專利名稱：石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及石英晶體諧振器技術領域，特別是涉及一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座。
背景技術：
石英晶體諧振器業(yè)界目前都使用高溫陶瓷(HTCC)通過單一基座進行封裝的方式，隨著產(chǎn)量與材料成本要求未來趨勢勢必改為低溫陶瓷(LTCC)整板式平基板來增加進行積體化生產(chǎn)，其中最難克服的問題為如何在整板接導通的情況下對單一基座進行頻率調整制程。綜觀現(xiàn)有的低溫陶瓷(LTCC)整板式平基板設計(見圖1、圖2和圖幻，芯片座3 和枕座4設置在低溫陶瓷基座1上，通過灌孔5內壁立體圓壁面披覆導通的方式來解決電鍍或化學鍍銀/銅層導線2，但此法仍因各個單一基座互相導通導致無法在整板狀況下進行頻率調整，而必須在切割成為單一基座后才能克服，故無法實現(xiàn)積體化生產(chǎn)構想。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，滿足石英晶體諧振器積體化生產(chǎn)需求。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是提供一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，包括低溫陶瓷基座、銀/銅層導線、芯片座、枕座和灌孔；所述低溫陶瓷基座由至少兩個單一基座組成，所述單一基座上設有石英芯片區(qū)域，所述的銀/銅層導線、芯片座、枕座均在所述低溫陶瓷基座上方；所述單一基座的左右兩側均設有凹陷；所述兩個單一基座組合后，左右兩側的凹陷形成所述灌孔；所述灌孔為低溫陶瓷平基板基座在未切割前用于連接單一基座作為電鍍或化學鍍的導通線路；所述芯片座設置在石英芯片區(qū)域的一端，所述枕座設置在石英芯片區(qū)域的另一端；所述灌孔與所述芯片座通過所述銀 /銅層導線相連；所述銀/銅層導線在單一基座周圍以單面形式進行導通。所述銀/銅層導線為在銀層導線上通過電鍍或化學鍍方式披覆銅層導線。所述單一基座上設有兩個芯片座，其中，一個芯片座通過銀/銅層導線與位于單一基座左側的灌孔相連，另一個芯片座通過銀/銅層導線與位于單一基座右側的灌孔相連。所述的低溫陶瓷基座采用LTCC低溫陶瓷制成。所述的銀/銅層導線在預切割后，單一基座間將互不導通。有益效果由于采用了上述的技術方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下的優(yōu)點和積極效果本發(fā)明通過改變灌孔位置，并利用單一基座周圍單面導通方式改善了整板無法頻率調整的問題，從而滿足石英晶體諧振器積體化生產(chǎn)需求。


圖1是現(xiàn)有技術中低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構俯視圖；圖2是現(xiàn)有技術中低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構前視圖；圖3是現(xiàn)有技術中低溫陶瓷整板式平基板內部結構俯視圖；圖4是本發(fā)明的低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構俯視圖；圖5是本發(fā)明的低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構前視圖；圖6是本發(fā)明的低溫陶瓷整板式平基板內部結構俯視圖；圖7是本發(fā)明的低溫陶瓷整板式平基板經(jīng)預切割后的內部結構俯視圖。
具體實施例方式下面結合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。本發(fā)明的實施方式涉及一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，如圖5所示，包括低溫陶瓷基座1、銀/銅層導線2、芯片座3、枕座4和灌孔5 ；所述低溫陶瓷基座1由至少兩個單一基座組成，如圖3和圖4所示，所述單一基座上設有石英芯片區(qū)域。 所述的銀/銅層導線2、芯片座3、枕座4均在所述低溫陶瓷基座1上方。所述單一基座的左右兩側均設有凹陷，所述兩個單一基座組合后，左右兩側的凹陷形成所述灌孔5。所述灌孔5為低溫陶瓷平基板基座1在未切割前用于連接單一基座作為電鍍或化學鍍的導通線路。所述芯片座3設置在石英芯片區(qū)域的一端，所述枕座4設置在石英芯片區(qū)域的另一端， 所述灌孔5與所述芯片座3通過所述銀/銅層導線相連。如圖3、圖4和圖5所示，單一基座上設有兩個芯片座3，其中，一個芯片座3通過銀/銅層導線2與位于單一基座左側的灌孔5相連，另一個芯片座3通過銀/銅層導線2與位于單一基座右側的灌孔5相連，所述銀 /銅層導線2在單一基座周圍以單面形式進行導通。其中，低溫陶瓷基座1采用LTCC低溫陶瓷制成。如圖7所示，銀/銅層導線2在預切割后，單一基座間將互不導通。單一基座的體積不大于2. 04*1. 64*0. 25mm。不難發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明通過改變灌孔位置，并利用單一基座周圍單面導通的方式改善了整板無法頻率調整的問題，從而滿足石英晶體諧振器積體化生產(chǎn)需求。
權利要求
1.一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，包括低溫陶瓷基座(1)、銀/ 銅層導線O)、芯片座(3)、枕座(4)和灌孔(5)；所述低溫陶瓷基座(1)由至少兩個單一基座組成，所述單一基座上設有石英芯片區(qū)域，其特征在于，所述的銀/銅層導線O)、芯片座 (3)、枕座(4)均在所述低溫陶瓷基座(1)上方；所述單一基座的左右兩側均設有凹陷；所述兩個單一基座組合后，左右兩側的凹陷形成所述灌孔(5)；所述灌孔( 用于在低溫陶瓷基座(1)未切割前連接單一基座作為電鍍或化學鍍的導通線路；所述芯片座(3)設置在石英芯片區(qū)域的一端，所述枕座(4)設置在石英芯片區(qū)域的另一端；所述灌孔(5)與所述芯片座C3)通過所述銀/銅層導線( 相連；所述銀/銅層導線( 在單一基座周圍以單面形式進行導通。
2.根據(jù)權利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述銀/銅層導線O)為在銀層導線上通過電鍍或化學鍍方式披覆銅層導線。
3.根據(jù)權利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述單一基座上設有兩個芯片座(3)，其中，一個芯片座(3)通過銀/銅層導線(2)與位于單一基座左側的灌孔(5)相連，另一個芯片座(3)通過銀/銅層導線(2)與位于單一基座右側的灌孔( 相連。
4.根據(jù)權利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述的低溫陶瓷基座(1)采用LTCC低溫陶瓷制成。
5.根據(jù)權利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述的銀/銅層導線(2)在預切割后，單一基座間將互不導通。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，包括低溫陶瓷基座、銀/銅層導線、芯片座、枕座和灌孔；低溫陶瓷基座由至少兩個單一基座組成，單一基座上設有石英芯片區(qū)域，銀/銅層導線、芯片座、枕座均在低溫陶瓷基座上方；單一基座的左右兩側均設有凹陷；兩個單一基座組合后，左右兩側的凹陷形成所述灌孔；灌孔為低溫陶瓷平基板基座在未切割前用于連接單一基座作為電鍍或化學鍍的導通線路；芯片座設置在石英芯片區(qū)域的一端，枕座設置在石英芯片區(qū)域的另一端；灌孔與芯片座通過銀/銅層導線相連；銀/銅層導線在單一基座周圍以單面形式進行導通。本發(fā)明可滿足石英晶體諧振器積體化生產(chǎn)需求。
文檔編號H03H9/05GK102355225SQ20111021926
公開日2012年2月15日 申請日期2011年8月2日 優(yōu)先權日2011年8月2日
發(fā)明者沈俊男 申請人:臺晶(寧波)電子有限公司