專利名稱：電源復位電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電源復位電路。
背景技術(shù)：
電腦系統(tǒng)一般會設(shè)置電源復位電路，所述電源復位電路用于在一定延遲時間內(nèi)電腦電源達到穩(wěn)定后，才輸出復位信號給系統(tǒng)主電路中的各個電子元件。請參閱圖1，現(xiàn)有的電源復位電路一般包括相互串聯(lián)的電阻R及電容C、相互串聯(lián)的施密特觸發(fā)器Ull以及反相器U12。所述電阻R的另一端接電源VCC，電容C的另一端接地。所述施密特觸發(fā)器Ull的另一端連接至所述電阻R及電容C之間，該反相器U12的另一端輸出一復位信號。當電源VCC開啟時，電源VCC經(jīng)電阻R對電容C充電，當電容C的電壓充電達到施密特觸發(fā)器Ull的門限電壓時，該反相器U12則輸出一復位信號。然而，上述電源復位電路由于電容充、放電的因素容易導致系統(tǒng)復位異常。例如，·當電源VCC開啟對電容充電但還未到達施密特觸發(fā)器Ul I的門限電壓時，若此時電源VCC突然斷電，電容C無法迅速放電而使得電容C上殘留的電荷會造成系統(tǒng)下一次復位異常導致系統(tǒng)不穩(wěn)。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，有必要提供一種能實現(xiàn)系統(tǒng)穩(wěn)定復位的電源復位電路。一種電源復位電路，包括相互串聯(lián)的第一限流電阻及電容、相互串聯(lián)的施密特觸發(fā)器、反相器及N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管，該第一限流電阻的另一端連接至電源，該施密特觸發(fā)器的輸入端電性連接至所述第一限流電阻及電容之間，該反相器的輸出端輸出一復位信號，該N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管包括漏極、源極及柵極，該漏極電性連接至所述第一限流電阻，該源極電性連接至所述電容與施密特觸發(fā)器之間，該柵極短接至所述源極，所述N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管用于加快所述電容的放電速度。所述的電源復位電路通過將所述N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管設(shè)置于所述電源與所述電容之間，當電源不穩(wěn)定時，電容可通過所述N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管內(nèi)的二極管快速放電，有效避免了所述電容上殘留的電荷會造成系統(tǒng)下一次復位異
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圖I是一現(xiàn)有的電源復位電路的電路圖。圖2是本發(fā)明較佳實施方式的電源復位電路的電路圖。主要元件符號說明 __
電源復位電路110 -被控電子元件—20 電源IVCC、VCCl如下具體實施方式
將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式請參閱圖2，本發(fā)明較佳實施方式的電源復位電路10用于在一定的延時時間內(nèi)，將穩(wěn)定后的電源VCCl轉(zhuǎn)換為復位(Reset)信號，并將該復位信號輸出至被控電子元件20。所述電源復位電路10包括金屬氧化層半導體場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET) Q1、第一限流電阻R1、電容Cl、施密特觸發(fā)器U1、反相器U2、光電耦合器U3、第二限流電阻R2以及下拉電阻R3。所述MOSFET Ql用于加快所述電容Cl的放電速度。在本較佳實施方式中，所述MOSFET Ql為N溝道M0SFET。該MOSFET Ql的漏極D電性連接至所述第一限流電阻Rl ;源極S電性連接至所述電容Cl ;柵極G短接至所述漏極D。所述第一限流電阻Rl的另一端電性連接至所述電源VCC1。所述電容Cl的另一端接地。所述施密特觸發(fā)器Ul的輸入端11電性連接至所述MOSFET Ql的源極與所述電容Cl之間；該施密特觸發(fā)器Ul的輸出端12電性連接至所述反相器U2的輸入端21。該反相器U2的輸出端22輸出一復位信號SI。該復位信號SI為高電平有效。所述光電耦合器U3包括發(fā)光器件及光接收器件。當該發(fā)光器器件導通發(fā)光時，該光接收器件受到光照也相應導通。所述發(fā)光器件包括輸入端I及輸出端2，所述光接收器件包括輸入端3及輸出端4。所述發(fā)光器件的輸入端I通過第二限流電阻R2電性連接至所述電源VCC1，該發(fā)光器件的輸出端2電性連接至所述施密特觸發(fā)器Ul及反相器U2之間。所述光接收器件的輸入端3電性連接至該反相器U2的輸出端22，以接收所述復位信號SI ;該光接收器件的輸出端4電性連接至所述被控電子元件20，同時，所述光接收器件的輸出端4還通過所述下拉電阻R3接地。在本較佳實施方式中，所述發(fā)光器件為發(fā)光二極管，所述光接收器件為光敏三極管。所述發(fā)光二極管的陽極及陰極分別對應該發(fā)光器件的輸入端I及輸出端2 ;該光敏三極管的集電極及發(fā)射極分別對應該光接收器件的輸入端3及輸出端4。請參閱圖2，本發(fā)明較佳實施方式的電源復位電路10的工作過程如下所述電源VCCl在啟動的過程中，若其發(fā)生異常導致電壓下降或斷電，此時MOSFET Ql截止，電容Cl通過該MOSFET Ql的源極S與漏極D之間的寄生二極管(圖未標)迅速放電，該施密特觸發(fā)器Ul的輸入端為低電平，則該施密特觸發(fā)器Ul輸出高電平，使得該光電耦合器U3的發(fā)光器件截止，該光接收器件也相應地截止，此時該光接收器件的輸出端4被下拉電阻R3拉至低電平，輸出至所述被控電子元件20，使得被控電子元件20在電源VCCl不穩(wěn)定時無法復位。當電源VCCl正常時，所述MOSFET Ql導通，電源VCCl通過該MOSFET Ql給所述電容Cl充電，當該電容Cl上的達到該施密特觸發(fā)器Ul的門限電壓時，使該施密特觸發(fā)器Ul反向輸出一低電平，經(jīng)過所述反相器U2反向后輸出有效的呈高電平的復位信號，同時該光電耦合器U3導通，該有效的復位信號經(jīng)由所述光電耦合器U3輸出至所述被控電子元件20，以控制被控電子元件20的復位。所述的電源復位電路10通過將所述MOSFET Ql設(shè)置于所述電源VCCl與所述電容Cl之間，當電源VCCl不穩(wěn)定時，電容Cl可通過所述MOSFET Ql內(nèi)的寄生二極管快速放電，有效避免了所述電容Cl上殘留的電荷會造成系統(tǒng)下一次復位異常。此外，通過在電源VCCI與被控電子元件20之間設(shè)置所述光電耦合器U3來隔離輸 入及輸出，使得輸入及輸出之間在電氣上完全隔離，有效避免了電源VCCl的不穩(wěn)對被控電子元件20的影響。
權(quán)利要求
1.一種電源復位電路，包括相互串聯(lián)的第一限流電阻及電容、相互串聯(lián)的施密特觸發(fā)器及反相器，該第一限流電阻的另一端連接至電源，該施密特觸發(fā)器的輸入端電性連接至所述第一限流電阻及電容之間，該反相器的輸出端輸出一復位信號，其特征在于所述電源復位電路還包括N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管，該N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管包括漏極、源極及柵極，該漏極電性連接至所述第一限流電阻，該源極電性連接至所述電容與施密特觸發(fā)器之間，該柵極短接至所述源極，所述N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管用于加快所述電容的放電速度。
2.如權(quán)利要求I所述的電源復位電路，其特征在于所述電源復位電路還包 括光電耦合器，該光電耦合器包括發(fā)光器件及光接收器件，該發(fā)光器件的輸入端電性連接至所述電源，該發(fā)光器件輸出端電性連接至所述施密特觸發(fā)器與反相器之間；該光接收器件的輸入端電性連接至所述反相器的輸出端，該光接收器件的輸出端電性連接至一被控電子元件。
3.如權(quán)利要求2所述的電源復位電路，其特征在于所述電源復位電路還包括下拉電阻，所述下拉電阻一端電性連接至所述光接收器件的輸出端及被控電子元件之間，另一端接地。
4.如權(quán)利要求2所述的電源復位電路，其特征在于所述電源復位電路還包括第二限流電阻，該第二限流電阻的一端電性連接至所述電源，另一端電性連接至所述發(fā)光器件的輸入端。
5.如權(quán)利要求2所述的電源復位電路，其特征在于所述發(fā)光器件為發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管的陽極及陰極分別對應該發(fā)光器件的輸入端及輸出端；該光接收器件為光敏三極管，該光敏三極管的集電極及發(fā)射極分別對應該光接收器件的輸入端及輸出端。
全文摘要
一種電源復位電路，包括相互串聯(lián)的第一限流電阻及電容、相互串聯(lián)的施密特觸發(fā)器、反相器及N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管，該第一限流電阻的另一端連接至電源，該施密特觸發(fā)器的輸入端電性連接至所述第一限流電阻及電容之間，該反相器的輸出端輸出一復位信號，該N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管包括漏極、源極及柵極，該漏極電性連接至所述第一限流電阻，該源極電性連接至所述電容與施密特觸發(fā)器之間，該柵極短接至所述源極，所述N溝道金屬氧化層半導體場效晶體管用于加快所述電容的放電速度。所述電源復位電路可有效避免電源的不穩(wěn)定對所述復位信號的影響。
文檔編號H03K17/22GK102811040SQ20111014385
公開日2012年12月5日 申請日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者侯全才 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司