專利名稱：一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及射頻微波領(lǐng)域，尤其是涉及一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電
路。
背景技術(shù)：
目前，第三代移動(dòng)通信技術(shù)(The Third Generation，3G)已經(jīng)投入使用，它包括 了 WCDMA、TD-SCDMCA和CDMA2000三種不同的標(biāo)準(zhǔn)。在這三種標(biāo)準(zhǔn)中我們國(guó)家的頻段分別 為WCDMA中國(guó)頻段1940MHz-1955MHz (上行)、2130MHz -2145MHz (下行)；TD-SCDMA中國(guó)頻段l880-l920MHz、2010_2025MHz ,2300-2400MHz ；CDMA2000中國(guó)頻段1920MHz -1935MHz (上行),2110MHz -2125MHz (下行)。隨著移動(dòng)通信技術(shù)的不斷發(fā)展，移動(dòng)通信終端設(shè)備的體積越來(lái)越小，而工作頻率 和集成度卻越來(lái)越高。不管是在分立元件電路中還是在射頻微波集成電路中，寄生電容都 成為限制電路速度與頻率的主要因素。以IC板寄生電容為例，在使用有源負(fù)載來(lái)產(chǎn)生大的 負(fù)載電阻的高增益級(jí)，它的帶寬就等于
權(quán)利要求1.一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路，包括負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和偏置電流源，其特 征在于，所述負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括第一接點(diǎn)和第二接點(diǎn)，所述負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)連接所述偏 置電流源，所述偏置電流源包括基準(zhǔn)電阻、基準(zhǔn)晶體管、第一晶體管和第二晶體管，所述基 準(zhǔn)晶體管、所述第一晶體管、所述第二晶體管都包括控制端、第一電流通路端、第二電流通 路端；所述基準(zhǔn)晶體管的第一電流通路端通過(guò)所述基準(zhǔn)電阻連接工作電壓，所述基準(zhǔn)晶體 管的控制端與第一電流通路端連接，所述基準(zhǔn)晶體管的第二電流通路端接地；所述第一晶 體管的第一電流通路端、所述第二晶體管的第一電流通路端分別與負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)連接， 所述第一晶體管的控制端、所述第二晶體管的控制端都與所述基準(zhǔn)晶體管的控制端連接， 所述第一晶體管的第二電流通路端、所述第二晶體管的第二電流通路端都接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路，其特征在于，所述 負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括第三晶體管、第四晶體管和電容，所述第三晶體管和所述第四晶體管 都包括控制端、第一電流通路端、第二電流通路端，所述第三晶體管的控制端與第四晶體管 的第一電流通路端連接并成為第一接點(diǎn)，所述第三晶體管的第二電流通路端與所述第一晶 體管的第一電流通路端連接，所述第四晶體管的控制端與所述第三晶體管的第一電流通路 端連接并成為第二接點(diǎn)，所述第四晶體管的第二電流通路端與所述第二晶體管的第一電流 通路連接；所述電容兩端分別連接所述第三晶體管的第二電流通路端和所述第四晶體管的 第二電流通路端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路，其特征在于，所述 基準(zhǔn)晶體管、所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管全部為 NMOS管，控制端為柵極，第一電流通路端為漏極，第二電流通路端為源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路，其特征在于，還 包括第一分壓電阻和第二分壓電阻，所述第一分壓電阻兩端分別連接工作電壓和所述第三 晶體管的第一電流通路端，所述第二分壓電阻兩端分別連接工作電壓和所述第四晶體管的 第一電流通路端。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路，其特征在于，還包 括第一分壓電阻和第二分壓電阻，所述第一分壓電阻兩端分別連接工作電壓和所述第三晶 體管的第一電流通路端，所述第二分壓電阻兩端分別連接工作電壓和所述第四晶體管的第 一電流通路端。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于射頻微波電路的負(fù)電容電路，旨在提供一種易于調(diào)節(jié)中心頻率和帶寬的負(fù)電容電路。它包括負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和偏置電流源，負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括第一接點(diǎn)和第二接點(diǎn)，負(fù)電容轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)連接偏置電流源，偏置電流源包括基準(zhǔn)電阻、基準(zhǔn)晶體管、第一晶體管和第二晶體管，基準(zhǔn)晶體管的通過(guò)基準(zhǔn)電阻連接工作電壓，第一晶體管和第二晶體管都與基準(zhǔn)晶體管成鏡像結(jié)構(gòu)。通過(guò)改變基準(zhǔn)電阻的大小來(lái)調(diào)節(jié)基準(zhǔn)電流的大小，可以改變偏置電流的大小，從而改變負(fù)電容電路的中心頻率和帶寬。本實(shí)用新型適用于所有需要負(fù)電容的射頻微波電路。
文檔編號(hào)H03H11/40GK201887729SQ20102066944
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月20日
發(fā)明者舒應(yīng)超, 趙吉祥 申請(qǐng)人:中國(guó)計(jì)量學(xué)院