的發(fā)射極，第三低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG3)的基極經(jīng)過電阻(R8)接入第四低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG4)的基極；第四低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG4)的基極經(jīng)過電阻(R9)接入?yún)⒖茧妷?；其特征在于第四低相位噪聲系?shù)晶體管(BG4)的集電極連接了調(diào)諧選頻變壓器(B1)和振蕩電容(C7)；調(diào)諧選頻變壓器(B1)經(jīng)過電阻(R13)、電容(C10)組成的緩沖衰減器后接入第五低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG5)的基極；第五低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG5)的集電極與參考電壓連接，第五低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG5)的發(fā)射極串聯(lián)電阻(R16)后接地，再通過電阻(R15)和第五低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG5)的基極連接，第五低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG5)的發(fā)射極同時經(jīng)過電阻(R17)連接到交流阻抗橋型混合線圈(B2)后輸出兩路信號。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述尚低相^噪聲放大裝置，其特征在于所述的棄一低fe 位噪聲系數(shù)晶體管(BG1)、第二低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2)、第三低相 位噪聲系數(shù)晶體管(BG3)、第四低相位噪聲系數(shù)晶體管(GB4)、第五低相 位噪聲系數(shù)晶體管(GB5)均是PNP型低相位噪聲系數(shù)晶體管。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的輸入信號 是壓控晶體振蕩器輸出的低相位噪聲振蕩信號。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的交流阻抗 橋型混合線圈(B2)的型號是武成電子公司生產(chǎn)的TXBY-Ol。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的調(diào)諧選頻 變壓器(Bl)的頻率在9MHz至20MHz之間。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的調(diào)諧選頻 變壓器(Bl)的型號是康樂電子公司生產(chǎn)的HHXQ-Ol。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低相位噪聲放大裝置，第一低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG1)與壓控晶體低相位噪聲振蕩器連接起阻抗匹配，三個低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG2、BG3、BG4)組成共基極低相位噪聲放大器，在第四低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG4)的集電極連接了調(diào)諧選頻變壓器(B1)和振蕩電容(C7)。第五低相位噪聲系數(shù)晶體管(BG5)的發(fā)射極同時經(jīng)過電阻(R17)連接到交流阻抗橋型混合線圈(B2)后輸出兩路信號。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)諧波干擾嚴(yán)重，多個輸出端時互相干擾的不足，提供了一種相位噪聲放大低，諧波干擾小，能同時輸出多路相互不干擾的信號的裝置，可以廣泛應(yīng)用在通訊領(lǐng)域。
文檔編號H03K5/15GK101431324SQ20081014776
公開日2009年5月13日 申請日期2008年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月3日
發(fā)明者劉家君, 勇 曾, 李忠文, 磊 胡, 東 郝 申請人:西安大唐電信有限公司