專利名稱：具有低噪聲和低轉(zhuǎn)換損失的正交射頻混頻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例大體涉及無線電發(fā)射器和無線電接收器。更特定來說，本發(fā)明的 實施例涉及射頻(RF)混頻器。
背景技術(shù)：
射頻(RF)混頻器一般為用于改變輸入信號中的一者的頻率的三端口射頻組件。 在無線電發(fā)射器中，RF混頻器還可被稱為升頻轉(zhuǎn)換器。當(dāng)用于無線電接收器中時，RF混頻 器還可被稱為降頻轉(zhuǎn)換器。RF混頻器可為有源組件或無源組件。為實現(xiàn)小規(guī)模大小，RF混頻器通常使用由接 收電源的晶體管形成的有源組件，以使得其可與其它射頻組件和裝置一起集成到集成電路 中?，F(xiàn)參看背景技術(shù)圖1，說明RF混頻器100的示意符號。所述混頻器100具有兩個 輸入端口 L0、IF/RF和一個輸出端口 RF/IF。如果用作升頻轉(zhuǎn)換器，那么輸入端口為本地振 蕩輸入端口 LO和中頻輸入端口 IF，且輸出端口為射頻輸出端口 RF。如果混頻器用作降頻 轉(zhuǎn)換器，那么輸入端口為本地振蕩輸入端口 LO和射頻輸入端口 RF，且輸出端口為中頻輸出 端口 IF。LO端口接收來自振蕩信號源的本地振蕩信號。混頻器的目的為改變信號的頻率，同時理想地保持關(guān)于信號的其它一切相同。在 圖ι中，第一信號以特定頻率fi耦合到混頻器100的IF/RF端口。載波信號以第二頻率 (f2)耦合到混頻器100的LO端口。在混頻器100的RF/IF輸出端口處形成可選擇性地使 用的兩個不同輸出信號。為升頻轉(zhuǎn)換到較高頻率輸出信號，選擇具有等于兩個輸入頻率的 和(f\+f2)的頻率的同相輸出信號。為降頻轉(zhuǎn)換到較低頻率輸出信號，選擇具有等于兩個輸 入頻率之間的差(f\_f2)的頻率的輸出信號。舉例來說，語音的聲波處于20到20，000赫茲的低頻范圍中。另一方面，蜂窩式通 信系統(tǒng)的載波頻率處于高得多的頻帶中(例如，900，000，000赫茲)。舉例來說，為了用蜂 窩式電話談話，語音頻率需要升頻轉(zhuǎn)換到蜂窩式通信中所使用的蜂窩式載波頻率。一個或 一個以上混頻器用于將人類語音的頻帶或范圍改變到蜂窩式載波頻率的頻帶?；祛l器的一個重要特性為轉(zhuǎn)換增益。轉(zhuǎn)換增益為輸出信號的振幅與輸入信號的振 幅(并非本地振蕩LO信號)的比率?？蓪⑥D(zhuǎn)換增益表達(dá)為功率比。如果轉(zhuǎn)換增益小于一 (分?jǐn)?shù))，那么實際存在穿過混頻器的損失?；祛l器的另一重要特性為其噪聲指數(shù)(NF)。通過將混頻器的輸入端口(并非本地 振蕩LO輸入端口)處的信噪比(SNR)除以混頻器的輸出端口處的信噪比(SNR)并將比率 轉(zhuǎn)換為分貝來確定混頻器的噪聲指數(shù)。因此，可通過增大轉(zhuǎn)換增益并降低噪聲指數(shù)來改進混頻器。通過在混頻器中增大 轉(zhuǎn)換增益并降低噪聲指數(shù)，對于其它RF組件的要求可較寬松，進而產(chǎn)生使用較少集成電路 裸片面積的較簡單的設(shè)計且可能產(chǎn)生具有較少噪聲的放大的功率節(jié)省設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容
通過所附權(quán)利要求書來概述本發(fā)明的實施例。


圖1是說明射頻混頻器的示意符號的背景技術(shù)圖。圖2A是四相半(50% )工作循環(huán)正交混頻器系統(tǒng)的第一實施例的功能框圖。圖2B是說明圖2A的四相半(50% )工作循環(huán)正交混頻器系統(tǒng)中所說明的混頻器 的示范性實施方案的示意圖。圖3A到圖3D說明響應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘的圖2A、圖2B中所展示的混頻 器中的開關(guān)的開關(guān)活動。圖4A到圖4D是說明四相中的每一者的四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號 的波形圖。圖5A是四相半(50% )工作循環(huán)正交混頻器系統(tǒng)的第二實施例的功能框圖。圖5B是說明圖5A的四相半(50% )工作循環(huán)正交混頻器系統(tǒng)中所說明的混頻器 的示范性實施方案的示意圖。圖6A到圖6D說明響應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘的圖5A、圖5B中所展示的混頻 器中的開關(guān)的開關(guān)活動。圖7A到圖7D是說明四相中的每一者的四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號 的波形圖。圖8說明其中可使用本發(fā)明的實施例的簡化無線電系統(tǒng)的功能框圖。圖9說明可應(yīng)用于實施圖2A和圖5A中所說明的正交混頻器的不同類型的開關(guān)。
具體實施例方式在本發(fā)明的實施例的以下詳細(xì)描述中，陳述眾多特定細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明的詳 盡理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見，可在無這些特定細(xì)節(jié)的情況下實踐本發(fā)明 的實施例。在其它情形下，未詳細(xì)描述眾所周知的方法、程序、組件和電路以免不必要地混 淆本發(fā)明的實施例的各方面。前言本發(fā)明的實施例包括用于具有提供低噪聲和低轉(zhuǎn)換損失的轉(zhuǎn)移函數(shù)的平衡百分 之五十工作循環(huán)混頻器的方法、設(shè)備和系統(tǒng)。25%工作循環(huán)混頻器產(chǎn)生極少噪聲且具有低轉(zhuǎn)換損失，其兩者均為RF混頻器中 的所要質(zhì)量。然而，25%工作循環(huán)混頻器遭受具有本地振蕩器端口上的信號的升高時間和 下降時間的極嚴(yán)格的要求。此外，極難以產(chǎn)生用于25%工作循環(huán)混頻器的操作的四個25% 工作循環(huán)矩形波形的良好控制集合。因此，希望設(shè)計一種混頻器，其以具有50%工作循環(huán)的方形波形來與25%工作循 環(huán)混頻器的內(nèi)部產(chǎn)生的轉(zhuǎn)移函數(shù)一起操作以實現(xiàn)低噪聲和低轉(zhuǎn)換損失。四相半工作循環(huán)混頻器系統(tǒng)現(xiàn)參看圖2A，說明四相半(50% )工作循環(huán)正交混頻器系統(tǒng)200的第一實施例的 功能框圖。
正交混頻器系統(tǒng)200包括正交混頻器204?；祛l器系統(tǒng)200進一步包括如圖所示 耦合在一起的電(例如，電流或電壓)差分信號源202、四相半(50%)工作循環(huán)正交混頻 器204的第一實施例、雙差分電(例如，分別為電流或電壓)負(fù)載206和四相時鐘產(chǎn)生器或 本地振蕩器208。在集成電路中，一個或一個以上層中的導(dǎo)電跡線可用于將系統(tǒng)的元件耦合 在一起。四相半工作循環(huán)正交混頻器204也可稱為串聯(lián)-并聯(lián)雙平衡開關(guān)混頻器。舉例來說，電(例如，電流或電壓)差分信號源202提供與RF輸入信號或IM輸入 信號成比例的RF-IN和RF-INb上的差分電流或電壓信號。差分電流或電壓信號耦合到混 頻器204中。四相半工作循環(huán)混頻器204具有雙端或差分輸入端口 201以接收RF-IN和 RF-INb上的差分電流或電壓輸入信號?；祛l器204具有雙差分同相/正交相輸出端口 210，其包括第一差分同相輸出端口(BB-I、BB-Ib)210A和第二差分正交相輸出端口(BB-Q、 BB-Qb) 210B。混頻器204進一步接收來自時鐘產(chǎn)生器或本地振蕩器208的四個相控半工作 循環(huán)時鐘信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb?；祛l器204包括如圖所示耦合在一起的開關(guān)211A-218A和開關(guān)211B-218B。開關(guān) 211A-218A如圖所示在混頻器204的差分輸入端口 201與雙差分輸出端口 210之間分別串 聯(lián)耦合到開關(guān)218A-218B。舉例來說，開關(guān)211A在輸入RF-IN與輸出BB-I之間串聯(lián)耦合到 開關(guān)211B以形成串聯(lián)耦合的開關(guān)211A-211B。此外，若干對串聯(lián)耦合的開關(guān)如圖所示進一 步在混頻器204的差分輸入端口 201與雙差分輸出端口 210之間并聯(lián)耦合。舉例來說，串 聯(lián)耦合開關(guān)211A-2 IlB如圖所示在混頻器204的差分輸入端口(RF-IN、RF-INb) 201與雙差 分輸出端口(BB-I)210之間并聯(lián)耦合到串聯(lián)耦合的開關(guān)217A-217B。歸因于所述開關(guān)的耦合，混頻器204也可稱為串聯(lián)_并聯(lián)開關(guān)混頻器或串聯(lián)_并 聯(lián)雙平衡混頻器。因為通常功率未直接供應(yīng)到開關(guān)，所以混頻器204可被視為無源混頻器。如圖2A中所展示，開關(guān)211A-218A和開關(guān)211B-218B具有耦合到四個相控半工作 循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb中的一者的相應(yīng)控制輸入。本地振蕩 器信號LO-I耦合到開關(guān)211A、212A、215A和216A的控制輸入。本地振蕩器信號LO-Ib耦合 到開關(guān)213A、214A、217A和218A的控制輸入。本地振蕩器信號LO-Q耦合到開關(guān)212B、213B、 216B和217B的控制輸入。本地振蕩器信號LO-Qb耦合到開關(guān)211B、214B、215B和218B的 控制輸入。參看圖3A到圖3D和圖4A到圖4D來描述響應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地 振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb的開關(guān)211A-218A和開關(guān)211B-218B的開關(guān)活動。響 應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘的混頻器204中的開關(guān)的開關(guān)活動在時間/頻率域中將差分 輸入信號與四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積/相乘，以同時產(chǎn)生同相差分輸出210A上的差分 同相⑴信號和正交相差分輸出210B上的差分正交相(Q)信號。在差分同相⑴信號和 差分正交相(Q)信號由同一混頻器504同時產(chǎn)生的情況下，可使用較少電路面積且可獲得 混頻器的性能的改進。雙差分電(例如，分別為電流或電壓)負(fù)載206耦合到混頻器204的雙差分同相/ 正交相輸出端口 210。如果差分信號源202正提供差分電流信號源，那么雙差分電負(fù)載206 為電流型負(fù)載，使得電流作為信號經(jīng)由混頻器從差分輸入端口流動到雙差分輸出端口。如 果差分信號源202正提供差分電壓信號源，那么負(fù)載206為電壓型負(fù)載，使得在差分輸入端
9口處作為信號呈現(xiàn)的電壓經(jīng)由混頻器而耦合到差分輸出端口。雙差分輸出負(fù)載206不僅提供適當(dāng)負(fù)載，而且其還可將差分輸入信號轉(zhuǎn)換為單端 輸出信號。即，可將差分同相輸出信號(BB-I、BB-Ib)轉(zhuǎn)換為同相輸出信號I，且可將差分 正交相輸出信號(BB-Q、BB-Qb)轉(zhuǎn)換為正交相輸出信號Q。因為電流或電壓可與混頻器204 —起使用，所以差分電流或電壓源202可稱為電 差分信號源202，且雙差分電流或電壓負(fù)載206可稱為雙差分電負(fù)載206?，F(xiàn)參看圖5A，說明四相半(50% )工作循環(huán)正交混頻器系統(tǒng)500的第二實施例的 功能框圖。系統(tǒng)500包括如圖所示耦合在一起的電(例如，電流或電壓)差分信號源202、 四相半(50%)工作循環(huán)正交混頻器504的第二實施例、雙差分電(例如，分別為電流或電 壓)負(fù)載206和四相時鐘產(chǎn)生器或本地振蕩器208。四相半工作循環(huán)正交混頻器504也可 稱為級聯(lián)雙平衡開關(guān)混頻器。電差分信號源202、雙差分電負(fù)載206和四相時鐘產(chǎn)生器208在本文中其它處以相 同參考數(shù)字加以描述，其描述出于簡潔的原因以引用的方式并于此處。四相半(50%)工作 循環(huán)混頻器504的第二實施例的結(jié)構(gòu)不同于四相半(50% )工作循環(huán)混頻器204的第一實 施例的結(jié)構(gòu)。四相半工作循環(huán)混頻器504具有雙端或差分輸入端口 201以接收RF-IN和RF-INb 上的差分電流或電壓輸入信號?；祛l器504具有雙差分輸出端口 210，其包括第一同相(I) 差分輸出端口(BB-I、BB-Ib)210A和第二正交相(Q)差分輸出端口(BB_Q、BB_Qb) 210B?；?頻器504進一步接收來自時鐘產(chǎn)生器208的四個相控半工作循環(huán)時鐘信號LO-I、LO-Ib, LO-Q 禾口 LO-Qb0混頻器504包括如圖所示耦合在一起的第一階開關(guān)511-514以及第二階開關(guān) 521A-524A和521B-524B。并聯(lián)耦合到差分輸入端口 201的開關(guān)511-514在混頻器中的 第一階開關(guān)處，且串聯(lián)耦合到混頻器中的第二階開關(guān)處的相應(yīng)對并聯(lián)開關(guān)521A-521B、 522A-522B、523A-523B、524A-524B(其并聯(lián)耦合到雙差分同相/正交相輸出端口)。在混頻 器中，第一階開關(guān)在差分輸入端口 201與雙差分I和Q輸出端口 210之間級聯(lián)到相應(yīng)第二階 開關(guān)中。舉例來說，開關(guān)511的輸出串聯(lián)耦合到所述對并聯(lián)開關(guān)521A-521B的輸入。開關(guān) 512的輸出串聯(lián)耦合到所述對并聯(lián)開關(guān)522A-522B的輸入。開關(guān)513的輸出串聯(lián)耦合到所 述對并聯(lián)開關(guān)523A-523B的輸入。開關(guān)514的輸出串聯(lián)耦合到所述對并聯(lián)開關(guān)524A-524B 的輸入。更特定來說，開關(guān)511、521A串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFIN) 201與同相差分輸出 端口(BB-I)210A之間。開關(guān)511、521B串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFIN) 201與正交相差分 輸出端口 (BB-Q) 210B之間。開關(guān)512、522A在差分輸入端口(RFIN) 201與同相差分輸出端口(BB_Ib)210A之 間串聯(lián)耦合。開關(guān)512、522B串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFIN) 201與正交相差分輸出端口 (BB-Qb) 21OB 之間。開關(guān)513、523A串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFINb) 201與同相差分輸出端口 (BB-Ib) 210A之間。開關(guān)513、523B串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFINb) 201與正交相差分輸 出端口 (BB-Qb) 21OB 之間。開關(guān)514、524A串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFINb) 201與同相差分輸出端口(BB-I)210A之間。開關(guān)514、524B串聯(lián)耦合在差分輸入端口(RFINb) 201與正交相差分輸出 端口 (BB-Q) 21OB 之間。歸因于開關(guān)的耦合，混頻器504也可稱為級聯(lián)開關(guān)混頻器或級聯(lián)雙平衡開關(guān)混頻 器。因為通常功率并不直接供應(yīng)到開關(guān)，所以混頻器504可被視為無源混頻器。開關(guān)511-514、521A-524A、521B-524B如圖5A中所展示具有耦合到四個相控半工 作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib, LO-Q和LO-Qb中的一者的相應(yīng)控制輸入。第一 階開關(guān)511-514通常使LO-I或LO-Ib本地振蕩信號耦合到其控制輸入。本地振蕩器信號 LO-I耦合到開關(guān)511和513的控制輸入。本地振蕩器信號LO-Ib耦合到開關(guān)512和514的 控制輸入。第二階開關(guān)521A-524A和521B-524B使LO-Q或LO-Qb本地振蕩信號耦合到其 控制輸入。本地振蕩器信號LO-Q耦合到521B、522A、523B和524A的控制輸入。本地振蕩 器信號LO-Qb耦合到開關(guān)521A、522B、523A和524B的控制輸入。參看圖6A到圖6D和圖7A到圖7D來描述響應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘或本 地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb的第一階開關(guān)511-514和第二階開關(guān)521A-524A、 521B-524B的開關(guān)活動。響應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘的混頻器504中的開關(guān)的開關(guān)活 動在時間/頻率域中將差分輸入信號與四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積/相乘，以同時產(chǎn)生 雙差分同相/正交相輸出端口 210的同相差分輸出210A上的差分同相(I)信號和雙差分 同相/正交相輸出端口 210的正交相差分輸出210B上的差分正交相(Q)信號。在差分同 相(I)信號和差分正交相(Q)信號由同一混頻器504同時產(chǎn)生的情況下，可使用較少電路 面積且可獲得混頻器的性能的改進。電流或電壓負(fù)載206耦合到混頻器504的雙差分同相/正交相輸出端口 210。四個相控半工作循環(huán)時鐘信號時鐘產(chǎn)生器208產(chǎn)生例如圖4A到圖4D和圖7A到圖7D中所展示的四個相控半工 作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb。四個相控半工作循環(huán)時鐘或本 地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb各自彼此異相九十度的倍數(shù)。舉例來說，本地振蕩 信號LO-I與本地振蕩信號LO-Q異相一倍或九十度。本地振蕩信號LO-I與本地振蕩信號 LO-Ib異相兩倍或一百八十度。本地振蕩信號LO-I與本地振蕩信號LO-Qb異相三倍或兩 百七十度。四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb各自為具 有百分之五十(50% )工作循環(huán)的方形波形?，F(xiàn)參看圖4A、圖7A，第一相401由時鐘產(chǎn)生器208產(chǎn)生。在第一相401中，本地振 蕩信號LO-I和LO-Qb為邏輯高(例如，邏輯一)，且本地振蕩信號LO-Q和LO-Ib為邏輯低 (例如，邏輯零)?，F(xiàn)參看圖4B、圖7B，第二相402由時鐘產(chǎn)生器208產(chǎn)生。在第二相402中，本地振 蕩信號LO-I和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一)，且本地振蕩信號LO-Qb和LO-Ib為邏輯低 (例如，邏輯零)?，F(xiàn)參看圖4C、圖7C，第三相403由時鐘產(chǎn)生器208產(chǎn)生。在第三相403中，本地振 蕩信號LO-Ib和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一)，且本地振蕩信號LO-Qb和LO-I為邏輯低 (例如，邏輯零)?，F(xiàn)參看圖4D、圖7D，第四相404由時鐘產(chǎn)生器208產(chǎn)生。在第四相404中，本地振 蕩信號LO-Ib和LO-Qb為邏輯高(例如，邏輯一)，且本地振蕩信號LO-Q和LO-I為邏輯低(例如，邏輯零)。四相半工作循環(huán)混頻器操作現(xiàn)參看圖3A到圖3D和圖4A到圖4D來描述四相半工作循環(huán)混頻器204的第一實 施例的操作。大體來說，四個相控半工作循環(huán)時鐘(LO-I、LO-Ib, LO-Q, LO-Qb)經(jīng)產(chǎn)生而各自 彼此異相九十度的倍數(shù)。四個相控半工作循環(huán)時鐘耦合到四相半工作循環(huán)混頻器204、205 中。四相半工作循環(huán)混頻器中的開關(guān)響應(yīng)于四個相控半工作循環(huán)時鐘而開關(guān)以將差分輸 入信號201與四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積，以同時產(chǎn)生雙差分輸出端口(BB-I、BB-Ib) (BB-Q、BB-Qb) 210上的差分同相輸出信號I和差分正交相輸出信號Q。參看圖2A、圖3A和圖4A，在本地振蕩信號LO-I和LO-Qb為邏輯高(例如，邏輯一) 的第一相401中，開關(guān)211A-211B兩者分別閉合，以使得RF-IN通過混頻器204而到達(dá)耦合 到負(fù)載206中的BB-I輸出。開關(guān)215A-215B也閉合，以使得RF-INb通過混頻器204而到 達(dá)耦合到負(fù)載206中的BB-Ib輸出。參看圖2A、圖3B和圖4B，在本地振蕩信號LO-I和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一) 的第二相402中，開關(guān)212A-212B兩者均閉合，以使得RF-IN通過混頻器204而到達(dá)耦合到 負(fù)載206中的BB-Q輸出。開關(guān)216A-216B兩者也閉合，以使得RF-INb通過混頻器204而 到達(dá)耦合到負(fù)載206中的BB-Qb輸出。參看圖2A、圖3C和圖4C，在本地振蕩信號LO-Ib和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一) 的第三相403中，開關(guān)213A-213B兩者均閉合，以使得RF-IN通過混頻器204而到達(dá)耦合到 負(fù)載206中的BB-Ib輸出。開關(guān)217A-217B兩者也閉合，以使得RF-INb通過混頻器204而 到達(dá)耦合到負(fù)載206中的BB-I輸出。參看圖2A、圖3D和圖4D，在本地振蕩信號LO-Ib和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一) 的第四相404中，開關(guān)214A-214B兩者均閉合，以使得RF-IN通過混頻器204而到達(dá)耦合到 負(fù)載206中的BB-Qb輸出。開關(guān)218A-218B兩者也閉合，以使得RF-INb通過混頻器204而 到達(dá)耦合到負(fù)載206中的BB-Q輸出。一再地產(chǎn)生本地振蕩信號的四個相以重復(fù)混頻器204和經(jīng)由混頻器的相應(yīng)路徑 中的晶體管的開關(guān)序列?，F(xiàn)參看圖6A到圖6D和圖7A到圖7D來描述四相半工作循環(huán)混頻器504的第二實 施例的操作。參看圖5A、圖6A和圖7A，在本地振蕩信號LO-I和LO-Qb為邏輯高(例如，邏輯 一)的第一相401中，開關(guān)511、521A兩者分別閉合，以使得正RF輸入端子RF-IN通過混頻 器504而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的正同相輸出端子BB-I。開關(guān)513、523A也閉合，以使得負(fù) RF輸入端子RF-INb通過混頻器504而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的負(fù)同相輸出端子BB_Ib。參看圖5A、圖6B和圖7B，在本地振蕩信號LO-I和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一) 的第二相402中，開關(guān)511、521B兩者均閉合，以使得正RF輸入端子RF-IN通過混頻器504 而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的正正交相輸出端子BB-Q。開關(guān)513、523B兩者也閉合，以使得負(fù) RF輸入端子RF-INb通過混頻器504而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的負(fù)正交相輸出端子BB_Qb。參看圖5A、圖6C和圖7C，在本地振蕩信號LO-Ib和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯一) 的第三相403中，開關(guān)512、522A兩者均閉合，以使得正RF輸入端子RF-IN通過混頻器504
12而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的負(fù)同相輸出端子BB-Ib。開關(guān)514、524A兩者也閉合，以使得負(fù) RF輸入端子RF-INb通過混頻器504而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的正同相輸出端子BB-I。參看圖5A、圖6D和圖7D，在本地振蕩信號LO-Ib和LO-Q為邏輯高(例如，邏輯 一)的第四相404中，開關(guān)512、522B兩者均閉合，以使得正RF輸入端子RF-IN通過混頻器 504而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的負(fù)正交相輸出端子BB-Qb。開關(guān)514、524B兩者也閉合，以 使得負(fù)RF輸入端子RF-INb通過混頻器504而到達(dá)耦合到負(fù)載206中的正正交相輸出端子 BB-Q0開關(guān)現(xiàn)參看圖9，說明可應(yīng)用于實施混頻器205、504的多個開關(guān)。圖2A中所說明的混 頻器204中的開關(guān)211A-218B中的每一者和圖5A中所說明的開關(guān)511_514、521A_524A、 521B-524B中的每一者為理想開關(guān)。在圖9中說明理想開關(guān)901。理想開關(guān)901具有控制 輸入端子C、輸入端子IN和輸出端子OUT。在混頻器204、504中，控制輸入C耦合到四相半 工作循環(huán)本地振蕩器或四個相控半工作循環(huán)時鐘信號中的一者。理想開關(guān)通過例如圖4A 到圖4D和圖7A到圖7D中所展示的四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib、 LO-Q和LO-Qb中的相應(yīng)一者的正極性而閉合，進而將輸入端子IN耦合到輸出端子OUT。代替于理想開關(guān)901用作混頻器204和混頻器504中的開關(guān)，不同類型的晶體管 開關(guān)可用作混頻器中的開關(guān)。舉例來說，可使用第一群組或類型的晶體管開關(guān)，其通過在其控制端子上施加高 電壓電平而閉合且通過在其控制端子上施加低電壓電平而斷開。第一類型的晶體管開關(guān)包 括η溝道場效晶體管(NFET) 903、η型接面場效晶體管(JFET) 907和NPN雙極接面晶體管 11)909，其可用作混頻器204、504的實施方案中的開關(guān)。因此，第一類型的晶體管開關(guān)通 過例如圖4Α到圖4D和圖7Α到圖7D中所展示的四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號 LO-I, LO-Ib, LO-Q和LO-Qb中的相應(yīng)一者的正極性而閉合，以允許電流在適當(dāng)時間跨越其 極點(例如，源極和漏極或集電極和發(fā)射極)而流動?；蛘?，可使用第二群組或類型的晶體管開關(guān)，其可通過在其控制端子上施加低電 壓電平而閉合，且通過在其控制端子上施加高電壓電平而斷開。第二群組或類型的晶體管 開關(guān)包括P溝道場效晶體管(PFET) 902、ρ型接面場效晶體管(JFET) 906和PNP雙極接面晶 體管(BJT)908，其可用作混頻器204、504的實施方案中的開關(guān)。因此，第二群組或類型的晶 體管開關(guān)通過四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb中的相 應(yīng)一者的負(fù)極性而閉合，以允許電流跨越其極點(例如，源極和漏極或集電極和發(fā)射極)而 流動。即，四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地振蕩信號LO-I、LO-Ib、LO-Q和LO-Qb的相應(yīng)正 極性被反相且耦合到第二群組或類型的晶體管開關(guān)的控制端子(例如，柵極)，以在適當(dāng)時 間閉合第二群組或類型的晶體管開關(guān)?；蛘?，可將第一類型和第二類型的晶體管開關(guān)的組合以完全互補的轉(zhuǎn)移或通過柵 極904的形式(例如，源極和漏極并聯(lián)耦合在一起的PFET 902和NFET 903)并聯(lián)在一起用 作混頻器204、504的實施方案中的開關(guān)。PFET 902包括用于開關(guān)的極點的源極端子PS和漏極端子PD、作為開關(guān)的控制端 子的柵極端子PG和本體端子PB。模擬轉(zhuǎn)移柵極連接中的PFET本體端子PB通常耦合到 PFET源極端子PS。
NFET 903包括用于開關(guān)的極點的源極端子NS和漏極端子ND、作為開關(guān)的控制端 子的柵極端子NG和本體端子NB。模擬轉(zhuǎn)移柵極連接中的NFET本體端子NB通常耦合到 NFET源極端子NS。轉(zhuǎn)移柵極904包括作為開關(guān)的極點的輸入端子IN(例如，PS和NS或PD和ND)和 輸出端子OUT (例如，PD和ND或PS和NS)、作為開關(guān)的控制端子的一對控制端子(例如，NG 和PG)以及一對本體端子(例如，NB和PB)。模擬轉(zhuǎn)移柵極連接中的NFET本體端子NB通 常耦合到NFET源極端子NS。模擬轉(zhuǎn)移柵極連接中的PFET本體端子PB通常耦合到PFET源 極端子PS。ρ型JFET 906包括用于開關(guān)的極點的源極端子S和漏極端子D，以及用于開關(guān)的 控制端子的柵極端子G。類似地，η型JFET 907還包括用于開關(guān)的極點的源極端子S和漏 極端子D，以及用于開關(guān)的控制端子的柵極端子G。PNP雙極接面晶體管(BJT)908包括用于開關(guān)的極點的集電極端子C和發(fā)射極端 子，以及用于開關(guān)的控制端子的基極端子。類似地，NPN雙極接面晶體管(BJT)909包括用 于開關(guān)的極點的集電極端子C和發(fā)射極端子，以及用于開關(guān)的控制端子的基極端子。雖然晶體管開關(guān)已在本文中被描述為由耦合到晶體管的控制端子的控制信號的 各種極性來接通或開啟，但可設(shè)定施加到控制端子的電壓的電平，以使得晶體管以不同方 式開啟。舉例來說，NFET, PFET, η型JFET和ρ型JFET可開啟到飽和(作用)區(qū)域中或開 啟到三極管(線性或無源)區(qū)域中。類似地，雙極接面晶體管可經(jīng)偏壓到操作的前向作用 區(qū)域中。耦合到開關(guān)的控制端子的相應(yīng)控制信號(例如，四個相控半工作循環(huán)時鐘或本地 振蕩信號LO-I、L0-Ib、LO-Q和LO-Qb)的電壓電平根據(jù)開關(guān)的類型及其所要操作形式而進
行調(diào)整。NFET混頻器實施方案圖2B說明混頻器系統(tǒng)200 ‘的實施方案的示意圖。混頻器系統(tǒng)200 ‘包括以NFET 903實施的混頻器204'，連同理想電流驅(qū)動器202'、理想LO產(chǎn)生器208'和用于模擬混 頻器204'的雙端口負(fù)載206'。混頻器204'包括如圖2B中所展示耦合在一起的NFET 21IA' -218A ‘和 211B' -218B'?；祛l器 204'的 NFET211A' -218A'和 211B' -218B'分別對應(yīng)于先前 參看圖2A而描述的混頻器204的開關(guān)211A-218A和211B_218B?；祛l器204 ‘的功能大體 類似于混頻器204的功能且出于簡潔的原因此處未重復(fù)。圖5B說明混頻器系統(tǒng)500 ‘的實施方案的示意圖?；祛l器系統(tǒng)500 ‘包括以NFET 903實施的混頻器504'，連同理想電流驅(qū)動器202'、理想LO產(chǎn)生器208'和用于模擬混 頻器504'的雙端口負(fù)載206。混頻器504'包括如圖5B中所展示耦合在一起的NFET 511 ‘ -514 ‘、 521A' -524A'和 521B' -524B'?；祛l器 504'的 NFET 511' -514'、521A' -524A'和 521B' -524B'分別對應(yīng)于先前參看圖5A而描述的混頻器504的開關(guān)511_514、521A_524A 和521B-524B?；祛l器504'的功能大體類似于混頻器504的功能且出于簡潔的原因此處
未重復(fù)。系統(tǒng)應(yīng)用
現(xiàn)參看圖8，說明其中可使用本文中所描述的發(fā)明性RF混頻器的實施例的無線電 系統(tǒng)800。舉例來說，無線電系統(tǒng)800可為移動蜂窩式電話。無線電系統(tǒng)800包括耦合到天 線804的射頻RF電路802。RF電路802可包括耦合到天線804的RF發(fā)射器806和RF接 收器810R中的一者或兩者。一個或一個以上混頻器可用作RF發(fā)射器806中的升頻轉(zhuǎn)換器810T。一個或一個 以上混頻器可用作RF接收器804中的降頻轉(zhuǎn)換器810R。本文中所描述的正交四相半工作 循環(huán)RF混頻器可用作升頻轉(zhuǎn)換器810T和/或降頻轉(zhuǎn)換器801R的正交混頻器的一個或一 個以上實例?？偨Y(jié)雖然已在附圖中描述并展示某些示范性實施例，但應(yīng)理解，此類實施例僅說明而 非限制廣泛發(fā)明，且本發(fā)明的實施例不限于所展示和描述的特定構(gòu)造和布置，因為所屬領(lǐng) 域的一般技術(shù)人員可了解各種其它修改。替代地，應(yīng)根據(jù)所附權(quán)利要求書來解釋本發(fā)明的 實施例。
權(quán)利要求
一種射頻混頻器系統(tǒng)，其包含四相時鐘產(chǎn)生器，其用以產(chǎn)生各自彼此異相九十度的倍數(shù)的四個相控半工作循環(huán)時鐘；雙差分電負(fù)載，其具有第一差分輸入和第二差分輸入；四相半工作循環(huán)混頻器，其具有耦合到差分輸入信號的差分輸入端口、耦合到所述雙差分負(fù)載的所述第一差分輸入的同相(I)差分輸出端口和耦合到所述雙差分負(fù)載的所述第二差分輸入的正交相(Q)差分輸出端口，所述混頻器進一步具有多個開關(guān)，所述多個開關(guān)具有耦合到所述四相時鐘產(chǎn)生器以接收所述四個相控半工作循環(huán)時鐘中的每一者的控制輸入，所述混頻器將所述差分輸入信號與所述四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積以同時產(chǎn)生所述同相差分輸出上的差分同相輸出信號和所述正交相差分輸出上的差分正交相輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻混頻器系統(tǒng)，其進一步包含差分信號源，其具有耦合到所述四相半工作循環(huán)混頻器的所述差分輸入端口的差分輸 出，所述差分信號源響應(yīng)于非差分輸入信號而產(chǎn)生所述差分輸入信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻混頻器系統(tǒng)，其中所述多個開關(guān)包括第一多對串聯(lián)耦合的開關(guān)，其并聯(lián)耦合于所述差分輸入端口與所述同相差分輸出端口 之間；以及第二多對串聯(lián)耦合的開關(guān)，其并聯(lián)耦合于所述差分輸入端口與所述正交相差分輸出端 口之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻混頻器系統(tǒng)，其中所述多個開關(guān)包括 多個第一階開關(guān)，其并聯(lián)耦合到所述差分輸入端口 ；以及多對并聯(lián)第二階開關(guān)，其串聯(lián)耦合到相應(yīng)第一階開關(guān)且耦合到所述雙差分輸出端口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻混頻器系統(tǒng)，其中 所述差分輸入信號為射頻差分輸入信號，所述差分同相輸出信號為中頻差分同相輸出信號，以及 所述差分正交相輸出信號為中頻差分正交相輸出信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻混頻器系統(tǒng)，其中 所述差分輸入信號為中頻差分輸入信號，所述差分同相輸出信號為射頻差分同相輸出信號，以及 所述差分正交相輸出信號為射頻差分正交相輸出信號。
7.一種射頻混頻器，其包含第一多對串聯(lián)耦合的開關(guān)，其并聯(lián)耦合于差分輸入端口的第一輸入與雙差分輸出端口 的同相差分輸出端口之間；第二多對串聯(lián)耦合的開關(guān)，其并聯(lián)耦合于所述差分輸入端口的第二輸入與所述雙差分 輸出端口的正交相差分輸出端口之間；且其中所述第一多對串聯(lián)耦合的開關(guān)和所述第二多對串聯(lián)耦合的開關(guān)接收各自彼此異 相九十度的倍數(shù)的四個相控半工作循環(huán)時鐘，以將所述差分輸入端口上的差分輸入信號與 所述四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積，從而同時產(chǎn)生所述同相差分輸出端口上的差分同相輸 出信號和所述正交相差分輸出端口上的差分正交相輸出信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻混頻器，其中 所述差分輸入信號為射頻差分輸入信號，所述差分同相輸出信號為中頻差分同相輸出信號，以及 所述差分正交相輸出信號為中頻差分正交相輸出信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻混頻器，其中 所述差分輸入信號為中頻差分輸入信號，所述差分同相輸出信號為射頻差分同相輸出信號，以及 所述差分正交相輸出信號為射頻差分正交相輸出信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻混頻器，其中所述第一多對串聯(lián)耦合的開關(guān)和所述第二多對串聯(lián)耦合的開關(guān)是通過在其控制端子 上施加高電壓電平而閉合且通過在其控制端子上施加低電壓電平而斷開的第一類型的晶 體管、通過在其控制端子上施加低電壓電平而閉合且通過在其控制端子上施加高電壓電平 而斷開的第二類型的晶體管，或并聯(lián)耦合在一起的所述第一類型與所述第二類型的晶體管 的組合。
11.一種射頻混頻器，其包含多個第一階開關(guān)，其并聯(lián)耦合到差分輸入端口 ；多對并聯(lián)第二階開關(guān)，其串聯(lián)耦合到相應(yīng)第一階開關(guān)且耦合到雙差分輸出端口 ；且 其中所述多個第一階開關(guān)和所述多對并聯(lián)第二階開關(guān)接收各自彼此異相九十度的倍 數(shù)的四個相控半工作循環(huán)時鐘，以將所述差分輸入端口上的差分輸入信號與所述四個相控 半工作循環(huán)時鐘卷積，從而同時產(chǎn)生所述雙差分輸出端口上的差分同相輸出信號和差分正 交相輸出信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻混頻器，其中 所述差分輸入信號為射頻差分輸入信號，所述差分同相輸出信號為中頻差分同相輸出信號，以及 所述差分正交相輸出信號為中頻差分正交相輸出信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻混頻器，其中 所述差分輸入信號為中頻差分輸入信號，所述差分同相輸出信號為射頻差分同相輸出信號，以及 所述差分正交相輸出信號為射頻差分正交相輸出信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻混頻器，其中所述第一多對串聯(lián)耦合的開關(guān)和所述第二多對串聯(lián)耦合的開關(guān)是通過在其控制端子 上施加高電壓電平而閉合且通過在其控制端子上施加低電壓電平而斷開的第一類型的晶 體管、通過在其控制端子上施加低電壓電平而閉合且通過在其控制端子上施加高電壓電平 而斷開的第二類型的晶體管，或并聯(lián)耦合在一起的所述第一類型與所述第二類型的晶體管 的組合。
15.一種方法，其包含產(chǎn)生各自彼此異相九十度的倍數(shù)的四個相控半工作循環(huán)時鐘；將所述四個相控半工作循環(huán)時鐘耦合到四相半工作循環(huán)混頻器中；以及響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘而開關(guān)所述四相半工作循環(huán)混頻器中的開關(guān)，以將差分輸入信號與所述四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積，從而同時產(chǎn)生雙差分輸出端口上的 差分同相輸出信號和差分正交相輸出信號。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中開關(guān)的所述開關(guān)包括 響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第一相，閉合第一第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第一第1階開關(guān)的第一第2階開關(guān)，以使正RF 輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到第一差分負(fù)載中的正同相輸出端子，以及閉合第三第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第三第1階開關(guān)的第五第2階開關(guān)，以使負(fù)RF 輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第一差分負(fù)載中的負(fù)同相輸出端子； 響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第二相，閉合所述第一第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第一第1階開關(guān)的第二第2階開關(guān)，以使 正RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到第二差分負(fù)載中的正正交相輸出端子，以及閉合所述第三第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第三第1階開關(guān)的第六第2階開關(guān)，以 使負(fù)RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第二第一差分負(fù)載中的負(fù)正交相輸出端 子；響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第三相，閉合第二第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第二第1階開關(guān)的第三第2階開關(guān)，以使正RF 輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第一差分負(fù)載中的負(fù)同相輸出端子，以及閉合第四第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第四第1階開關(guān)的第七第2階開關(guān)，以使負(fù)RF 輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第一差分負(fù)載中的正同相輸出端子；以及 響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第四相，閉合所述第二第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第二第1階開關(guān)的第四第2階開關(guān)，以使 正RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第二差分負(fù)載中的負(fù)正交相輸出端子，以 及閉合所述第四第1階開關(guān)和串聯(lián)耦合到所述第四第1階開關(guān)的第八第2階開關(guān)，以使 負(fù)RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第二差分負(fù)載中的正正交相輸出端子。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是通過在其柵極端子上施加高電壓電平而閉合的η溝道場效晶 體管(NFET)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是通過在其柵極端子上施加低電壓電平而閉合的P溝道場效晶 體管(PFET)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是并聯(lián)耦合在一起的P溝道場效晶體管(PFET)和η溝道場效晶 體管(NFET)，所述PFET通過在其柵極端子上施加低電壓電平而閉合，且所述NFET通過在其 柵極端子上施加高電壓電平而閉合。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中開關(guān)的所述開關(guān)包括 響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第一相，閉合串聯(lián)耦合的第一對開關(guān)，以使正RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到第一差 分負(fù)載中的正同相輸出端子，以及閉合串聯(lián)耦合的第五對開關(guān)，以使負(fù)RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第 一差分負(fù)載的負(fù)同相輸出端子；響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第二相，閉合串聯(lián)耦合的第二對開關(guān)，以使正RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到第二差 分負(fù)載的正正交相輸出端子，以及閉合串聯(lián)耦合的第六對開關(guān)，以使負(fù)RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第 二第一差分負(fù)載中的負(fù)正交相輸出端子；響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第三相，閉合串聯(lián)耦合的第三對開關(guān)，以使正RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到 所述第一差分負(fù)載中的負(fù)同相輸出端子，以及閉合串聯(lián)耦合的第七對開關(guān)，以使負(fù)RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第 一差分負(fù)載中的正同相輸出端子；以及響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的第四相，閉合串聯(lián)耦合的第四對開關(guān)，以使正RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到 所述第二差分負(fù)載中的負(fù)正交相輸出端子，以及閉合串聯(lián)耦合的第八對開關(guān)，以使負(fù)RF輸入端子上的信號通過而到達(dá)耦合到所述第 二差分負(fù)載中的正正交相輸出端子。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是通過在其控制端子上施加高電壓電平而閉合且通過在其控制 端子上施加低電壓電平而斷開的第一類型的晶體管。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是η溝道場效晶體管。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是通過在其控制端子上施加低電壓電平而閉合且通過在其控制 端子上施加高電壓電平而斷開的第二類型的晶體管。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是P溝道場效晶體管。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述開關(guān)中的每一者是具有并聯(lián)耦合在一起的第一類型的晶體管和第二類型的晶體 管的轉(zhuǎn)移柵極，所述第一類型的晶體管通過在其控制端子上施加高電壓電平而閉合，且所 述第二類型的晶體管通過在其控制端子上施加低電壓電平而閉合。
26.一種設(shè)備，其包含用于產(chǎn)生四個相控半工作循環(huán)時鐘的裝置，其中所述四個相控半工作循環(huán)時鐘中的每 一者彼此異相九十度的倍數(shù)；用于將差分輸入信號與所述四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積以同時產(chǎn)生雙差分輸出端 口上的差分同相輸出信號和差分正交相輸出信號的裝置；以及用于將所述四個相控半工作循環(huán)時鐘耦合到所述用于卷積的裝置中的裝置。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述用于耦合所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的裝置是集成電路的一個或一個以上層中的導(dǎo)電跡線。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述用于卷積的裝置是四相半工作循環(huán)混頻器，所述四相半工作循環(huán)混頻器包括響應(yīng) 于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘而開關(guān)的開關(guān)。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述用于產(chǎn)生所述四個相控半工作循環(huán)時鐘的裝置是時鐘產(chǎn)生器。
全文摘要
在本發(fā)明的一個實施例中，揭示一種用于信號的卷積的方法，其包括產(chǎn)生各自彼此異相九十度的倍數(shù)的四個相控半工作循環(huán)時鐘；將所述四個相控半工作循環(huán)時鐘耦合到四相半工作循環(huán)混頻器中；以及響應(yīng)于所述四個相控半工作循環(huán)時鐘而開關(guān)所述四相半工作循環(huán)混頻器中的開關(guān)，以將差分輸入信號與所述四個相控半工作循環(huán)時鐘卷積，從而同時產(chǎn)生雙差分輸出端口上的差分同相輸出信號和差分正交相輸出信號。
文檔編號H03D7/14GK101911475SQ200980101694
公開日2010年12月8日 申請日期2009年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月7日
發(fā)明者阿爾貝托·奇卡利尼 申請人:高通股份有限公司