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      一種構(gòu)成平面emi濾波器的感容模塊的制作方法

      文檔序號:7509038閱讀:223來源:國知局
      專利名稱:一種構(gòu)成平面emi濾波器的感容模塊的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種濾波器模塊,尤其涉及一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊。
      背景技術(shù)
      EMI濾波器是有效阻斷傳導(dǎo) 電磁干擾傳輸途徑的經(jīng)濟(jì)可靠的無源器件。在假設(shè)濾波電路具有理想的阻抗對稱性前提下,傳統(tǒng)EMI濾波器通常解耦為差、共模濾波器兩部分,然后針對兩者進(jìn)行單獨(dú)研究和設(shè)計。實(shí)際濾波電路阻抗對稱性很難得到保證,即使印刷電路板的引線布局在幾何上完全對稱,無源元件本身的阻抗不對稱也是不容忽視的因素。電路阻抗不對稱容易造成差、共模噪聲之間的相互轉(zhuǎn)化,這使得傳統(tǒng)的解耦設(shè)計方法失效,即濾波器實(shí)際濾波效果達(dá)不到設(shè)計目標(biāo)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明針對上述不足提供了一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案解決技術(shù)問題
      本發(fā)明所述的一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,包括壺型磁芯,第一差模電容,第一共模電感層,第二共模電感層,感漏層,第三共模電感層,第四共模電感層,第二差模電容,壓蓋;所述的壺型磁芯成圓凹槽形且圓心處設(shè)置凸起件,壺型磁芯從底部向上依次放置第一差模電容、第一共模電感層、第二共模電感層、感漏層、第三共模電感層、第四共模電感層、第二差模電容及壓蓋且各部件均噴涂絕緣層,上述部件之間通過導(dǎo)線相連;還包括第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層,第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層;所述的第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層布置在第二共模電感層與感漏層之間且通過導(dǎo)線與第二共模電感層及感漏層相連,第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層布置在感漏層與第三共模電感層之間且通過導(dǎo)線與感漏層及第三共模電感層相連;第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層與第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層均噴涂絕緣層。本發(fā)明所述的構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,所述的第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層或第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層包括螺旋線圈,PCB板,銅片;所述的PCB板的的一端面布置螺旋線圈另一端面布置銅片。有益效果
      本發(fā)明提供一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,該結(jié)構(gòu)以陶瓷為基板一面為螺旋線圈,另一面全部覆銅用于接地,與傳統(tǒng)由雙面螺旋線圈PCB板構(gòu)成的集成LC單元相比較,能有效減弱原結(jié)構(gòu)中螺旋線圈錯位對共模電容阻抗的影響,保證了共模電容阻抗的對稱性,同時大大減小了接地阻抗,加工變得更簡單,保證了解耦設(shè)計的有效性。


      圖I是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意 圖2是圖I中共模集成LC結(jié)構(gòu)層的結(jié)構(gòu)示意 圖3A是本發(fā)明集成LC單元并聯(lián)。
      圖3B是本發(fā)明并聯(lián) LC單元等 效集中參數(shù)電路。圖4A原結(jié)構(gòu)具有“微錯位”的LC單元剖面圖。圖4B新結(jié)構(gòu)具有“微錯位”集成LC單元剖面圖。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合

      對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明
      如圖所不一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,包括壺型磁芯201,第一差模電容202,第一共模電感層203,第二共模電感層204,第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層205,感漏層206,第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層207,第三共模電感層208,第四共模電感層209,第二差模電容210,壓蓋;
      壺型磁芯201成圓凹槽形且圓心處設(shè)置凸起件,壺型磁芯201從底部向上依次放置第一差模電容202、第一共模電感層203、第二共模電感層204、感漏層206、第三共模電感層208、第四共模電感層209、第二差模電容210及壓蓋且各部件均噴涂絕緣層,上述部件之間通過導(dǎo)線相連。第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層205布置在第二共模電感層204與感漏層206之間且通過導(dǎo)線與第二共模電感層204及感漏層206相連,第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層207布置在感漏層206與第三共模電感層208之間且通過導(dǎo)線與感漏層206及第三共模電感層208相連;第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層205與第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層207均噴涂絕緣層。第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層205與第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層207包括螺旋線圈211,PCB板212,銅片213 ;所述的PCB板212的的一端面布置螺旋線圈211另一端面布置銅片213。本發(fā)明提供新結(jié)構(gòu)集成LC作為平面EMI濾波器的基本組成單元,該新結(jié)構(gòu)集成LC包括陶瓷基板212,螺旋線圈211,銅層213。共模濾波器可以通過兩個集成LC單元并聯(lián)實(shí)現(xiàn)(圖3A),當(dāng)AC和A1C1接輸入源,BC和B1C1點(diǎn)接負(fù)載,可以等效為一個低通濾波器結(jié)構(gòu)(圖3B)。新結(jié)構(gòu)集成LC的平面EMI濾波器包括一個壺型磁芯201,兩個差模電容202和210,四個共模電感203、204、208和209,兩個新結(jié)構(gòu)集成LC單元205和207,一個漏感層206 (圖I)。新結(jié)構(gòu)集成LC單元一層線圈的匝數(shù)為Ar1,導(dǎo)線寬度為G,PCB板厚度為dv單個共模電感的匝數(shù)為久,壺型磁芯的磁路面積為4,磁路長度為八,磁導(dǎo)率為U r。集成EMI濾波器的各層關(guān)于漏感層對稱,左右兩邊的結(jié)果相同。在左半部分,兩個共模電感層與集成LC結(jié)構(gòu)的順向耦合串聯(lián)構(gòu)成共電感,其大小為
      權(quán)利要求
      1.一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,包括壺型磁芯(201),第一差模電容(202),第一共模電感層(203),第二共模電感層(204),感漏層(206),第三共模電感層(208),第四共模電感層(209),第二差模電容(210),壓蓋;所述的壺型磁芯(201)成圓凹槽形且圓心處設(shè)置凸起件,壺型磁芯(201)從底部向上依次放置第一差模電容(202)、第一共模電感層(203)、第二共模電感層(204)、感漏層(206)、第三共模電感層(208)、第四共模電感層(209)、第二差模電容(210)及壓蓋且各部件均噴涂絕緣層,上述部件之間通過導(dǎo)線相連;其特征在于還包括第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層(205),第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層(207);所述的第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層(205 )布置在第二共模電感層(204 )與感漏層(206 )之間且通過導(dǎo)線與第二共模電感層(204 )及感漏層(206 )相連,第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層(207 )布置在感漏層(206 )與第三共模電感層(208 )之間且通過導(dǎo)線與感漏層(206 )及第三共模電感層(208 )相連;第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層(205)與第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層(207)均噴涂絕緣層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,其特征在于所述的第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層(205)或第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層(207)包括螺旋線圈(211),PCB板(212),銅片(213);所述的PCB板(212)的的一端面布置螺旋線圈(211)另一端面布置銅片(213)。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種濾波器模塊,尤其涉及一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊。第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層布置在感漏層與第三共模電感層之間且通過導(dǎo)線與感漏層及第三共模電感層相連;第一共模集成LC結(jié)構(gòu)層與第二共模集成LC結(jié)構(gòu)層均噴涂絕緣層。本發(fā)明提供一種構(gòu)成平面EMI濾波器的感容模塊,該結(jié)構(gòu)以陶瓷為基板一面為螺旋線圈,另一面全部覆銅用于接地,與傳統(tǒng)由雙面螺旋線圈PCB板構(gòu)成的集成LC單元相比較,能有效減弱原結(jié)構(gòu)中螺旋線圈錯位對共模電容阻抗的影響,保證了共模電容阻抗的對稱性,同時大大減小了接地阻抗,加工變得更簡單,保證了解耦設(shè)計的有效性。
      文檔編號H03H7/09GK102647166SQ201210113288
      公開日2012年8月22日 申請日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月18日
      發(fā)明者徐晨琛, 王世山 申請人:南京航空航天大學(xué)
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